JP2003340667A - チャックテーブル - Google Patents
チャックテーブルInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 19
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 11
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 裏面を研磨すべき半導体ウエーハを吸着する
のに好適に使用され、半導体ウエーハが過剰に加熱され
るのを効果的に回避することができるチャックテーブル
を提供する。 【解決手段】 チャックテーブル２は支持基台４、この
支持気団に固定されたチャック板６及びチャック板を通
して吸引する吸引手段とを具備する。チャック板は炭化
珪素粒及びダイヤモンド粒を含有する多孔性材料から形
成されている。
のに好適に使用され、半導体ウエーハが過剰に加熱され
るのを効果的に回避することができるチャックテーブル
を提供する。 【解決手段】 チャックテーブル２は支持基台４、この
支持気団に固定されたチャック板６及びチャック板を通
して吸引する吸引手段とを具備する。チャック板は炭化
珪素粒及びダイヤモンド粒を含有する多孔性材料から形
成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャックテーブ
ル、殊に、それに限定されるものではないが、研磨工具
によって裏面が研磨される半導体ウエーハを吸着するの
に好適に使用することができるチャックテーブルに関す
る。
ル、殊に、それに限定されるものではないが、研磨工具
によって裏面が研磨される半導体ウエーハを吸着するの
に好適に使用することができるチャックテーブルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの製造においては、半導体
ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートによっ
て多数の矩形領域を区画し、矩形領域の各々に半導体回
路を配設する。そして、ストリートの各々に沿って半導
体ウエーハを切削することによって矩形領域の各々を分
離し半導体チップにせしめている。半導体チップの小型
化及び軽量化のために、矩形領域の各々に分離するのに
先立って半導体ウエーハの裏面を研削し、これによって
半導体ウエーハの厚さを減少せしめることが望まれるこ
とが少なくない。また、先ダイシングと称される様式に
おいては、ストリートに沿って半導体ウエーハをその全
厚さではなくて所定深さまで切削し、しかる後に半導体
ウエーハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを上記
所定深さ以下にせしめ、かくして矩形領域の各々を分離
している。いずれの場合にも、半導体ウエーハの裏面の
研削は、通常、ダイヤモンド砥粒を合成樹脂結合材の如
き適宜の結合材で固着して形成した研削手段を有する研
削工具を、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面
に押圧せしめることによって遂行されている。半導体ウ
エーハの裏面及び／又は研削工具には純水でよい冷却液
を供給する。かような様式によって半導体ウエーハの裏
面を研削すると、当業者には周知の如く、半導体ウエー
ハの裏面に加工歪が生成され、これによって半導体ウエ
ーハの抗折強度が相当低減される。
ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートによっ
て多数の矩形領域を区画し、矩形領域の各々に半導体回
路を配設する。そして、ストリートの各々に沿って半導
体ウエーハを切削することによって矩形領域の各々を分
離し半導体チップにせしめている。半導体チップの小型
化及び軽量化のために、矩形領域の各々に分離するのに
先立って半導体ウエーハの裏面を研削し、これによって
半導体ウエーハの厚さを減少せしめることが望まれるこ
とが少なくない。また、先ダイシングと称される様式に
おいては、ストリートに沿って半導体ウエーハをその全
厚さではなくて所定深さまで切削し、しかる後に半導体
ウエーハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを上記
所定深さ以下にせしめ、かくして矩形領域の各々を分離
している。いずれの場合にも、半導体ウエーハの裏面の
研削は、通常、ダイヤモンド砥粒を合成樹脂結合材の如
き適宜の結合材で固着して形成した研削手段を有する研
削工具を、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面
に押圧せしめることによって遂行されている。半導体ウ
エーハの裏面及び／又は研削工具には純水でよい冷却液
を供給する。かような様式によって半導体ウエーハの裏
面を研削すると、当業者には周知の如く、半導体ウエー
ハの裏面に加工歪が生成され、これによって半導体ウエ
ーハの抗折強度が相当低減される。
【０００３】そこで、本出願人の出願にかかる特願２０
０１−９３３９７及び特願２００１−９３３９８の明細
書及び図面には、半導体ウエーハの裏面を研削した後に
半導体ウエーハの裏面を研磨し、かくして半導体ウエー
ハの裏面を研削することによって生成された加工歪を除
去し、抗折強度の低減を回避することが開示されてい
る。半導体ウエーハの裏面を研磨する際には、チャック
テーブルに半導体ウエーハを表裏を反転した状態で吸着
する。そして、チャックテーブルを回転せしめると共
に、フェルト中に砥粒を分散せしめて形成された研磨手
段を有する研磨工具を高速回転せしめながら半導体ウエ
ーハの裏面に押圧せしめる。チャックテーブルは支持基
台とこの支持基台上に装着されたチャック板とチャック
板を通して吸引する吸引手段とを具備する。裏面を研磨
すべき半導体ウエーハは、表裏を反転した状態で、即ち
表面をチャック板の表面に密着せしめた状態で、チャッ
ク板の表面に吸着される。半導体ウエーハの表面には、
通常、保護のための合成樹脂フィルムが貼着されてい
る。研磨の際に冷却液が供給されることはなく、研磨は
乾式で遂行される。
０１−９３３９７及び特願２００１−９３３９８の明細
書及び図面には、半導体ウエーハの裏面を研削した後に
半導体ウエーハの裏面を研磨し、かくして半導体ウエー
ハの裏面を研削することによって生成された加工歪を除
去し、抗折強度の低減を回避することが開示されてい
る。半導体ウエーハの裏面を研磨する際には、チャック
テーブルに半導体ウエーハを表裏を反転した状態で吸着
する。そして、チャックテーブルを回転せしめると共
に、フェルト中に砥粒を分散せしめて形成された研磨手
段を有する研磨工具を高速回転せしめながら半導体ウエ
ーハの裏面に押圧せしめる。チャックテーブルは支持基
台とこの支持基台上に装着されたチャック板とチャック
板を通して吸引する吸引手段とを具備する。裏面を研磨
すべき半導体ウエーハは、表裏を反転した状態で、即ち
表面をチャック板の表面に密着せしめた状態で、チャッ
ク板の表面に吸着される。半導体ウエーハの表面には、
通常、保護のための合成樹脂フィルムが貼着されてい
る。研磨の際に冷却液が供給されることはなく、研磨は
乾式で遂行される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】而して、本発明者の経
験によれば、上述したとおりの乾式研磨を遂行すると、
半導体ウエーハが相当高温に加熱され、半導体ウエーハ
の裏面に所謂焼けが発生し、そしてまた半導体ウエーハ
の表面に貼着されている合成樹脂フィルムが溶解されて
しまう傾向がある。
験によれば、上述したとおりの乾式研磨を遂行すると、
半導体ウエーハが相当高温に加熱され、半導体ウエーハ
の裏面に所謂焼けが発生し、そしてまた半導体ウエーハ
の表面に貼着されている合成樹脂フィルムが溶解されて
しまう傾向がある。
【０００５】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術的課題は、それに限定されるもの
ではないが、裏面を研磨すべき半導体ウエーハを吸着す
るのに好適に使用され、半導体ウエーハが過剰に加熱さ
れるのを効果的に回避して、半導体ウエーハの裏面にお
ける焼けの発生及び合成樹脂フィルムの溶解を回避する
ことを可能にする、新規且つ改良されたチャックテーブ
ルを提供することである。
あり、その主たる技術的課題は、それに限定されるもの
ではないが、裏面を研磨すべき半導体ウエーハを吸着す
るのに好適に使用され、半導体ウエーハが過剰に加熱さ
れるのを効果的に回避して、半導体ウエーハの裏面にお
ける焼けの発生及び合成樹脂フィルムの溶解を回避する
ことを可能にする、新規且つ改良されたチャックテーブ
ルを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討の
結果、高熱伝導率を有する炭化珪素粒（熱伝導率：２５
０Ｗ／ｍＫ）及びダイヤモンド粒（熱伝導率：９００乃
至２０００Ｗ／ｍＫ）を含有する多孔性材料からチャッ
ク板を形成することによって、別個の問題を発生せしめ
ることなく上記主たる技術的課題を達成することができ
ることを見出した。
結果、高熱伝導率を有する炭化珪素粒（熱伝導率：２５
０Ｗ／ｍＫ）及びダイヤモンド粒（熱伝導率：９００乃
至２０００Ｗ／ｍＫ）を含有する多孔性材料からチャッ
ク板を形成することによって、別個の問題を発生せしめ
ることなく上記主たる技術的課題を達成することができ
ることを見出した。
【０００７】即ち、本発明によれば、上記主たる技術的
課題を達成するチャックテーブルとして、支持基台と、
該支持基台上に装着され、表面が露呈せしめられるチャ
ック板と、該チャック板の表面に被加工物を吸着するた
めに、該チャック板を通して吸引する吸引手段とを具備
するチャックテーブルにして、該チャック板は炭化珪素
粒及びダイヤモンド粒を含有する多孔性材料から形成さ
れている、ことを特徴とするチャックテーブルが提供さ
れる。
課題を達成するチャックテーブルとして、支持基台と、
該支持基台上に装着され、表面が露呈せしめられるチャ
ック板と、該チャック板の表面に被加工物を吸着するた
めに、該チャック板を通して吸引する吸引手段とを具備
するチャックテーブルにして、該チャック板は炭化珪素
粒及びダイヤモンド粒を含有する多孔性材料から形成さ
れている、ことを特徴とするチャックテーブルが提供さ
れる。
【０００８】上記多孔性材料におけるダイヤモンド粒子
の割合を増大せしめる程チャック板の熱伝導率を高くす
ることができ、従って半導体ウエーハの加熱をより効果
的に回避することができる。しかしながら、チャック板
は充分な強度を有すると共に、その表面を適宜の研削工
具、例えばダイヤモンド粒を適宜の結合材で結合するこ
とによって形成された研削手段を有する研削工具、で研
削して充分に平滑にせしめることが重要であり、チャッ
ク板におけるダイヤモンド粒の割合を増大せしめる程チ
ャック板の表面研削が困難になる。かような事実に鑑
み、該多孔性材料は重量割合で５０乃至８０％の炭化珪
素粒及び重量割合で１０乃至４０％のダイヤモンド粒子
に重量割合で５乃至３０％の結合材を混合して焼結する
ことによって形成されているのが好適である。好ましく
は、該炭化珪素粒の粒径は１０乃至１０００μm であ
り、該ダイヤモンド粒の粒径は１乃至１００μm であ
る。結合材は二酸化珪素であり、焼結温度は６００乃至
１３００℃であるのが好ましい。好適実施形態において
は、該支持基台は金属又はセラミックスから形成されて
いる。該チャック板は実質上平坦な表面を有し、該支持
基台は表面に該チャック板が固定される支持盤と該支持
盤上に固定されて該チャック板の周囲を囲繞するリング
部材とを含み、該リング部材の表面は該チャック板の表
面よりも０．５ｍｍ以下であるｘｍｍ（ｘｍｍ≦０．５
ｍｍ）だけ突出する。該リング部材は少なくとも１枚の
調整ワッシャを介して該支持盤上に固定される。被加工
物は裏面が研磨工具によって乾式研磨される半導体ウエ
ーハであり、表面を該チャック板の表面に密接せしめて
該チャック板の表面に吸引される。
の割合を増大せしめる程チャック板の熱伝導率を高くす
ることができ、従って半導体ウエーハの加熱をより効果
的に回避することができる。しかしながら、チャック板
は充分な強度を有すると共に、その表面を適宜の研削工
具、例えばダイヤモンド粒を適宜の結合材で結合するこ
とによって形成された研削手段を有する研削工具、で研
削して充分に平滑にせしめることが重要であり、チャッ
ク板におけるダイヤモンド粒の割合を増大せしめる程チ
ャック板の表面研削が困難になる。かような事実に鑑
み、該多孔性材料は重量割合で５０乃至８０％の炭化珪
素粒及び重量割合で１０乃至４０％のダイヤモンド粒子
に重量割合で５乃至３０％の結合材を混合して焼結する
ことによって形成されているのが好適である。好ましく
は、該炭化珪素粒の粒径は１０乃至１０００μm であ
り、該ダイヤモンド粒の粒径は１乃至１００μm であ
る。結合材は二酸化珪素であり、焼結温度は６００乃至
１３００℃であるのが好ましい。好適実施形態において
は、該支持基台は金属又はセラミックスから形成されて
いる。該チャック板は実質上平坦な表面を有し、該支持
基台は表面に該チャック板が固定される支持盤と該支持
盤上に固定されて該チャック板の周囲を囲繞するリング
部材とを含み、該リング部材の表面は該チャック板の表
面よりも０．５ｍｍ以下であるｘｍｍ（ｘｍｍ≦０．５
ｍｍ）だけ突出する。該リング部材は少なくとも１枚の
調整ワッシャを介して該支持盤上に固定される。被加工
物は裏面が研磨工具によって乾式研磨される半導体ウエ
ーハであり、表面を該チャック板の表面に密接せしめて
該チャック板の表面に吸引される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従って構成された
チャックテーブルの好適実施形態を図示している添付図
面を参照して、更に詳細に説明する。
チャックテーブルの好適実施形態を図示している添付図
面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１０】図１及び図２を参照して説明すると、本発
明に従って構成された、全体を番号２で示すチャックテ
ーブルは、支持基台４とチャック板６とを具備してい
る。
明に従って構成された、全体を番号２で示すチャックテ
ーブルは、支持基台４とチャック板６とを具備してい
る。
【００１１】図示の実施形態における支持基台４は、支
持盤８とこの支持盤８上に固定されるリング部材１０と
から構成されている。支持盤８は、適宜の金属、望まし
くは熱伝達率が比較的大きいアルムニウムの如き金属、
或いは適宜のセラミックスから形成されているのが好適
である。支持盤８は全体として円柱形状であり、適宜の
軸支手段（図示していない）を介して実質上鉛直に延び
る中心軸線を中心として回転自在に装着されている。支
持盤８の上面中央部には円形突出部１２が形成されてお
り、かかる突出部１２の周縁には環状肩面１３が規定さ
れている。円形突出部１２の表面には、中央に位置する
円形凹部１４、内側環状溝１６、外側環状溝１８、円形
凹部１４から内側環状溝１６を横切って外側環状溝１８
まで延びる４個の放射状溝２０が形成されている。円形
凹部１４の中心部、内側環状溝１６及び外側環状溝１８
と放射状溝２０の各々との交差部には、下方に延びる連
通孔２２が形成されている。これらの連通孔２２は、適
宜の連通路（図示していない）を介して、真空ポンプか
ら構成することができる吸引手段２４に連通されてい
る。環状肩面１２には、周方向に間隔をおいて下方に延
びる４個の盲ねじ孔２５が形成されている。
持盤８とこの支持盤８上に固定されるリング部材１０と
から構成されている。支持盤８は、適宜の金属、望まし
くは熱伝達率が比較的大きいアルムニウムの如き金属、
或いは適宜のセラミックスから形成されているのが好適
である。支持盤８は全体として円柱形状であり、適宜の
軸支手段（図示していない）を介して実質上鉛直に延び
る中心軸線を中心として回転自在に装着されている。支
持盤８の上面中央部には円形突出部１２が形成されてお
り、かかる突出部１２の周縁には環状肩面１３が規定さ
れている。円形突出部１２の表面には、中央に位置する
円形凹部１４、内側環状溝１６、外側環状溝１８、円形
凹部１４から内側環状溝１６を横切って外側環状溝１８
まで延びる４個の放射状溝２０が形成されている。円形
凹部１４の中心部、内側環状溝１６及び外側環状溝１８
と放射状溝２０の各々との交差部には、下方に延びる連
通孔２２が形成されている。これらの連通孔２２は、適
宜の連通路（図示していない）を介して、真空ポンプか
ら構成することができる吸引手段２４に連通されてい
る。環状肩面１２には、周方向に間隔をおいて下方に延
びる４個の盲ねじ孔２５が形成されている。
【００１２】リング部材１０は環状フランジ部２６とこ
のフランジ部２６の内周縁から上方に突出する直立リン
グ部２７とを有する。フランジ部２６の外径は支持盤８
の外径と実質上同一でよく、フランジ部２６及び直立リ
ング部２７の内径は支持盤８の突出部１２の外径と実質
上同一でよい。フランジ部２６には周方向に間隔をおい
て４個の貫通孔２８が形成されている。かかるリング部
材１０は必要に応じて１枚又は複数枚の調整ワッシャ３
０を介在せしめて支持盤８の環状肩面１３上に固定され
る。更に詳しくは、適宜の金属から形成することができ
る調整ワッシャ３０にも周方向に間隔をおいて４個の孔
３２が形成されており、リング部材１０のフランジ部２
４に形成されている貫通孔２８、調整ワッシャ３０に形
成されている孔３２を通して、支持盤８の環状肩面１３
に形成されている盲ねじ孔２５に締結ボルト３４を螺着
することによって、支持盤８の環状肩面１３上にリング
部材１０が固定される。後の説明から理解される如く、
リング部材１０の上面には研磨手段が接触し得るので、
リング部材１０は比較的高硬度の金属、例えばステンレ
ス鋼、或いは適宜のセラミックスから形成されているの
が好都合である。
のフランジ部２６の内周縁から上方に突出する直立リン
グ部２７とを有する。フランジ部２６の外径は支持盤８
の外径と実質上同一でよく、フランジ部２６及び直立リ
ング部２７の内径は支持盤８の突出部１２の外径と実質
上同一でよい。フランジ部２６には周方向に間隔をおい
て４個の貫通孔２８が形成されている。かかるリング部
材１０は必要に応じて１枚又は複数枚の調整ワッシャ３
０を介在せしめて支持盤８の環状肩面１３上に固定され
る。更に詳しくは、適宜の金属から形成することができ
る調整ワッシャ３０にも周方向に間隔をおいて４個の孔
３２が形成されており、リング部材１０のフランジ部２
４に形成されている貫通孔２８、調整ワッシャ３０に形
成されている孔３２を通して、支持盤８の環状肩面１３
に形成されている盲ねじ孔２５に締結ボルト３４を螺着
することによって、支持盤８の環状肩面１３上にリング
部材１０が固定される。後の説明から理解される如く、
リング部材１０の上面には研磨手段が接触し得るので、
リング部材１０は比較的高硬度の金属、例えばステンレ
ス鋼、或いは適宜のセラミックスから形成されているの
が好都合である。
【００１３】図示の実施形態においては円板形状である
チャック板６は、充分に大きい熱伝導率を有することが
重要である。加えて、充分な強度を有することが望ま
れ、そしてまたその表面に載置される半導体ウエーハを
所要とおりにチャックするためにその表面は充分に平滑
であることが望まれ、従って例えばダイアモンド粒子を
合成樹脂結合材の如き結合材で固着して形成した研削手
段を有する研削工具によって充分容易に研削することが
できることが望まれる。かような要望を充足するため
に、本発明においては、炭化珪素粒及びダイヤモンド粒
を含有する多孔性材料からチャック板６を形成する。炭
化珪素粒は２５０Ｗ／ｍＫ程度の高熱伝導率を有し、ダ
イヤモンド粒は９００乃至２０００Ｗ／ｍＫ程度の更に
高い熱伝導率を有する。チャック板６の熱伝導率を増大
せしめるには上記多孔性材料におけるダイヤモンド粒の
割合を増大せしめればよいが、ダイヤモンド粒の割合が
過剰になると、チャック板６の表面を研削するのが困難
になる。好適には、上記多孔性材料は重量割合で５０乃
至８０％の炭化珪素粒及び重量割合で１０乃至４０％の
ダイヤモンド粒子に重量割合で５乃至３０％の結合材を
混合して焼結することによって形成することができる。
炭化珪素粒の粒径は１０乃至１０００μm 程度であり、
ダイヤモンド粒の粒径は１乃至１００μm 程度であるの
が好適である。好適結合材としては二酸化珪素を挙げる
ことができる。焼結温度は６００乃至１３００℃である
のが好ましい。チャック板６は適宜の接着剤を介して支
持盤８の突出部１２上に固定することができる。上記吸
引手段２４によってチャック板６を通して吸引すること
によってチャック板６の表面に半導体ウエーハを吸着す
るために、接着剤はチャック板６の下面全域ではなく、
適宜に分散せしめた多数の領域、特に突出部１２の上面
に形成されている円形凹部１４、内側環状溝１６、外側
環状溝１８及び放射溝２０に対応する領域以外に適宜に
分散せしめた多数の領域において、支持盤８の突出部１
０の表面とチャック板６の裏面との間に介在せしめられ
ることが重要である。
チャック板６は、充分に大きい熱伝導率を有することが
重要である。加えて、充分な強度を有することが望ま
れ、そしてまたその表面に載置される半導体ウエーハを
所要とおりにチャックするためにその表面は充分に平滑
であることが望まれ、従って例えばダイアモンド粒子を
合成樹脂結合材の如き結合材で固着して形成した研削手
段を有する研削工具によって充分容易に研削することが
できることが望まれる。かような要望を充足するため
に、本発明においては、炭化珪素粒及びダイヤモンド粒
を含有する多孔性材料からチャック板６を形成する。炭
化珪素粒は２５０Ｗ／ｍＫ程度の高熱伝導率を有し、ダ
イヤモンド粒は９００乃至２０００Ｗ／ｍＫ程度の更に
高い熱伝導率を有する。チャック板６の熱伝導率を増大
せしめるには上記多孔性材料におけるダイヤモンド粒の
割合を増大せしめればよいが、ダイヤモンド粒の割合が
過剰になると、チャック板６の表面を研削するのが困難
になる。好適には、上記多孔性材料は重量割合で５０乃
至８０％の炭化珪素粒及び重量割合で１０乃至４０％の
ダイヤモンド粒子に重量割合で５乃至３０％の結合材を
混合して焼結することによって形成することができる。
炭化珪素粒の粒径は１０乃至１０００μm 程度であり、
ダイヤモンド粒の粒径は１乃至１００μm 程度であるの
が好適である。好適結合材としては二酸化珪素を挙げる
ことができる。焼結温度は６００乃至１３００℃である
のが好ましい。チャック板６は適宜の接着剤を介して支
持盤８の突出部１２上に固定することができる。上記吸
引手段２４によってチャック板６を通して吸引すること
によってチャック板６の表面に半導体ウエーハを吸着す
るために、接着剤はチャック板６の下面全域ではなく、
適宜に分散せしめた多数の領域、特に突出部１２の上面
に形成されている円形凹部１４、内側環状溝１６、外側
環状溝１８及び放射溝２０に対応する領域以外に適宜に
分散せしめた多数の領域において、支持盤８の突出部１
０の表面とチャック板６の裏面との間に介在せしめられ
ることが重要である。
【００１４】図２に図示する如く、支持盤８上にリング
部材１０とチャック板６とを所要とおりに固定した状態
においては、リング部材１０はチャック板６の周囲を囲
繞する。図２に誇張して図示する如く、リング部材１０
の表面、即ちその直立リング部２７の上面は、チャック
板６の表面をｘｍｍだけ越えて上方に突出しており、ｘ
ｍｍは０．５ｍｍ以下、即ちｘ≦０．５であるのが好適
である（この点については後に更に言及する）。
部材１０とチャック板６とを所要とおりに固定した状態
においては、リング部材１０はチャック板６の周囲を囲
繞する。図２に誇張して図示する如く、リング部材１０
の表面、即ちその直立リング部２７の上面は、チャック
板６の表面をｘｍｍだけ越えて上方に突出しており、ｘ
ｍｍは０．５ｍｍ以下、即ちｘ≦０．５であるのが好適
である（この点については後に更に言及する）。
【００１５】上述したとおりのチャックテーブル２を使
用して被加工物である半導体ウエーハ３６の裏面を研磨
する場合、図２に二点鎖線で図示する如く、半導体ウエ
ーハ３６を表裏を反転した状態、即ち研磨すべき裏面を
上方に向けた状態でチャック板６上に載置する。そし
て、吸引手段２４を作動せしめてチャック板６上に半導
体ウエーハ３６を吸着する。チャック板６の表面に密接
せしめられる、半導体ウエーハ３６の表面には、保護の
ために適宜の合成樹脂フィルムを貼着することができ
る。そして、チャックテーブル２を実質上鉛直に延びる
中心軸線を中心として回転せしめながら、半導体ウエー
ハ３６の裏面に二点鎖線で図示する研磨工具３８を作用
せしめる。研磨工具３８は円板形状の支持部材４０とこ
の支持部材４０の下面に固定された研磨手段４２とから
構成されている。研磨手段４２はフェルト中に砥粒を分
散せしめて形成することができる。かような研磨工具３
８は実質上鉛直に延びる回転軸（図示していない）の下
端に装着され、高速で回転せしめられながら、半導体ウ
エーハ３６の裏面に押圧せしめられる。チャック板６上
に半導体ウエーハ３６を吸着した状態において、半導体
ウエーハ３６の研磨すべき裏面は、リング部材１０の表
面、即ち直立リング部２６の上面と実質上同一平面をな
す或いはそれよりも若干下方に没入して位置せしめられ
るのが好都合である。本発明者の経験によれば、半導体
ウエーハ３６の裏面がリング部材１０の表面を越えて上
方に突出する場合、半導体ウエーハ３６の裏面を研磨工
具３８で研磨すると、半導体ウエーハ３６の裏面におけ
る周縁部が幾分丸みを帯びた状態になり、従って半径方
向外方に向かって漸次薄くなり、半導体ウエーハ３６の
周縁部の強度が過小になってしまう傾向がある。一方、
半導体ウエーハ３６の裏面がリング部材１０の表面より
も過剰に没入せしめられると、研磨工具３８による研磨
が不充分になってしまう。フェルトに砥粒を分散せしめ
て形成された研磨手段を有する研磨工具を使用する場
合、リング部材１０の表面に対する半導体ウエーハ３６
の裏面の没入量が０．５ｍｍ以下であるならば、半導体
ウエーハ３６の裏面を所要とおりに研磨することができ
る。近時においては、裏面を研磨すべき半導体ウエーハ
３６の厚さは５０乃至１００μm 程度であるので、リン
グ部材１０の表面とチャック板６の表面との段差ｘを
０．５ｍｍ以下に設定しておけば、通常、半導体ウエー
ハ３６の裏面の周縁部を丸みを帯びた状態にせしめるこ
となく充分良好に研磨することができる。リング部材１
０の表面とチャック板６の表面との間の段差ｘは、支持
盤８の環状肩面１３とリング部材１０との間に介在せし
める調整ワッシャ３０の交換或いは調整ワッシャ３０の
数の追加乃減少によって適宜に調整することができる。
用して被加工物である半導体ウエーハ３６の裏面を研磨
する場合、図２に二点鎖線で図示する如く、半導体ウエ
ーハ３６を表裏を反転した状態、即ち研磨すべき裏面を
上方に向けた状態でチャック板６上に載置する。そし
て、吸引手段２４を作動せしめてチャック板６上に半導
体ウエーハ３６を吸着する。チャック板６の表面に密接
せしめられる、半導体ウエーハ３６の表面には、保護の
ために適宜の合成樹脂フィルムを貼着することができ
る。そして、チャックテーブル２を実質上鉛直に延びる
中心軸線を中心として回転せしめながら、半導体ウエー
ハ３６の裏面に二点鎖線で図示する研磨工具３８を作用
せしめる。研磨工具３８は円板形状の支持部材４０とこ
の支持部材４０の下面に固定された研磨手段４２とから
構成されている。研磨手段４２はフェルト中に砥粒を分
散せしめて形成することができる。かような研磨工具３
８は実質上鉛直に延びる回転軸（図示していない）の下
端に装着され、高速で回転せしめられながら、半導体ウ
エーハ３６の裏面に押圧せしめられる。チャック板６上
に半導体ウエーハ３６を吸着した状態において、半導体
ウエーハ３６の研磨すべき裏面は、リング部材１０の表
面、即ち直立リング部２６の上面と実質上同一平面をな
す或いはそれよりも若干下方に没入して位置せしめられ
るのが好都合である。本発明者の経験によれば、半導体
ウエーハ３６の裏面がリング部材１０の表面を越えて上
方に突出する場合、半導体ウエーハ３６の裏面を研磨工
具３８で研磨すると、半導体ウエーハ３６の裏面におけ
る周縁部が幾分丸みを帯びた状態になり、従って半径方
向外方に向かって漸次薄くなり、半導体ウエーハ３６の
周縁部の強度が過小になってしまう傾向がある。一方、
半導体ウエーハ３６の裏面がリング部材１０の表面より
も過剰に没入せしめられると、研磨工具３８による研磨
が不充分になってしまう。フェルトに砥粒を分散せしめ
て形成された研磨手段を有する研磨工具を使用する場
合、リング部材１０の表面に対する半導体ウエーハ３６
の裏面の没入量が０．５ｍｍ以下であるならば、半導体
ウエーハ３６の裏面を所要とおりに研磨することができ
る。近時においては、裏面を研磨すべき半導体ウエーハ
３６の厚さは５０乃至１００μm 程度であるので、リン
グ部材１０の表面とチャック板６の表面との段差ｘを
０．５ｍｍ以下に設定しておけば、通常、半導体ウエー
ハ３６の裏面の周縁部を丸みを帯びた状態にせしめるこ
となく充分良好に研磨することができる。リング部材１
０の表面とチャック板６の表面との間の段差ｘは、支持
盤８の環状肩面１３とリング部材１０との間に介在せし
める調整ワッシャ３０の交換或いは調整ワッシャ３０の
数の追加乃減少によって適宜に調整することができる。
【００１６】半導体ウエーハ３６の裏面を研磨工具３８
によって研磨すると、半導体ウエーハ３６の裏面と研磨
工具３８の研磨手段４２との摩擦等によって半導体ウエ
ーハ３６が相当加熱されるが、本発明に従って構成され
たチャックテーブル２においては、チャック板６が高熱
伝導率を有する故に、半導体ウエーハ３６からチャック
板６を介して支持基台４に熱が良好に伝導され、半導体
ウエーハ３６が過剰に加熱されてしまうことが効果的に
回避される。
によって研磨すると、半導体ウエーハ３６の裏面と研磨
工具３８の研磨手段４２との摩擦等によって半導体ウエ
ーハ３６が相当加熱されるが、本発明に従って構成され
たチャックテーブル２においては、チャック板６が高熱
伝導率を有する故に、半導体ウエーハ３６からチャック
板６を介して支持基台４に熱が良好に伝導され、半導体
ウエーハ３６が過剰に加熱されてしまうことが効果的に
回避される。
【００１７】
【発明の効果】本発明のチャックテーブルは、裏面を研
磨すべき半導体ウエーハを吸着するのに好適に使用さ
れ、半導体ウエーハが過剰に加熱されるのを効果的に回
避して、半導体ウエーハの裏面における焼けの発生及び
合成樹脂フィルムの溶解を回避することを可能にする。
磨すべき半導体ウエーハを吸着するのに好適に使用さ
れ、半導体ウエーハが過剰に加熱されるのを効果的に回
避して、半導体ウエーハの裏面における焼けの発生及び
合成樹脂フィルムの溶解を回避することを可能にする。
【図１】本発明に従って構成されたチャックテーブルの
好適実施形態を示す分解斜面図。
好適実施形態を示す分解斜面図。
【図２】図１に示すチャックテーブルの断面図。
２：チャックテーブル
４：支持基台
６：チャック板
８：支持盤
１０：リング部材
２４：吸引手段
３６：半導体ウエーハ（被加工物）
３８：研磨工具
Claims (9)
- 【請求項１】 支持基台と、該支持基台上に装着され、
表面が露呈せしめられるチャック板と、該チャック板の
表面に被加工物を吸着するために、該チャック板を通し
て吸引する吸引手段とを具備するチャックテーブルにし
て、 該チャック板は炭化珪素粒及びダイヤモンド粒を含有す
る多孔性材料から形成されている、ことを特徴とするチ
ャックテーブル。 - 【請求項２】 該多孔性材料は重量割合で５０乃至８０
％の炭化珪素粒及び重量割合で１０乃至４０％のダイヤ
モンド粒子に重量割合で５乃至３０％の結合材を混合し
て焼結することによって形成されている、請求項１記載
のチャックテーブル。 - 【請求項３】 該炭化珪素粒の粒径は１０乃至１０００
μm であり、該ダイヤモンド粒の粒径は１乃至１００μ
m である、請求項２記載のチャックテーブル。 - 【請求項４】 結合材は二酸化珪素である、請求項２又
は３記載のチャックテーブル。 - 【請求項５】 焼結温度は６００乃至１３００℃であ
る、請求項２から４までのいずれかに記載のチャックテ
ーブル。 - 【請求項６】 該支持基台は金属又はセラミックスから
形成されている、請求項１から５までのいずれかに記載
のチャックテーブル。 - 【請求項７】 該チャック板は実質上平坦な表面を有
し、該支持基台は表面に該チャック板が固定される支持
盤と該支持盤上に固定されて該チャック板の周囲を囲繞
するリング部材とを含み、該リング部材の表面は該チャ
ック板の表面よりも０．５ｍｍ以下であるｘｍｍ（ｘｍ
ｍ≦０．５ｍｍ）だけ突出する、請求項１から６までの
いずかに記載のチャックテーブル。 - 【請求項８】 該リング部材は少なくとも１枚の調整ワ
ッシャを介して該支持盤上に固定される、請求項７記載
のチャックテーブル。 - 【請求項９】 被加工物は裏面が研磨工具によって乾式
研磨される半導体ウエーハであり、表面を該チャック板
の表面に密接せしめて該チャック板の表面に吸引され
る、請求項１から８までのいずれかに記載のチャックテ
ーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002156934A JP2003340667A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | チャックテーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002156934A JP2003340667A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | チャックテーブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003340667A true JP2003340667A (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=29772995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002156934A Pending JP2003340667A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | チャックテーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003340667A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101400256B1 (ko) * | 2004-02-24 | 2014-05-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 오염을 감소시키는 기판 이송 및 지지 시스템 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001038556A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | チャックテーブル及び加工装置並びに加工方法 |
| JP2001121409A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-05-08 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ研磨用ヘッド及びこれを用いた研磨装置 |
| JP2001234201A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Hosokawa Micron Corp | 焼結体材料及びその製造方法、並びにそれを用いた焼結体及びその製造方法 |
| JP2001515927A (ja) * | 1997-09-05 | 2001-09-25 | フレントン リミテッド | 砥粒の製造法およびこの方法で製造された砥粒 |
| JP2001341042A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-11 | Nanotemu:Kk | 真空チャックおよびその製造方法 |
| JP2002036102A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-05 | Ibiden Co Ltd | ウエハ保持治具 |
-
2002
- 2002-05-30 JP JP2002156934A patent/JP2003340667A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001515927A (ja) * | 1997-09-05 | 2001-09-25 | フレントン リミテッド | 砥粒の製造法およびこの方法で製造された砥粒 |
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| JP2001234201A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Hosokawa Micron Corp | 焼結体材料及びその製造方法、並びにそれを用いた焼結体及びその製造方法 |
| JP2001341042A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-11 | Nanotemu:Kk | 真空チャックおよびその製造方法 |
| JP2002036102A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-05 | Ibiden Co Ltd | ウエハ保持治具 |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR101400256B1 (ko) * | 2004-02-24 | 2014-05-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 오염을 감소시키는 기판 이송 및 지지 시스템 |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070905 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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