JP2007527625A5

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Publication number: JP2007527625A5
Application number: JP2006554308A
Authority: JP
Filing date: 2005-02-23
Publication date: 2013-01-24
Anticipated expiration: 2025-02-23

Description

別の変形例では、汚染削減コーティングは、（i）炭素および水素のネットワークと、（ii）シリコンおよび酸素のネットワークの両方を有するダイアモンド状ナノコンポジットを備えるダイアモンド状材料を備えることが可能である。ダイアモンド状ナノコンポジットは、そのうちのかなりの量がｓｐ³ハイブリッドであるが、純粋ダイアモンドのような実質的な広範囲の配列を有していない結合炭素原子のネットワークを備える点において、ダイアモンド状炭素に類似しており、また結合水素原子をさらに備えることが可能である。製作条件に応じて、ダイアモンド状ナノコンポジットは完全にアモルファスであってもよく、あるいは、例えばナノスケールレベルでダイアモンド昌子を含有することも可能である。ダイアモンド状ナノコンポジットは、炭素ネットワークに実質的ランダムに浸透して、高い温度安定性、高硬度および低摩擦係数を有する組成材料を形成するシリコン結合酸素のネットワークを備える。ナノコンポジットにおけるＣ、Ｈ、ＳｉおよびＯ原子の各々パーセンテージは、所望の組成特徴を提供するように選択可能である。適切なダイアモンド状ナノコンポジットは、例えば約５０原子％〜約９０原子％の炭素、５原子％〜約１０原子％の水素、約１０原子％〜約２０原子％のシリコンおよび約５原子％〜約１０原子％の酸素の組成を備えていてもよい。ダイアモンド状ナノコンポジットは、約０．０５〜約０．２のうちの約０．３未満の低摩擦係数と、約０．０５マイクロメートル〜約０．４マイクロメートルのうちの約０．４マイクロメートル未満、さらには約０．１マイクロメートル未満の低平均表面粗さとを備えていてもよい。ダイアモンド状ナノコンポジットはまた、約８〜約１８ＧＰａといった少なくとも約８ＧＰａの微小硬度を備えてもよい。ダイアモンド状ナノコンポジットはまた高純度を備えていてもよく、例えば、ダイアモンド状ナノコンポジットは、約５×１０¹²原子／ｃｍ²未満、さらには約５×１０¹¹原子／ｃｍ²未満の金属不純物を備えていてもよい。例えば、材料は、約１０原子％未満の、チタンなどの金属不純物、さらには約７原子％未満のチタンを備えることが可能である。

Claims

基板の微粒子汚染物質を削減可能な基板サポート構造であって、
（ａ）本体と、
（ｂ）前記本体上に０．２５から４ミクロンの厚さを持つチタン金属の接着層を備え、
（ｃ）前記チタン金属の接着層に直接的に配置されるダイアモンド状コーティングであって、
（１）（i）炭素および水素と、（ii）シリコンおよび酸素の相互リンクネットワークを備えており、
（２）５０原子％から９０原子％の炭素、５原子％から１０原子％の水素、１０原子％から２０原子％のシリコン、５原子％から１０原子％の酸素の組成を持ち、また
（３）（i）０．３未満の摩擦係数と、
（ii）少なくとも８ＧＰａの硬度と、
（iii）５×１０¹²原子／ｃｍ²未満の金属の金属濃度レベルと、
（iv）０．４マイクロメートル未満の平均表面粗さと、を備える接触表面を持つダイアモンド状コーティングと、
を備えており、
前記接触表面が、直接的または間接的に基板に接触する場合の基板の磨耗及び汚染を削減する、
基板サポート構造。
前記本体は、基板の微粒子汚染物質を削減可能な脱ガスペデスタルであって、凹状周辺出っ張りを有するディスクを備える脱ガスペデスタルを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板サポート構造。
前記本体は、溝パターンと、熱交換器とを備える熱交換サポートを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板サポート構造。
前記本体は、プロセスチャンバの内外に基板を移送可能な基板移送アームであって、ブレードを備える基板移送アームを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板サポート構造。
マルチチャンバ基板処理装置であって、
（ａ）チャンバ間で基板を移送するための移送アームを備える移送チャンバと、
（ｂ）前記基板を加熱するための加熱チャンバであって、前記基板をその上にサポートする加熱ペデスタルを備える加熱チャンバと、
（ｃ）基板をエネルギー付与されたガスに暴露することによって前記基板を洗浄するための事前洗浄チャンバであって、前記基板をその上にサポートする事前洗浄サポートを備える事前洗浄チャンバと、
（ｄ）前記基板上に材料を堆積するための堆積チャンバであって、前記基板をその上にサポートする堆積サポートを備える堆積チャンバと、
（ｅ）前記基板を冷却するための冷却チャンバであって、前記基板をその上にサポートする冷却ペデスタルを備える冷却チャンバと、
（ｆ）前記ペデスタルおよびサポートのうちの少なくとも１つの上に前記基板を昇降させるための、前記チャンバ内の１つ以上のリフトアセンブリと、
（ｇ）前記移送アームおよびリフトアセンブリをコントロールして、前記チャンバの各々に前記基板を移送して、前記基板を前記ペデスタルおよびサポート上に配置するように適合されたコントローラと、
を備えており、
前記移送アーム、リフトアセンブリ、加熱ペデスタル、冷却ペデスタル、事前洗浄サポートおよび堆積サポートのうちの少なくとも１つが、請求項１に記載の基板サポート構造を備えるマルチチャンバ基板処理装置。
前記本体は、埋め込み電極を持つセラミック構造を備える静電チャックを備え、前記電極は、帯電可能で、静電的に基板を保持することを特徴とする請求項１に記載の基板サポート構造。
前記ダイアモンド状コーティングは、１から２０ミクロンの厚さを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板サポート構造。
前記ダイアモンド状コーティングは、金属添加物を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板サポート構造。
前記本体は、ＡＩＮ若しくはＡｌ₂Ｏ₃を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板サポート構造。
ダイアモンド状コーティングは、１０⁴オーム／ｃｍから１０⁸オーム／ｃｍまでの抵抗率を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板サポート構造。
前記ダイアモンド状コーティングは、０．１原子％から１０原子％間での金属添加物を備え、それによって、前記金属添加物は、前記コーティングの抵抗率を変化させることを特徴とする請求項８に記載の基板サポート構造。