JP2008109136A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板から揮発性残渣を除去する方法であって、
   真空気密プラットフォームを持つ処理システムを準備するステップと、
   該プラットフォームの処理チャンバ内で基板をハロゲンを含む化学で処理するステップと、
   処理された該基板を該プラットフォーム内でインサイチュで処理して、処理された該基板から揮発性残渣を放出させるステップと、
   を含む前記方法。
2. 処理された該基板を処理するステップが、
   処理された該基板を該プラットフォームにおけるロードロックチャンバ内で加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
3. 処理された該基板を処理するステップが、
   処理された該基板を該プラットフォーム内に配置されたロボットのブレード上で加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
4. 処理された該基板を処理するステップが、
   処理された該基板を該処理チャンバに結合された搬送チャンバ内で加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
5. 処理された該基板を処理するステップが、
   処理された該基板を２００℃〜５００℃の温度に加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
6. 処理された該基板を処理するステップが、
   該処理システムのロードロックチャンバ内の処理された該基板をＯ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、アルケン、アルカン及びＨ_２の少なくとも一つから選ばれるガスにさらす工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
7. 処理された該基板を処理するステップが、
   該処理システムのロードロックチャンバ内の処理された該基板を、該基板を加熱しつつＯ_３にさらす工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
8. 処理された該基板をさらすステップが、
   処理された該基板を５秒〜１２０秒間該ガスにさらす工程を更に含む、請求項６に記載の方法。
9. 処理された該基板を処理するステップが、
   該基板を加熱しつつ５トール〜３００トールの圧力に維持する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
10. 処理された該基板を加熱するステップが、
    該基板を加熱しつつ該基板を通過する信号の変化を感知する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
11. 該信号の変化を感知するステップが、
    該信号の変化に相関する基板温度を決定する工程を更に含む、請求項１０に記載の方法。
12. 所定の温度に達したときに該基板の加熱を停止させるステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
13. 該基板を処理するステップが、
    該基板を臭化水素（ＨＢｒ）、塩素（Ｃｌ_２）、及び四フッ化炭素（ＣＦ_４）の少なくとも一つを用いて処理する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
14. 基板からハロゲン含有残渣を除去する方法であって、
    処理チャンバと該処理チャンバの外部に配置された基板ヒータを持つ処理システムを準備するステップと、
    ハロゲンを含む化学で該処理チャンバ内の該基板をエッチングするステップと、
    エッチングされた該基板を該処理システム内の該基板ヒータでインサイチュで処理して、該基板から揮発性残渣を放出させるステップと、
    該基板を加熱しつつ基板透過率変化を検出するステップと、
    を含む前記方法。
15. 該基板透過率変化を検出するステップが、
    基板の加熱の終点を決定する工程を更に含む、請求項１４に記載の方法。