JP2008066563A - 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁化方向が固着された第1の磁性層と、磁化方向が固着された第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた中間層と、前記第1の磁性層、前記中間層および前記第2の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、前記金属領域は前記第1および第2の磁性層と接触するようにして磁気抵抗効果素子を作製する。
【選択図】図2
Description
磁化方向が固着された第1の磁性層と、磁化方向が固着された第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた中間層と、前記第1の磁性層、中間層および第2の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、
前記金属領域は前記第1および第2の磁性層と接触していることを特徴とする磁気抵抗効果素子(第1の磁気抵抗効果素子)に関する。
第1の非磁性層と、第2の非磁性層と、前記第1の非磁性層と前記第2の非磁性層との間に設けられた中間層と、前記第1の非磁性層、前記中間層および前記第2の非磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、
前記金属領域は前記第1および第2の非磁性層と接触していることを特徴とする磁気抵抗効果素子(第2の磁気抵抗効果素子)に関する。
磁化方向が固着された磁性層と、非磁性層と、前記磁性層と前記非磁性層との間に設けられた中間層と、前記磁性層、前記中間層および前記非磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、
前記金属領域は前記磁性層および前記非磁性層と接触していることを特徴とする磁気抵抗効果素子(第3の磁気抵抗効果素子)に関する。
図1は、本発明の磁気抵抗効果素子の一例を示す構成図である。なお、図1においては、本発明の特徴を明確にすべく、実際の磁気抵抗効果素子の構成とは若干異なるようにして記載している。
上述した磁気抵抗効果素子は、記録再生一体型の磁気ヘッドアセンブリに組み込んで、磁気記録再生装置に搭載することができる。
上述した磁気抵抗効果素子は、例えばメモリセルがマトリクス状に配置されたランダムアクセス磁気メモリ(magnetic random access memory、MRAM)などの磁気メモリを構成することができる。
なお、上記積層体の具体的な構成は以下に示す通りである。
下地層 :Ta5nm/Ru2nm
反強磁性層 :PtMn15nm
強磁性層3 :CoFe3nm
反強磁性結合層 :Ru0.8nm
強磁性層1 :CoFe3nm
中間層 :表1に記載
強磁性層2 :CoFe3nm
保護層 :Cu1nm/Ta2nm/Ru5nm
下地層 :Ta5nm/Ru2nm
反強磁性層 :PtMn15nm
強磁性層3 :CoFe3nm
反強磁性結合層 :Ru0.8nm
強磁性層1 :CoFe3nm
中間層 :表1に記載
強磁性層2 :CoFe3nm
反強磁性結合層 :Ru0.8nm
強磁性層4 :CoFe3n
反強磁性層 :PtMn15nm
保護層 :Cu1nm/Ta2nm/Ru5nm
下地層 :Ta5nm/Ru2nm
反強磁性層 :PtMn、IrMn、FeMn
強磁性層1 :CoFe3nm
中間層 :表1に記載
強磁性層2 :CoFe3nm
保護層 :Cu1nm/Ta2nm/Ru5nm
下地層 :Ta5nm/Ru2nm
反強磁性層 :CoPt
強磁性層1 :CoFe3nm
中間層 :表1に記載
強磁性層2 :CoFe3nm
保護層 :Cu1nm/Ta2nm/Ru5nm
11 中間層
11A 中間層中に含まれる金属領域
11B 中間層中に含まれる絶縁体領域
12 第1の非磁性層
13 第2の非磁性層
22 第1の磁性層
23 第2の磁性層
150 磁気記録再生装置
152 スピンドル
153 ヘッドスライダ
154 サスペンション
155 アクチュエータアーム
156 ボイスコイルモータ
157 スピンドル
160 磁気ヘッドアッセンブリ
164 リード線
200 磁気記録磁気ディスク
311 記憶素子部分
312 アドレス選択用トランジスタ部分
312 選択用トランジスタ部分
321 磁気抵抗効果素子
322 ビット線
322 配線
323 ワード線
323 配線
324 下部電極
326 ビア
328 配線
330 スイッチングトランジスタ
332 ゲート
332 ワード線
334 ビット線
334 ワード線
350 列デコーダ
351 行デコーダ
352 センスアンプ
360 デコーダ
Claims (10)
- 磁化方向が固着された第1の磁性層と、磁化方向が固着された第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた中間層と、前記第1の磁性層、前記中間層および前記第2の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、
前記金属領域は前記第1および第2の磁性層と接触していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 第1の非磁性層と、第2の非磁性層と、前記第1の非磁性層と前記第2の非磁性層との間に設けられた中間層と、前記第1の非磁性層、前記中間層および前記第2の非磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、
前記金属領域は前記第1および第2の非磁性層と接触していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 磁化方向が固着された磁性層と、非磁性層と、前記磁性層と前記非磁性層との間に設けられた中間層と、前記磁性層、前記中間層および前記非磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、
前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、
前記金属領域は前記磁性層および前記非磁性層と接触していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記中間層において、前記絶縁体領域は、Fe、Co、Ni、Cr、Al、Si、Mgの少なくとも一つを含む酸化物又は窒化物であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記中間層において、前記金属領域の膜面方向の面積が、前記絶縁体領域の膜面方向の面積よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記中間層において、前記金属領域と前記第1および第2の磁性層との接触面積が、前記金属領域の略中央部で膜面方向に広がる断面積よりも大きいこと特徴とする、請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記中間層の、前記金属領域の面内方向における大きさ(幅)が、50nm以下であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一に記載の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1〜7のいずれか一に記載の磁気抵抗効果素子を具えることを特徴とする、磁気ヘッド。
- 磁気記録媒体と、請求項8に記載の磁気ヘッドとを具えることを特徴とする、磁気記録再生装置。
- 請求項1〜7のいずれか一に記載の磁気抵抗効果素子を具えることを特徴とする、磁気メモリ。
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