JP2006517738A - 発光体用金属ベース基板、発光光源、照明装置及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の金属ベース基板15は、上部絶縁層21と下部絶縁層22の2層構造を有する絶縁基板20と、前記下部絶縁層22の裏面に取着された金属ベース24とを備える。上部絶縁層21、下部絶縁層22の表面には配線パターンBE7,BO7が形成されている。絶縁基板20には、金属ベース24が取着する下部絶縁層22を残して、表層から金属ベース24側へと絶縁層単位で凹入する凹入部C73,C74,C75を備え、これらの凹入部C73,C74,C75の底面となる下部絶縁層22の配線パターンBE7,BO7にLEDベアチップL73,L74,L75が接続されている。
Description
そこで、放熱特性を改善するために、放熱用の金属ベースを絶縁基板の裏面に取着した金属ベース基板が提案されている(例えば、特許文献1)。この金属ベース基板は、発光時の熱を、LEDを実装する絶縁基板から金属ベースへと伝え、金属ベースから放熱するようにしている。
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、放熱特性を向上させることができる金属ベース基板、発光光源、照明装置又は表示装置を提供することを目的とする。
この構成によれば、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
このため、複数の絶縁層からなる絶縁基板を用いても、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。特に、樹脂材料を主成分とする絶縁層を用いると、発光光源の放熱特性は、発光素子と金属ベースとの間の絶縁層の層数、厚みに大きく依存するので、上記構成のように、発光素子と金属ベースとの距離が近くなれば、放熱効果は格別である。
このため、凹入部は、底面に相当する絶縁層より表側の絶縁層に貫通孔を設ければ容易に形成できる。
(4)上記(3)の金属ベース基板において
しかも、前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層に形成されており、その一部が前記凹入部内に露出していることを特徴としている。
(5)上記(2)の金属ベース基板において、前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続するための発光体接続部を複数列有する第1の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続するための第2の配線パターンとを有し、前記第1の配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層上に形成され、前記第2の配線パターンは、第1の配線パターンが形成されている絶縁層よりも表側にある絶縁層に形成されていることを特徴としている。
このため、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
(7)上記(1)の金属ベース基板において、前記凹入部は、前記絶縁基板を貫通して前記金属ベースにまで達していることを特徴としている。
(8)上記(7)の金属ベース基板において、前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続する素子接続部を複数列備える第3の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続する第4の配線パターンとを有することを特徴としている。
このため、第3及び第4の配線パターンを2以上の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
このため、凹入部に同じ出力の発光体を実装すると、輝度むらの少ない光源が得られる。
(11)上記(1)の金属ベース基板において、前記凹入部は、平面視略円形状に形成され、その穴径が0.5mm以上2.0mm以下であることを特徴としている。
(13)上記目的を達成するために、本発明に係る発光体用金属ベース基板は、発光体を実装するための配線パターンが表面に備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏面に取着されている金属ベースとを備え、前記絶縁基板よりも高い熱伝導率を有する伝熱部材が、前記絶縁基板における前記発光体の実装予定部位と前記金属ベースとの間に配設されていることを特徴としている。
(14)上記(13)の金属ベース基板において、前記絶縁基板は単数の絶縁層からなる単層構造であり、前記伝熱部材が前記絶縁基板の裏面側に埋設されていることを特徴としている。
(16)上記(15)の金属ベース基板において、前記絶縁基板は、表層以外の少なくとも1つの絶縁層にも配線パターンが形成されていることを特徴としている。
(17)上記(13)の金属ベース基板において、前記伝熱部材は、金属膜であることを特徴としている。
このため、熱伝導率が高いために、優れた放熱特性が得られる。
(19)上記(13)の金属ベース基板において、前記伝導部材の厚さは、表面の配線パターンの厚さより厚いことを特徴としている。
(20)上記(2)の金属ベース基板において、前記絶縁板層は、少なくとも無機フィラー及び樹脂組成物とから構成されていることを特徴としている。
(21)上記(20)の金属ベース基板において、前記無機フィラーは、シリカ、アルミナ、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、窒化ケイ素、ダイヤモンドのうち少なくとも1つを含むことを特徴としている。
(22)上記(20)の金属ベース基板において、前記配線パターンは、転写法により前記絶縁層に形成されていることを特徴としている。
このため、配線パターンを容易に形成できる。
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した発光光源に比べて、放熱特性を向上させることができる。
(25)上記(24)の発光光源において、前記発光体は、裏面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び/又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が裏面に形成されたサブマウントであることを特徴としている。
(26)上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記(5)の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光体は、一対の給電端子を表裏の2面に有し、表側の給電端子が前記第2の配線パターンに、裏側の給電端子が前記第1の配線パターンにそれぞれ接続されていることを特徴としている。
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。さらに、配線パターンを複数の絶縁層に分けて形成することができ、絶縁基板に発光体を高密度で実装できる。
このため、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
(31)上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記(7)発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、前記発光素子は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が、前記第3及び第4の配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴としている。
(32)上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、上記(13)の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴としている。
さらに、上記の発光光源を用いた照明装置或いは表示装置は、発光体が発光したときに発生した熱を効果的に放出することができる。
この構成によれば、発光体が凹入部の底面に実装されるので、発光素子と、金属ベースとの距離を近くすることができ、絶縁基板の表面に発光素子を実装した場合に比べて、放熱特性を向上させることができる。
<第1の実施の形態>
本実施の形態では、金属ベース基板の表面に凹入部が形成されており、この凹入部に発光体を実装してなるLED光源について説明する。前記金属ベース基板は、複数の絶縁層からなる絶縁基板を備え、凹入部は、絶縁基板の厚み方向にその一部を残して形成されている。
図1は本実施の形態におけるLED光源の斜視図である。
LED光源10(本発明の「発光光源」に相当する。)は、表面に平面視円形状に凹入する凹入部が複数形成された金属ベース基板15(本発明の「発光体用金属ベース基板」に相当する。)と、この凹入部の底面に実装された発光ダイオードのベアチップ(以下、単に「LEDベアチップ」という。)とを備える。なお、金属ベース基板15は、複数の絶縁層からなる絶縁基板20の裏面に金属ベース24が取着されたものをいう。
図2は、LED光源の平面図であり、図3は、下部絶縁層の平面図である。なお、図2では、絶縁基板20の表層にある上部絶縁層21のみが現れている。
配線パターンPA、PBは、LEDベアチップLnmを、絶縁基板20に8行8列のマトリックス状で実装するために、各行における奇数列目のLEDベアチップと、偶数列目のLEDベアチップとを直列に接続するように形成されている。
配線パターンPBは、図3に示すように、各行に対応して、偶数列の4個のLEDベアチップ(例えば、1行目では、図1におけるL12、L14、L16、L18)のみを直列に接続するために行方向(図3において横方向)に形成された偶数列部BEnと、奇数列の4個のLEDベアチップ(例えば、1行目では、図1におけるL11、L13、L15、L17)のみを直列に接続するために行(横)方向に形成された奇数列部BOnとを備えている(nは行数をそれぞれ示し、いずれも1〜8の整数である。)。
ここで、上部絶縁層21の配線パターンPAと下部絶縁層22の配線パターンPBとの接続関係について簡単に説明する。ここでは、1行目を例として、図2及び図3を用いて具体的に説明する。なお、本実施の形態では、給電端子部AS1、AS2が高電位側となっている。
金属ベース基板15の表側に形成されている凹入部C73、C74、C75は、図5に示すように、下部絶縁層22を残して、上部絶縁層21が平面視(図4)略円形状に層ごと除去されている。そして、凹入部C73、C74、C75の底面がちょうど下部絶縁層22の表面となっている。つまり、上部絶縁層21と下部絶縁層22との境界が凹入部の底面になっている。
本実施の形態で使用しているLEDベアチップLnmは、AlInGaNを用いた、所謂、青色LEDベアチップであって、その下面にp電極とn電極との両極を備えた片面電極型であり、フリップチップ実装されている。なお、片面電極のうち、上(表)面に両電極を備えたものを、以下、上面電極型といい、下(裏)面に両電極を備えたものを、以下下面電極型という。
なお、LEDベアチップLnmは、そのp電極が凹入部Cnm内に露出した配線パターンPBの高電位側に、n電極が配線パターンPBの低電位側に、それぞれ接続される。
金属ベース24は、各絶縁層21、22よりも高い熱伝導率を有し、LEDベアチップLnmのそれぞれが発光した時に発生する熱を放熱する他、絶縁基板20を補強している。
さらに、LED光源10は、上部絶縁層21と下部絶縁層22とから成る多層構造の絶縁基板20と、下部絶縁層22に貼着された金属ベース24とを備える金属ベース基板15を用いている。このため、例えば、LEDベアチップLnmを絶縁基板20に高密度実装する際に、配線パターンのルール上の制限から、1層の絶縁層の広さでは配線パターン全てが形成できないような場合でも、配線パターンを2層の絶縁層に分けてそれぞれ形成することができる。
2.LED光源の具体的構成について
上記のLED光源10について具体例について説明する。絶縁基板20を構成する下部絶縁層22及び上部絶縁層21の厚みは、略0.1mmである。この絶縁層21、22は、無機質フィラーとしてアルミナを、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂をそれぞれ使用した、所謂、アルミナコンポジット材料である。また、金属ベース24には、厚みが略1mmのアルミニウム板を用いた。
凹入部Cnmの形状は、図4に示すように平面視円形状であり、図5に示すようにその穴径D1が0.5mmである。この寸法は、使用しているLEDベアチップLnmの一辺の長さが300μmであることから、LEDベアチップLnmの実装に最低でも穴径で0.5mmは必要となる。しかしながら、穴径D1があまり大きくなると、隣接するLEDベアチップLnmの実装間隔が大きくなり、高密度実装できなくなる。なお、LEDベアチップLnmのn電極及びp電極に接続される配線パターンPBの間隔L1は、略50μmである(図5参照)。
図6は、金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。この図6を参照しながら、LEDベアチップを実装する前の金属ベース基板15の製造方法について簡単に説明する。
まず上部絶縁層21について説明する。上部絶縁層21用の半硬化状態の絶縁板12を準備し[工程(a)]、この絶縁板12の上面に配線パターンPA用の銅箔を貼着した後、配線パターンに対応する部分を残し、他の不要な銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、絶縁板12の上面に配線パターンPAが形成されることになる[工程(b)]。
このとき、凹入部用の貫通孔Tとビア用の貫通孔とを同時に打ち抜き加工しているので、2種類の貫通孔を形成しているにも拘わらず、1回の工程で両貫通孔を形成することができる。
なお、上記のようにして製造された金属ベース基板15の凹入部C内にLEDベアチップが、公知の技術を用いてフリップチップ実装されて、LED光源が完成する。
上記のように、配線パターンPAと凹入部用の貫通孔Tとが形成された上部絶縁層21用の絶縁板12と、配線パターンPBが形成された下部絶縁層22用の絶縁板14とを積み重ねて、加熱・加圧成形すれば、絶縁基板20の表面側に凹入部Cが容易に形成され、しかも、凹入部Cの底に相当する面がちょうど下部絶縁層22の表面となる。
なお、本実施の形態では、半硬化状態の絶縁板12、14を重ねて加熱・加圧しているが、例えば、下部絶縁層22用の絶縁板14と金属板16とを先に加熱・加圧成形し、その後に、上部絶縁層21用の半硬化状態の絶縁板12を、上記先に成形した下部絶縁層22上に重ねて加熱・加圧成形すると、配線パターンPBに凸凹が少なくなる。つまり、配線パターンPBにおけるLEDベアチップを実装する面の平面度を向上させることができる。このため、この配線パターンPBに実装される各LEDベアチップLnmの実装性が向上すると共にその発光層の向きを一定にすることができる。
(1)LEDベアチップの実装方法について
上記の実施の形態では、LEDベアチップLnmとして、電極を下(裏)面に有する下面電極型のものを使用したが、他のタイプのLEDベアチップを用いてもよい。このような他のタイプとしては、電極を表裏両面に有する両面電極型、そして電極を上(表)面に有する上面電極型があり、それぞれについて説明する。
両面電極型のLEDベアチップが金属ベース基板に実装されてなるLED光源について説明する。ここでは、LEDベアチップの裏面の電極が下部絶縁層の配線パターンに接続され、表面の電極が下部絶縁層(変形例1)又は上部絶縁層(変形例2)の配線パターンに接続される例について説明する。
(ア)表面の電極を下部絶縁層に接続する例(本例を、「変形例1」とする。)
図7の(a)は、両面電極型のLEDベアチップを用い、表面の電極を下部絶縁層に接続する例におけるLEDベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
この配線パターンP1B1,P1B2は、その一部が凹入部C1内で露出し、この露出している部分にLEDベアチップL1が接続されている。
ここでは、LEDベアチップL1の上面の電極を下部絶縁層36上の配線パターンP1B2に接続しているため、凹入部C1内に露出している配線パターンP1B1とP1B2との間隔L2が0.25mm程度必要となり、凹入部C1の平面視の穴径D2は、1.0mm程度必要となる(図7の(a)参照)。
図7の(b)は、両面電極型のLEDベアチップを用い、表面の電極を上部絶縁層に接続する例におけるLEDベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
金属ベース基板42は、同図に示すように、上述の変形例1と略同様の構造を有し、絶縁基板44の表側に凹入部C2を備えている。絶縁基板44は、上記の実施の形態及び変形例1と同様に、上下の絶縁層45、46により構成される。
一方、上部絶縁層45の表面には、上記実施の形態における配線パターンPAに相当する配線パターン(図示省略)の他、下部絶縁層46の配線パターンP2B2にビアホールV2を介して接続されているパッドP2Cが形成されている。
なお、ここでは、LEDベアチップL2の上面の電極を上部絶縁層45上の配線パターンP2Cに接続しているため、凹入部C2の穴径D3は、0.5mm程度まで小さくすることができる(図7の(b)参照)。
また、LEDベアチップL2の上面の電極と、上部絶縁層45上のパッドP2Cとをワイヤー48により接続する場合、ワイヤー48の曲率を小さくできるので、ワイヤー48が剥がれたり、折れたりするのを防止でき、また、効率良くボンディングできる。
上面電極型のLEDベアチップが金属ベース基板に実装されてなるLED光源について説明する。ここでは、LEDベアチップの表面の電極が下部絶縁層(変形例3)又は上部絶縁層(変形例4)の配線パターンに接続される例について説明する。
なお、上面電極型のLEDベアチップとしては、例えば、AlInGaN系のものがある。
図8の(a)は、上面電極型のLEDベアチップを用い、上面の電極を下部絶縁層に接続する例におけるLEDベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
金属ベース基板52は、同図に示すように、金属ベース53と、金属ベース53の表側に貼着された絶縁基板54とを備えている。この絶縁基板54は、実施の形態と同様に、上部絶縁層55と下部絶縁層56とからなる多層(2層)構造を有し、また、金属ベース基板52は、下部絶縁層56を残して、絶縁基板54の表面から金属ベース53側へと凹入する凹入部C3を備えている。
この配線パターンP3B1,P3B2の一部は、凹入部C3内まで延伸し、その内部で露出している。そして、この露出している部分にLEDベアチップL3の電極が接続されている。
(イ)両電極を上部絶縁層に接続する例(本例を「変形例4」とする。)
図8の(b)は、上面電極型のLEDベアチップを用い、上面の両電極を上部絶縁層に接続する例におけるLEDベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
下部絶縁層66の表面には、上記実施の形態における配線パターンPBに相当する配線パターンP4B1,P4B2が形成されている。なお、これら配線パターンP4B1,P4B2は、実施の形態及び上記変形例1〜3と異なり、凹入部C4内には露出していない。
上面電極型のLEDベアチップL4は、その一方の電極がワイヤー68を介してパッドP4C2に、他方の電極がワイヤー69を介してパッドP4C1にそれぞれ接続されている。なお、本変形例においては、LEDベアチップL4が上部絶縁層65にワイヤボンディングされるため、凹入部C4の穴径は、変形例3における凹入部C3の穴径よりも小さくできる。これにより上部絶縁層65における配線パターンの形成可能な面積を広げることができる。
上記変形例3及び変形例4では、LEDベアチップL3,L4は、上部絶縁層又は下部絶縁層に形成された配線パターン又はパッドに接続されているが、例えば、LEDベアチップの一方の電極を下部絶縁層に、また他方の電極を上部絶縁層にそれぞれ接続してもよい。なお本明細書では、パッドを配線パターンに含まれるとして使用している。
本実施の形態では、金属ベース基板の絶縁基板に、第1の実施の形態と同様に凹入部が形成されているが、当該凹入部は、絶縁基板を貫通して金属ベースにまで達している点で、第1の実施の形態と異なる。
1.LED光源の構成について
ここで、説明するLED光源は、第1の実施の形態と同様に、金属ベース基板と、この金属ベース基板に実装された複数のLEDベアチップとを備え、金属ベース基板の表面側には、凹入部が8行8列のマトリックス状に形成されており、この底にLEDベアチップが実装されている。
上記の第1の実施の形態で説明した金属ベース基板15では、凹入部Cnmが絶縁基板20の下部絶縁層22を残して形成されているの対し、本実施の形態における金属ベース基板は、凹入部2Cnmが絶縁層を残さずに形成されている点で異なる。本実施の形態における凹入部2Cnmの位置、金属ベース基板の構成等は、第1の実施の形態と同様であるため、これらの説明は省略する。
なお、A部は、凹入部2Cnmのうち、nが7と8、mが3〜5までの計6個が含まれる範囲であり、他の範囲における凹入部2Cnm、LEDベアチップ2Lnm等の構造及び実装状態もA部と同じである。
金属ベース基板215は、図9〜図11に示すように、上部絶縁層221と下部絶縁層222とからなる絶縁基板220と、金属ベース224とからなり、表面から金属ベース224側に凹入する凹入部2C73〜2C75、2C83〜2C85が形成されている。
凹入部2C73〜2C75は、図10に示すように、絶縁基板220を貫通しており、凹入部2C73〜2C75の底がちょうど金属ベース224の絶縁基板220側の面となっている。
絶縁基板220には、第1の実施の形態における絶縁基板20と同様に、各絶縁層221、222の表側の面に配線パターン2PA、2PBが形成されている。なお、配線パターン2PBが本発明の第3の配線パターンに相当し、配線パターン2PAが第4の配線パターンに相当する。
上部開口2C73a〜2C75a、2C83a〜2C85aの穴径は、図9〜図11に示すように、下部開口2C73b〜2C75b、2C83b〜2C85bの穴径よりも大となっている。
このLEDベアチップ2L73〜2L75、2L83〜2L85は、上面に両電極を有する上面電極型であって、下(裏)面が凹入部2C73〜2C75、2C83〜2C85の底に相当する金属ベース224の表面にダイボンディングされ、また、LEDベアチップ2L73〜2L75、2L83〜2L85の表面の電極が、ワイヤー218,219を介して配線パターン2PB(奇数列部2BO7、2BO8と偶数列部2BE7、2BE8)にワイヤボンディングされている。
上記のLED光源に用いている金属ベース基板215は、裏側に金属ベース224を備えると共に、絶縁基板220を厚さ方向に貫通する凹入部2Cnmを表側に備えている。そして、この凹入部2Cnmの底面に相当する金属ベース224にLEDベアチップ2Lnmが直接実装されている。
したがって、本第2の実施の形態では、放熱経路において放熱特性を著しく低下させる絶縁層を経由しないため、第1の実施の形態を超える放熱効果を得ることができる。
上記のLED光源10について具体例について説明する。
各LEDベアチップ2Lnmは、300μm角、高さ100μmである。
凹入部2Cnmの形状は、図9に示すように、略円形状であって、上部開口2Cnmaの穴径D4が1.0mmであり、下部開口2Cnmbの穴径D5が0.5mmである(図10参照)。
しかしながら、穴径D5があまり大きくなると、隣接するLEDベアチップ2Lnmの実装間隔が大きくなり、LEDベアチップ2Lnmを高密度実装できなくなる。
3.金属ベース基板の製造方法について
本実施の形態における金属ベース基板215は、第1の実施の形態で説明した製造方法を用いて製造できる。
4.その他
(1)実装方法について
上記の第2の実施の形態では、LEDベアチップ2Lnmの電極がワイヤボンディングにより下部絶縁層222の配線パターン2PB(2BEn、2BOn)に接続されている(図9〜図11参照)が、他の絶縁層に電極を接続しても良い。
金属ベース基板252は、同図に示すように、第2の実施の形態と略同様の構造を有し、絶縁基板254を貫通する凹入部2C1を備えている。なお、絶縁基板254は、上記の実施の形態と同様に、上下の絶縁層255,256により構成される。
一方、上部絶縁層255の表面には、上記第2の実施の形態における配線パターン2PAに相当する配線パターン(図示省略)の他、下部絶縁層256の配線パターン2PB1、2PB2とビアホール2V1を介して接続するパッド2PC1,2PC2が形成されている。
<第3の実施の形態>
第3の実施の形態は、金属ベース基板の絶縁基板に表面に発光体を実装し、前記絶縁基板は、前記発光体と金属ベースとの間に伝熱部材を設けている。
図13は本実施の形態における金属ベース基板の平面図である。
金属ベース基板310は、第1及び第2の実施の形態と同様に、無機フィラー入りの熱硬化性樹脂からなる複数の絶縁層(本実施の形態では2層)の表面に銅(Cu)製の配線パターンが形成された絶縁基板320(図16参照)と、当該絶縁基板320の下層側の絶縁層に取着された金属ベース324(図16参照)とからなる。
金属ベース基板310には、第1及び第2の実施の形態と同様に、64個のLEDベアチップが8行8列のマトリックス状に整然と実装される。各LEDベアチップの実装位置を符号3Dnm(nは行数を、mは列数をそれぞれ示し、いずれも1〜8の整数である。)で示す。
図13及び図14に示す上部絶縁層321及び下部絶縁層322に設けられた配線パターン3PA,3PBは、主に、各行における奇数列目のLEDベアチップと、偶数列目のLEDベアチップとをそれぞれを直列に接続する目的で形成されている。なお、配線パターン3PA、3PBの順序は、4行目と5行目の間で、その順序が逆となっている。
一方、下部絶縁層322の配線パターン3PBでは、図14に示すように、上部絶縁層321の各行の奇数列部3AOnと偶数列部3AEnとに対応して、横方向に延伸する、奇数列部3BOnと3偶数列部3BEnがそれぞれ形成されている(nは行数を示し、1〜8の整数である。)。この奇数列部3BOn及び偶数列部3BEnも、上記の奇数列部3AOnと偶数列部3AEnと同様に、互いに対向する側が列方向に凹凸する波形状をしており、一方の凹に他方の凸が入るように組み合わさっている。
なお、上部絶縁層321の配線パターン3PAの1行目の偶数列部3AE1に接続する給電端子部3AS1及び8行目の奇数列部3AO8に接続する給電端子部3AS2がそれぞれ高電位となっている。
また、1行目の奇数列部3AO1と、次の行である2行目の奇数列部3AO2とは、奇数列部3AO1の低電位側3P3が下部絶縁層322の奇数列部3BO1の左側端部3P3に接続され、この奇数列部3BO1の右端寄り部3P4が上部絶縁層321の奇数列部3AO2の高電位側3P4に接続されることで直列に接続される。
ここで、各LEDベアチップの実装位置3D11〜3D88に実装されているLEDベアチップの符号を「3Lnm」とし(nは行数を、mは列数をそれぞれ示し、いずれも1〜8の整数である。)、第1及び第2の実施の形態におけるLEDベアチップと区別する。
この場合、表面のLEDベアチップ3Lnmと金属ベース324とが厚み方向に離れることになるが、上述のように、両者の間に位置する下部絶縁層322には伝熱部材3Anmが形成されているので、発光時に生じる熱は、その伝熱部材3Anmを通って金属ベース324に伝わり、金属ベース324から放熱される。
上記の金属ベース基板310について具体例について説明する。
絶縁基板320を構成する上部絶縁層321及び下部絶縁層322の厚みは、略0.1mmである。上部絶縁層321の配線パターン3PAの厚みは、部分的に狭ギャップのパターンを必要とするため約9μmとしている。これに対し、下部絶縁層322の配線パターン3PBの厚みは、一般的な35μmの銅箔を用いており、下部絶縁層322の配線パターン3PBの方が配線パターン3PAよりも厚くなっている。
ここで、伝熱部材3Anmの厚みは、上下の絶縁層321、322の厚みに対して1/4以上が好ましい。これは、伝熱部材3Anmの厚みが1/4未満だと金属ベース324に伝える熱量が少なく、放熱効果が小さいからである。
3.金属ベース基板の製造方法について
図17は、金属ベース基板の製造方法を説明するための図である。
まず、上部絶縁層321について説明する。上部絶縁層321用の半硬化状態の絶縁板312の所定位置にビア用の貫通孔を打ち抜き加工等により形成し、この貫通孔に導電性ペーストを充填する。これにより、所定位置にビアを有する絶縁板312が得られる。
これにより、絶縁板312の上面に上部絶縁層321に対応した配線パターン3PAが、また下面に下部絶縁層322に対応した配線パターン3PBがそれぞれ形成されることになる[工程(c)]。
上記のように配線パターン3PA、3PBをエッチングにより形成しているので、LEDベアチップ3Lnmの実装位置3Dnmに対応して伝熱部材3Anmを設ける際にも、配線パターン3PBのパターン形成時に、伝熱部材も含めて行えば良く伝熱部材3Anmを容易に形成できる。
つまり、絶縁板312として、無機フィラーと樹脂材料とから構成されるコンポジット材料を用いているために加熱時に軟化し、配線パターン3PAが略埋設されるために、加熱後の上部絶縁層321の表面を略面一状にできる。
さらに、図14に示すように、配線パターン3PBは、下部絶縁層322の表面の全体に亘って形成されているが、奇数列部3BOnと偶数列部3BEnは互いに離れている。これにより下部絶縁層322の上面(配線パターン側)と上部絶縁層321の下面(LEDベアチップ実装面と反対側)とが、配線パターン3PBが形成されていない部分で直接結合できる。従って、放熱性能を上げるために配線パターン3PBの面積を広くしても、上下の絶縁層321,322を強固に結合することができる。
第3の実施の形態における下部絶縁層322の配線パターン3PBは、伝熱部材3Anmを含むように形成されている。これに対して本第4の実施の形態では、配線パターンとは別に伝熱部材を設けたものである。なお、第4の実施の形態では、各部材部品等の符号に第3の実施の形態で用いた300番台を400番台に、また英字の前に付していた「3」を「4」に変更したものを使用する。
LEDベアチップ4L74〜4L76、4L84〜4L86は、第3の実施の形態と同様に、上部絶縁層421に形成された配線パターン4PA(7行目及び8行目の4AE7、4AE8、4AO7、4AO8)にフリップチップ実装されている。なお、図18に示すLEDベアチップ4L74〜4L76、4L84〜4L86以外のLEDベアチップも、同様に金属ベース基板415の表面に実装されているが、図面の便宜上拡大図で説明する。
また、伝熱部材4Anmが、配線パターン4PBと離れて独立して設けられているため、上部絶縁層421と下部絶縁層422とが直接接合する面積が、第3の実施の形態よりも広くなり、第3の実施の形態に比べて、上部・下部絶縁層422、421との接合力を高めることができる。
(1)絶縁基板について
上記の第4の各実施の形態では、上部絶縁層421と下部絶縁層421の2層から構成された絶縁基板420を用いているが、絶縁基板の層数は2層に限定するものではない。
A.絶縁基板が単層の場合(変形例6)
図19は、コンポジット材料を1層用いた場合のLED光源の縦断面図を示す。
なお、コンポジット材料からなる絶縁層を1層有する金属ベース基板を用いた本例を変形例6とする。
なお、伝熱部材4A1は、絶縁基板434の裏面に形成されているが、例えば、絶縁基板434にコンポジット材料を用いることで、図19に示すように、伝熱部材4A1と、絶縁基板434の裏面であって伝熱部材4A1のない部分との高さが略一致すように、伝熱部材4A1を形成することもできる。
B.絶縁基板が3層以上の場合
本発明は、上記の第3及び第4の実施の形態や変形例6で説明したような2層構造の絶縁基板、或いは単層構造の絶縁基板を用いた金属ベース基板に限定するものではない。例えば、LEDベアチップが、その発光色が赤、青、緑の3種類からなり、各色の配線パターンを層ごとに形成する場合に、3層構造の絶縁基板、或いは4層構造の絶縁基板を用いることがある。このような場合にも、表層に実装されるLEDベアチップに対応して各層、或いは、1層、複数層おきに伝熱部材を設けても良い。
(2)LEDベアチップについて
上記第4の実施の形態及び変形例6では、LEDベアチップに、両電極を下面に備える下面電極型を用いたが、他のタイプのLEDベアチップを用いても良い。他のタイプとしては、第1の実施の形態の「4.その他」の欄で説明したように、両面電極型、上面電極型がある。以下、それぞれのLEDベアチップを実装する場合について説明する。
図20の(a)は、両面電極型のLEDベアチップを用い、絶縁基板の表面に実装する例におけるLEDベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
金属ベース基板442は、同図に示すように、金属ベース443と、金属ベース443の表側に貼着された絶縁基板444とを備えている。絶縁基板444は、上記変形例6と同様に、1層構造を有している。
LEDベアチップ4L2は、上述にように、両面電極型であり、裏面が配線パターン4P22に、例えば、LEDベアチップ4L2のダイボンド用の銀ペーストにより接続され、表面の電極がワイヤー448にて配線パターン4P21に接続されている。
B.上面電極型を実装する場合(変形例8)
図20の(b)は、上面電極型のLEDベアチップを用い、絶縁基板の表面に実装する例におけるLEDベアチップの実装位置周辺の断面を拡大した図である。
LEDベアチップ4L3は、上述のように、上面電極型であり、一方の電極がワイヤー459を介して配線パターン4P31に、また他方の電極がワイヤー458を介して配線パターン4P32にそれぞれ接続されている。
上記の変形例7及び変形例8は変形例6を基にしているが、LEDベアチップとして、両面電極型、上面電極型であっても、第3の実施の形態及び第4の実施の形態に適用できるのは、言うまでもない。但し、これらのLEDベアチップを用いる場合には、変形例7及び変形例8に示すようにワイヤボンディング等を用いる必要がある。
以上、本発明にかかる発光体用金属ベース基板及びこの基板を用いたLED光源について第1〜第4の実施の形態及び変形例1〜8に基づいて説明したが、本発明の内容が、上記の各実施の形態、さらには各変形例に示された具体例に限定されないことは勿論であり、例えば、以下のような変形例をさらに実施することができる。
上記の第1及び第2の実施の形態、さらには、変形例1〜変形例5では、凹入部を平面視円形状に形成しているが、他の形状、例えば、四角形、三角形等の多角形、楕円形状でも良い。さらに、凹入部を溝状(連続状)に形成し、この中に、複数のLEDベアチップを実装するようにしても良い。
2.伝熱部材について
上記の第3及び第4の実施の形態では、伝熱部材に銅が用いられていたが、絶縁基板を構成する材料の熱伝導率よりも高い材料であれば、LEDベアチップが発光したときの熱を、伝熱部材を備えていないものに対して、効率良く金属ベースへと伝えることができる。但し、実際の使用における熱伝導性を考慮すると、伝熱部材に金属材料を用いる方が好ましい。このような材料には、例えば、アルミニウム、金、銀等がある
3.LED光源について
(a)他のLED光源の例1(変形例9、10)について
上記の各実施の形態及ぶ各変形例におけるLED光源は、金属ベース基板とLEDベアチップとを備える構造をしているが、本発明の発光光源は、この構成に限定するものではなく、例えば、LEDベアチップを覆うように各種のレンズ、反射板等を装着しても良く、以下、これらを装着したLED光源について説明する。
図21は、レンズ板及び反射板を備えるLED光源を示す斜視図である。図22は、LEDベアチップの実装位置周辺を拡大した断面図である。なお、図21及び図22に示すLED光源の例を変形例9とする。
反射板26は、図22に示すように、各LEDベアチップLnm(ここでは、L73、L74、L75)に対応する位置に貫通孔28が形成されている。つまり、8行8列のマトリックス状に貫通孔28を64個備えている。この貫通孔28は、上部絶縁層21側の径が小さいコーン状に形成されていると共に、上部絶縁層21側における周縁が、金属ベース基板15の凹入部Cnmの表(図22における上)側における周縁と略一致するようになっている。
LEDベアチップLnmは、上記実施の形態と同様に、AlInGaNを用いている。このため、例えば、レンズ部27、またはLEDベアチップLnmを封入する樹脂体29に、蛍光体を設ける(樹脂体に蛍光体を混入することで設けることができる)と、LEDベアチップLnmから発せられた光によって蛍光体を励起させて可視光を得ることができる。例えば、蛍光体に、YAG系のものを用いると、青色光を白色光に変換できる。
(b)他のLED光源の例2(変形例11)について
第1及び第2の実施の形態は、絶縁板におけるLEDベアチップの実装位置に凹入部を設け、この凹入部の底面にLEDベアチップを実装している。一方、第3及び第4の実施の形態は、絶縁基板において、絶縁基板に実装されるLEDベアチップと金属ベースとの間に、少なくとも1つの伝熱部材を設けている。以上の実施の形態では、凹入部或いは伝熱部材により金属ベース基板としての放熱特性を向上させているが、本発明は、凹入部と伝熱部材との両方を備えた金属ベース基板及びこの金属ベース基板を備える発光光源であっても良い。
図24の(a)は、図8の(a)に示す変形例3で説明した金属ベース基板52と同様の金属ベース基板52aに伝熱部材5Aを設けた例を(以下、この例を「変形例11」とする。)示す。
金属ベース基板52aは、上部絶縁層55aと下部絶縁層56aとを有する絶縁基板54aと、金属ベース53aとを備え、絶縁基板54aには、下部絶縁層56aを残して上部絶縁層55aを貫通してなる凹入部C3aが形成されている。
ここで、下部絶縁層56aにコンポジット材料を用いると、伝熱部材5Aが、その金属ベース側の面が下部絶縁層の金属ベース側の面と面一となるように下部絶縁層側に入り込み、LEDベアチップL3aと伝熱部材5Aとが近づき、良好な放熱特性が得られる。
なお、LEDベアチップの電極の位置、絶縁基板の配線パターンとの接続方法等の違いにより、上述の例以外にも適宜適用できる。
(a)絶縁層に材料について
上記の各実施の形態及び各変形例では、絶縁層として、コンポジット材料を用いたが、これ以外の材料、例えば、ガラスエポキシ材料を用いても良い。
また、第1、第3及び第4の実施形態のように、LEDベアチップを絶縁層の表面に実装する場合には、LEDベアチップから金属ベースへの熱伝導を考慮すると、薄い方が優位であり、その厚みが各種選択できるような材料が好ましい。
上記の各実施の形態では、絶縁層として、アルミナコンポジット材料を用いていたが、他のコンポジット材料であっても良い。他のコンポジット材料としては、例えば、無機フィラーとして、シリカ、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、窒化ケイ素、ダイヤモンドのうち少なくとも1つを使用したものがある。
さらに、コンポジット材料は、無機フィラーの種類及びその構成比率を適宜変更することで、様々な弾性特性及び線膨張特性を得ることができる。このため、例えば、ガラスエポキシ材料よりも低弾性率で、低線膨張特性の絶縁層を得ることできる。
実施の形態では、金属ベースとしてアルミニウム板を用いたが、例えば、鉄、ステンレス、銅等の金属板を使用しても良い。さらに、金属ベースの絶縁層が接合されていない面に、多数の凹入部を備えたフィン構造にしても良い。
6.金属ベース基板について
上記の各実施の形態で説明した金属ベース基板は、他の方法により製造することもできる。以下、例えば、配線パターンを転写シートに形成した後、絶縁層に用いるための半硬化状態の絶縁板に転写して、上記の第1の実施の形態と同様な金属ベース基板を製造する例(この例を、以下、「変形例12」とする。)について説明する。
先ず、下部絶縁層について説明する。転写シート544の一面に、たとえば、厚さ35μmの銅箔を接着し、続いて、当該銅箔における配線パターン5PBに対応する部分を残して、他の銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、転写シート544の表面に下部絶縁層522に対応した配線パターン5PBが形成されることになる[工程(a)]。
次に、上部絶縁層520について説明する。先ず上述したように下部絶縁層522と同じように、転写シート544の一面に厚さ9μmの銅箔を接着し、続いて、当該銅箔における配線パターン5PAに対応する部分を残して、他の銅箔部分をエッチングにより除去する。これにより、転写シート544の表面に上部絶縁層520に対応した配線パターン5PAが形成されることになる。
そして、上記の工程(c)で得られた金属板516付きの絶縁板514の表面上に、導電性ペーストが充填された絶縁板512を載置し、さらに、この絶縁板512上に転写シート544に形成された配線パターン5PAが絶縁板512側となるように、絶縁板512上に重ね合わせ[工程(d)]、加圧及び加熱する。その後、転写シート544を剥がすことにより、配線パターン5PAが上部絶縁層520の上面に形成されると共に、上下の絶縁層520、522及び金属ベース524が接合されて、3層からなる金属ベース基板510が完成する[工程(e)]。
そして最後に上記のようにして製造された金属ベース基板に、そのLEDベアチップの実装位置にLEDベアチップをフリップチップ実装して、発光光源が得られる。
(a)発光素子について
上記の第1、第3及び第4の実施の形態、変形例6では、LEDベアチップをフリップチップ実装しているが、他の方式でLEDベアチップを実装しても良い。例えば、SMD(Surface Mounted Device)型のLEDチップを使用しても良い。SMD型のLEDチップを使用する場合には、その側面の電極と配線パターンとを半田等により接続すれば良い。
(b)発光色について
上記の実施の形態では、発光素子としてLEDベアチップを用いている。このLEDベアチップは、例えば、同じ発光色のものを用いても良いし、複数の異なる発光色のものを用いても良い。このような例としては、例えば、発光色が、赤、青、緑のいずれかのLEDベアチップを複数組み合わせても良い。さらに、発光色が、赤、青、緑である3個のLEDベアチップを1組として用い、各色の光出力を調整することで様々な発光色を発光するようにしても良い。但し、この場合は、各色のLEDベアチップの印加電流を制御する必要があり、各色用に配線パターンを形成する必要があると共に、各LEDベアチップから発せられた各色の光を混色させるためのレンズ等が必要となる。
上記各実施の形態及び変形例では、発光体用金属ベース基板に搭載される発光体として、発光素子、具体的にはLEDベアチップを用いたが、LEDベアチップ以外の発光素子を用いても良い。このようなLEDベアチップ以外の発光素子としては、例えば、レーザダイオード(LD)等がある。但し、レーザダイオードから発せられる光は、指向性が強いために、例えば、その光を拡散するための拡散レンズ等が必要となる場合も生じる。
図26は、発光体としてサブマウントを用いた例を示す図である。
図26の(a)は、変形例2(図7の(b))で説明したLED光源におけるLEDベアチップL2の代わりのサブマウントを用いた例(この例を、以下、「変形例13」とする。)を示す。
サブマウント60は、例えば、シリコン基板(以下、「Si基板」という。)62と、このSi基板62の上面に実装された発光素子、例えば、LEDベアチップL1aと、LEDベアチップL1aを封止する封止樹脂64とを備える。なお、Si基板62の下面には、LEDベアチップL1aの一方の電極に電気的に接続された第1の端子が、一方、Si基板の上面には、LEDベアチップの他方の電極に電気的に接続された第2の端子がそれぞれ形成されている。
また、LEDベアチップL1aと絶縁基板44aとの間にSi基板62が存在するため、LEDベアチップを直接フリップチップ実装する場合に比べると放熱性能は若干下がるものの、シリコンは高い熱伝導率を持つため、LEDベアチップを直接実装した場合に近い放熱特性を得ることができる。
図26の(b)は、第2の実施の形態(図10)で説明したLED光源におけるLEDベアチップ2L74の代わりのサブマウントを用いた例(この例を、以下、「変形例14」とする。)をしめす。
このサブマウント70は、変形例13と同様に、Si基板72、LEDベアチップ2L74a及び封止樹脂74とを備えている。Si基板72の上面にはLEDベアチップの電極に電気的に接続された端子が形成されている。
なお、変形例13及び14では、変形例2及び第2の実施の形態でのLEDベアチップをサブマウントに置き換えた場合について説明したが、LEDベアチップとサブマウント、すなわち、発光素子とサブマウントとを混ぜて、発光光源を構成しても良い。
上記の各実施の形態では、発光光源について主に説明したが、当然この発光光源に給電端子を介して給電することにより、照明装置として使用することも可能である。
図27は、変形例9のLED光源を用いた照明装置の一例を示す図である。
照明装置600は、口金652と反射傘653とが設けられたケース651を有し、このケース651にLED光源610が取着されている。口金652は、一般電球でも用いられている口金と同じ規格のものである。反射傘653は、LED光源610から発せられた光を前方に反射させるためのものである。なお、LED光源610は、変形例9で説明したLED光源30と同構造である。
上記の各実施の形態では、金属ベース基板にLEDベアチップを実装して、8行8列の表示装置として使用することも可能である。但し、この場合、各LEDベアチップを個別に点灯させるように配線パターンを変更すると共に、個別にLEDベアチップを点灯させて文字、記号等を表示する公知の点灯制御回路等が必要となる。
9.最後に
上記各実施の形態及び各変形例の説明に用いた図面は、本発明を概念的に説明するためのものであり、その形状や寸法、配線パターンの厚み等の関係は、実際のものと異なっている。
15 金属ベース基板
20 絶縁基板
21 上部絶縁層
22 下部絶縁層
24 金属ベース
Cnm 凹入部
Lnm LEDベアチップ
PA,PB 配線パターン
Claims (34)
- 発光体を実装するための配線パターンを備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏側に取着されている金属ベースとを備える発光体用金属ベース基板であって、
前記絶縁基板は、その表側に凹入部を複数備え、当該凹入部の底面が前記発光体の実装予定部位であることを特徴とする発光体用金属ベース基板。 - 前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造であり、
前記凹入部は、少なくとも前記金属ベースに接する絶縁層を残して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光体用金属ベース基板。 - 前記凹入部の底面は、いずれかの絶縁層の境界に設定されていることを特徴とする請求項2に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層に形成されており、その一部が前記凹入部内に露出していることを特徴とする請求項3に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続するための発光体接続部を複数列有する第1の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続するための第2の配線パターンとを有し、
前記第1の配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層上に形成され、前記第2の配線パターンは、第1の配線パターンが形成されている絶縁層よりも表側にある絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光体用金属ベース基板。 - 前記配線パターンは、前記凹入部の底面に相当する絶縁層よりも表側の絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記凹入部は、前記絶縁基板を貫通して前記金属ベースにまで達していることを特徴とする請求項1に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記配線パターンは、複数の発光体を直列に接続する素子接続部を複数列備える第3の配線パターンと、当該隣合う発光体接続部を直列に接続する第4の配線パターンとを有することを特徴とする請求項7に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記絶縁基板は、2以上の絶縁層からなる多層構造を有し、
前記第3の配線パターン及び前記第4の配線パターンは、別々の絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項8に記載の発光体用金属ベース基板。 - 前記複数の凹入部は、等間隔で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記凹入部は、平面視略円形状に形成され、その穴径が0.5mm以上2.0mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記凹入部は、金属ベースに近い絶縁層ほど穴径が小さくなっており、層単位で段状に穴径が変化していることを特徴とする請求項2に記載の発光体用金属ベース基板。
- 発光体を実装するための配線パターンが表面に備える絶縁基板と、前記絶縁基板の裏面に取着されている金属ベースとを備える発光体金属ベース基板であって、
前記絶縁基板よりも高い熱伝導率を有する伝熱部材が、前記絶縁基板における前記発光体の実装予定部位と前記金属ベースとの間に配設されていることを特徴とする発光体用金属ベース基板。 - 前記絶縁基板は単数の絶縁層からなる単層構造であり、前記伝熱部材が前記絶縁基板の裏面側に埋設されていることを特徴とする請求項13に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記絶縁基板は、複数の絶縁層からなる多層構造を有し、前記伝熱部材は、少なくとも1つの絶縁層又は少なくとも1つの層間に配設されていることを特徴とする請求項13に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記絶縁基板は、表層以外の少なくとも1つの絶縁層にも配線パターンが形成されていることを特徴とする請求項15に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記伝熱部材は、金属膜であることを特徴とする請求項13に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記配線パターンは、前記絶縁基板の各絶縁層に形成されており、前記伝導部材は、表層以外の絶縁層に形成されている配線パターンの一部であることを特徴とする請求項16に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記伝導部材の厚さは、表面の配線パターンの厚さより厚いことを特徴とする請求項13に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記絶縁板層は、少なくとも無機フィラー及び樹脂組成物とから構成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記無機フィラーは、シリカ、アルミナ、マグネシア、ベリリア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、窒化ケイ素、ダイヤモンドのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項20に記載の発光体用金属ベース基板。
- 前記配線パターンは、転写法により前記絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項20に記載の発光体用金属ベース基板。
- 請求項1に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴とする発光光源。
- 請求項5に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体は、1対の給電端子を裏面に有し、前記第1の配線パターンに面実装されていることを特徴とする発光光源。 - 前記発光体は、裏面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び/又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が裏面に形成されたサブマウントであることを特徴とする請求項24に記載の発光光源。
- 請求項5に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体は、一対の給電端子を表裏の2面に有し、表側の給電端子が前記第2の配線パターンに、裏側の給電端子が前記第1の配線パターンにそれぞれ接続されていることを特徴とする発光光源。 - 前記発光体は、両面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び/又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された給電端子が表裏面に形成されたサブマウントであることを特徴とする請求項26に記載の発光光源。
- 請求項6に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体用金属ベース基板は発光体用金属ベース基板であり、
前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、両給電端子がワイヤボンディングにより前記配線パターンに接続されていることを特徴とする発光光源。 - 前記発光体は、表面電極型の発光ダイオードベアチップ、及び/又は、発光ダイオードを表側に実装すると共に当該発光ダイオードの電極に接続された一対の給電端子が表面に形成されたサブマウントであることを特徴とする請求項28に記載の発光光源。
- 請求項1に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光体は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が前記配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする発光光源。 - 請求項7に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備え、
前記発光素子は、一対の給電端子を表面に有し、当該給電端子が、前記第3及び第4の配線パターンにワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする発光光源。 - 請求項13に記載の発光体用金属ベース基板と、当該発光体用金属ベース基板の実装予定部位に実装された発光体とを備えることを特徴とする発光光源。
- 請求項23〜31のいずれか1項に記載の発光光源を用いていることを特徴とする照明装置。
- 請求項23〜31のいずれか1項に記載の発光光源を用いていることを特徴とする表示装置。
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