JP2008066563A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 磁化方向が固着された第１の磁性層と、磁化方向が固着された第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた中間層と、前記第１の磁性層、前記中間層および前記第２の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
   前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、前記金属領域は前記第１および第２の磁性層と接触していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
2. 第１の非磁性層と、第２の非磁性層と、前記第１の非磁性層と前記第２の非磁性層との間に設けられた中間層と、前記第１の非磁性層、前記中間層および前記第２の非磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
   前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、
   前記金属領域は前記第１および第２の非磁性層と接触していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
3. 磁化方向が固着された磁性層と、非磁性層と、前記磁性層と前記非磁性層との間に設けられた中間層と、前記磁性層、前記中間層および前記非磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
   前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、前記金属領域は前記磁性層および前記非磁性層と接触していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
4. 前記中間層において、前記絶縁体領域は、Fe、Co、Ni、Cr、Al、Si、Mgの少なくとも一つを含む酸化物又は窒化物であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の磁気抵抗効果素子。
5. 前記中間層において、前記金属領域の膜面方向の面積が、前記絶縁体領域の膜面方向の面積よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
6. 前記中間層において、前記金属領域と前記第１および第２の磁性層との接触面積が、前記金属領域の略中央部で膜面方向に広がる断面積よりも大きいこと特徴とする、請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
7. 前記金属領域の、前記中間層の面内方向における大きさ（幅）が、５０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一に記載の磁気抵抗効果素子。
8. 請求項１〜７のいずれか一に記載の磁気抵抗効果素子を具えることを特徴とする、磁気ヘッド。
9. 磁気記録媒体と、請求項８に記載の磁気ヘッドとを具えることを特徴とする、磁気記録再生装置。
10. 請求項１〜７のいずれか一に記載の磁気抵抗効果素子を具えることを特徴とする、磁気メモリ。