JP2007165680A - 積層用配線基板、多層配線基板およびそれらの製造方法、ならびに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層と、絶縁層と隣接するパターニングされた導体層と、絶縁層表面から絶縁層を貫通しパターニングされた導体層に達する孔部を金属によって充填されたフィルドビアと、フィルドビアの上方に位置し絶縁層表面から突出する導体突起とを備え、フィルドビアと導体突起は一体となって形成され、当該導体突起先端部は平坦であることを特徴とする第一積層用配線基板と、少なくとも第一の導体層と、当該第一の導体層と隣接する絶縁層と、当該絶縁層を貫通し第一の導体層まで達する開口部とを備えたことを特徴とする第二積層用配線基板とを積層して多層配線基板とする。
【選択図】図3
Description
さらに、特許文献3に記載のプリント配線板の積層方法では、第1のプリント配線板と第2のプリント配線板との接合時の位置ずれによりビアホールの位置精度が逐次積層方式に比べて低いことから、第1のプリント配線板側に設けられたビアホールとよりも、第2のプリント配線板側に設けられたランド径を大きくせざるを得ない。特許文献3に記載の第1のプリント配線板及び第2のプリント配線板は単層板(配線層、絶縁層ともに1層)であるので、積層を重ねるにつれて、全層にわたりビアホールの位置精度が悪く、ランド径が大きくなり、ランド径が大きくなると配線密度をあげられないという問題が発生する。
他の積層用配線基板と接合される導体突起の先端部が平坦であるため精度よく導通を図ることができる。
他の積層用配線基板との接合時に加熱することで、低融点金属が融解し他の積層用配線基板の配線との電気的・機械的接続が容易になされる。
基部の太い導体突起とすることで、他の積層用配線基板に接合した際に、開口部との間隙をなくし、気泡の巻き込みを防ぐことができる。
多層配線基板製造の際の加熱圧着で、気泡を巻き込まないためである。
ビアホール上に開口部を有することで、他の積層用配線基板が有する導体突起の位置とビアホール位置が一致し、上下の層で熱に対する挙動が一致するので、多層配線基板としたときに熱に対して安定な構造となる。
他の積層用配線基板と重ね合わせ加熱した際、絶縁層を形成する樹脂が他の積層用配線基板表面と接着するので、強固な多層配線基板を容易に製造することができる。
対応する導体突起を開口部に受けるさいに気泡の噛みこみを防ぐことができる。
少なくとも第一の導体層と、当該第一の導体層と隣接する絶縁層を備えた積層体の絶縁層を貫通し当該第一の導体層まで達する孔部を設ける工程と、
前記積層体の孔部形成面に無電解めっきにより薄膜導体層を形成する工程と、
フィルドビアめっきにより前記孔部内部に金属を充填するとともに、前記孔部形成面に第二の導体層を形成する工程と、
前記第二の導体層をエッチングして導体突起を設ける工程とを含むことを特徴とする積層用配線基板の製造方法である。
本発明の方法によれば、均一な高さで先端部が平坦な導体突起を複数有する積層用配線基板を得ることができる。
第二の導体層上に低融点金属を含むパターン状のエッチングマスクを形成し、エッチングマスクに覆われていない第二の導体層をエッチングして導体突起とする工程であることを特徴とする請求項10または11記載の積層用配線基板の製造方法である。
エッチングマスクとして低融点金属を含む材料を用い、これを導体突起の形成後も残すことで、別工程で導体突起の先端に低融点金属を含む層を形成する工程を省くことができるとともに、平坦な導体層上に低融点金属を含む層を形成するので、低融点金属を含む層自体を厚みや位置の精度よく、平坦に形成することができる。
フィルドビアめっきにより金属が充填されたビアホールの上部に導体突起を形成することで、上下の層で熱挙動を合わせることができるため、多層構造とした際に熱に対して安定性がよい。
複数の凸部が設けられた第一の接合面を有する第一配線基板を製造する工程と、
前記複数の凸部に対応する複数の凹部が設けられた第二の接合面を有する第二配線基板を製造する工程と、
前記第一配線基板の備える第一の接合面と第二配線基板の備える第二の接合面とを対向させ、対応する凸部と凹部を嵌合状態を保持しながら加熱することで多層配線基板とする工程を備え、
前記第一配線基板は請求項10乃至13記載の方法によって製造された積層用配線基板であることを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
当該多層配線基板の最表面にソルダーレジストを積層しソルダーレジスト下層の配線層まで達する開口部を形成する工程と、
前記ソルダーレジストの開口部から露出する配線層に外部接続のための表面処理を施す工程とを含むことを特徴とする請求項14または15記載の多層配線基板の製造方法である。
本発明の多層配線基板は、少なくとも絶縁層とパターニングされた導体層を有している積層用配線基板を少なくとも2枚以上対向させた状態で保持しながら加熱して作られる。なお、ここでいうパターニングされた導体層とは絶縁層上に電気的導通のためにパターニングされた導体層をさし、配線層あるいはビアとの接合のためのランドをも含む。本発明の多層配線基板は、絶縁層上に複数の凸部が設けられた第一積層用配線基板と、絶縁層に複数の凹部が設けられた第二積層用配線基板とを、凸部と凹部が対応するように積層し、加熱・圧着することで製造される。
第一の接合面の最表面層となる絶縁層には、絶縁特性を有するほか、加熱によって接着性を示す樹脂を含んでいることが好ましい。このような樹脂としては半硬化状態(Bステージ)の熱硬化性樹脂や、熱可塑性樹脂が挙げられる。
本発明による多層配線基板の構造を図7に示す。図7(a)は、図1(a)に示す、第一の接合面を有する積層用配線基板と図2(a)に示す、第二の接合面を有する積層用配線基板とを、導体部では導体突起3と配線層18とを接続し、絶縁部では、第一の接合面を有する絶縁層6と、第二の接合面を有する接続用絶縁層20とが接着されてなる。図7(a)に示す構造では配線層が3層の多層配線基板となる。
図9は本発明の多層配線基板を用いた、半導体素子パッケージ用多層配線基板(インターポーザ)を示す。図9(a)は、本発明の多層配線基板のうち、図3に示す積層用配線基板3枚と図2(a)に示す積層用配線基板1枚を一括で積層した5層配線基板81に、ソルダーマスク82、および、その開口部にNi−Auめっき83(図中省略)を形成した構造を示す。図9(b)は、第一の接合面を有する2層配線の積層用配線基板84と、第二の接合面を有する3層配線の積層用配線基板85を積層した多層配線基板86に、同様に、ソルダーマスク82、および、その開口部にNi−Auめっき83(図中省略)を形成した構造を示す。
本発明の第一の接合面を有する積層用配線基板の実施例について、図5を用いて説明する。絶縁層31として厚さ50μmのポリイミドテープ(ユーピレックス)の両面に銅からなる配線層32が形成され、ポリイミドテープを貫通して両配線を電気的に接続するビアホール33からなる2層配線ポリイミド基板を、リール・ツー・リール工法で製造した(図5(a))。ビアホールの開口径5C2は60μm、ビアホールと接続されているランド径5E2は80μm、配線ルールはライン幅20μm、スペース幅20μmで作製した。ビアホールの最小ピッチ部は150μmでビアホールと接続されるランド間に配線を1本形成することができた。
一方、本発明の第二の接合面を有する積層用配線基板の実施例について、図6を用いて説明する。絶縁層52と導体層51を備えた積層体として、両面に8μm厚の電解銅箔(F1−WS)を貼り合わせた50μm厚のポリイミドテープ(ユーピレックス)を用意し、この一方の面からUV−YAGレーザにて孔部53を形成させた(図6(b))。
図8に示すように、第一の接合面を有する第一積層用配線基板72の第一の接合面と、第二の接合面を有する第二積層用配線基板73の第二の接合面とを、それぞれ導体突起75と開口部77が相対するようにアライメントを取りながら、平板71を用いた熱プレスで160℃、1分間、加熱・圧着し、接続用絶縁層76に含まれるポリイミド系熱可塑接着剤によって第一の接合面と第二の接合面とを仮接着させた後、220℃、15分間、加熱を行うことで、導体突起75の先端部に含まれる低融点金属によって導体突起75と配線層78との導通を図ると共に、第一の接合面側の絶縁層79と第二の接合面側の接続用絶縁層76との本接着を行った。
こうして製造した3層の配線層を有する多層配線基板の両面に25μm厚のフィルムタイプの感光性ソルダーマスクをラミネートした。ラミネート温度は90℃であった。次いでフォトマスクを介して露光、現像を行い、下層の配線層の外部接続用パッドに対応する場所に、半導体素子搭載側には100μm径の開口部を、プリント基板接続用はんだボール搭載側には500μm径の開口部を形成した。
5…先端部 6…絶縁層 7…ビアホール 8…配線層 9…(第一)積層用配線基板
16…絶縁層 17…ビアホール 18…配線層 19…(第二)積層用配線基板
20…接続用絶縁層 21…開口部
22…導体層 23…絶縁層 24…孔部 25…ビアホール 26…はんだパターン
27…導体突起 28…配線層 29…(第一)積層用配線基板
31…絶縁層 32…配線層 33…ビアホール 34…絶縁層 35…銅箔(導体層)
36…孔部 37…めっき金属(ビアホール) 38…はんだパターン
39…(第一)積層用配線基板 40…導体突起 41…配線層
51…導体層 52…絶縁層 53…孔部 54…めっき金属(ビアホール)
55…配線層 56…接続用絶縁層 57…(第二)積層用配線基板
58…開口部 58…開口部
61…多層配線基板
71…平板 72…第一積層用配線基板 73…第二積層用配線基板
74…多層配線基板 75…導体突起 76…接続用絶縁層 77…開口部
78…配線層 79…絶縁層
81…多層配線基板 82…ソルダーマスク 83…Ni−Au
84…(第一)積層用配線基板 85…(第二)積層用配線基板 86…多層配線基板
87…ランド 88…ランド 89…接続用絶縁層
91…多層配線基板 92…ランド 93…ビアホール 94…接続用絶縁層
95…絶縁層
101…半導体素子 102…はんだバンプ 103…はんだボール
104…多層配線基板
1A、8A…(導体突起の)先端部径
1B…(導体突起の)底部径
1C、5C、5C2…(ビアホールのまたは孔部の)開口径
1D、5D…(ビアホールまたは孔部の)底部径
1E、5E、5E2…ランド径
2F…(開口部の)開口径
2G、6G…(開口部の)底部径
2H、6H、8H…ランド径
Claims (17)
- 絶縁層と、絶縁層と隣接するパターニングされた導体層と、絶縁層表面から絶縁層を貫通しパターニングされた導体層に達する孔部を金属によって充填されたフィルドビアと、フィルドビアの上方に位置し絶縁層表面から突出する導体突起とを備え、フィルドビアと導体突起は一体となって形成され、当該導体突起先端部は平坦であることを特徴とする積層用配線基板。
- 前記導体突起の先端部には低融点金属を含む層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の積層用配線基板。
- 前記絶縁層表面近傍のフィルドビア径よりも前記絶縁層に近い基部の導体突起径の方が大きいことを特徴とする請求項1または2記載の積層用配線基板。
- 前記導体突起はその垂直断面形状が、前記絶縁層に近い基部が広く先端部が狭い台形状であることを特徴とする請求項1乃至3記載の積層用配線基板。
- 請求項1乃至4記載の積層用配線基板と積層して多層配線基板とするための積層用配線基板であって、
少なくとも第一の導体層と、当該第一の導体層と隣接する絶縁層と、当該絶縁層を貫通し第一の導体層まで達する開口部とを備えたことを特徴とする積層用配線基板。 - 前記積層用配線基板は少なくとも2層のパターニングされた導体層を有し、当該2層の導体層はビアホールによって接続され、前記開口部は当該ビアホールの上方に形成されていることを特徴とする請求項5記載の積層用配線基板。
- 前記開口部が形成された絶縁層は、加熱によって請求項1乃至4記載の積層用配線基板と接着可能な樹脂を含むことを特徴とする請求項5または6記載の積層用配線基板。
- 前記開口部は開口部底部が狭く開口部上部が広い順テーパー形状であることを特徴とする請求項5乃至7記載の積層用配線基板。
- 請求項1乃至4記載の積層用多層配線基板が備える導体突起と、請求項5乃至8記載の積層用多層配線基板が備える開口部とを対応させて嵌合し接着したことを特徴とする多層配線基板。
- 少なくとも配線層と絶縁層を有する配線基板を複数積層して製造する多層配線基板に用いる積層用配線基板の製造方法であって、
少なくとも第一の導体層と、当該第一の導体層と隣接する絶縁層を備えた積層体の絶縁層を貫通し当該第一の導体層まで達する孔部を設ける工程と、
前記積層体の孔部形成面に無電解めっきにより薄膜導体層を形成する工程と、
フィルドビアめっきにより前記孔部内部に金属を充填するとともに、前記孔部形成面に第二の導体層を形成する工程と、
前記第二の導体層をエッチングして導体突起を設ける工程とを含むことを特徴とする積層用配線基板の製造方法。 - 前記第一の導体層は配線層であることを特徴とする請求項10記載の積層用配線基板の製造方法。
- 前記第二の導体層をエッチングして導体突起を設ける工程は、
第二の導体層上に低融点金属を含むパターン状のエッチングマスクを形成し、エッチングマスクに覆われていない第二の導体層をエッチングして導体突起とする工程であることを特徴とする請求項10または11記載の積層用配線基板の製造方法。 - 前記導体突起は、フィルドビアめっきにより金属が充填された孔部の上部に形成されたことを特徴とする請求項10乃至12記載の積層用配線基板の製造方法。
- 少なくとも配線層と絶縁層を有する配線基板を複数積層して多層配線基板を製造する方法であって、
複数の凸部が設けられた第一の接合面を有する第一配線基板を製造する工程と、
前記複数の凸部に対応する複数の凹部が設けられた第二の接合面を有する第二配線基板を製造する工程と、
前記第一配線基板の備える第一の接合面と第二配線基板の備える第二の接合面とを対向させ、対応する凸部と凹部を嵌合状態を保持しながら加熱することで多層配線基板とする工程を備え、
前記第一配線基板は請求項10乃至13記載の方法によって製造された積層用配線基板であることを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - さらに、前記第二配線基板は請求項5乃至8記載の積層用配線基板であることを特徴とする請求項14記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第一配線基板の備える第一の接合面と第二配線基板の備える第二の接合面とを対向させ、対応する凸部と凹部を状態を保持しながら加熱することで多層配線基板とする工程を1または複数回繰り返した後に、
当該多層配線基板の最表面にソルダーレジストを積層しソルダーレジスト下層の配線層まで達する開口部を形成する工程と、
前記ソルダーレジストの開口部から露出する配線層に外部接続のための表面処理を施す工程とを含むことを特徴とする請求項14または15記載の多層配線基板の製造方法。 - 多層配線基板と、多層配線基板の一方の面に搭載された半導体素子とを備えた半導体装置であって、当該多層配線基板は請求項16記載の方法で製造されたことを特徴とする半導体装置。
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