JP2007081437A - 印刷配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】多層化に適した印刷配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属板21上に複数の配線層24、26、28及び絶縁層23、25、27が交互に積層されるとともに配線層間がビアによって接続された第1のビルドアップ層20と、金属板41上に複数の配線層44、46、48及び絶縁層43、45、47が交互に積層されるとともに配線層間がビアによって接続された第2のビルドアップ層40と、を金属板21と金属板41が各々外側に向かうようにし、かつ、両ビルドアップ層20、40の配線層48、28同士を電気的に接続させて貼り合せる第1の工程と、金属板21と金属板41を同時にエッチング除去する第2の工程と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】金属板21上に複数の配線層24、26、28及び絶縁層23、25、27が交互に積層されるとともに配線層間がビアによって接続された第1のビルドアップ層20と、金属板41上に複数の配線層44、46、48及び絶縁層43、45、47が交互に積層されるとともに配線層間がビアによって接続された第2のビルドアップ層40と、を金属板21と金属板41が各々外側に向かうようにし、かつ、両ビルドアップ層20、40の配線層48、28同士を電気的に接続させて貼り合せる第1の工程と、金属板21と金属板41を同時にエッチング除去する第2の工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、印刷配線板の製造方法に関し、特に、多層化に適した印刷配線板の製造方法に関する。
近年、電子機器の高密度集積化に伴い、複数の配線層及び絶縁樹脂層が交互に積層され、かつ、配線層間がビア接続された多層配線層を有する印刷配線板は、多層化が進んできている。印刷配線板の多層化が進むにつれ、印刷配線板の表面の凹凸が原因で配線が断線、ショートなどを起こし、印刷配線板が不良品となり、歩留まりが低下する問題が生じている。そのような問題を解決するために、印刷配線板の表面の凹凸を平坦化する技術が提案されている。例えば、有底ビアホールのある基板を黒化還元処理した後、スクリーン印刷により有底ビアホールにエポキシ樹脂の充填剤を付与し、真空引きして有底ビアホール内の気泡を抜き、充填剤を熱硬化してから表面を研磨して平坦化するという有底ビアホールの穴埋め方法がある。これによれば、その後さらに上層をビルドアップするときに有底ビアホールの窪みが支障になることがなく、上層のパターン加工精度が確保され、また部品の実装にも便利であるというものである(特許文献1参照)。
しかしながら、上記方法では、研磨によって内層導体厚の寸法変動を伴い、また、内層基板の寸法変動が大きいという問題がある。また、印刷配線板の多層化がさらに進むと、印刷配線板の平坦化にも限界がある。
さらに、コア基材の表面にビルドアップ層を形成した印刷配線板では、コア基材が良品であっても、製造工程においてビルドアップ層に不具合が生じた場合に、コア基材が無駄になり、歩留まりの低下が問題となる。
本発明の第1の目的は、多層化に適した印刷配線板の製造方法を提供することである。
本発明の第2の目的は、歩留まりを向上させ、かつ、リードタイムを短縮させ、タクトを向上させることができる印刷配線板の製造方法を提供することである。
本発明の一視点においては、印刷配線板の製造方法において、第1の金属板上に複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに前記配線層間がビアによって接続された第1のビルドアップ層と、第2の金属板上に複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに前記配線層間がビアによって接続された第2のビルドアップ層と、を前記第1の金属板と前記第2の金属板が各々外側に向かうようにし、かつ、両ビルドアップ層の配線層同士を電気的に接続させて貼り合せる第1の工程と、前記第1の金属板と前記第2の金属板を同時にエッチング除去する第2の工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の前記印刷配線板の製造方法において、前記第1の工程では、前記第1のビルドアップ層と前記第2のビルドアップ層の間に、前記両ビルドアップ層の配線層に対応する接合用金属材料層と接合接着層を介在させて貼り合せることが好ましい。
本発明の前記印刷配線板の製造方法において、前記第1の工程では、前記第1のビルドアップ層と前記第2のビルドアップ層の間に異方導電性膜を介在させて貼り合せることが好ましい。
本発明の前記印刷配線板の製造方法において、前記第1の工程では、前記第1のビルドアップ層と前記第2のビルドアップ層の間に導電性ペーストを介在させて貼り合せることが好ましい。
本発明の前記印刷配線板の製造方法において、前記第1の工程では、前記第1のビルドアップ層と前記第2のビルドアップ層の間に、粉末状はんだ、樹脂、溶剤等を含有し、かつ、両ビルドアップ層の配線層同士を電気的に接続するソルダーペースト層を介在させて貼り合せることが好ましい。
本発明の前記印刷配線板の製造方法において、前記第1のビルドアップ層の製造に関し、前記第1の金属板上の所定の位置に第1の導電性パッドを形成する工程と、前記第1の金属板及び前記第1の導電性パッドの表面に絶縁層及び配線層が交互に積層されるとともに、前記第1の導電性パッドと前記配線層との間、及び前記配線層間がビアによって接続され、かつ、前記ビアが半導体素子が配される第1の面側の径よりも前記第1の面の反対の第2の面側の径の方が広くなるように構成された多層配線層を形成する工程と、を含むことが好ましい。
本発明の前記印刷配線板の製造方法において、前記第2のビルドアップ層の製造に関し、前記第2の金属板上の所定の位置に第2の導電性パッドを形成する工程と、前記第2の金属板及び前記第2の導電性パッドの表面に絶縁層及び配線層が交互に積層されるとともに、前記第2の導電性パッドと前記配線層との間、及び前記配線層間がビアによって接続され、かつ、前記ビアが前記第2の面側の径よりも前記第1の面側の径の方が広くなるように構成された多層配線層を形成する工程と、を含むことが好ましい。
本発明(請求項1〜7)によれば、第1のビルドアップ層と第2のビルドアップ層を別々に製造して貼り合せるので、歩留まりを向上させることができる。
本発明(請求項1〜7)によれば、第1のビルドアップ層と第2のビルドアップ層を同時に製造した後に貼り合せることができるので、タクトを向上させ、リードタイムを短縮させることができる。
(実施形態1)
本発明の実施形態1に係る半導体装置及び印刷配線板について図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の構成を模式的に示した(A)表面側からの斜視図、(B)裏面側からの斜視図、及び(C)部分断面図である。実施形態1に係る半導体装置は、フリップチップボールグリッドアレイ(FCBGA)を適用したものである。
本発明の実施形態1に係る半導体装置及び印刷配線板について図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の構成を模式的に示した(A)表面側からの斜視図、(B)裏面側からの斜視図、及び(C)部分断面図である。実施形態1に係る半導体装置は、フリップチップボールグリッドアレイ(FCBGA)を適用したものである。
図1(A)を参照すると、半導体装置1は、印刷配線板10、半導体素子60を有する。そして、印刷配線板10は、多層配線層11と、金属板21と、を有する。多層配線層11は、コアになる基板のないビルドアップ層である。多層配線層11は、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層され、配線層間がビア接続されており、公知のビルドアップ工法によって形成することができる。金属板21は、多層配線層11上に積層され、半導体素子60が搭載される領域を除く領域に貫通した開口部21aを有する。半導体素子60は、多層配線層11上における金属板21の開口部21aの領域に実装されている。
図1(B)を参照すると、多層配線層11における金属板21が配置されている面(表面)の反対側の面(裏面)には、第1のバンプ80が搭載されている。
図1(C)を参照すると、半導体装置1は、印刷配線板10と、半導体素子60と、封止樹脂70と、第1のバンプ80と、第2のバンプ90と、を有する。そして、印刷配線板10は、第1のビルドアップ層20と、第2のビルドアップ層40と、を有する。なお、多層配線層11は、第1のビルドアップ層20及び第2のビルドアップ層40のうち金属板21を除く部分である。
まず、第1のビルドアップ層20について説明する。第1のビルドアップ層20は、金属板21と、第1の導電性パッド22と、第1の絶縁層23と、第1の導電性パッド22とビア接続した第1の配線層24と、第2の絶縁層25と、第1の配線層24とビア接続した第2の配線層26と、第3の絶縁層27と、第2の配線層26とビア接続した第3の配線層28と、接合用金属材料層29と、接合接着層30と、を有する。
金属板21は、半導体素子60が搭載される領域を除く領域に貫通した開口部21aを有する枠状の補強板(スティフナー)である。また、金属板21は、金属から構成されているため、最表層のグランドとしての機能を持たせてもよい。金属板21には、例えば、ステンレス、鉄、ニッケル、銅及びアルミニウムよりなる群から選択された少なくとも1種の金属を用いることができ、また、その合金を用いることができるが、取り扱いの面からすれば、銅が最適である。また、金属板21の厚さは、例えば、0.1〜1.5mmとすることができる。
第1の導電性パッド22は、第1の絶縁層23の開口部に形成された第1の配線層24と接続するビア表面に形成された導電性媒体である。第1の導電性パッド22は、少なくとも第1の配線層24、第2の配線層26、第3の配線層28、接合用金属材料層29、第6の配線層48、第5の配線層46、第4の配線層44、及び、各配線層間を接続するビアを介して対応する第2の導電性パッド42と電気的に接続している。第1の導電性パッド22には、例えば、無電解めっき、電解めっき等による金、錫、ニッケル及びはんだから選択された少なくとも1種の金属を用いることができ、また、その合金を用いることができる。第1の導電性パッド22は、1層構造だけでなく2層以上であってもよく、第2のバンプ90との密着性等を考慮すれば、第1の配線層24側から順に、ニッケルめっき層及び金めっき層の2層構造が最適である。
第1の絶縁層23は、金属板21と接合する絶縁性の樹脂層である。第1の絶縁層23は、半導体素子60に形成された各電極端子(図示せず)と対応する位置に各々開口部を有する。少なくとも第1の導電性パッド22が形成される第1の絶縁層23の開口部は、第1の導電性パッド22側の径よりも第2の絶縁層25側の径の方が広くなるように構成されている。第1の絶縁層23として、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、液晶ポリマー等の絶縁性樹脂から選択された1種又は2種以上の絶縁性樹脂を用いることができ、熱硬化性樹脂や感光性樹脂であってもよく、例えば、感光性ソルダーレジスト(太陽インキ製造社製 PSR4000 NAS−90−TY、タムラ化研社製 DSR 2200 BGX−8等)等を用いることができる。また、基板強度を上げるため、絶縁性樹脂に、補強材としてガラスクロス、ガラス不織布、アラミド不織布、アラミドフィルム、ポリイミドフィルム等を積層してもよい。また、第1の絶縁層23には、樹脂フィルムや樹脂付き銅箔(RCC)を用いることもできる。
第1の配線層24は、第1のバンプ80側の第1の絶縁層23の表面にパターン形成された導電層である。第1の配線層24には、例えば、無電解めっき、電解めっき等による金、銀、銅、ニッケル等から選択された少なくとも1種の金属又はその合金を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。
第2の絶縁層25は、第1の配線層24を含む第1の絶縁層23の(第1のバンプ80側の)表面に形成された絶縁性の樹脂層である。第2の絶縁層25には、開口部を有し、開口部には、第1の配線層24と第2の配線層26を接続するビアが形成される。ビアには、銅などの導電性金属、導電性ペーストが充填される。第2の絶縁層25の開口部は、少なくともビアが充填形成される部分について、第1の配線層24側の径よりも第3の絶縁層27側の径の方が広くなるように構成されている。第2の絶縁層25には、第1の絶縁層23と同様の材料を用いることができ、また、第1の絶縁層23と異なる材料を用いてもよい。
第2の配線層26は、第2の絶縁層25の(第1のバンプ80側の)表面にパターン形成された導電層であり、第2の絶縁層25の開口部に形成されたビアを通じて第1の配線層24と電気的に接続(ビア接続)する。第2の配線層26は、さらに第2の絶縁層25を介して多層に形成して層間をビア接続させてもよい。第2の配線層26には、第1の配線層24と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。
第3の絶縁層27は、第2の配線層26を含む第2の絶縁層25の(第1のバンプ80側の)表面に形成された絶縁性の樹脂層である。第3の絶縁層27は、第2の配線層26に通じる開口部を有する。第3の絶縁層27の開口部は、少なくとも第3の配線層28に接続するビアが充填形成される部分について、第2の配線層26側の径よりも接合接着層30側の径の方が広くなるように構成されている。第3の絶縁層27には、第1の絶縁層23と同様の材料を用いることができ、第1の絶縁層23及び第2の絶縁層25と異なる材料を用いてもよい。
第3の配線層28は、第3の絶縁層27の(第1のバンプ80側の)表面にパターン形成された導電層であり、第3の絶縁層27の開口部に形成されたビアを通じて第2の配線層26と電気的に接続(ビア接続)する。第3の配線層28には、第1の配線層24と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。
接合用金属材料層29は、第3の配線層28と第6の配線層48とを金属接合させるための導電層であり、少なくとも第3の配線層28と第6の配線層48の間に介在している。接合用金属材料層29には、第6の配線層48と金属接合が可能であり、かつ、電気的接続が可能な金属であればどのようなものでもよく、例えば、銀ペースト、銅ペースト、銀と銅の混合ペースト、銅とはんだの混合ペースト等の導電ペースト、銅等の金属バンプ、はんだを用いることができる。はんだの中でも、SnやIn、もしくはSn、Ag、Cu、Zn、Bi、Pd、Sb、Pb、In、Auの少なくとも二種からなるはんだを使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優しいPbフリーはんだである。また、特開平8−174264号公報に示された粉末状はんだ、樹脂、溶剤等を含有するソルダーペーストを用いることができる。当該ソルダーペーストを用いれば洗浄をしなくてもよいというメリットがある。
接合接着層30は、接合用金属材料層29を介して第3の配線層28と第6の配線層48を接合(電気的に接続)した状態で、第1のビルドアップ層20(の第3の絶縁層27)と第2のビルドアップ層40(の第6の絶縁層47)を接着する絶縁樹脂層である。接合接着層30には、例えば、プリプレグ、異方導電性フィルム(ACF)、絶縁性フィルム(NCF)、異方導電性ペースト(ACP)、絶縁性ペースト(NCP)等を用いることができ、特開平8−174264号公報に示されたソルダーペーストを用いてもよい。
次に、第2のビルドアップ層40について説明する。第2のビルドアップ層40は、第2の導電性パッド42と、第4の絶縁層43と、第4の配線層44と、第5の絶縁層45と、第5の配線層46と、第6の絶縁層47と、第6の配線層48と、を有する。
第2の導電性パッド42は、第4の絶縁層43の開口部であって、第4の配線層44と第5の配線層46とを接続するビア表面に形成された導電性媒体である。第2の導電性パッド42は、少なくとも第4の配線層44、第5の配線層46、第6の配線層48、接合用金属材料層29、第3の配線層28、第2の配線層26、第1の配線層24、及び、各配線層間を接続するビアを介して対応する第1の導電性パッド22と電気的に接続している。第2の導電性パッド42には、第1の導電性パッド22と同様の材料を用いることができ、第1のバンプ80との密着性等を考慮すれば、第4の配線層44側から順に、ニッケルめっき層及び金めっき層の2層構造が最適である。
第4の絶縁層43は、最も第1のバンプ80側に配された絶縁性の樹脂層である。第4の絶縁層43は、第1のバンプ80と対応する位置に開口部を有し、開口部には導電性材料が充填され、接続ビアが形成されている。第4の絶縁層43の開口部は、少なくとも導電性材料が充填される部分について、第2の導電性パッド42側の径よりも第5の絶縁層45側の径の方が広くなるように構成されている。第4の絶縁層43には、第1の絶縁層23と同様の材料を用いることができ、多層配線層11の表層であることを考慮すると、ソルダーレジストであっても構わない。
第4の配線層44は、第2の導電性パッド42を含む第4の絶縁層43の(第2のバンプ90側の)表面にパターン形成された導電層である。第4の配線層44には、第1の配線層24と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。
第5の絶縁層45は、第4の配線層44を含む第4の絶縁層43の(第2のバンプ90側の)表面に形成された絶縁性の樹脂層である。第5の絶縁層45は、第4の配線層44に通じる開口部を有する。第5の絶縁層45の開口部は、少なくとも導電性材料が充填されビア接続する部分について、第4の配線層44側の径よりも第6の絶縁層47側の径の方が広くなるように構成されている。第5の絶縁層45には、第1の絶縁層23と同様の材料を用いることができる。
第5の配線層46は、第5の絶縁層45の(第2のバンプ90側の)表面にパターン形成された導電層であり、第5の絶縁層45の開口部を通じて第4の配線層44と電気的に接続(ビア接続)する。第5の配線層46は、さらに第5の絶縁層45を介して多層に形成して層間をビア接続させてもよい。第5の配線層46には、第1の配線層24と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。
第6の絶縁層47は、第5の配線層46を含む第5の絶縁層45の(第2のバンプ90側の)表面に形成された絶縁性の樹脂層である。第6の絶縁層47は、第5の配線層46に通じる開口部を有する。第6の絶縁層47の開口部は、少なくとも導電性材料が充填されビア接続する部分について、第5の配線層46側の径よりも接合接着層30側の径の方が広くなるように構成されている。第6の絶縁層47には、第1の絶縁層23と同様の材料を用いることができ、第6の配線層48の表面に接合用金属材料層29を形成する場合には、ソルダーレジストが望ましい。
第6の配線層48は、第6の絶縁層47の(第2のバンプ90側の)表面にパターン形成された導電層であり、第6の絶縁層47の開口部を通じて第5の配線層46と電気的に接続(ビア接続)する。第6の配線層48には、第1の配線層24と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。
半導体素子60は、例えば、LSI等の半導体チップであり、半導体素子60の電極端子は、対応する第2のバンプ90を介して第1の導電性パッド22と接続される。第2のバンプ90には、第1のバンプ80と同様の材料を用いることができ、取り扱い等の観点から、はんだが最適である。
封止樹脂70は、半導体素子60と第1の絶縁層23の間の隙間を封止する絶縁性樹脂(アンダーフィル)である。封止樹脂70には、求められる特性に応じて、公知の封止材料(例えば、エポキシ樹脂等)を選択して用いることができる。
第1のバンプ80は、第2の導電性パッド42の表面に形成された、外部の電子部品(図示せず)と電気的に接続するための導電性突起媒体である。第1のバンプ80には、金、銅、はんだ(Sn−Pb共晶はんだ、Sn−Ag−Cuはんだ等)などの金属材料、導電性樹脂、樹脂部材の表面に金属材料を被覆した複合材料を用いることができ、取り扱い等の観点から、はんだボールが最適である。
次に、本発明の実施形態1に係る半導体装置及び印刷配線板の製造方法について図面を用いて説明する。図2及び図3は、本発明の実施形態1に係る印刷配線板における第1のビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図4は、本発明の実施形態1に係る印刷配線板における第2のビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図5及び図6は、本発明の実施形態1に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図7は、本発明の実施形態1に係る印刷配線板における第1のビルドアップ層の分断について模式的に示した平面図である。なお、図2及び図3、図5及び図6は、単に、図面作成の都合で分図されている。実施形態1に係る半導体装置の製造方法では、大きく(1)第1のビルドアップ層の製造段階、(2)第2のビルドアップ層の製造段階、(3)貼り合せ段階の3つに分けることができる。
第1のビルドアップ層の製造段階について説明する。
まず、金属板21(例えば、銅板)の表面に、第1の導電性パッド22を形成するための開口部31aを有するめっきレジスト31を形成する(ステップA1;図2(A)参照)。ここで、めっきレジスト31の形成方法は、めっきレジスト31が液状ならばスピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法又は印刷法等で積層し、めっきレジスト31がドライフィルムであればラミネート法等で積層した後、乾燥等の処理を施して固め、めっきレジスト31が感光性であればフォトリソプロセス等により、また、非感光性であればレーザ加工法等によりパターニングする。
次に、めっきレジスト31の開口部31a内に第1の導電性パッド22(例えば、金)を形成する(ステップA2;図2(B)参照)。なお、第1の導電性パッド22を形成した後は、めっきレジスト31を剥がす(ステップA3;図2(C)参照)。
次に、金属板21及び第1の導電性パッド22の表面に第1の絶縁層23を形成した後、第1の絶縁層23に、第1の導電性パッド22に通ずる開口部23aを形成する(ステップA4;図2(D)参照)。ここで、第1の絶縁層23の形成方法には、例えば、(1)樹脂フィルムを貼り付けて、YAGレーザ、炭酸ガスレーザ等のレーザ光によって開口部23aを形成する方法、(2)樹脂付き銅箔(RCC)を貼り付けて、開口部23aの銅箔をエッチングし、レーザ加工又はプラズマ加工により開口部23aを形成し、不要な銅箔を除去する方法、(3)熱硬化性樹脂を印刷、塗布等して硬化させ、YAGレーザ、炭酸ガスレーザ等のレーザ光によって開口部23aを形成する方法、(4)第1の絶縁層23として、感光性樹脂を印刷、塗布等して硬化させ、フォトリソグラフィ法によって開口部23aを形成する方法等がある。これらの方法によって、第1の絶縁層23の開口部23aを、少なくとも第1の配線層24と接続する導電性材料が充填形成されてなるビアが形成される部分について、第1の導電性パッド22側の径よりも第2の絶縁層25側の径の方を広くすることができる。また、レーザ光によって開口部23aを形成した場合、開口部23aの壁面に付着したコンタミネーションを除去するために、過マンガン酸液で洗浄することが好ましい。
次に、第1の導電性パッド22を含む第1の絶縁層23の表面に、第1の配線層24、第2の絶縁層25、第2の配線層26、第3の絶縁層27、第3の配線層28がこの順に形成し、配線層間がビア接続された多層配線層を形成する(ステップA5;図3(A)参照)。ここで、第1の配線層24(例えば、銅めっき)は、例えば、第1の絶縁層23の表面の化学粗化(デスミア、樹脂粗化処理等)を行ない、その後、組立体表面(ビア底も含む)に無電解銅めっきでシード層を形成し、その後、回路形成用のドライフィルムを基板にラミネートしてからマスク露光、現像工程を経て、所望の配線パターンを形成した後、電解めっき法で配線パターンを形成し、ドライフィルムを剥がし、その後、エッチングによりシード層を除去することにより形成することができる。第2の配線層26、及び第3の配線層28(例えば、銅めっき)も、第1の配線層24と同様の方法により形成することができる。第2の絶縁層25(例えば、樹脂付き銅箔)は、第1の絶縁層23と同様の方法(例えば、樹脂付き銅箔を用いる方法)により形成することができる。また、ビアは、金属めっきや金属からなる導電性材料を充填する方法、もしくは、スクリーン印刷により導電性ペーストを充填する方法等の方法で形成することができる。第2の配線層26と第3の配線層28との間に配線層、絶縁層を多層に形成して層間をビア接続させてもよい。第3の絶縁層27は、第1の絶縁層23と同様の方法(例えば、感光性樹脂(ソルダーレジスト)を用いる方法)により形成することができる。
次に、第3の配線層28の表面(先端)に、接合用金属材料層29を形成する(ステップA6;図3(B)参照)。ここで、接合用金属材料層29の形成方法は、無電解めっきにより形成する方法、金属板21を電解めっき用リード(給電用電極)として電解めっきにより形成する方法、接合用金属材料を含有するペーストを印刷する方法が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを第3の配線層28に対して精度良く位置合せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、第3の配線層28の表面以外に接合用金属材料層29が形成されることがないため、第3の配線層28の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方法では、無電解めっきによる方法よりも短時間で済み、また、層厚も厚くすることができる。また、めっき可能な金属が多種多様であり、また薬液の管理も容易であるため、非常に好適である。なお、図3(B)では、第3の配線層28の表面に接合用金属材料層29を形成しているが、接合用金属材料層29を形成する目的は、第3の配線層28と後述する第6の配線層(図4(E)の48)とを接合させることであるため、第6の配線層(図4(E)の48)の表面に接合用金属材料層29を形成してもよく、第3の配線層28と第6の配線層(図4(E)の48)の両表面に形成してもよい。
次に、接合用金属材料層29を含む第3の絶縁層27の表面に、接合接着層30を形成する(ステップA7;図3(C)参照)。ここで、接合接着層30の形成は、使用する樹脂に応じて適した方法でよく、金属接合接着剤ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、支持フィルム付きドライフィルムの接合接着層30を真空ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。なお、図3(C)では、第3の絶縁層27の表面に接合接着層30を形成する例を示したが、第6の絶縁層(図4(E)の47)の表面に接合接着層30を形成してもよく、第3の絶縁層27及び第6の絶縁層(図4(E)の47)の両表面に形成してもよい。
以上、ステップA1〜A7により、貼り合せ前の第1のビルドアップ層20の中間体ができる。なお、第1のビルドアップ層20を大量生産する場合は、1枚の金属板21に複数の第1のビルドアップ層20を面付けして形成し、貼り合せしやすいユニット(例えば、短冊状ユニット)に裁断する。そして、裁断されたユニットのうち第1のビルドアップ層20として利用する部分以外の領域の所定の位置に、第2のビルドアップ層(図4(E)の40)との貼り合せの際に位置合わせを行うための位置決め孔21bを形成する(図7参照)。位置決め孔21bは、例えば、短冊状ユニットの対角線上の位置に形成すればよく、また、位置決め孔21bは搬送用のスプロケット孔をかねてもよい。
次に、第2のビルドアップ層の製造段階について説明する。
まず、金属板41(例えば、銅板)の表面に、第2の導電性パッド42を形成するための開口部49aを有するめっきレジスト49を形成する(ステップB1;図4(A)参照)。ここで、めっきレジスト49は、ステップA1と同様な方法で形成することができる。
次に、めっきレジスト49の開口部49a内に第2の導電性パッド42(例えば、金)を形成する(ステップB2;図4(B)参照)。なお、第2の導電性パッド42を形成した後は、めっきレジスト49を剥がす(ステップB3;図4(C)参照)。
次に、金属板41及び第2の導電性パッド42の表面に第4の絶縁層43を形成した後、第4の絶縁層43に、第2の導電性パッド42に通ずる開口部43aを形成する(ステップB4;図4(D)参照)。ここで、第4の絶縁層43は、第1の絶縁層(図2(D)の23)と同様の方法(例えば、樹脂付き銅箔を用いる方法)により形成することができる。
次に、第2の導電性パッド42を含む第4の絶縁層43の表面に、第4の配線層44、第5の絶縁層45、第5の配線層46、第6の絶縁層47、第6の配線層48をこの順に形成し、配線層間がビア接続された多層配線層を形成する(ステップB5;図4(E)参照)。ここで、第4の配線層44、第5の配線層46、及び第6の配線層48(例えば、銅めっき)は、第1の配線層(図3(A)の24;ステップA5参照)と同様の方法により形成することができる。第5の絶縁層45は、第1の絶縁層(図3(A)の23;ステップA5参照)と同様の方法(例えば、樹脂付き銅箔を用いる方法)により形成することができる。第6の絶縁層47は、第1の絶縁層(図3(A)の23;ステップA5参照)と同様の方法(例えば、感光性樹脂(ソルダーレジスト)を用いる方法)により形成することができる。なお、第5の配線層46と第6の配線層48との間にさらに配線層、絶縁層を多層に形成して層間をビア接続させてもよい。
以上、ステップB1〜B5により、貼り合せ前の第2のビルドアップ層40の中間体ができる。なお、第2のビルドアップ層40を大量生産する場合は、第1のビルドアップ層20と同様に、1枚の金属板41に複数の第2のビルドアップ層40を形成し、貼り合せしやすいユニット(例えば、短冊状ユニット)に裁断する。そして、裁断されたユニットのうち第2のビルドアップ層40として利用する部分以外の領域の所定の位置に、第1のビルドアップ層(図3(C)の20)との貼り合せの際に位置合わせを行うための位置決め孔(図7の21bと同様ないし対称的な孔)を形成する。
次に、貼り合せ段階について説明する。
まず、金属板21、41が各々外側に向かうようにして第1のビルドアップ層20と第2のビルドアップ層40とを位置合せし、対向させる(ステップC1;図5(A)参照)。ここで、位置合せは、第1のビルドアップ層20の位置決め孔(図7の21b)と、これに対応する第2のビルドアップ層40の位置決め孔(図7の21bと同様な孔)と、を基準にして画像認識装置(図示せず)により読み取り位置合わせすることができ、その他にも位置合わせ用のピン等で位置合わせする方法等でもよい。また、接合接着層30に特開平8−174264号公報に示されたソルダーペーストを用いる場合は、ビルドアップ層20とコア基板40の間の張力によるセルフアライメントで位置決めすることも可能である。
次に、位置合せした第1のビルドアップ層20と第2のビルドアップ層40とを貼り合せる(ステップC2;図5(B)参照)。貼り合せ方法としては、例えば、真空プレスを用いて、第3の配線層28が、接合接着層30を排除して、接合用金属材料層29により第6の配線層48と接合するまで加熱・加圧し、第3の配線層28と第6の配線層48とを金属接合させる。引き続き、さらに、加熱して第1のビルドアップ層20と第2のビルドアップ層40とを接着する。なお、最終的な加熱温度は、接合用金属材料層29の融点以上であることが必要である。その他の方法として、プリプレグ100(若しくはBステージ状態の樹脂シート)に予め導電性ペースト101を充填するための貫通した開口部を形成し、当該開口部に導電性ペースト101を充填した後、第1のビルドアップ層20と第2のビルドアップ層40との間にプリプレグ100を挟み、真空プレスを行ってもよい(図8参照)。
なお、図8において、第6の配線層48の導電性ペースト101と接続する部位(ランド部)の大きさは、第3の配線層28の導電性ペースト101と接続する部位(ランド部)の大きさより大きくしているが、これに限定されるものではなく、対向するランド部同士の大きさは同じであっても構わない。しかし、以下の理由により、一方のランド部の大きさを、対向する他方のランド部の大きさより大きくすることが望ましい。すなわち、導電性ペースト101を貫通部に充填したプリプレグは薄いシート状である。このため、薄いプリプレグを通して第1のビルドアップ層20に設けた位置合せ孔を視認できる等の理由により、第1のビルドアップ層20上にプリプレグを重ねた際に、第3の配線層28のランド部上に導電性ペースト101を位置合せすることが容易である。しかし、プリプレグ上にさらに第2のビルドアップ層40を重ねる際、第6の配線層48のランド部と導電性ペースト101との位置合せが難しいといえる。そのため、第6の配線層48のランドの大きさを大きくしておけば、第6の配線層48のランド部と導電性ペースト101との位置が多少ズレたとしても、第6の配線層48のランド部と導電性ペースト101との接続を行うことが可能となる。他の実施形態においても、第1のビルドアップ層20と第2のビルドアップ層40との対向するランド部同士の大きさは同じであっても構わないが、接合用金属材料層とランド部との位置ズレによる接続不良を防止するため、一方のランド部の大きさを大きくすることが望ましいといえる。
次に、金属板21に、第1の導電性パッド22が形成されている領域を含む領域に開口部21aを形成して第1の絶縁層23を露出させるとともに、金属板21に対向する金属板(図5(B)の41)を除去する(ステップC3;図6(A)参照)。ここで、開口部21aは、少なくとも多層配線層が配された面とは反対側の面の金属板21の表面に開口部を有するエッチングレジスト32を形成し、その後、このエッチングレジスト32をマスクとして、エッチングレジスト32の開口部より露出した金属板21の部位のみをエッチングすることにより形成することができる。このとき、金属板21のエッチングに用いるエッチング液に対して不溶な金属にて第1の導電性パッド22を形成することで、第1の導電性パッド22は残る。また、金属板(図5(B)の41)の除去は、金属板(図5(B)の41)の表面にエッチングレジストを形成しないで、金属板(図5(B)の41)全体をエッチングすることで達成される。このとき、金属板41のエッチングに用いるエッチング液に対して不溶な金属にて第2の導電性パッド42を形成することで、第2の導電性パッド42は残る。また、エッチングレジスト32の形成方法には、(1)エッチングレジスト32が液状の場合はスピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法又は印刷法等によりエッチングレジスト32を積層する方法、(2)エッチングレジスト32がドライフィルムの場合はラミネート法等でエッチングレジスト32を積層した後、乾燥等の処理を施してエッチングレジスト32を固める方法、(3)エッチングレジスト32が感光性の場合はフォトリソグラフィ法等によりエッチングレジスト32をパターニングする方法、(4)エッチングレジスト32が非感光性の場合はレーザ加工法等によりエッチングレジスト32をパターニングする方法などがある。なお、開口部21aを形成(金属板(図5(B)の41)を除去)した後は、エッチングレジスト32を除去する。
次に、半導体素子60を第2のバンプ90により第1の導電性パッド22にフリップチップ接続し、封止樹脂70を半導体素子60と第1の絶縁層23との間の空間に流し込み、硬化させる(ステップC4;図6(B)参照)。
最後に、第2の導電性パッド42に第1のバンプ80を装着する(ステップC5;図6(C)参照)。
以上のように構成された印刷配線板によれば、平坦な金属板21上に多層配線層11を設けているため、多層配線層11の平坦性が良好である。また、半導体装置は、半導体素子60が金属板21の開口部21a領域内に配され、反りがなく平坦な多層配線層11の最表面に接続されているため、多層配線層11と半導体素子60との接続部が安定し信頼性が高い。また、第1のビルドアップ層20と第2のビルドアップ層40を別々に製造しているので、歩留まりを向上させることができる。さらに、第1のビルドアップ層20と第2のビルドアップ層40を同時に製造した後に貼り合せることができるので、リードタイムが短縮し、タクトを向上させることができる。なお、印刷配線板の仕様によっては、金属板21は、全てエッチング除去することができる。
(実施形態2)
次に、本発明の実施形態2に係る半導体装置及び印刷配線板について図面を用いて説明する。図9は、本発明の実施形態2に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。図10は、本発明の実施形態2に係る印刷配線板における第1のビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図11は、本発明の実施形態2に係る印刷配線板における第2のビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図12は、本発明の実施形態2に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。実施形態2に係る半導体装置の構成は、実施形態1に係る半導体装置の構成と同様であるが、製造方法が異なる。
次に、本発明の実施形態2に係る半導体装置及び印刷配線板について図面を用いて説明する。図9は、本発明の実施形態2に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。図10は、本発明の実施形態2に係る印刷配線板における第1のビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図11は、本発明の実施形態2に係る印刷配線板における第2のビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図12は、本発明の実施形態2に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。実施形態2に係る半導体装置の構成は、実施形態1に係る半導体装置の構成と同様であるが、製造方法が異なる。
第1のビルドアップ層20の製造段階について説明すると、まず、金属板21(例えば、銅板)の表面に、第1の導電性パッド22、第1の絶縁層23、第1の配線層24、第2の絶縁層25、第2の配線層26、第3の絶縁層27、第3の配線層28、及び、各配線層を接続するビアを形成する(ステップD1;図10(A)参照)。なお、ステップD1の工程は、実施形態1のステップA1〜A5の工程による。
次に、第3の配線層28の表面にピン状の接合用金属材料層29(例えば、はんだ)を形成する(ステップD2;図10(B)参照)。ここで、接合用金属材料層29をピン状にする方法としては、第3の配線層28の表面に溶融した接合用金属材料を付着させ、次いで接合用金属材料に針状治具を接触させた後、治具を引き上げることによって形成することができる。なお、図10(B)では、第3の配線層28の表面にピン状の接合用金属材料層29を形成しているが、接合用金属材料層29を形成する目的は、第3の配線層28と第6の配線層(図11(A)の48)とを接合させることであるため、第6の配線層(図11(A)の48)の表面にピン状の接合用金属材料層29を形成してもよい。
次に、第2のビルドアップ層の製造段階について説明すると、まず、金属板41(例えば、銅板)の表面に、第2の導電性パッド42、第4の絶縁層43、第4の配線層44、第5の絶縁層45、第5の配線層46、第6の絶縁層47、第6の配線層48を形成する(ステップE1;図11(A)参照)。なお、ステップE1の工程は、実施形態1のステップB1〜B5の工程による。
次に、第6の配線層48を含む第6の絶縁層47の表面に、接合接着層50を形成する(ステップE2;図11(B)参照)。なお、接合接着層50を形成方法は、実施形態1のステップA7と同様である。なお、図11(B)では、第6の絶縁層47の表面に接合接着層50を形成する例を示したが、第3の絶縁層(図10(A)の27)の表面に接合接着層50を形成してもよく、第3の絶縁層(図10(A)の27)及び第6の絶縁層47の両表面に形成してもよい。
次に、貼り合せ段階について説明すると、まず、金属板21、41が外側に向くよう第1のビルドアップ層20と第2のビルドアップ層40とを位置合せして対向させる(ステップF1;図12(A)参照)。なお、位置合せ方法については、実施形態1のステップC1と同様である。
次に、位置合せした第1のビルドアップ層20と第2のビルドアップ層40とを貼り合せる(ステップF2;図12(B)参照)。なお、貼り合せ方法については、実施形態1のステップC2と同様である。ステップF2以降の工程については、実施形態1のステップC3〜C5(図6参照)と同様である。接合用金属材料29が、ピン状のため、接合接着層50を突き破り、かつ、接合接着層50を押しのけるかたちとなるため、パッド同士の電気的接合が確実となる。
実施形態2によれば、実施形態1と同様の効果を奏する。
1 半導体装置
10 印刷配線板
11 多層配線層
20 第1のビルドアップ層
21 金属板
21a 開口部
21b 位置決め孔
22 第1の導電性パッド
23 第1の絶縁層
23a 開口部
24 第1の配線層
25 第2の絶縁層
26 第2の配線層
27 第3の絶縁層
28 第3の配線層
29 接合用金属材料層
30 接合接着層
31 めっきレジスト
31a 開口部
32 エッチングレジスト
40 第2のビルドアップ層
41 金属板
41a 位置決め孔
42 第2の導電性パッド
43 第4の絶縁層
43a 開口部
44 第4の配線層
45 第5の絶縁層
46 第5の配線層
47 第6の絶縁層
48 第6の配線層
49 めっきレジスト
49a 開口部
50 接合接着層
60 半導体素子
70 封止樹脂
80 第1のバンプ
90 第2のバンプ
100 プリプレグ
101 導電性ペースト
10 印刷配線板
11 多層配線層
20 第1のビルドアップ層
21 金属板
21a 開口部
21b 位置決め孔
22 第1の導電性パッド
23 第1の絶縁層
23a 開口部
24 第1の配線層
25 第2の絶縁層
26 第2の配線層
27 第3の絶縁層
28 第3の配線層
29 接合用金属材料層
30 接合接着層
31 めっきレジスト
31a 開口部
32 エッチングレジスト
40 第2のビルドアップ層
41 金属板
41a 位置決め孔
42 第2の導電性パッド
43 第4の絶縁層
43a 開口部
44 第4の配線層
45 第5の絶縁層
46 第5の配線層
47 第6の絶縁層
48 第6の配線層
49 めっきレジスト
49a 開口部
50 接合接着層
60 半導体素子
70 封止樹脂
80 第1のバンプ
90 第2のバンプ
100 プリプレグ
101 導電性ペースト
Claims (7)
- 第1の金属板上に複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに前記配線層間がビアによって接続された第1のビルドアップ層と、第2の金属板上に複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに前記配線層間がビアによって接続された第2のビルドアップ層と、を前記第1の金属板と前記第2の金属板が各々外側に向かうようにし、かつ、両ビルドアップ層の配線層同士を電気的に接続させて貼り合せる第1の工程と、
前記第1の金属板と前記第2の金属板を同時にエッチング除去する第2の工程と、
を含むことを特徴とする印刷配線板の製造方法。 - 前記第1の工程では、前記第1のビルドアップ層と前記第2のビルドアップ層の間に、前記両ビルドアップ層の配線層に対応する接合用金属材料層と接合接着層を介在させて貼り合せることを特徴とする請求項1記載の印刷配線板の製造方法。
- 前記第1の工程では、前記第1のビルドアップ層と前記第2のビルドアップ層の間に異方導電性膜を介在させて貼り合せることを特徴とする請求項1記載の印刷配線板の製造方法。
- 前記第1の工程では、前記第1のビルドアップ層と前記第2のビルドアップ層の間に導電性ペーストを介在させて貼り合せることを特徴とする請求項1記載の印刷配線板の製造方法。
- 前記第1の工程では、前記第1のビルドアップ層と前記第2のビルドアップ層の間に、粉末状はんだ、樹脂、溶剤等を含有し、かつ、両ビルドアップ層の配線層同士を電気的に接続するソルダーペースト層を介在させて貼り合せることを特徴とする請求項1記載の印刷配線板の製造方法。
- 前記第1のビルドアップ層の製造に関し、
前記第1の金属板上の所定の位置に第1の導電性パッドを形成する工程と、
前記第1の金属板及び前記第1の導電性パッドの表面に絶縁層及び配線層が交互に積層されるとともに、前記第1の導電性パッドと前記配線層との間、及び前記配線層間がビアによって接続され、かつ、前記ビアが半導体素子が配される第1の面側の径よりも前記第1の面の反対の第2の面側の径の方が広くなるように構成された多層配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載の印刷配線板の製造方法。 - 前記第2のビルドアップ層の製造に関し、
前記第2の金属板上の所定の位置に第2の導電性パッドを形成する工程と、
前記第2の金属板及び前記第2の導電性パッドの表面に絶縁層及び配線層が交互に積層されるとともに、前記第2の導電性パッドと前記配線層との間、及び前記配線層間がビアによって接続され、かつ、前記ビアが前記第2の面側の径よりも前記第1の面側の径の方が広くなるように構成された多層配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項6記載の印刷配線板の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006344212A JP2007081437A (ja) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | 印刷配線板の製造方法 |
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JP2004150655A Division JP3918828B2 (ja) | 2004-05-20 | 2004-05-20 | 半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007081437A true JP2007081437A (ja) | 2007-03-29 |
Family
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JP2006344212A Pending JP2007081437A (ja) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | 印刷配線板の製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007081437A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009094195A (ja) | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
JP2013254986A (ja) * | 2013-09-10 | 2013-12-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
-
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