TWI463582B - 具有焊接凸塊之配線基板的製造方法 - Google Patents

Description

具有焊接凸塊之配線基板的製造方法

本發明係關於一種具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，尤其是關於藉由使用銲球搭載用遮罩來搭載銲球，以形成銲接凸塊之配線基板的製造方法。

以往，搭載IC晶片所構成之配線基板(所謂之半導體封裝)已廣為所知。在IC晶片之底面通常設有多個端子，作為圖謀能與此些之端子進行電性連接用之構造，係在配線基板之主表面上設有多個具有銲接凸塊之銲墊(所謂C4銲墊：Controlled Collapsed Chip Connection銲墊)(例如，參照專利文獻1)。以下，簡單地說明該配線基板之銲接凸塊之形成方法。

首先，對基板主表面上之凸塊形成區域內所形成的複數個銲墊，印刷並塗布熔接劑。其次，將具有複數個開口部之銲球搭載用遮罩配置於基板主表面上，並於此狀態下透過複數個開口部將銲球供給且搭載於複數個銲墊上。然後，藉由迴銲將銲球加熱融化，以形成銲接凸塊(例如，參照專利文獻1)。

[專利文獻1]日本特開2006－73999號公報

但是，在該習知技術之情況，在剛要搭載銲球之前，進行黏度高之熔接劑的印刷塗布，所以，熔接劑容易接觸 而黏著於遮罩背面。在此情況時，因熔接劑之黏著作用，會產生銲球被從遮罩側帶走或銲球從銲墊上偏離等的事態，使得無法於所需位置正確地形成銲接凸塊，而有不良品產生率增高的問題。另外，為了能預先防止銲球被帶走或位置偏差，有需要進行複雜之修正作業，而造成生產性降低的問題。

又，最近，隨著電子零件之小型化的趨勢，銲球亦有小徑化的傾向，在此情況時，因銲球變輕，反而會使得銲球被帶走或位置偏差的問題變得更為嚴峻。

在此，可考慮更為細緻地控制熔接劑之塗布位置或塗布量，僅於銲墊上正確地塗布適量之熔接劑，藉以事先防止銲球的帶走或位置偏差。然而，在此種方法之情況，會有某種程度之限界，而且亦會造成生產性之降低。

本發明係鑒於上述課題而提出者，其目的在於提供一種具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，該方法不容易引發銲球搭載用遮罩帶走銲球或位置偏差，可在所需位置正確地形成銲接凸塊。

作為解決上述課題之手段，係一種具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其特徵為包含：基板準備步驟，準備在基板主表面上之凸塊形成區域內配置有複數個銲墊的基板；熔接劑供給步驟，對包含該複數個銲墊之該整個凸塊形成區域供給熔接劑；銲球搭載步驟，使用銲球搭載用遮罩，以在此銲球搭載用遮罩配置於該基板主表面側的狀態下 ，透過複數個開口部將銲球供給且搭載於該複數個銲墊上，其中該銲球搭載用遮罩具有遮罩表面及遮罩背面，且在對應於該複數個銲墊之位置形成有連通該遮罩表面及該遮罩背面的複數個開口部，並在該遮罩背面側且對應於該凸塊形成區域的位置形成有佔據比該凸塊形成區域更寬之區域的凹部；及迴銲步驟，將已搭載之該銲球加熱融化而形成銲接凸塊。

藉此，根據此手段，藉由在銲球搭載用遮罩之預定部位設置預定寬度之凹部，在銲球搭載步驟中配置遮罩時，使得供給整個凸塊形成區域之熔接劑不會接觸黏著於遮罩背面。故而，不容易引發該遮罩帶走銲球或位置偏差，可在所需位置正確地形成銲接凸塊。而且，在熔接劑供給步驟中，採用對包含複數個銲墊之整個凸塊形成區域供給熔接劑的方法，所以，與只在複數個銲墊上正確地供給熔接劑的方法比較，可提高生產性。

以下，說明根據上述手段之具有銲接凸塊之配線基板的製造方法。

在基板準備步驟中，準備在基板主表面上之凸塊形成區域內配置有複數個銲墊的基板。基板材料雖無特別之限定而可任意，但以例如樹脂基板等為較佳。作為較佳之樹脂基板，可列舉EP樹脂(環氧樹脂)、PI樹脂(聚醯亞胺樹脂)、BT樹脂(雙馬來醯亞胺三氮雜苯樹脂)、PPE樹脂(聚苯醚樹脂)等所構成的基板。此外，亦可使用由此等樹脂與玻璃纖維(玻璃纖維或玻璃不織布)的複合材料所構成之基 板。作為其具體例，具有玻璃－BT複合基板、高Tg玻璃－環氧複合基板(FR－4、FR－5等)等之高耐熱性積層板等。另外，亦可使用由此等樹脂與聚醯胺纖維等之有機纖維的複合材料所構成之基板。或是，亦可使用由在連續多孔質PTFE等之三維網眼狀氟系樹脂基材含浸環氧樹脂等之熱硬化性樹脂的樹脂－樹脂複合材料所構成之基板等。作為其他之基板材料，例如，亦可選擇各種之陶瓷等。又，作為該基板之構造，並無特別之限定，但以例如在芯基板之單面或雙面具有堆積層的多層堆積配線基板為較佳。

該基板主表面上之凸塊形成區域的位置及數量，雖無特別之限定而可任意，但例如，在所謂多片製取基板之情況，則存在有與配線基板的取得數相當之數量的凸塊形成區域。凸塊形成區域可只存在於基板之一方的主表面，但在另一方的主表面亦可存在。

有關配置於凸塊形成區域內之複數個銲墊，其用途雖無特別之限定，但例如，可為將其IC晶片進行覆晶連接用之銲墊(所謂C4銲墊)。亦即，這是因為在覆晶連接用之銲墊上，為了能與尺寸較小之IC晶片側的端子電性連接，需要形成較小之銲接凸塊，因此使用小徑之銲球的情況居多的緣故。

配置於基板主表面上之複數個銲墊，例如，雖能以在基板主表面的最表層完全露出之狀態下被配置，但亦可在透過覆蓋基板主表面之抗銲劑的開口部而露出之狀態下被配置。亦即，若為此構造時，成為銲墊位於作成凹形之抗 銲劑的開口部底部的狀態，所以，熔接劑容易保持於銲墊上，進而容易在該銲墊上暫時固定銲球。

接著，在熔接劑供給步驟中，對包含複數個銲墊之整個凸塊形成區域供給熔接劑。此時，以對該凸塊形成區域盡量供給薄且均勻之熔接劑為較佳。作為熔接劑之供給方法，雖無特別之限定而可採用任意的方法，但例如採用網眼遮罩之印刷法可較為簡單地形成薄且均勻之熔接劑印刷層，故而較佳。此外，亦可採用塗布法、沖印法等之熔接劑供給方法。

熔接劑之厚度(在存在有抗銲劑之情況，處於其上面之熔接劑的厚度)，係可依使用之熔接劑的組成、黏度等而適宜地設定，為了防止對遮罩背面之黏著，以比凹部之深度更薄的方式設定為例如數百μm以下。

該熔接劑之供給區域，可設定為比該凸塊形成區域還大且比該凹部之佔據區域還小。其理由如下。亦即，當熔接劑之供給區域比凸塊形成區域還小時，則熔接劑不能充分地供給於位於該區域外周部的凸塊，恐有不良品產生率增高之虞。另一方面，若熔接劑之供給區域比該凹部之佔據區域還大時，則恐有熔接劑黏著於遮罩之背面，而不甚理想。

接著，在銲球搭載步驟中，使用銲球搭載用遮罩進行銲球之搭載。在此，所使用之銲球搭載用遮罩具有以下之構造，亦即，具有遮罩表面及遮罩背面，且在對應於該複數個銲墊之位置形成有連通該遮罩表面及遮罩背面的複數 個開口部，並在該遮罩背面側且對應於該凸塊形成區域的位置形成有佔據比該凸塊形成區域更寬之區域的凹部。

該銲球搭載用遮罩係可採用金屬、樹脂、陶瓷等之任意的材料所製作，但以採用例如不鏽鋼、銅、鋁、鎳等之金屬材料進行製作為較佳。其理由如下。亦即，在該構造之遮罩中，因形成了凹部之部位係比其他之部位還更薄，使得其強度原本就變得較低，但仍形成複數個開口部，結果會使其強度變得更低。另一方面，該遮罩與應予搭載之銲球的直徑比較，若過厚的話，會招致其操作性的降低，所以，需要某種程度形成為較薄之平板狀。此點在選擇金屬材料的情況，即使在較薄地形成遮罩時，仍可賦予預定之強度。

銲球搭載用遮罩之撓曲量(遮罩張力)，雖無特別之限定而可任意地設定，但以例如設為0.17mm±0.01mm為佳。亦即，這是因為利用預先設定成此程度之撓曲量，可使熔接劑對遮罩背面之黏著變得困難的緣故。

該銲球搭載用遮罩之板厚，雖無特別之限定，但以比應予搭載之銲球的直徑大若干程度為較佳，具體而言，以是比應予搭載之銲球直徑大的5 μm以上、20 μm以下為較佳。若小於5 μm時，則恐有依材料而無法提供充分之機械強度的擔憂，若超過20 μm時，恐有銲球之定位精度降低之虞。

作為在銲球搭載用遮罩形成凹部之方法，係可依遮罩材料而適宜地選擇，例如，在選擇金屬材料之情況，從生 產性及成本性之觀點考慮，以進行半蝕刻處理為較佳。又，除半蝕刻處理以外，亦可採用切削加工或沖壓加工等之方法。此情況時之半蝕刻量，例如以是遮罩板厚的30%以上、70%以下為較佳。這是因為若未滿30%時，則凹部變得過淺，使得不容易防止熔接劑對遮罩背面之黏著的緣故。另一方面，若超過70%時，則在凹部過深之部分處的板厚變薄，恐有機械強度變弱的擔憂。

銲球搭載用遮罩之複數個開口部，係在對應於複數個銲墊的位置，以連通遮罩表面及遮罩背面的方式所形成。作為此等開口部之形成方法，可依遮罩形成材料，而採用蝕刻、鑽孔加工、沖孔加工、雷射加工等的以往所公知之任意方法。此等開口部之內徑係以成為比應予搭載之銲球的直徑還大的方式所形成，例如，可形成為比應予搭載之銲球直徑大的5 μm以上、100 μm以下之大小。若未滿5 μm時，則恐有不容易透過開口部而確實地讓銲球通過的擔憂。另一方面，若超過100 μm時，雖可透過開口部而確實地讓銲球通過，但恐有不容易將銲球搭載於預定位置上的擔憂。又，在處於凸塊形成區域內之複數個銲墊是精細間距的情況，則會變得難以適用。

作為銲球搭載用遮罩之較佳的製造方法，例如，可列舉在選擇不鏽鋼板，並在此不鏽鋼板上對成為遮罩背面側之面進行半蝕刻而形成凹部之後，對該凹部所具部位的預定位置施以雷射開孔加工，以形成複數個開口部的方法。此製造方法之優點在於，因對凹部形成後之較薄部位進行 開孔加工，所以，開孔時之加工負擔少，而可提高成本性及生產性。另一優點在於，與先進行開孔加工之後再形成凹部的情況比較，能以高精度形成複數個形狀佳之開口部。

在銲球搭載步驟中所使用之銲球的大小，並無特別之限定，可依應形成之銲接凸塊的用途而適宜地設定，例如，可採用直徑為110 μm以下的微小銲球。這是因為在採用微小銲球之情況，對應於所謂C4銲墊之精細化，而可較為容易地形成微小銲接凸塊的緣故。另外，這是因此在採用微小且輕量之銲球的情況，容易引發被遮罩帶走銲球或位置偏差等的本案所特有之問題，故而採用上述手段之意義較大的緣故。

作為使用於銲球之銲劑材料，並無特別之限定，例如，可使用錫鉛共晶銲劑(Sn/37Pb：融點180℃)。亦可使用錫鉛共晶銲劑以外之Sn/Pb系銲劑，例如Sn/36Pb/2Ag之組成的銲劑(融點190℃)等。另外，除如上述之有鉛銲劑以外，亦可選擇Sn－Ag系銲劑、Sn－Ag－Cu系銲劑、Sn－Ag－Bi系銲劑、Sn－Ag－Bi－Cu系銲劑、Sn－Zn系銲劑、Sn－Zn－Bi系銲劑等之無鉛銲劑。

然後，在使用該遮罩並將此銲球搭載用遮罩配置於該基板主表面側的狀態下，透過該複數個開口部將銲球供給且搭載於該複數個銲墊上。於是，銲球以熔接劑之黏著力而被暫時固定於各銲墊上。

接著，在迴銲步驟中，將已搭載於各銲墊上之該銲球 加熱為預定溫度而融化，藉以形成預定形狀之銲接凸塊。經過以上之處理，製造具有銲接凸塊之配線基板。

以下，參照第1至第7圖，詳細說明將本發明具體化之一實施形態的配線基板之製造方法。

如第1圖所示，本實施形態之配線基板10，係兩面具有堆積層14、15之兩面堆積多層配線基板。構成配線基板10之芯基板16，俯視時為大致矩形之板狀構件，在其複數個部位形成有未圖示之通孔導體。此等通孔導體係用以電性連接芯基板16上面側之堆積層14之導體及芯基板16下面側之堆積層15的導體。

在上面側之堆積層14的表面(基板第1主表面12)上設定有俯視時為大致矩形之凸塊形成區域R1，並於此凸塊形成區域R1內設有高度為80 μm~100 μm程度的銲接凸塊62。此等銲接凸塊62係與IC晶片71側之端子進行覆晶連接用的所謂C4用凸塊。另一方面，在下面側之堆積層15的表面(基板第2主表面13)上亦設定有凸塊形成區域，並於此凸塊形成區域內設有高度為400 μm~600 μm程度的銲接凸塊63。此等銲接凸塊63係與未圖示之主基板側的端子進行電性連接用的所謂BGA凸塊。

本實施形態之配線基板10的堆積層14、15，均具有相同之構造，所以，在此僅針對上面側之堆積層14進行詳細的說明。如第7圖所示，堆積層14係將層間絕緣層31、32及鍍銅導體層43,44交互地積層所形成。在層間絕緣層32 上形成有複數個銲墊21。層間絕緣層32係由抗銲劑33所整體覆被。在抗銲劑33上之對應於複數個銲墊21的位置形成有複數個開口部22。層間絕緣層31、32之厚度均約為30 μm，例如，由在連續多孔質PTFE含浸環氧樹脂的樹脂－樹脂複合材料所構成。在層間絕緣層31、32之預定部位，分別設有由鍍銅所構成之填埋通孔導體41、42。填埋通孔導體41係用以導通導體層43、44彼此。填埋通孔導體42係用以導通導體層44與銲墊21。

其次，說明具有銲接凸塊62、63之本實施形態的配線基板10的製造方法。

首先，如第2圖所示，準備在基板第1主表面12上之凸塊形成區域R1內配置有複數個銲墊21的基板11(基板準備步驟)。在此階段，各銲墊21係透過抗銲劑33之各開口部22而露出。

接著，在熔接劑供給步驟中，將該基板11設定於未圖示之以往所周知的印刷裝置上，並進行使用網眼遮罩之印刷，藉以薄型且均勻地將熔接劑F1塗布於基板第1主表面12側(參照第3圖)。此時，是在比包含複數個銲墊21之凸塊形成區域R1還大一圈的區域(熔接劑F1之供給區域R2)整體塗布熔接劑F1。但是，熔接劑F1之供給區域R2係設定為比後述之銲球搭載用遮罩51的凹部55之佔據區域R3還小(參照第4、第5圖)。具體而言，在本實施形態中，將比凸塊形成區域R1之輪廓線還大約0.5mm之區域設為熔接劑F1之供給區域R2，並對其整體全面地塗布熔接劑F1。

接著，在銲球搭載步驟中，使用第4圖所示之銲球搭載用遮罩51進行銲球61之搭載。在本實施形態中，作為應予搭載之銲球61，係採用直徑約為100 μm之微小銲球。此銲球搭載用遮罩51係由具有遮罩表面52及遮罩背面53之板厚約為110 μm的不鏽鋼板所構成。在此，遮罩51之板厚係設定為比應予搭載之銲球61的直徑(100 μm)還要大10 μm程度。在此遮罩51上之與該複數個銲墊21對應的位置，形成有連通遮罩表面52及遮罩背面53的複數個開口部54。複數個開口部54係俯視時為圓形之孔，其內徑係比應予搭載之銲球61的直徑(100 μm)還要大數十μm程度，成為130 μm~170 μm。另外，在遮罩背面53側之與凸塊形成區域R1對應的位置，形成有俯視時為矩形之凹部55，該凹部55係佔據比該凸塊形成區域R1還要略寬之區域(凹部55之佔據區域R3)。具體而言，在本實施形態中，將比熔接劑F1之供給區域R2之輪廓線還大約0.5mm之區域設定作為凹部55之佔據區域R3。凹部55之深度係55 μm，是以成為遮罩板厚之50%的方式所設定。又，與凹部55之位置對應的較薄部分的厚度成為55 μm。

在本實施形態所使用之銲球搭載用遮罩51，係以在不鏽鋼板上對成為遮罩背面53側之面進行半蝕刻而形成凹部55之後，對該凹部55所具部位的預定位置施以雷射開孔加工，以形成複數個開口部54的步驟順序所製造者。根據此製造方法，因對凹部55形成後之較薄部位進行形成開口部54之開孔加工，所以，開孔時之加工負擔少，而可提高成 本性及生產性。另外，與先進行開孔加工之後再形成凹部55的情況比較，能以高精度形成複數個形狀佳之開口部54。而且，不採用機械加工而是選擇光學加工，可效率佳地形成多個微細小孔。

接著，如第6圖所示，以使凹部55與熔接劑F1之供給區域R2對向之方式，將銲球搭載用遮罩51之遮罩背面53側密接式地配置於基板第1主表面12側的抗銲劑33表面。此時，因在凹部55之內底面與抗銲劑33表面之間可形成空隙，所以，可避免發生熔接劑F1接觸並黏著於遮罩背面53側的事態。在此種遮罩配置狀態下，對於銲球搭載用遮罩51之遮罩表面52側，供給多個作為銲球61之直徑約為100 μm之微小銲球。於是，銲球61落入複數個開口部54內，而乘載於各開口部54之正下方的各銲墊21上，並以熔接劑F1之黏著力而暫時固定於各銲墊21上。亦即，藉由經過此步驟，透過複數個開口部54而將複數個銲球61供給並搭載於複數個銲墊21上。

接著，在迴銲步驟中，將該基板11設定於以往所周知之迴銲爐中，將已搭載於各銲墊21上之各銲球61加熱為預定溫度而融化。其結果，形成如第7圖所示之預定形狀的銲接凸塊62。又，雖省略詳細說明，基板第2主表面13側之銲接凸塊63，亦是依照上述而形成。經過以上之處理，製造具有銲接凸塊62之配線基板10。

藉此，根據本實施形態，可獲得以下之效果。

(1)在本實施形態中，在銲球搭載用遮罩51之遮罩背 面53側的預定部位設置凹部55，該凹部55係佔據比此凸塊形成區域R1還要大且比凹部55之佔據區域R3還小的區域。藉此，在銲球搭載步驟中將該遮罩51配置於基板第1主表面12側時，供給整個凸塊形成區域R1之熔接劑F1，不會接觸黏著於遮罩背面53。故而，不容易引發該遮罩51帶走銲球61或位置偏差，可在所需位置正確地形成銲接凸塊62，可減低不良品之產生率。

(2)在本實施形態中，在熔接劑供給步驟中，採用藉由所謂全面塗布而對包含複數個銲墊21之整個凸塊形成區域R1供給熔接劑F1的方法。因此，與只在複數個銲墊21上正確地供給熔接劑F1的方法相異，不需要細緻地控制熔接劑F1之塗布位置或塗布量，可提高生產性。另外，亦不需要防止帶走銲球61或位置偏差用的複雜之修正作業，此亦有利於提高生產性。

又，本發明之實施形態亦可變更如下。

在上述實施形態中，係將本發明具體實現於兩面具備堆積層14、15之兩面多層堆積配線基板，但亦可為具體實現於只在單面具備堆積層14之單面多層堆積配線基板。或是，亦可具體實現於不具備堆積層之類型的多層配線基板。

在上述實施形態中，採用使用網眼遮罩之印刷法來進行熔接劑F1的供給，但亦可採用使用網眼遮罩以外之熔接劑印刷用遮罩的印刷法，或不使用此種遮罩的印刷法等，或是亦可採用印刷法以外的方法。

在上述實施形態中，作為應予搭載之銲球61，係採用直徑約為100 μm之微小銲球，但亦可採用例如直徑約為300 μm~500 μm之較大的銲球。

在上述實施形態中，係以半蝕刻來形成銲球搭載用遮罩51之凹部55，但亦可藉由切削加工等來形成此凹部。另外，在上述實施形態中，藉由雷射開孔加工來形成該遮罩51之複數個開口部54，但亦可藉由鑽孔加工等來形成此等開口部。

另外，在上述實施形態中，藉由金屬材料形成銲球搭載用遮罩51，但亦可由例如樹脂材料來形成。在此情況時，亦可於模具成形時，同時形成凹部55及複數個開口部54。

在上述實施形態中，配線基板10所具備之複數個銲墊21，係為了將IC晶片71進行覆晶連接用之銲墊，但亦可係為了將IC晶片71以外之電子零件或其他配線基板進行覆晶連接用之銲墊。

10‧‧‧具有銲接凸塊之配線基板

11‧‧‧基板

12‧‧‧作為基板主表面之基板第1主表面

21‧‧‧複數個銲墊

22‧‧‧抗銲劑之開口部

33‧‧‧抗銲劑

51‧‧‧銲球搭載用遮罩

52‧‧‧遮罩表面

53‧‧‧遮罩背面

54‧‧‧複數個開口部

55‧‧‧凹部

61‧‧‧銲球

62‧‧‧銲接凸塊

71‧‧‧IC晶片

F1‧‧‧熔接劑

R1‧‧‧凸塊形成區域

R2‧‧‧熔接劑之供給區域

R3‧‧‧凹部之佔據區域

第1圖為將本發明具體化之一實施形態的具有銲接凸塊之配線基板的概要圖。

第2圖為說明該配線基板之製造方法用的要部放大剖視圖。

第3圖為說明該配線基板之製造方法用的要部放大剖視圖。

第4圖為說明該配線基板之製造方法用的要部放大剖 視圖。

第5圖為說明該配線基板之製造方法用的要部放大俯視圖。

第6圖為說明該配線基板之製造方法用的要部放大剖視圖。

第7圖為說明該配線基板之製造方法用的要部放大剖視圖。

11‧‧‧基板

12‧‧‧作為基板主表面之基板第1主表面

14‧‧‧堆積層

16‧‧‧芯基板

21‧‧‧複數個銲墊

22‧‧‧抗銲劑之開口部

31、32‧‧‧層間絕緣層

33‧‧‧抗銲劑

41、42‧‧‧填埋通孔導體

43、44‧‧‧導體層

51‧‧‧銲球搭載用遮罩

52‧‧‧遮罩表面

53‧‧‧遮罩背面

54‧‧‧複數個開口部

55‧‧‧凹部

61‧‧‧銲球

71‧‧‧IC晶片

F1‧‧‧熔接劑

R1‧‧‧凸塊形成區域

R2‧‧‧熔接劑之供給區域

R3‧‧‧凹部之佔據區域

Claims (10)

1. 一種具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其特徵為包含：基板準備步驟，準備在基板主表面上之凸塊形成區域內配置有複數個銲墊的基板；熔接劑供給步驟，對包含該複數個銲墊之該整個凸塊形成區域供給熔接劑；銲球搭載步驟，使用銲球搭載用遮罩，以在此銲球搭載用遮罩配置於該基板主表面側的狀態下，透過複數個開口部將銲球供給且搭載於該複數個銲墊上，其中該銲球搭載用遮罩具有遮罩表面及遮罩背面，且在對應於該複數個銲墊之位置形成有連通該遮罩表面及該遮罩背面的複數個開口部，並在該遮罩背面側且對應於該凸塊形成區域的位置形成有佔據比該凸塊形成區域更寬之區域的凹部；及迴銲步驟，將已搭載之該銲球加熱融化而形成銲接凸塊。
2. 如申請專利範圍第1項之具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其中該熔接劑供給步驟中採用網眼遮罩之印刷法。
3. 如申請專利範圍第1項之具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其中該熔接劑之供給區域係設定為比該凸塊形成區域更大，且比該凹部之佔據區域更小。
4. 如申請專利範圍第1或3項之具有銲接凸塊之配線基板 的製造方法，其中該銲球搭載用遮罩之該凹部係藉由半蝕刻所形成的凹部，該半蝕刻之蝕刻量係遮罩板厚的30%以上、70%以下。
5. 如申請專利範圍第1項之具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其中該基板主表面係由抗熔接劑所被覆，且該複數個銲墊係透過該抗熔接劑之開口部而露出。
6. 如申請專利範圍第1項之具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其中該銲球搭載用遮罩係具有比應予搭載之銲球直徑大5μm以上、20μm以下之遮罩板厚的不鏽鋼板。
7. 如申請專利範圍第6項之具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其中該銲球搭載用遮罩係藉由在該不鏽鋼板上對作為遮罩背面側之面進行半蝕刻而形成該凹部之後，對具有該凹部之部位的規定位置施以雷射開孔加工，形成複數個開口部而製造者。
8. 如申請專利範圍第1項之具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其中該複數個銲墊係對IC晶片進行覆晶連接用的銲墊。
9. 如申請專利範圍第8項之具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其中該銲球係直徑110μm以下之微小銲球。
10. 如申請專利範圍第1項之具有銲接凸塊之配線基板的製造方法，其中該銲球搭載用遮罩之撓曲量係0.17mm±0.01mm。