JP2007059887A - 放射線検出装置および放射線検出システム - Google Patents
放射線検出装置および放射線検出システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007059887A JP2007059887A JP2006195146A JP2006195146A JP2007059887A JP 2007059887 A JP2007059887 A JP 2007059887A JP 2006195146 A JP2006195146 A JP 2006195146A JP 2006195146 A JP2006195146 A JP 2006195146A JP 2007059887 A JP2007059887 A JP 2007059887A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- conversion element
- radiation detection
- wiring
- detection apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 106
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 71
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 201
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 202
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 52
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 13
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H01L31/119—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】 絶縁基板上に配置されたスイッチ素子と該スイッチ素子上に配置された変換素子とを備えた画素の複数と、一方向に配された複数の前記スイッチ素子に接続される信号配線の複数と、を有する放射線検出装置であって、前記変換素子は、前記画素毎に分離された電極を有し、前記スイッチ素子は前記画素毎に前記電極と接続されており、前記信号配線の幅方向の両端と、前記制御配線の幅方向の両端とが、前記変換素子の上から見た前記電極の領域の内側に配置されている。
【選択図】 図1
Description
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする。
以下、本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置について説明する。本実施形態は光電変換素子からなる変換素子部の画素毎に分離された画素電極の下を、信号配線または制御配線となるゲート配線が通過する場合を示すものである。なお図1及び図2では、画素電極の下に信号配線を配した例を示している。
本実施形態は画素電極の下を、信号配線とゲート配線とが通過する場合を示すものである。
本実施形態では、スイッチ素子部2と変換素子部1の間には平坦化膜として有機絶縁層を用いた場合を示したものである。
本実施形態は、変換素子部1としてn型不純物半導体層−半導体層−p型不純物半導体層からなるPIN型光電変換素子を信号配線6やスイッチ素子部2の上部に配置し、スイッチ素子部2と変換素子部1の間には有機絶縁層を用いた場合を示したものである。
図12〜図16は、本発明に関わる第5の実施形態に係わる一画素の平面図、断面図、等価回路図、及び斜視図を表したものである。
本実施形態では、上述の第5の実施形態で説明した、2つのスイッチ素子部と変換素子部が対となる画素において、容量のバラツキを更に低減する構成について説明する。
TFTの特性で重要なパラメーターとして、Vth(スレッシュホールド電圧)が挙げられる。
第一のスイッチ素子11をONする電圧を印加して、変換素子部1からの電荷を転送した後、TFTをOFFする電圧を印加する。この後、第二のスイッチ素子12をONする電圧を印加して、変換素子部1の画素電極9にリセット電位を印加した後、OFFする電圧を印加する。
上述した第1から第6の実施形態では、変換素子部の画素電極は四角形形状としたが、画素電極の形状やレイアウトは正方形形状に限定されず、任意に設定できる。
次に本発明に係わる放射線検出装置を用いた放射線検出システムについて図18を用いて説明する。
2 スイッチ素子部
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 ゲート電極
6 信号配線
7 ゲート配線
8 バイアス配線
9 下電極
10 スルーホール
11 第一のスイッチ素子部
12 第二のスイッチ素子部
13 第一の電極
14 第二の電極
15 第一のゲート電極
16 第三の電極
17 第四の電極
18 第二のゲート電極
19 リセット配線
20 第一のゲート配線
21 第二のゲート配線
31 第一の電極層
32 第一の絶縁層
33 第一の高抵抗半導体層
34 第一のn型半導体層
35 第二の電極層
36 第二の絶縁層
37 第三の電極層
38 第三の絶縁層
39 第二の高抵抗半導体層
40 第二のn型半導体層
41 第四の電極層
42 第五の電極層
43 第四の絶縁層
44 蛍光体層
45 p型半導体層
50 基板
51 信号処理回路部
52 ゲートドライバー回路部
53 共通電極ドライバー回路部
54 TFT
61 第一のゲートドライバー回路部
62 第二のゲートドライバー回路部
63 リセット回路部
64 第一のスイッチ素子部
65 第二のスイッチ素子部
Claims (12)
- 絶縁基板の上に配置されたスイッチ素子と前記スイッチ素子の上に配置された変換素子とを備えた複数の画素と、
一方向に配された複数の前記スイッチ素子に接続される複数の信号配線と、
前記一方向とは異なる方向に配された複数の前記スイッチ素子の制御端子に接続される複数の制御配線と、
を有する放射線検出装置であって、以下の特徴を有する、
前記変換素子は、前記画素毎に分離された電極を有し、前記スイッチ素子は前記画素毎に前記電極と接続されており、
前記信号配線の幅方向の両端と、前記制御配線の幅方向の両端とが、前記変換素子の上から見た前記電極の領域の内側に配置されていることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記スイッチ素子が前記領域の内側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
- 前記信号配線と前記制御配線との交差部が前記領域の内側に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線検出装置。
- 前記電極に複数の前記スイッチ素子が接続され、複数の前記スイッチ素子は、転送用とリセット用の前記スイッチ素子とを含み、
リセット用の前記スイッチ素子はリセット配線に接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の放射線検出装置。 - 複数の前記スイッチ素子は、前記電極に接続されている第1の端子から前記信号配線又は前記リセット配線に接続されている第2の端子への向きが略同じで、前記制御端子の向きが略同じ配置であることを特徴とする請求項4に記載の放射線検出装置。
- 前記信号配線、前記制御配線の幅方向の両端は、前記電極の端部から1μm以上内側に配置されていることを特徴とするから請求項1から5のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記スイッチ素子と前記変換素子との間に絶縁層が配置されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記絶縁層が有機樹脂からなることを特徴とする請求項7に記載の放射線検出装置。
- 前記変換素子がPIN型光電変換素子又はMIS型光電変換素子であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記変換素子の上に波長変換体が配置されていることを特徴とする請求項9に記載の放射線検出装置。
- 前記変換素子が放射線を直接電荷に変換する変換素子であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 請求項10又は11に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線検出システム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006195146A JP5043380B2 (ja) | 2005-07-25 | 2006-07-18 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
EP06768394.6A EP1911094B1 (en) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | Radiation detecting apparatus and radiation detecting system |
US11/916,919 US7645976B2 (en) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | Radiation detecting system comprising a plurality of switching elements orientated in the same direction relative to the conversion element |
CN2006800271242A CN101228632B (zh) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | 放射线检测设备和放射线检测系统 |
PCT/JP2006/315087 WO2007013643A1 (en) | 2005-07-25 | 2006-07-25 | Radiation detecting apparatus and radiation detecting system |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005214227 | 2005-07-25 | ||
JP2005214227 | 2005-07-25 | ||
JP2006195146A JP5043380B2 (ja) | 2005-07-25 | 2006-07-18 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059887A true JP2007059887A (ja) | 2007-03-08 |
JP2007059887A5 JP2007059887A5 (ja) | 2009-08-20 |
JP5043380B2 JP5043380B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=37683524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006195146A Expired - Fee Related JP5043380B2 (ja) | 2005-07-25 | 2006-07-18 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7645976B2 (ja) |
EP (1) | EP1911094B1 (ja) |
JP (1) | JP5043380B2 (ja) |
CN (1) | CN101228632B (ja) |
WO (1) | WO2007013643A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011238897A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-24 | Canon Inc | 検出装置及びその製造方法並びに検出システム |
JP2012075099A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | General Electric Co <Ge> | ダイナミック・レンジを拡大したディジタルx線検出器 |
JP2012130656A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-07-12 | Fujifilm Corp | 放射線検出素子及び放射線画像撮影装置 |
WO2013005863A1 (ja) * | 2011-08-14 | 2013-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影方法 |
WO2013005864A1 (ja) * | 2011-08-14 | 2013-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影方法 |
CN104218046A (zh) * | 2013-06-04 | 2014-12-17 | 佳能株式会社 | 检测装置、其制造方法和放射线检测系统 |
WO2019187729A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 指紋検出装置及び表示装置 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5196739B2 (ja) | 2006-06-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP2008227000A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 放射線撮像素子 |
JP5406473B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置 |
JP5439837B2 (ja) | 2009-02-10 | 2014-03-12 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP2012227263A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Canon Inc | 検出装置の製造方法、その製造方法で製造された検出装置を用いた放射線検出装置、及び、検出システム |
JP6057511B2 (ja) | 2011-12-21 | 2017-01-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
JP5954983B2 (ja) | 2011-12-21 | 2016-07-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム、並びに撮像装置の製造方法 |
JP5430642B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2014-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出器、放射線画像撮像装置、及び放射線画像撮像システム |
JP5999921B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-09-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および撮像表示システム |
JP2013235934A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Canon Inc | 検出装置、検出システム、及び、検出装置の製造方法 |
JP2013235935A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Canon Inc | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
JP5878444B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2016-03-08 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置 |
CN104685629B (zh) * | 2012-09-28 | 2016-04-06 | 富士胶片株式会社 | 放射线检测元件以及放射线图像检测装置 |
JP5709810B2 (ja) * | 2012-10-02 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
TWI572963B (zh) * | 2014-02-12 | 2017-03-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
JP6463136B2 (ja) | 2014-02-14 | 2019-01-30 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
JP6585910B2 (ja) | 2014-05-01 | 2019-10-02 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
JP6555909B2 (ja) | 2015-03-20 | 2019-08-07 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP6570315B2 (ja) | 2015-05-22 | 2019-09-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP6929104B2 (ja) | 2017-04-05 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
JP6990986B2 (ja) | 2017-04-27 | 2022-01-12 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
JP6853729B2 (ja) | 2017-05-08 | 2021-03-31 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法及びプログラム |
JP6788547B2 (ja) | 2017-05-09 | 2020-11-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その制御方法、制御装置、及び、放射線撮像システム |
JP6877289B2 (ja) | 2017-07-31 | 2021-05-26 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法 |
JP7045834B2 (ja) | 2017-11-10 | 2022-04-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像システム |
JP2019145595A (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-29 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びそれを備えたx線撮像パネルと製造方法 |
JP7079113B2 (ja) | 2018-02-21 | 2022-06-01 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
JP7198003B2 (ja) | 2018-06-22 | 2022-12-28 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、放射線撮像装置の制御方法およびプログラム |
JP6659182B2 (ja) | 2018-07-23 | 2020-03-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
EP3661190B1 (en) | 2018-11-27 | 2024-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system |
CN109742126B (zh) * | 2019-01-11 | 2022-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN109727968A (zh) * | 2019-02-26 | 2019-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 平板探测器及制作方法 |
JP7397635B2 (ja) | 2019-11-22 | 2023-12-13 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、制御方法及びプログラム |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343952A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Canon Inc | 半導体装置及び放射線検出装置 |
JP2004073256A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Canon Inc | 放射線画像撮影装置及びその製造方法並びに撮像回路基板 |
JP2004265935A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに放射線撮像装置 |
JP2004296654A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6020590A (en) * | 1998-01-22 | 2000-02-01 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Large area imager with UV blocking layer |
US6847039B2 (en) | 2001-03-28 | 2005-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photodetecting device, radiation detecting device, and radiation imaging system |
US7214945B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, manufacturing method therefor, and radiation image pickup system |
JP4054612B2 (ja) | 2002-06-11 | 2008-02-27 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置 |
EP1388740B1 (en) * | 2002-08-09 | 2014-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation imaging method and apparatus |
JP4323827B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
EP1593159B1 (en) * | 2003-02-14 | 2013-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
JP4418720B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び方法、並びに放射線撮像システム |
JP4845352B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
US7557355B2 (en) * | 2004-09-30 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
JP5159065B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム |
JP5173234B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
-
2006
- 2006-07-18 JP JP2006195146A patent/JP5043380B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-25 WO PCT/JP2006/315087 patent/WO2007013643A1/en active Application Filing
- 2006-07-25 CN CN2006800271242A patent/CN101228632B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-25 US US11/916,919 patent/US7645976B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-25 EP EP06768394.6A patent/EP1911094B1/en not_active Not-in-force
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343952A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Canon Inc | 半導体装置及び放射線検出装置 |
JP2004073256A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Canon Inc | 放射線画像撮影装置及びその製造方法並びに撮像回路基板 |
JP2004265935A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに放射線撮像装置 |
JP2004296654A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011238897A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-24 | Canon Inc | 検出装置及びその製造方法並びに検出システム |
JP2012075099A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | General Electric Co <Ge> | ダイナミック・レンジを拡大したディジタルx線検出器 |
JP2012130656A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-07-12 | Fujifilm Corp | 放射線検出素子及び放射線画像撮影装置 |
WO2013005863A1 (ja) * | 2011-08-14 | 2013-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影方法 |
WO2013005864A1 (ja) * | 2011-08-14 | 2013-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影方法 |
JPWO2013005864A1 (ja) * | 2011-08-14 | 2015-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影方法 |
JPWO2013005863A1 (ja) * | 2011-08-14 | 2015-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及び放射線画像撮影方法 |
US10274617B2 (en) | 2011-08-14 | 2019-04-30 | Fujifilm Corporation | Radiographic imaging device and radiographic imaging method using interpolation from hexagonal to square pixels |
CN104218046A (zh) * | 2013-06-04 | 2014-12-17 | 佳能株式会社 | 检测装置、其制造方法和放射线检测系统 |
WO2019187729A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 指紋検出装置及び表示装置 |
US11450135B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-09-20 | Japan Display Inc. | Fingerprint detection apparatus and display apparatus |
US11710340B2 (en) | 2018-03-27 | 2023-07-25 | Japan Display Inc. | Photodiode array |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1911094A4 (en) | 2012-03-14 |
WO2007013643A1 (en) | 2007-02-01 |
CN101228632A (zh) | 2008-07-23 |
JP5043380B2 (ja) | 2012-10-10 |
EP1911094B1 (en) | 2013-04-10 |
CN101228632B (zh) | 2010-05-19 |
US20090032680A1 (en) | 2009-02-05 |
US7645976B2 (en) | 2010-01-12 |
EP1911094A1 (en) | 2008-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5043380B2 (ja) | 放射線検出装置および放射線検出システム | |
JP5489542B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
JP4743269B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5159065B2 (ja) | 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム | |
US8067743B2 (en) | Imaging apparatus and radiation imaging apparatus | |
JP5043373B2 (ja) | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム | |
JP5448877B2 (ja) | 放射線検出器 | |
JP4498283B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及びこれらの製造方法 | |
US7547890B2 (en) | Image pick-up apparatus and manufacturing method thereof, radiation image pick-up apparatus, and radiation image pick-up system | |
JP5328169B2 (ja) | 撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP5700973B2 (ja) | 検出装置及び放射線検出システム | |
JP2007049124A (ja) | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム | |
JP2013219067A (ja) | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置、及び放射線撮像システム | |
JP2013235934A (ja) | 検出装置、検出システム、及び、検出装置の製造方法 | |
JP2012079860A (ja) | 検出装置及び放射線検出システム | |
JP2012079820A (ja) | 検出装置及び放射線検出システム | |
JP2014122903A (ja) | 放射線検出器および放射線画像撮影装置 | |
US9093347B2 (en) | Detecting apparatus and detecting system | |
JP5677353B2 (ja) | 放射線検出装置および放射線撮像システム | |
JP4875349B2 (ja) | 放射線検出装置、放射線撮像システム、および検出装置 | |
JP2004015001A (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線撮像システム | |
JP2004165561A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2009128185A (ja) | 放射線検出器およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090702 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090702 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120712 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |