JP2007048934A - 薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 168
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 120
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
- H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
- H01L29/78666—Amorphous silicon transistors with normal-type structure, e.g. with top gate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1296—Multistep manufacturing methods adapted to increase the uniformity of device parameters
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】絶縁性基板1の主面に島状の半導体層2を形成する。半導体層2の側面は略垂直に形成されている。半導体層2の側壁に沿って絶縁膜3が形成されている。そして、絶縁膜3の断面形状は、底部から上部に向かって、半導体層2の側壁からの幅が狭くなるように傾斜して形成されている。絶縁膜3によりゲート絶縁膜4を半導体層2上に被覆性よく形成できるので、ゲート電極5に断線が生じるおそれがない。また、チャネル領域2aにおける半導体層2の膜厚が均一になるので、安定したトランジスタ特性が得られる。
【選択図】図2
Description
<A.構成>
図1は、本実施の形態に係る薄膜トランジスタの主要部の構成を示す上面図である。図2は、本実施の形態に係る薄膜トランジスタの主要部の構成を示す断面図である。図3は、本実施の形態に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。ここで図2は、図1のA−A線断面図に対応しており、図3は、図1のB−B線断面図に対応している。
次に、本実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法について説明する。まず、絶縁性基板1の全面に半導体膜(図示せず)を成膜する。
図2には、ゲート電極5からゲート絶縁膜4を介して半導体層2に印加される電界の一部を図示している。半導体層2へ印加される電界のうち、垂直方向からの電界をE1、斜め方向からの電界をE2と示している。
<A.構成>
図5は、本実施の形態に係る薄膜トランジスタの構成を示す断面図である。本実施の形態に係る薄膜トランジスタは、半導体層2の絶縁性基板1に対向する面以外の面を覆うように、酸化膜からなる保護膜6がさらに形成されている。
次に、本実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法について説明する。
本実施の形態に係る薄膜トランジスタは、実施の形態1の薄膜トランジスタと同様の効果に加えて、半導体層2が保護膜6により覆われているのでゲート絶縁膜4やゲート電極5を形成する際に、半導体層2の表面を外部雰囲気から保護することができる。
<A.構成>
図6は、本実施の形態に係る薄膜トランジスタの主要部の構成を示す断面図である。本実施の形態に係る薄膜トランジスタは、島状の半導体層2上にゲート絶縁膜4が形成されている。
次に、本実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法について説明する。まず、絶縁性基板1の全面に半導体膜を成膜する。
本実施の形態に係る薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜4の溝部に絶縁膜7が埋め込まれている。そのため、ゲート絶縁膜4の上部が滑らかに形成される。その結果、ゲート絶縁膜4上にゲート電極5を断線することなく形成できる。また、半導体層2をテーパー状に形成する必要がなく、均一の膜厚に形成される。半導体層2に膜厚の薄い部分がないので、ハンプを生じない良好な電気特性の薄膜トランジスタを得ることができる。
Claims (11)
- 絶縁性基板上に島状に形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を備える薄膜トランジスタであって、
前記半導体層の側壁に沿って形成された絶縁膜をさらに備え、
前記絶縁膜の断面形状は、底部から上部に向かって前記半導体層の側壁からの幅が狭くなるように、傾斜して形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記絶縁膜の傾斜面と前記絶縁性基板とがなす角度は、10度以上45度以下であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層の前記絶縁性基板に対向する面以外の面を覆うように形成された保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ。
- 絶縁性基板上に島状に形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を備える薄膜トランジスタであって、
前記半導体層の側壁部での段差による前記ゲート絶縁膜の溝部を埋め込むように形成された絶縁膜をさらに備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記絶縁膜は、SOG膜であることを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法であって、
(a)絶縁性基板上に島状の半導体層を形成する工程と、
(b)前記絶縁性基板上に前記絶縁膜をスピン塗布することにより、前記半導体層の側壁に、底部から上部に向かって前記半導体層の側壁からの幅が狭くなるように傾斜した前記絶縁膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記工程(b)は、前記絶縁膜の傾斜面と前記絶縁性基板とがなす角度が10度以上45度以下となるように前記絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- (c)前記工程(a)の後に、前記半導体層の前記絶縁性基板に対向する面以外の面に保護膜を形成する工程を備えることを特徴とする請求項6又は7に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記工程(b)は、前記絶縁性基板上にSOG膜をスピン塗布することにより、前記絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項6から8の何れかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項4に記載の薄膜トランジスタの製造方法であって、
(a)絶縁性基板上に島状の半導体層を形成する工程と、
(b)前記半導体層を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記ゲート絶縁膜上に前記絶縁膜をスピン塗布することにより、前記半導体層の側壁部での段差による前記ゲート絶縁膜の溝部を埋め込むように前記絶縁膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記工程(c)は、前記絶縁性基板上にSOG膜をスピン塗布することにより、前記絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005231600A JP4964442B2 (ja) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
TW095118799A TWI309476B (en) | 2005-08-10 | 2006-05-26 | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
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CNA2006101110362A CN1913177A (zh) | 2005-08-10 | 2006-08-10 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
KR1020070063151A KR100841380B1 (ko) | 2005-08-10 | 2007-06-26 | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005231600A JP4964442B2 (ja) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007048934A true JP2007048934A (ja) | 2007-02-22 |
JP4964442B2 JP4964442B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=37722036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005231600A Active JP4964442B2 (ja) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7709841B2 (ja) |
JP (1) | JP4964442B2 (ja) |
KR (1) | KR100841380B1 (ja) |
CN (1) | CN1913177A (ja) |
TW (1) | TWI309476B (ja) |
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- 2006-05-26 TW TW095118799A patent/TWI309476B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-05-30 US US11/420,956 patent/US7709841B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-10 CN CNA2006101110362A patent/CN1913177A/zh active Pending
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---|---|
TW200707749A (en) | 2007-02-16 |
TWI309476B (en) | 2009-05-01 |
JP4964442B2 (ja) | 2012-06-27 |
US7709841B2 (en) | 2010-05-04 |
US20070034871A1 (en) | 2007-02-15 |
CN1913177A (zh) | 2007-02-14 |
KR20070082072A (ko) | 2007-08-20 |
KR100841380B1 (ko) | 2008-06-26 |
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