JP2007019188A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 半導体基板の主面上に形成された第１層間絶縁膜と、
   前記第１層間絶縁膜に形成された第１配線溝の内部に埋め込まれた第１配線と、
   前記第１配線上を覆う第１バリア絶縁膜を介して前記第１層間絶縁膜上に形成された第２層間絶縁膜と、
   前記第２層間絶縁膜に形成された第２配線溝の内部に埋め込まれたヒューズと、
   前記第２層間絶縁膜に形成された第３配線溝の内部に埋め込まれた第２配線と、
   前記ヒューズ上および前記第２配線上を覆う第２バリア絶縁膜と、
   前記第２バリア絶縁膜上に第１絶縁膜を介して形成された最上層配線と、
   前記最上層配線上を覆う表面保護膜とを有し、
   前記第２バリア絶縁膜の膜厚は、前記第１バリア絶縁膜の膜厚よりも大きく、
   前記ヒューズの上部の前記第１絶縁膜および前記表面保護膜には、前記第２バリア絶縁膜の表面に達する第１開口が設けられており、
   前記最上層配線の上部の前記表面保護膜には、前記最上層配線に達する第２開口が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
2. 前記第１および第２バリア絶縁膜は、ＳｉＣＮ膜で構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
3. 前記第１および第２配線と前記ヒューズとは、銅を主体とする金属膜で構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体集積回路装置。
4. 前記表面保護膜は、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜を含む積層膜で形成されていることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体集積回路装置。
5. 前記第１層間絶縁膜は、ＳｉＯＣ膜で形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
6. 前記第２層間絶縁膜は、酸化シリコン膜を主体とする膜で形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
7. 前記第２層間絶縁膜は、フッ素が添加された酸化シリコン膜で形成されていることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路装置。
8. 前記最上層配線は、アルミニウムを主体とする金属膜で構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
9. 前記表面保護膜上に形成された第１ポリイミド樹脂膜と、前記第１ポリイミド樹脂膜上に形成され、前記最上層配線に電気的に接続された引き出し配線と、前記引き出し配線を覆う第２ポリイミド樹脂膜と、前記第２ポリイミド樹脂膜の一部から露出する前記引き出し配線上に形成された外部接続端子とをさらに有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
10. 前記引き出し配線は、銅を主体とする金属膜で構成されていることを特徴とする請求項９記載の半導体集積回路装置。
11. 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
    （ａ）半導体基板の主面上に第１層間絶縁膜に形成し、前記第１層間絶縁膜に第１配線溝を形成する工程、
    （ｂ）前記第１配線溝の内部を含む前記第１層間絶縁膜上に第１金属膜を形成した後、前記第１配線溝の外部の前記第１金属膜を化学的機械研磨法で除去することにより、前記第１配線溝の内部に前記第１金属膜からなる第１配線を形成する工程、
    （ｃ）前記第１配線の上部を含む前記第１層間絶縁膜上に第１バリア絶縁膜を形成する工程、
    （ｄ）前記第１バリア絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成し、前記第２層間絶縁膜に第２および第３配線溝を形成する工程、
    （ｅ）前記第２および第３配線溝の内部を含む前記第２層間絶縁膜上に第２金属膜を形成した後、前記第２および第３配線溝の外部の前記第２金属膜を化学的機械研磨法で除去することにより、前記第２配線溝の内部に前記第２金属膜からなるヒューズを形成し、前記第３配線溝の内部に前記第２金属膜からなる第２配線を形成する工程、
    （ｆ）前記第２配線および前記ヒューズの上部を含む前記第２層間絶縁膜上に、前記第１バリア絶縁膜よりも厚い膜厚を有する第２バリア絶縁膜を形成する工程、
    （ｇ）前記第２バリア絶縁膜上に第１絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜上に最上層配線を形成する工程、
    （ｈ）前記ヒューズの上部の前記第１絶縁膜および前記表面保護膜に、前記第２バリア絶縁膜の表面に達する第１開口を形成し、前記最上層配線の上部の前記第１絶縁膜に、前記最上層配線に達する第２開口を形成する工程。
12. 前記第１および第２バリア絶縁膜をＳｉＣＮ膜で構成することを特徴とする請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
13. 前記第１および第２金属膜は、銅を主体とする材料からなることを特徴とする請求項１１または１２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
14. 前記表面保護膜は、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜を含む積層膜で形成されていることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
15. 前記第１層間絶縁膜は、ＳｉＯＣ膜で形成されていることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
16. 前記第２層間絶縁膜は、酸化シリコン膜を主体とする膜で形成されていることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
17. 前記第２層間絶縁膜は、フッ素が添加された酸化シリコン膜で形成されていることを特徴とする請求項１６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
18. 前記第１および第２バリア絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法で形成されることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
19. 前記最上層配線をアルミニウムを主体とする金属膜で構成することを特徴とする請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
20. 前記工程（ｈ）の後、さらに、
    （ｉ）前記最上層配線の上部を含む前記表面保護膜上に第１ポリイミド樹脂膜を形成した後、前記第１ポリイミド樹脂膜上に引き出し配線を形成し、前記引き出し配線と前記最上層配線とを電気的に接続する工程、
    （ｊ）前記引き出し配線の上部を含む前記第１ポリイミド樹脂膜上に第２ポリイミド樹脂膜を形成した後、前記第２ポリイミド樹脂膜の一部から露出する前記引き出し配線上に外部接続端子を形成する工程、
    を含むことを特徴とする請求項１１〜１９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
21. 前記引き出し配線を銅を主体とする金属膜で構成することを特徴とする請求項２０記載の半導体集積回路装置の製造方法。