CN111198482A - 光刻胶去除装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种光刻胶去除装置和方法，在进行光刻胶去除处理时，晶圆设置在光刻胶去除装置的承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；其中，在所述承载部件的加热过程中，所述光刻胶去除装置的去胶反应腔的腔壁的温度升高；在所述去胶反应腔中使用第一气体中的氢源来执行去除所述晶圆上的光刻胶；其中，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。如此，能够在利用氢源与光刻胶反应实现去除光刻胶时，提供较高的去胶效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻胶去除装置及方法。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，刻蚀之后的步骤之一是去除光刻胶(也可以简称为“去胶”)，光刻胶用来作为光刻掩膜版到晶圆表面的图像转移媒介以及被刻蚀区域的阻挡层。一旦刻蚀完成，光刻胶在晶圆表面就不再有用，必须完全去除。
相关技术中，一般采用湿法去胶和干法去胶两种方式来去除光刻胶，其中干法去胶由于不存在湿法去胶中对化学药品进行的管理和处理而优势凸显。干法去胶中一般利用去胶气体(如氧气)中的氧源与光刻胶反应来去除光刻胶；而对于一些特殊去除光刻胶场景，如待进行去除光刻胶处理的晶圆不希望被氧化时，则会利用去胶气体(如氢气)中的氢源与光刻胶反应来去除光刻胶。
然而，在利用氢源与光刻胶反应实现去除光刻胶时，存在去胶效率低的问题。
发明内容
为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种光刻胶去除装置和方法，能够在利用氢源与光刻胶反应实现去除光刻胶时，提供较高的去胶效率。
本发明实施例提供了一种光刻胶去除装置，包括：承载部件、去胶反应腔以及温度控制子装置；其中，
在所述去胶反应腔中，使用第一气体中的氢源来执行去除晶圆上的光刻胶；其中，在进行光刻胶去除处理时，所述晶圆设置在所述承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；在所述承载部件的加热过程中，所述去胶反应腔的腔壁的温度升高；
所述温度控制子装置，用于控制所述去胶反应腔的腔壁的温度小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。
上述方案中，所述第一气体包含氢气和惰性气体。
上述方案中，所述温度控制子装置包括温度检测部件、控制器及冷却部件；其中，
所述温度检测部件，用于检测所述去胶反应腔的腔壁的温度；
所述控制器，用于当所述去胶反应腔的腔壁的温度大于第一阈值时，生成第一指令；
所述冷却部件，用于响应所述第一指令，冷却所述去胶反应腔的腔壁的温度。
上述方案中，所述去胶反应腔的腔壁上设置有容置空间，所述冷却部件设置在所述容置空间中。
上述方案中，所述冷却部件包含冷却液管道，通过通入冷却液来冷却所述去胶反应腔的腔壁的温度。
上述方案中，所述装置还包括进气口，所述第一气体通过所述进气口进入所述去胶反应腔中。
上述方案中，所述装置还包括出气口，所述第一气体与所述光刻胶反应后的气体通过所述出气口从所述去胶反应腔中排出。
本发明实施例还提供了一种光刻胶去除方法，包括：
在进行光刻胶去除处理时，晶圆设置在光刻胶去除装置的承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；其中，在所述承载部件的加热过程中，所述光刻胶去除装置的去胶反应腔的腔壁的温度升高；
在所述去胶反应腔中使用第一气体中的氢源来执行去除所述晶圆上的光刻胶；其中，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。
上述方案中，所述第一气体包含氢气和惰性气体。
上述方案中，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度，包括：
利用所述温度控制子装置的温度检测部件检测所述去胶反应腔的腔壁的温度；
当所述去胶反应腔的腔壁的温度大于第一阈值时，所述温度控制子装置的控制器生成第一指令；
所述温度控制子装置的冷却部件响应第一指令，冷却所述去胶反应腔的腔壁的温度。
本发明实施例提供的光刻胶去除装置及方法，在进行光刻胶去除处理时，晶圆设置在光刻胶去除装置的承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；其中，在所述承载部件的加热过程中，所述光刻胶去除装置的去胶反应腔的腔壁的温度升高；在所述去胶反应腔中使用第一气体中的氢源来执行去除所述晶圆上的光刻胶；其中，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。本发明实施例中，利用氢源与光刻胶反应实现去除光刻胶时，通过光刻胶去除装置中的温度控制子装置将去胶反应腔的腔壁的温度控制在特定温度，从而可以避免随着承载部件的加热使去胶反应腔的腔壁的升温而导致通入的去胶气体中的氢源与高温的去胶反应腔的腔壁发生的吸附作用，进而可以保证去胶气体中与光刻胶进行反应的氢源的浓度，以保证较高的去胶效率。
附图说明
图1a为相关技术中利用氢源与通过刻蚀形成台阶区域的晶圆上的光刻胶反应，反应开始时，去胶反应腔中的氢源的分布示意图；
图1b为相关技术中利用氢源与通过刻蚀形成台阶区域的晶圆上的光刻胶反应，反应的后期，去胶反应腔中的氢源的分布示意图；
图2为本发明实施例光刻胶去除装置的结构组成示意图；
图3为本发明实施例光刻胶去除装置的剖面示意图一；
图4为本发明实施例光刻胶去除装置的剖面示意图二；
图5为本发明实施例光刻胶去除方法的实现流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对发明的具体技术方案做进一步详细描述。
本发明实施例中提到的光刻胶的基本成分为碳氢聚合物。应该理解的是，本发明实施例中涉及的光刻胶去除装置及方法去除不仅适用于光刻胶的去除，也同样适用于无定形碳的去除(这里，无定形碳用来作为硬掩模版到晶圆表面的图像转移媒介以及被刻蚀区域的阻挡层)。下文中，仅以光刻胶作为举例说明。
相关技术中，在干法去胶的过程中，需要将待进行去除光刻胶处理的晶圆加热到一定温度，从而在该一定温度下激活去胶气体中的活性源，使光刻胶与去胶气体中的被激活的活性源反应达到去除光刻胶的目的。实际应用时，一般利用去胶气体(如氧气)中的氧原子与光刻胶反应来去除光刻胶；而对于一些特殊去除光刻胶场景，如待进行去除光刻胶处理的晶圆不希望被氧化时，则需要利用去胶气体(如氢气)中的氢源与光刻胶反应来去除光刻胶。
然而，在利用氢源与光刻胶反应的过程中，由于需要通过承载部件的加热将晶圆保持在一定温度，所以随着时间的推移，去胶反应腔中的温度会随着加热时长的增加而升高，此时，通入的去胶气体中的部分氢源容易与去胶反应腔的高温腔壁发生吸附作用，从而在去除光刻胶反应的后期，在通入的去胶气体浓度一定的情况下，去胶反应腔中用于与光刻胶发生反应氢源的浓度就会减少，此时，与浓度没降低之前相比，在相同时间内去除的光刻胶的量就会减少，即，去胶的效率就会降低。
实际应用时，所述待进行去除光刻胶处理的晶圆不希望被氧化具体可以是对三维存储器的制造过程中，通过刻蚀形成台阶区域时，由于存在栅极材料钨(W)暴露的问题，此时，用于进行加工三维存储器的晶圆不希望被氧化，即为了防止去除光刻胶时将钨氧化，需要利用氢源与光刻胶反应来达到去除光刻胶的目的。
当利用氢源与通过刻蚀形成台阶区域的晶圆上的光刻胶反应，去除光刻胶刚开始时，去胶反应腔中的氢源的分布如图1a所示，此时，通过承载部件加热晶圆的温度对去胶反应腔的腔壁温度的影响较小，去胶反应腔的腔壁温度不高，通入到去胶反应腔中的氢源基本全部分布在晶圆的上方，与晶圆上的光刻胶进行反应；而随着去除光刻胶的进行，在去除光刻胶的后期，去胶反应腔中的氢源的分布如图1b所示，此时，通过基板加热晶圆的温度对去胶反应腔的腔壁温度的影响较大，去胶反应腔的腔壁温度升高较大，通入到去胶反应腔中的氢源中的部分吸附在去胶反应腔的腔壁上(即wall loss效应)，另一部分则分布在晶圆的上方，与晶圆上的光刻胶进行发生作用，即用于进行光刻胶去除的氢源浓度降低，从而使去除光刻胶的效率大大降低。因此，在对一批上述晶圆进行连续去胶处理的过程中，会出现该批晶圆中的最后几片的光刻胶无法清理干净，残留的光刻胶会影响后续的工序，如造成缺孔(英文可以表达为hole missing)等问题。
基于此，在本发明实施例的各种实施例中，在利用氢源与光刻胶反应实现去除光刻胶时，通过光刻胶去除装置中的温度控制子装置将去胶反应腔的腔壁的温度控制在特定温度，从而可以避免随着承载部件的加热使去胶反应腔的腔壁的升温而导致通入的去胶气体中的氢源与高温的去胶反应腔的腔壁发生的吸附作用，进而可以保证去胶气体中与光刻胶进行反应的氢源的浓度，以保证较高的去胶效率。
图2示出了本发明实施例光刻胶去除装置的结构组成图，本发明实施例的光刻胶去除装置200包括：承载部件201、去胶反应腔202以及温度控制子装置203；其中，
在所述去胶反应腔202中，使用第一气体中的氢源来执行去除晶圆上的光刻胶；其中，在进行光刻胶去除处理时，所述晶圆设置在所述承载部件201上，并通过所述承载部件201的加热将温度保持在第一温度；在所述承载部件201的加热过程中，所述去胶反应腔202的腔壁的温度升高；
所述温度控制子装置203，用于控制所述去胶反应腔202的腔壁的温度小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔202的腔壁发生吸附作用。
下面将结合示出的本发明实施例中一种具体的光刻胶去除装置的剖面示意图(图3)来详细说明。
这里，所述晶圆可以是待进行去除光刻胶处理的晶圆，并且在进行去除光刻胶处理中，不希望将该晶圆氧化。实际应用时，所述晶圆可以为在三维存储器的制造中，已通过刻蚀形成台阶区域的晶圆。
所述承载部件201，设置在去胶反应腔202中，在进行光刻胶去除处理时，所述承载部件201主要用来承载晶圆并通过加热晶圆使得晶圆处于恒温状态，从而使晶圆的温度保持在第一温度。这里，所述第一温度可以是氢源能够被激活从而与光刻胶中的碳发生反应以达到去除光刻胶的温度范围。同时，第一温度也不宜过高，而导致去胶反应腔202中的温度过高。实际应用时，当所述晶圆可以为在三维存储器的制造中，已通过刻蚀形成台阶区域的晶圆时，所述第一温度可以是275℃±20℃。
实际应用时，所述承载部件201可以通过静电吸附的方式来承载晶圆；所述承载部件201可以通过加热与冷却的交替处理控制使使晶圆的温度保持在第一温度。
实际应用时，所述承载部件201的材料可以为耐热的材料，如陶瓷。
这里，所述光刻胶的基本成分为碳氢聚合物，所述第一气体可以为包含氢气的去胶气体。
在一实施例中，所述第一气体包含氢气和惰性气体。
这里，所述惰性气体的加入可以使去胶气体使用起来更加安全，并且可以稀释氢气以获得合理的氢浓度。实际应用中，所述惰性气体可以是氮气、氩气等。
所述去胶反应腔202提供利用去胶气体即第一气体与光刻胶反应以去除光刻胶的场所。实际应用时，在所述去胶反应腔202中，使用第一气体中的氢原子与光刻胶中的碳发生反应来执行去除晶圆上的光刻胶。
实际应用时，如图3所示，所述去胶反应腔202可以为密闭的长方体或正方体结构。所述去胶反应腔202的腔壁的材料可以为强度好且易于制造成型的材料，如铝合金。
实际应用中，考虑到在进行去胶处理的过程中，所述去胶反应腔202中的温度会随着承载部件201的持续加热而不断升温，去胶反应腔202的腔壁的温度会随着承载部件201的持续加热而不断升温。当去胶反应腔202的腔壁的温度升高到阈值温度时，氢原子会与去胶反应腔202的腔壁发生吸附作用。这里，阈值温度为第一气体中的氢源开始与去胶反应腔202的腔壁发生吸附作用的温度。当部分氢源由于吸附作用粘附在去胶反应腔202的腔壁上，这部分的氢源将不能与光刻胶发生反应以去除光刻胶。因此，需要增加温度控制子装置，以将去胶反应腔202的腔壁的温度控制在小于第二温度，这里所述第二温度即为阈值温度。
实际应用时，如图3所示，所述温度控制子装置203设置在去胶反应腔202的腔壁中，用于将去胶反应腔202的腔壁的温度控制在小于第二温度，以使第一气体中的氢源不与去胶反应腔202的腔壁发生吸附作用。
实际应用时，所述第二温度与去胶反应腔202的腔壁的材质相关，当去胶反应腔202的腔壁的材质为铝合金时，所述第二温度为40℃。
本发明实施例提供了一种光刻胶去除装置，包括：承载部件、去胶反应腔以及温度控制子装置；其中，在所述去胶反应腔中，使用第一气体中的氢源来执行去除晶圆上的光刻胶；其中，在进行光刻胶去除处理时，所述晶圆设置在所述承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；在所述承载部件的加热过程中，所述去胶反应腔的腔壁的温度升高；所述温度控制子装置，用于控制所述去胶反应腔的腔壁的温度小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。本发明实施例中在利用氢源与光刻胶反应实现去除光刻胶时，通过光刻胶去除装置中的温度控制子装置将去胶反应腔的腔壁的温度控制在特定温度，从而可以避免随着承载部件的加热使去胶反应腔的腔壁的升温而导致通入的去胶气体中的氢源与高温的去胶反应腔的腔壁发生的吸附作用，进而可以保证去胶气体中与光刻胶进行反应的氢源的浓度，以保证较高的去胶效率。
本发明实施例中，一种应用场景是：晶圆可以为在三维存储器的制造中，已通过刻蚀形成台阶区域的晶圆；所述第一气体为氢气和氮气；所述第一温度为275℃；所述第二温度为40℃。如图4所示，所述光刻胶去除装置400包含：承载部件201、去胶反应腔202、温度控制子装置203、进气口404以及出气口405；其中，
如图4所示，在所述去胶反应腔202中，使用氢气和氮气中的氢原子来执行去除晶圆上的光刻胶；其中，在进行光刻胶去除处理时，所述晶圆设置在所述承载部件201上，并通过所述承载部件201的加热将温度保持在275℃；在所述承载部件201的加热过程中，所述去胶反应腔202的腔壁的温度升高；所述温度控制子装置203，用于控制所述去胶反应腔的腔壁的温度小于40℃，以使所述氢气中的氢原子不与所述去胶反应腔的腔壁发生反应吸附作用。
在本应用实施例中，所述的光刻胶去除装置400装置还包括进气口404，所述第一气体通过所述进气口404进入所述去胶反应腔202中。
实际应用时，所述进气口与去胶气体提供装置(如氢气气瓶以及氮气气瓶)之间均设置有阀门，当所述阀门被打开时，氢气和氮气通过所述进气口进入去胶反应腔202中。
在本应用实施例中，所述的光刻胶去除装置400装置还包括出气口405，所述第一气体中与所述光刻胶反应后的气体通过所述出气口405从所述去胶反应腔202中排出。
实际应用时，所述出气口处设置有泵，所述泵能够将气体从去胶反应腔202中抽走，当所述泵开始抽气时，氢原子与光刻胶反应后的气体通过所述出气口405从去胶反应腔202中排出。
需要说明的是，进气口404和出气口405一般分别设置在去胶反应腔202的两端，如图4中所示出的进气口位于去胶反应腔202的顶面(正视去胶反应腔202剖面的方向)，出气口位于去胶反应腔202的底面(正视去胶反应腔202剖面的方向)，实际应用中，进气口和出气口的方向还可以调换，或者分别设置在去胶反应腔202的左侧和右侧。如此，可以保证进出气流的通畅。
温度控制子装置为本发明实施例的光刻胶去除装置400相较于相关技术中的光刻胶去除装置400做出的最重要的改进，下面将详细介绍温度控制子装置203在实际应用中的结构组成、设置位置以及冷却的具体实现方式等。
关于温度控制子装置203的结构组成：
如图4所示，在一实施例中，所述温度控制子装置203包括温度检测部件、控制器(图4中未示出)及冷却部件；其中：
所述温度检测部件，用于检测所述去胶反应腔202的腔壁的温度；
所述控制器，用于当所述去胶反应腔202的腔壁的温度大于第一阈值时，生成第一指令；
所述冷却部件，用于响应所述第一指令，冷却所述去胶反应腔202的腔壁的温度。
实际应用时，所述温度检测部件可以为温度检测传感器。这里，温度检测传感器既可以是接触式温度传感器，如热电偶、热电阻；也可以是非接触式温度传感器，如红外测温仪。一般情况下，接触式温度传感器较非接触式温度传感器的成本更低。所述温度检测部件与所述控制器连接，所述温度检测部件将检测到的去胶反应腔202的腔壁的温度发送给控制器。
需要说明的是，所述温度检测部件的数量可以为多个，且分布在去胶反应腔202的腔壁的不同位置处，当所述温度检测部件的数量为多个时，将各温度检测部件中检测到的最小温度值作为去胶反应腔202的腔壁的温度。
所述控制器收到去胶反应腔202的腔壁的温度后，将该温度与预先存储的第一阈值进行比较，并在所述去胶反应腔202的腔壁的温度大于第一阈值时，向冷却部件发出第一指令。这里，所述第一阈值为根据第二温度即40℃制定出温度，由于温度控制具有滞后，所述第一阈值一般比第二温度低，如35℃。所述第一指令为指示所述冷却部件启动冷却的指令。
实际应用时，所述控制器可以为专用集成芯片(ASIC，Application SpecificIntegrated Circuit)、DSP、可编程逻辑器件(PLD，Programmable Logic Device)、复杂可编程逻辑器件(CPLD，Complex Programmable Logic Device)、现场可编程门阵列(FPGA，Field-Programmable Gate Array)、通用处理器、微控制器(MCU，Micro Controller Unit)或者微处理器(Microprocessor)等。
所述冷却部件接收到第一指令后，响应第一指令，执行对所述去胶反应腔202的腔壁的冷却。
关于温度控制子装置203的位置设置：
实际应用中，根据所述温度检测部件类型的不同，所述温度检测部件设置的位置也不同。当所述温度检测部件为接触式温度传感器时，所述温度检测部件设置在所述去胶反应腔202的腔壁上；当所述温度检测部件为非接触式温度传感器时，所述温度检测部件的设置位置仅需保证所述去胶反应腔202的腔壁在非接触式温度传感器的感测范围之内即可。
实际应用中，所述控制器可以集成在所述温度检测部件上，也可以设置在光刻胶去除装置400的其它合适位置处。
实际应用中，所述冷却部件需要实现对去胶反应腔202的腔壁的冷却。因此，所述冷却部件可以设置在去胶反应腔202的腔壁上，如去胶反应腔的腔壁的容置空间中。
在一实施例中，所述去胶反应腔202的腔壁上设置有容置空间，所述冷却部件设置在所述容置空间中。
实际应用时，如图4所示，所述温度检测部件设置在所述去胶反应腔202的腔壁的表面上，所述去胶反应腔202的腔壁上设置有容置空间，所述冷却部件设置在所述容置空间中。如此，可以适当的节约成本，并保证较好的冷却效果。
关于温度控制子装置203冷却的具体实现方式：
在一实施例中，所述冷却部件包含冷却液管道，通过通入冷却液来执行对冷却所述去胶反应腔的腔壁的冷却温度。
实际应用时，如图4所示，所述冷却部件包含冷却液管道，所述冷却液管道包围所述去胶反应腔202的腔壁，通过循环通入冷却液来执行对所述去胶反应腔202的腔壁的冷却。所述冷却液管道可以是螺旋状，所述冷却液可以是水。图4中冷却液管道示出的“·”和“X”表示所述冷却液流动的方向。如此，通过冷却部件可以使所述去胶反应腔202的腔壁的温度保持在40℃以下。
本发明实施例中，相较于相关技术中的光刻胶去除装置增加了温度控制子装置，并通过温度控制子装置将去胶反应腔的腔壁在整个去除光刻胶过程中均控制在特定的温度，从而避免了在去除光刻胶过程的后期，去胶气体中的氢源与高温的去胶反应腔的腔壁发生的吸附作用，进而可以保证去胶气体中与光刻胶进行反应的氢源的浓度，以保证光刻胶去除装置始终保持较高的去胶效率。
基于上述装置，本发明实施例还提供了一种光刻胶去除方法，如图5所示，所述光刻胶去除方法包括以下步骤：
步骤501：在进行光刻胶去除处理时，晶圆设置在光刻胶去除装置的承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；其中，在所述承载部件的加热过程中，所述光刻胶去除装置的去胶反应腔的腔壁的温度升高；
步骤502：在所述去胶反应腔中使用第一气体中的氢源来执行去除所述晶圆上的光刻胶；其中，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。
在一实施例中，所述第一气体包含氢气和惰性气体。
在一实施例中，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度，包括：
利用所述温度控制子装置的温度检测部件检测所述去胶反应腔的腔壁的温度；
当所述去胶反应腔的腔壁的温度大于第一阈值时，所述温度控制子装置的控制器生成第一指令；
所述温度控制子装置的冷却部件响应第一指令，冷却所述去胶反应腔的腔壁的温度。
在一实施例中，通过向所述冷却部件的冷却液管道中通入冷却液来冷却所述去胶反应腔的腔壁的冷却温度。
在一实施例中，利用光刻胶去除装置的进气口将所述第一气体通入到所述去胶反应腔中。
在一实施例中，利用光刻胶去除装置的出气口将所述第一气体与所述光刻胶反应后的气体排出去胶反应腔。
需要说明的是，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的方法的具体步骤，可以参考前述光刻胶去除装置实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本发明实施例提供了一种光刻胶去除方法，包括：在进行光刻胶去除处理时，晶圆设置在光刻胶去除装置的承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；其中，在所述承载部件的加热过程中，所述光刻胶去除装置的去胶反应腔的腔壁的温度升高；在所述去胶反应腔中使用第一气体中的氢源来执行去除所述晶圆上的光刻胶；其中，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。。本发明实施例中在利用氢源与光刻胶反应实现去除光刻胶时，通过光刻胶去除装置中的温度控制子装置将去胶反应腔的腔壁的温度控制在特定温度，从而可以避免随着承载部件的加热使去胶反应腔的腔壁的升温而导致通入的去胶气体中的氢源与高温的去胶反应腔的腔壁发生的吸附作用，进而可以保证去胶气体中与光刻胶进行反应的氢源的浓度，以保证较高的去胶效率。
需要说明的是：“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
另外，本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种光刻胶去除装置，其特征在于，所述装置包括：承载部件、去胶反应腔以及温度控制子装置；其中，
在所述去胶反应腔中，使用第一气体中的氢源来执行去除晶圆上的光刻胶；其中，在进行光刻胶去除处理时，所述晶圆设置在所述承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；在所述承载部件的加热过程中，所述去胶反应腔的腔壁的温度升高；
所述温度控制子装置，用于控制所述去胶反应腔的腔壁的温度小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一气体包含氢气和惰性气体。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述温度控制子装置包括温度检测部件、控制器及冷却部件；其中，
所述温度检测部件，用于检测所述去胶反应腔的腔壁的温度；
所述控制器，用于当所述去胶反应腔的腔壁的温度大于第一阈值时，生成第一指令；
所述冷却部件，用于响应所述第一指令，冷却所述去胶反应腔的腔壁的温度。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述去胶反应腔的腔壁上设置有容置空间，所述冷却部件设置在所述容置空间中。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述冷却部件包含冷却液管道，通过通入冷却液来冷却所述去胶反应腔的腔壁的温度。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括进气口，所述第一气体通过所述进气口进入所述去胶反应腔中。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括出气口，所述第一气体与所述光刻胶反应后的气体通过所述出气口从所述去胶反应腔中排出。
8.一种光刻胶去除方法，其特征在于，所述方法包括：
在进行光刻胶去除处理时，晶圆设置在光刻胶去除装置的承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；其中，在所述承载部件的加热过程中，所述光刻胶去除装置的去胶反应腔的腔壁的温度升高；
在所述去胶反应腔中使用第一气体中的氢源来执行去除所述晶圆上的光刻胶；其中，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一气体包含氢气和惰性气体。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度，包括：
利用所述温度控制子装置的温度检测部件检测所述去胶反应腔的腔壁的温度；
当所述去胶反应腔的腔壁的温度大于第一阈值时，所述温度控制子装置的控制器生成第一指令；
所述温度控制子装置的冷却部件响应第一指令，冷却所述去胶反应腔的腔壁的温度。
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