WO2022024932A1 - 配線基板、発光素子搭載用パッケージおよび発光装置 - Google Patents

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WO2022024932A1
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WO
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resin layer
insulating resin
wiring board
ridge line
closed pore
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PCT/JP2021/027374
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和弘 岡本
泉太郎 山元
有平 松本
佳英 大川
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京セラ株式会社
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    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials

Definitions

  • This disclosure relates to a wiring board, a package for mounting a light emitting element, and a light emitting device.
  • LEDs Light Emitting Diodes
  • LDs Laser Diodes
  • a light source device using these semiconductor elements is required to have high heat dissipation. Therefore, a metal substrate is used for the light source device.
  • An insulating layer made of an organic resin is laminated on the metal substrate to form a wiring board or a package for mounting a light emitting element (see, for example, Patent Document 1).
  • the wiring board of the present disclosure has a metal substrate, an insulating resin layer located on the metal substrate, and a conductor layer located on the insulating resin layer.
  • the insulating resin layer includes a first surface facing the metal substrate, a second surface located opposite to the first surface, and a third surface located between the first surface and the second surface. It includes a first ridge line portion where the first surface and the third surface intersect, and a second ridge line portion where the second surface and the third surface intersect.
  • the insulating resin layer has a first closed pore group in which a plurality of closed pores are densely packed closer to the first ridge line portion than to the second ridge line portion.
  • the wiring board of the present disclosure has a metal substrate, an insulating resin layer located on the metal substrate, and a conductor layer located on the insulating resin layer.
  • the insulating resin layer includes a first surface facing the metal substrate, a second surface located opposite to the first surface, a through hole penetrating the first surface to the second surface, and the inside of the through hole.
  • the fourth surface located between the first surface and the second surface, the third ridge line portion where the first surface and the fourth surface intersect, and the second surface and the fourth ridge line portion. I have.
  • the insulating resin layer has a second closed pore group in which a plurality of closed pores are densely packed closer to the third ridge line portion than to the fourth ridge line portion.
  • a submount for mounting the light emitting element is arranged on the above wiring board.
  • the light emitting device of the present disclosure includes a light emitting element on a submount of the above-mentioned light emitting element mounting package.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a wiring board shown as an example of an embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the P1 portion of FIG.
  • FIG. 5 is an external perspective view showing another aspect of the wiring board.
  • FIG. 6 is a sectional view taken along line VI-VI of FIG.
  • FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII of FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of the P2 portion of FIG.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device shown as an example of the embodiment.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a wiring board shown as an example of an embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view
  • FIG. 10A is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the wiring board A and a state before the laminated body is pressure-heated.
  • FIG. 10B is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the wiring board A and a state after the laminated body is pressure-heated.
  • FIG. 11A is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the wiring board B and showing a state before the laminated body is pressure-heated.
  • FIG. 11B is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the wiring board B and showing a state after the laminated body is pressure-heated.
  • the light emitting element mounting package disclosed in Patent Document 1 has a structure in which an insulating layer made of an organic resin is laminated on a metal substrate.
  • a metal substrate may be referred to as a substrate.
  • An insulating layer made of an organic resin may be referred to as an insulating layer.
  • the substrate and the insulating layer are made of different materials. Therefore, it is basically difficult to firmly bond the substrate and the insulating layer.
  • the package for mounting a light emitting element is exposed to a sudden temperature change, there may be a problem that the insulating layer is peeled off from the substrate. This is because the substrate and the insulating layer have a large difference in thermal expansion coefficient between them.
  • the insulating layer has high rigidity even if it is made of an organic resin.
  • the Young's modulus of the insulating layer made of an organic resin increases sharply, especially when the ambient temperature is lower than the normal temperature (25 ° C.). Due to such factors, the insulating layer of a light emitting device mounting package having a structure in which an insulating layer made of an organic resin is laminated on a metal substrate is easily peeled off from the substrate.
  • the present disclosure provides, for example, a wiring board, a package for mounting a light emitting element, and a light emitting device in which the insulating layer is not easily peeled off from the substrate even in a structure in which an insulating layer made of an organic resin is laminated on a metal substrate.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a wiring board shown as an example of an embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the P1 portion of FIG.
  • the wiring board A shown in FIG. 1 has a metal substrate 1, an insulating resin layer 3, and a conductor layer 5.
  • the insulating resin layer 3 is located on the metal substrate 1.
  • the insulating resin layer 3 is laminated on the metal substrate 1.
  • the conductor layer 5 is located on the insulating resin layer 3.
  • the conductor layer 5 is arranged toward the end of the second surface 3b of the insulating resin layer 3, but the position of the conductor layer 5 is not limited to this.
  • the conductor layer 5 may be arranged at any place required by the pattern design. Further, in FIG. 1, the number of the conductor layers 5 is two, but the number of the conductor layers 5 may be arranged as many as necessary.
  • the insulating resin layer 3 has a first surface 3a, a second surface 3b, and a third surface 3c.
  • the first surface 3a is a surface facing the metal substrate 1.
  • the second surface 3b is a surface located on the opposite side of the first surface 3a.
  • the third surface 3c is a surface located between the first surface 3a and the second surface 3b.
  • the first surface 3a and the second surface 3b are the main surfaces of the insulating resin layer 3.
  • the third surface 3c is a so-called side surface of the insulating resin layer 3.
  • the third surface 3c is oriented so as to intersect the first surface 3a or the second surface 3b.
  • the third surface 3c has a structure that faces in a direction perpendicular to the first surface 3a and the second surface 3b, but is not limited to the direction perpendicular to the first surface 3a and the second surface 3b.
  • the wiring board A shown in FIG. 1 has four third surfaces 3c.
  • the insulating resin layer 3 has a first ridge line portion 3d and a second ridge line portion 3e.
  • the first ridge line portion 3d is located at a position where the first surface 3a and the third surface 3c intersect.
  • the second ridge line portion 3e is located at the intersection of the second surface 3b and the third surface 3c.
  • the first ridge line portion 3d is a ridge line closer to the metal substrate 1 than the second ridge line portion 3e.
  • the first ridge line portion 3d is arranged so as to surround the first surface 3a of the insulating resin layer 3.
  • the second ridge line portion 3e is arranged so as to surround the second surface 3b of the insulating resin layer 3.
  • the insulating resin layer 3 has a large number of closed pores 7a.
  • the insulating resin layer 3 among a large number of closed pores 7a, there is a portion in which a plurality of closed pores are densely packed.
  • the portion in which a plurality of closed pores 7a are densely packed is hereinafter referred to as a closed pore group.
  • the closed pore group existing in the insulating resin layer 3 of the wiring board A is referred to as the first closed pore group 7.
  • the state in which a plurality of closed pores 7a are densely referred to means a state in which the number of closed pores 7a existing in a predetermined volume is larger than that in other regions.
  • the volume may be replaced with a predetermined area (unit area) of the cross section of the insulating resin layer 3.
  • the unit area can be drawn by monotonically connecting the contours of the plurality of closed pores 7a located on the outermost periphery in the portion where the plurality of closed pores are densely packed.
  • the area of the circle In this case, the porosity of the first closed pore group 7 is preferably 50% or more of the porosity in the unit area. As a guide, the porosity of the first closed pore group is up to 80%.
  • the first closed pore group 7 exists closer to the first ridge line portion 3d than the second ridge line portion 3e of the insulating resin layer 3. In other words, the first closed pore group 7 exists in the vicinity of the first ridge line portion 3d in the insulating resin layer 3. Furthermore, the first closed pore group 7 exists in the insulating resin layer 3 near the outer peripheral edge of the first surface 3a.
  • the proportion of the resin forming the insulating resin layer 3 is smaller than in the other regions of the insulating resin layer 3. Therefore, in the insulating resin layer 3, the region where the first closed pore group 7 exists has a lower elastic modulus than the other regions of the insulating resin layer 3.
  • a portion having a lower elastic modulus than other regions is formed in the vicinity of the first ridge line portion 3d of the insulating resin layer 3. As a result, the stress generated between the metal substrate 1 and the insulating resin layer 3 can be relaxed. As a result, the probability that the metal substrate 1 and the insulating resin layer 3 are separated from each other can be reduced.
  • the possibility that the insulating resin layer 3 will be peeled off from the metal substrate 1 can be reduced.
  • the thermal expansion rate is different between the metal substrate 1 and the insulating resin layer 3, the insulating resin layer 3 is easily peeled off from the peripheral edge 3co.
  • the insulating resin layer 3 tends to be easily peeled off from the corner portion 3 coc.
  • the first closed pore group 7 exists in the vicinity of the first ridge line portion 3d in the insulating resin layer 3. Therefore, it is possible to prevent the insulating resin layer 3 from peeling off from the corner portion 3coc and the peripheral edge 3co.
  • the elastic modulus of the portion where the first closed pore group 7 exists has a low elastic modulus.
  • the portion where the first closed pore group 7 exists is easily deformed. Therefore, the adhesive force of the metal substrate 1 to the surface 1a is increased.
  • the portion where the first closed pore group 7 exists is close to the surface 1a of the metal substrate 1 in the direction of the thickness of the insulating resin layer 3 and is close to the surface 1a of the metal substrate 1.
  • the insulating resin layer 3 is viewed in a plan view, it is a portion close to the peripheral edge 3co of the insulating resin layer 3.
  • the other region is from the surface 1a of the metal substrate 1 in the direction of the thickness of the insulating resin layer 3 rather than the place where the first closed pore group 7 exists. It is a distant place, and when the insulating resin layer 3 is viewed in a plan view, it is located closer to the center 3cc than the peripheral edge 3co of the insulating resin layer 3.
  • the first closed pore group 7 includes a plurality of closed pores 7a.
  • the closed pores 7a are pores existing inside the insulating resin layer 3.
  • the closed pore 7a has a closed space.
  • the closed pores 7a do not face the first surface 3a, the second surface 3b, the side surface (third surface 3c), and the first ridge line portion 3d of the insulating resin layer 3.
  • the closed pores 7a have a resin between the first surface 3a, the second surface 3b, the side surface (third surface 3c), and the first ridge line portion 3d constituting the insulating resin layer 3.
  • the closed pore 7a does not have a portion opened in the first surface 3a, the second surface 3b, the side surface (third surface 3c), and the first ridge line portion 3d of the insulating resin layer 3.
  • the closed pores 7a are present alone in other regions of the portion that is the first closed pore group 7.
  • the closed pores 7a constituting the first closed pore group 7 have a larger average diameter than the closed pores 7a existing in a region other than the portion of the first closed pore group 7.
  • the average diameter D1 of the closed pores 7a constituting the first closed pore group 7 is 1.5 to 1.5 of the average diameter D2 of the closed pores 7a existing in the region other than the portion of the first closed pore group 7. It may be 5 times.
  • Confirmation of the region from the large number of closed pores 7a included in the insulating resin layer 3 to the first closed pore group 7 is performed as follows. First, a cross section as shown in FIG. 3 is extracted from the wiring board A. Next, the cross section is observed with an electron microscope, for example, and the presence of the closed pores 7a is confirmed from the photograph. Next, a candidate for the first closed pore group 7, which is a portion where the closed pores 7a are densely packed, is searched for, and a provisional division is performed visually with the region where the closed pores 7a are not densely packed.
  • the diameter of each closed pore 7a is obtained by image analysis of the candidate portion of the first closed pore group 7.
  • the diameter of each closed pore 7a is obtained by converting the area of the closed pore 7a obtained from the image analysis into the area of a circle.
  • the range from the measured value of the diameter of each of the obtained closed pores 7a to the range in which the closed pores 7a larger than the threshold diameter are present is defined as the range of the first closed pore group 7.
  • the threshold value of the diameter of the closed pore 7a is 0.05 ⁇ m in the specific example described later. If the closed pores having a diameter smaller than 0.05 ⁇ m exist between the closed pores 7a constituting the first closed pore group 7, the closed pores 7a having such a small diameter are also the first.
  • thermosetting resin is suitable as the material of the insulating resin layer 3.
  • Epoxy resin is suitable as the thermosetting resin.
  • Inorganic particles may be contained in the insulating resin layer 3.
  • Copper foil is suitable as the conductor layer 5.
  • FIG. 5 is an external perspective view showing another aspect of the wiring board.
  • FIG. 6 is a sectional view taken along line VI-VI of FIG.
  • FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII of FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of the P2 portion of FIG.
  • the wiring board B shown in FIG. 5 has a metal substrate 1, an insulating resin layer 3, and a conductor layer 5.
  • the insulating resin layer 3 is located on the metal substrate 1.
  • the conductor layer 5 is located on the insulating resin layer 3.
  • the conductor layer 5 is arranged toward the end of the second surface 3b of the insulating resin layer 3, but the position of the conductor layer 5 is not limited to this. It is arranged in the required place by the pattern design of the conductor layer 5.
  • the number of the conductor layers 5 is 2, but the number of the conductor layers 5 may be the number required by the pattern design.
  • the insulating resin layer 3 has a first surface 3a and a second surface 3b.
  • the insulating resin layer 3 has a through hole 9.
  • the wiring board B shown in FIG. 5 is different from the wiring board A described above in that the insulating resin layer 3 has a through hole 9.
  • the through hole 9 is formed so as to penetrate between the first surface 3a and the second surface 3b of the insulating resin layer 3.
  • the through hole 9 has an inner surface 9a.
  • the inner surface 9a is located between the first surface 3a and the second surface 3b of the insulating resin layer 3.
  • the through hole 9 shown in FIG. 5 has a rectangular shape in a plan view.
  • the inner surface 9a of the through hole 9 is composed of four surfaces.
  • one of the inner surfaces 9a of the through hole 9 is referred to as the fourth surface 9aa.
  • the inner surface 9a of the through hole 9 shown in FIG. 5 has four fourth surfaces 9aa.
  • the fourth surface 9aa is oriented so as to intersect with the first surface 3a.
  • the fourth surface 9aa which is one of the four fourth surfaces 9aa, will be described.
  • the fourth surface 9aa is located between the first surface 3a and the second surface 3b of the insulating resin layer 3.
  • the insulating resin layer 3 has a third ridge line portion 9b and a fourth ridge line portion 9c.
  • the third ridge line portion 9b is a portion where the first surface 3a and the fourth surface 9aa of the insulating resin layer 3 intersect.
  • the fourth ridge line portion 9c is a portion where the second surface 3b and the fourth surface 9aa of the insulating resin layer 3 intersect.
  • the insulating resin layer 3 constituting the wiring board B also has a large number of closed pores as in the case of the wiring board A.
  • the insulating resin layer 3 constituting the wiring board B also has a group of closed pores having the same form as that of the wiring board A.
  • the closed pore group existing near the through hole 9 formed in the insulating resin layer 3 is referred to as the second closed pore group 11.
  • the closed pores constituting the second closed pore group 11 are hereinafter represented by reference numerals 11a.
  • the first closed pore group 7 and the closed pore group 7a, the second closed pore group 11 and the closed pore 11a are represented by different reference numerals for convenience of explanation.
  • the first closed pore group 7 and the closed pore group 7a and the second closed pore group 11 and the closed pore 11a may have the same size and distribution state, respectively.
  • the second closed pore group 11 exists closer to the third ridge line portion 9b than the fourth ridge line portion 9c of the insulating resin layer 3. In other words, the second closed pore group 11 exists in the vicinity of the third ridge line portion 9b in the insulating resin layer 3. In the region where the second closed pore group 11 exists, the proportion of the resin forming the insulating resin layer 3 is smaller than that in the other regions of the insulating resin layer 3.
  • the region where the second closed pore group 11 exists has a lower elastic modulus than the other regions of the insulating resin layer 3.
  • a portion having a lower elastic modulus than other regions is formed in the vicinity of the third ridge line portion 9b of the insulating resin layer 3.
  • the probability that the through hole 9 side of the insulating resin layer 3 is separated from the metal substrate 1 can be reduced.
  • the possibility that the through hole 9 side of the insulating resin layer 3 is peeled off from the metal substrate 1 can be reduced.
  • the thermal expansion rate is different between the metal substrate 1 and the insulating resin layer 3
  • the inner surface 9a of the through hole 9 which is the end surface of the insulating resin layer 3 is likely to be partially peeled off like the peripheral edge 3co.
  • the second closed pore group 11 exists in the insulating resin layer 3 near the third ridge line portion 9b. Therefore, the insulating resin layer 3 can be prevented from peeling off from the inner surface 9a side of the through hole 9.
  • the elastic modulus of the portion where the second closed pore group 11 exists has a low elastic modulus. Further, the portion where the second closed pore group 11 exists is easily deformed. Therefore, the adhesive force of the metal substrate 1 to the surface 1a is increased.
  • the portion where the second closed pore group 11 exists is close to the surface 1a of the metal substrate 1 in the direction of the thickness of the insulating resin layer 3 and is close to the surface 1a.
  • the insulating resin layer 3 is viewed in a plan view, it is a portion close to the inner surface 9a of the through hole 9.
  • the other region is from the surface 1a of the metal substrate 1 in the direction of the thickness of the insulating resin layer 3 rather than the place where the second closed pore group 11 exists. It is a distant place, and when the insulating resin layer 3 is viewed in a plan view, it is a position close to the peripheral edge 3co from the inner surface 9a of the through hole 9.
  • the second closed pore group 11 includes a plurality of closed pores 11a.
  • the closed pores 11a are pores existing inside the insulating resin layer 3.
  • the closed pore 11a has a closed space.
  • the closed pores 11a are the first surface 3a, the second surface 3b, the fourth surface 9aa, the side surface (third surface 3c), the first ridge line portion 3d, the second ridge line portion 3e, and the third ridge line portion 9b of the insulating resin layer 3. It does not face the surface and has a resin between each of these parts and the outside world.
  • the closed pores 11a are the first surface 3a, the second surface 3b, the fourth surface 9aa, the side surface (third surface 3c), the first ridge line portion 3d, the second ridge line portion 3e, and the third surface of the insulating resin layer 3. It does not have an opening in the ridgeline portion 9b.
  • the closed pores 11a independently exist in the insulating resin layer 3 in a region different from the portion forming the second closed pore group 11.
  • the closed pores 11a constituting the second closed pore group 11 have a larger average diameter than the closed pores 11a existing in a region other than the portion of the second closed pore group 11.
  • the average diameter D3 of the closed pores 11a constituting the second closed pore group 11 is 1.5 to 1.5 of the average diameter D4 of the closed pores 11a existing in the region other than the portion of the second closed pore group 11. It may be 5 times.
  • the wiring board B may have the first closed pore group 7 in the insulating resin layer 3.
  • the wiring board B may have a first closed pore group 7 and a second closed pore group 11 in the insulating resin layer 3. That is, the insulating resin layer 3 constituting the wiring board B may have a first closed pore group 7 in which a plurality of closed pores 7a are densely packed near the first ridge line portion 3d.
  • the through hole 9 is provided. It is possible to prevent the insulating resin layer 3 laminated on the metal substrate 1 from peeling off from the peripheral edge 3co and the corner portion 3coc as well as the inner surface 9a side.
  • the first closed pore group 7 may be located in the entire area extending over the first ridge line portion 3d.
  • the insulating resin layer 3 is less likely to be peeled off from the metal substrate 1 in the entire area.
  • the second closed pore group 11 may be located in the entire area extending over the third ridge line portion 9b.
  • the fact that the first closed pore group 7 is located in the entire area means that the first closed pore group 7 has the maximum length when the maximum length L of the first closed pore group 7 is 1. It means that they are arranged along the first ridge line portion 3d at a pitch of 10 times or less of L. The same applies when the second closed pore group 11 is arranged along the third ridge line portion 9b.
  • the insulating resin layer 3 may contain a plurality of inorganic particles, but in this case, it is preferable that the plurality of inorganic particles have two peaks in their particle size distribution.
  • the particle size distribution of the inorganic particles contained in the insulating resin layer 3 has two peaks, a structure is formed in which the inorganic particles having a small diameter enter between the large diameter inorganic particles contained in the insulating resin layer 3. can. Therefore, in the insulating resin layer 3, it is possible to obtain the insulating resin layer 3 showing high strength even if the volume ratio of the inorganic particles is low.
  • the insulating resin layer 3 can increase the adhesive strength with respect to the metal substrate 1.
  • the volume ratio of the inorganic particles is low because the volume ratio of the voids is originally high. Therefore, the effect of stress relaxation due to the presence of the first closed pore group 7 and the second closed pore group 11 in the insulating resin layer 3 can be maintained.
  • the particle size distribution of the inorganic particles has two peaks, as long as the particle size distribution of the inorganic particles can be measured and the distribution can be graphed.
  • the skirt extending from the peak having the smaller particle size and the skirt extending from the peak having the larger particle size may overlap.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the light emitting device D shown as an example of the embodiment.
  • the light emitting device D shown in FIG. 9 has a light emitting element mounting package C and a light emitting element 13.
  • a light emitting element 13 As the light emitting element 13, an LD (Laser Diode) can be exemplified in addition to the LED element.
  • LD Laser Diode
  • the light emitting element mounting package C shown in FIG. 9 is based on the wiring board B shown in FIG.
  • the light emitting element mounting package C has a wiring board B, a submount board 15, and a bonding material 17.
  • the submount substrate 15 is fitted into a through hole 9 formed in the insulating resin layer 3 constituting the wiring board B.
  • the submount substrate 15 is arranged on the metal substrate 1 constituting the wiring board B.
  • the bonding material 17 is arranged on the metal substrate 1 in the through hole 9 formed in the insulating resin layer 3 constituting the wiring board B.
  • the joining material 17 joins the metal substrate 1 and the submount substrate 15.
  • the submount substrate 15 is preferably equipped with a light emitting element 13 that easily generates heat during operation, and thus has the properties of high thermal conductivity, high strength, high toughness, and low thermal expansion. From the viewpoint of having such characteristics, it is preferable to use ceramics for the submount substrate 15. For example, ceramics containing silicon nitride as a main component are preferable. As the bonding material 17, solder, Au-Sn, or the like is preferable. The submount substrate 15, the metal substrate 1, and the insulating resin layer 3 may have different thermal expansion rates.
  • the light emitting element mounting package C When the light emitting element 13 is mounted on the light emitting element mounting package C and the light emitting element 13 operates continuously or discontinuously, the light emitting element mounting package C generates heat due to the operation of the light emitting element 13. Thermal stress is generated between the metal substrate 1 bonded to each other and the insulating resin layer 3 due to the difference in the thermal expansion coefficient and Young's modulus of the two. In the case of the light emitting device D, since the second closed pore group 11 exists in the insulating resin layer 3 of the wiring board B constituting the light emitting element mounting package C as described above, the metal substrate 1 and the insulating resin layer are present.
  • the submount board 15 is arranged on the second surface 3b of the insulating resin layer 3 of the wiring board A.
  • the submount substrate 15 is arranged on the second surface 3b of the insulating resin layer 3 via the bonding material 17.
  • FIG. 10A is a cross-sectional view showing a state before the laminated body is pressure-heated.
  • FIG. 10B is a cross-sectional view showing a state after the laminated body is pressure-heated.
  • the metal plate 21 is a material for obtaining the metal substrate 1.
  • the organic resin sheet 23 is a material for obtaining the insulating resin layer 3.
  • the metal plate 21 and the organic resin sheet 23 are each processed into a predetermined shape. It is better to use a mechanical cutting machine such as dicing for processing the metal plate.
  • a thermosetting resin as the material of the organic resin sheet 23. Epoxy resin is preferable as the material of the thermosetting resin.
  • a curing agent may be added to the thermosetting resin.
  • the organic resin sheet 23 may contain inorganic particles. As the inorganic particles, silica, alumina and the like are preferable. In this case, the inorganic particles preferably have two peaks when the particle size distribution is measured.
  • the organic resin sheet 23 is adhered to the surface 21a of the metal plate 21 to prepare the laminated body 25.
  • a laminating machine capable of pressurizing in a heated state is used for the adhesion between the metal plate 21 and the organic resin sheet 23.
  • the thermosetting resin used is cured at a temperature higher than the temperature at which the thermosetting resin can be cured.
  • the epoxy resin is cured at about 200 ° C.
  • the curing temperature is set to a higher temperature of 10 ° C. or higher and 60 ° C. or lower.
  • the surface of the insulating resin layer 3 tends to be flattened by dissolving a part of the resin component during pressurization and heating. At this time, the temperature is maintained at the maximum temperature for a predetermined time. When the laminate 25 is produced under such conditions, the bubbles 27 contained inside the organic resin sheet 23 are released from the organic resin sheet 23.
  • the bubbles 27 are easily removed from the surface of the organic resin sheet 23 that is not in contact with the metal plate 21, but the bubbles 27 are difficult to be removed from the surface 23a facing the metal plate 21. This is because the surface 23a of the organic resin sheet 23 is in contact with the metal plate 21, so that the bubbles 27 that should be released from the organic resin sheet 23 are blocked by the metal plate 21. Therefore, the bubbles 27 tend to accumulate in the vicinity of the surface 23a of the organic resin sheet 23 facing the metal plate 21.
  • the bubbles 27 dispersed in the organic resin sheet 23 are concentrated in the vicinity of the surface 23a facing the metal plate 21. In this way, the ratio of open pores can be reduced from the surface of the insulating resin layer 3.
  • a film sheet having holes is placed on the surface of the organic resin sheet 23 opposite to the metal plate 21 so that air bubbles can easily escape.
  • the bubbles 27 originally contained in the organic resin sheet 23 are not in contact with the metal plate 21 at the first stage of the pressure heat treatment, and the organic resin sheet 23 is formed. Move towards the part that is released inside.
  • the open portion of the organic resin sheet 23 is, for example, the side surface 23b of the organic resin sheet 23.
  • the insulating resin layer 3 formed by curing the organic resin sheet 23 is formed with the first closed pore group 7 in which a plurality of closed pores are densely packed.
  • the first closed pore group 7 is formed in a region close to the side surface (third surface 3c) of the insulating resin layer 3 and close to the metal plate 21.
  • the organic resin sheet 23 since the organic resin sheet 23 has a simple plate shape, the bubbles 27 contained in the organic resin sheet 23 gather in a region close to the side surface 23b of the organic resin sheet 23. In this way, it is possible to obtain a wiring board A having a first closed pore group 7 in which a plurality of closed pores 7a are densely packed closer to the first ridge line portion 3d than the second ridge line portion 3e of the insulating resin layer 3.
  • the holding time is short, some of the resin components will not dissolve and the surface will not be flat. Further, when the curing temperature is set to around the above-mentioned normal temperature (for example, 200 ° C.), the surface of the insulating resin layer 3 tends to have an uneven shape, and open pores are likely to be formed. This is because the resin component is difficult to dissolve during pressurization and heating.
  • FIG. 11A and 11B show a part of the manufacturing process of the wiring board B.
  • FIG. 11A is a cross-sectional view showing a state before the laminated body is pressure-heated.
  • FIG. 11B is a cross-sectional view showing a state after the laminated body is pressure-heated.
  • the organic resin sheet 23 forms a hole 29 which later becomes a through hole 9 of the insulating resin layer 3.
  • a laser processing machine is used in addition to the mold to form the holes 29.
  • the bubbles 27 also collect in the region close to the inner surface 29a of the holes 29. As shown in FIG.
  • the bubbles 27 gather in both the region near the side surface 23b of the organic resin sheet 23 and the region near the inner surface 29a of the hole 29.
  • a plurality of through holes 9 formed in the insulating resin layer 3 are located near the third ridge line portion 9b located closer to the metal substrate 1 than the fourth ridge line portion 9c located on the side farther from the metal substrate 1. It is possible to obtain a wiring board B having a second closed pore group 11 in which closed pores are densely packed.
  • the first closed pore group 7 is also formed.
  • a film sheet having holes is placed on the surface of the organic resin sheet 23 opposite to the metal plate 21 so that air bubbles can easily escape.
  • the organic resin sheet 23 uses inorganic particles having two peaks when the particle size distribution is measured, the organic resin sheet 23 is formed. Since the mechanical strength of the insulating resin layer 3 can be increased, the adhesive strength of the insulating resin layer 3 to the metal substrate 1 can be improved.
  • the bonding material 17 is arranged in the through hole 9 of the produced wiring board B.
  • the submount substrate 15 is placed on the upper surface of the bonding material 17 and heat-treated.
  • the light emitting element 13 is mounted on the surface of the submount substrate 15.
  • the light emitting element 13 is electrically connected to the conductor layer 5 provided on the second surface 3b of the insulating resin layer 3 constituting the wiring board B by a bonding wire. In this way, the light emitting device D can be obtained.
  • a wiring board was manufactured and its reliability was evaluated.
  • a wiring board B was manufactured as a wiring board.
  • Aluminum was used for the metal substrate.
  • the organic resin sheet to be the insulating resin layer was prepared by mixing an epoxy resin and silica particles. The content of silica particles was 30% by volume. Two types of silica particles were used: a raw material having two peaks in the particle size distribution and a raw material having only one peak in the particle size distribution. Further, 1 part by mass of a curing agent (dicyandiamide) was added to 100 parts by mass of the epoxy resin.
  • the through hole of the insulating resin layer was formed by using a mold.
  • the conductor layer was formed by an electrolytic plating method using a nickel plating solution containing zinc.
  • Table 1 shows the conditions for pressurization and heating when producing the laminate.
  • a film sheet with holes was placed on the surface of the insulating resin layer opposite to the metal substrate.
  • the manufactured wiring board had the following sizes.
  • the area of the plane of the metal substrate and the insulating resin layer is 40 mm ⁇ 40 mm
  • the area of the through holes provided in the insulating resin layer is 20 mm ⁇ 20 mm
  • the thickness of the metal substrate is 2 mm
  • the thickness of the insulating resin layer is 0. It is .2 mm.
  • the following evaluation was performed on the prepared sample.
  • the evaluation items are the presence or absence of the first closed pore group and the second closed pore group formed in the insulating resin layer, the presence or absence of peeling of the insulating resin layer from the metal substrate, the presence or absence of cracks generated in the insulating resin layer, and the presence or absence of the metal substrate.
  • the adhesive strength of the insulating resin layer was defined.
  • the presence or absence of the first closed pore group and the second closed pore group formed on the insulating resin layer was determined as follows. First, a cross section as shown in FIG. 3 was extracted from the produced wiring board. Next, the cross section was observed using, for example, a scanning electron microscope, and the presence of closed pores was confirmed from the photograph. Next, candidates for the first closed pore group and the second closed pore group, which are the portions where the closed pores are dense, were searched for, and provisional classification was performed visually with the region where the closed pores were not dense. Next, the diameters of the closed pores were determined by image analysis of the candidate portions of the first closed pore group and the second closed pore group.
  • the diameter of each closed pore was obtained by converting the area of the closed pore obtained from the image analysis into the area of a circle.
  • the range from the measured value of the diameter of each of the obtained closed pores to the range in which the closed pores larger than the threshold diameter exist was defined as the range of the first closed pore group and the second closed pore group.
  • the threshold value of the diameter of the closed pores was set to 0.05 ⁇ m. If the closed pores having a diameter smaller than 0.05 ⁇ m exist between the closed pores constituting the first closed pore group and the second closed pore group, the closed pores having the smaller diameter are also present. It was included in the area of the first closed pore group and the second closed pore group.
  • the closed pores having a diameter of 0.01 ⁇ m or less were not measured and were excluded from the measurement target.
  • the second closed pore group was formed in the insulating resin layer closer to the third ridge line portion than to the fourth ridge line portion. Further, it was confirmed that the second closed pore group was formed over the entire circumference of the inner wall (inner surface) formed by the four surfaces (fourth surface) constituting the through hole.
  • the porosity of the first closed pore group and the second closed pore group was 50% or more. In this case, the porosity of the first closed pore group and the second closed pore group was 70% at the maximum.
  • the presence or absence of peeling of the insulating resin layer from the metal substrate was evaluated using a method of immersing the insulating resin layer in a solder bath set at 300 ° C. for 30 seconds.
  • the presence or absence of cracks generated in the insulating resin layer was confirmed after the temperature cycle test.
  • the conditions of the temperature cycle test are: minimum temperature -55 ° C, maximum temperature 150 ° C, minimum temperature retention time, maximum temperature retention time, and temperature change from minimum temperature to maximum temperature and vice versa. The time for each was set to 15 minutes. The number of temperature cycles was set to 3000.
  • the state of peeling and cracking in the insulating resin layer was confirmed by the method of immersing in the red check solution. A sample in which the red check solution was found to have penetrated into the insulating resin layer was judged to be defective. At the same time, the penetration of the red check liquid between the metal substrate and the insulating resin layer was also evaluated.
  • the adhesive strength of the insulating resin layer to the metal substrate was measured using a tensile tester (autograph). In all of these evaluations, the number of samples was 10. In this case, the sample in which peeling or cracking was observed even in one of the evaluated samples (10) was described as “presence”. The average value was calculated for the adhesive strength.

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Abstract

配線基板は、金属基板と、金属基板上に位置する絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層上に位置する導体層とを有する。絶縁樹脂層は、金属基板に対向する第１面と、第１面の反対に位置する第２面と、第１面および第２面の間に位置する第３面と、第１面と第３面とが交わる第１稜線部と、第２面と第３面とが交わる第２稜線部とを備える。絶縁樹脂層は、第２稜線部よりも第１稜線部の近くに、複数の閉気孔が密集した第１閉気孔群を有している。

Description

配線基板、発光素子搭載用パッケージおよび発光装置
　本開示は、配線基板、発光素子搭載用パッケージおよび発光装置に関する。
　近年、ＬＥＤ（Light　Emitting　Diode）、ＬＤ（Laser　Diode）が自動車のヘッドランプに用いられている。これらの半導体素子を用いた光源装置は高い放熱性が求められる。そのため光源装置には金属製の基板が用いられる。金属製の基板には、有機樹脂製の絶縁層が積層されて、配線基板もしくは発光素子搭載用パッケージが形成される（例えば、特許文献１を参照）。
特開２０１３－３８４５２号公報
　本開示の配線基板は、金属基板と、該金属基板上に位置する絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層上に位置する導体層とを有する。前記絶縁樹脂層は、前記金属基板に対向する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面と、前記第１面および前記第２面の間に位置する第３面と、前記第１面および前記第３面とが交わる第１稜線部と、前記第２面および前記第３面とが交わる第２稜線部とを備えている。前記絶縁樹脂層は、前記第２稜線部よりも前記第１稜線部の近くに、複数の閉気孔が密集した第１閉気孔群を有している。
　本開示の配線基板は、金属基板と、該金属基板上に位置する絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層上に位置する導体層とを有する。前記絶縁樹脂層は、前記金属基板に対向する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面を貫く貫通孔と、該貫通孔内において前記第１面および前記第２面の間に位置する第４面と、前記第１面および前記第４面とが交わる第３稜線部と、前記第２面および前記第４稜線部とを備えている。前記絶縁樹脂層は、前記第４稜線部よりも前記第３稜線部の近くに、複数の閉気孔が密集した第２閉気孔群を有している。
　本開示の発光素子搭載用パッケージは、上記の配線基板に、発光素子を搭載するためのサブマウントが配置されている。
　本開示の発光装置は、上記の発光素子搭載用パッケージのサブマウント上に発光素子を備えている。
図１は、実施形態の一例として示す配線基板の外観斜視図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。 図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図である。 図４は、図２のＰ１部を拡大した断面図である。 図５は、配線基板の他の態様を示す外観斜視図である。 図６は、図５のＶI－ＶI線断面図である。 図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ線断面図である。 図８は、図６のＰ２部を拡大した断面図である。 図９は、実施形態の一例として示す発光装置の断面模式図である。 図１０Ａは、配線基板Ａの製造工程の一部であって、積層体を加圧加熱処理する前の状態を示す断面図である。 図１０Ｂは、配線基板Ａの製造工程の一部であって、積層体を加圧加熱処理した後の状態を示す断面図である。 図１１Ａは、配線基板Ｂの製造工程の一部であって、積層体を加圧加熱処理する前の状態を示す断面図である。 図１１Ｂは、配線基板Ｂの製造工程の一部であって、積層体を加圧加熱処理した後の状態を示す断面図である。
　特許文献１に開示された発光素子搭載用パッケージは、金属製の基板に、有機樹脂製の絶縁層が積層された構造である。以下、金属製の基板のことを基板と記す場合がある。有機樹脂製の絶縁層については絶縁層と記す場合がある。基板と絶縁層とは異なる材質である。このため基板と絶縁層とは基本的に強固に接着しにくい。例えば、発光素子搭載用パッケージが急激な温度変化に曝された場合、絶縁層が基板から剥がれるという問題が生じる場合がある。これは、基板と絶縁層とが両者間で大きな熱膨張率の差を有するためである。また、絶縁層は、有機樹脂製であっても剛性が高い。有機樹脂製の絶縁層は、特に、常温（２５℃）よりも周囲の温度が低くなると、急激にヤング率が高くなる。このような要因により、金属製の基板に有機樹脂製の絶縁層が積層された構造の発光素子搭載用パッケージは、絶縁層が基板から剥がれやすい。
　本開示は、例えば、金属製の基板に有機樹脂製の絶縁層が積層された構造においても、絶縁層が基板から剥がれ難い配線基板、発光素子搭載用パッケージおよび発光装置を提供する。
　以下、実施形態の配線基板、発光素子搭載用パッケージおよび発光装置について、図１～図９を用いて詳細に説明する。なお、本開示は、以下に記述する特定の実施形態に限定されるものではない。また、開示した態様は、添付の請求の範囲によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲に沿ったものであれば、様々な態様を含むものとなる。
　図１は、実施形態の一例として示す配線基板の外観斜視図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図である。図４は、図２のＰ１部を拡大した断面図である。
　図１に示す配線基板Ａは、金属基板１と、絶縁樹脂層３と、導体層５とを有する。絶縁樹脂層３は、金属基板１上に位置している。絶縁樹脂層３は、金属基板１に積層されている。導体層５は、この場合、絶縁樹脂層３上に位置している。図１では、導体層５が絶縁樹脂層３の第２面３ｂの端の方に配置されているが、導体層５の位置はこれに限られない。導体層５は、パターン設計により必要な任意の場所に配置されてもよい。また、図１では、導体層５の数は２個であるが、導体層５の数も必要となる数だけ配置されてもよい。
　絶縁樹脂層３は、第１面３ａ、第２面３ｂおよび第３面３ｃを有する。第１面３ａは、金属基板１に対向する面である。第２面３ｂは、第１面３ａの反対側に位置する面である。第３面３ｃは、第１面３ａと第２面３ｂの間に位置する面である。第１面３ａ、第２面３ｂは、絶縁樹脂層３の主面である。第３面３ｃは、絶縁樹脂層３のいわゆる側面である。第３面３ｃは、第１面３ａまたは第２面３ｂと交差する向きである。図１では、第３面３ｃは、第１面３ａ、第２面３ｂに対して垂直な方向に向く構造となっているが、垂直な向きに限られない。図１に示した配線基板Ａは、４つの第３面３ｃを有する。
　絶縁樹脂層３は、第１稜線部３ｄ、第２稜線部３ｅを有する。第１稜線部３ｄは、第１面３ａと第３面３ｃとが交わる箇所に位置する。第２稜線部３ｅは、第２面３ｂと第３面３ｃとが交わる箇所に位置する。第１稜線部３ｄは、第２稜線部３ｅよりも金属基板１に近い方の稜線である。第１稜線部３ｄは、図１では、絶縁樹脂層３の第１面３ａを囲むように配置されている。第２稜線部３ｅは、図１では、絶縁樹脂層３の第２面３ｂを囲むように配置されている。
　絶縁樹脂層３は、多数の閉気孔７ａを有する。絶縁樹脂層３には、多数の閉気孔７ａの中で、複数個の閉気孔が密集した状態となっている部分が存在する。複数個の閉気孔７ａが密集した状態となっている部分のことを、以下、閉気孔群という。配線基板Ａの絶縁樹脂層３中に存在する閉気孔群のことを第１閉気孔群７とする。ここで、複数個の閉気孔７ａが密集した状態とは、所定の体積中に存在する閉気孔７ａの数が他の領域よりも多くなっている状態のことをいう。この場合、体積を絶縁樹脂層３の断面の所定の面積（単位面積）に置き換えてもよい。単位面積は、図４に示しているように、複数個の閉気孔が密集した状態となっている部分において、最外周に位置する複数の閉気孔７ａの輪郭を単調に結んで描くことのできる円の領域とする。この場合、第１閉気孔群７の空隙率は、単位面積に占める空隙の割合が５０％以上であるのがよい。第１閉気孔群の空隙率は、最大８０％が目安となる。
　第１閉気孔群７は、絶縁樹脂層３の第２稜線部３ｅよりも第１稜線部３ｄの近くに存在する。言い換えると、第１閉気孔群７は、絶縁樹脂層３の中で、第１稜線部３ｄの近傍に存在する。さらに言えば、第１閉気孔群７は、絶縁樹脂層３の中で、第１面３ａの外周縁の近くに存在する。
　第１閉気孔群７が存在する領域は、絶縁樹脂層３の他の領域よりも絶縁樹脂層３を形成している樹脂の割合が少ない。このため、絶縁樹脂層３の中で、第１閉気孔群７が存在する領域は、絶縁樹脂層３の他の領域よりも弾性率が低くなる。配線基板Ａでは、絶縁樹脂層３の第１稜線部３ｄの近傍に他の領域よりも弾性率の低い部分が形成される。これにより、金属基板１と絶縁樹脂層３との間に発生する応力を緩和させることができる。その結果、金属基板１と絶縁樹脂層３とがその間で剥離する確率を低減することができる。
　言い換えると、絶縁樹脂層３が金属基板１から剥がれる可能性を低くすることができる。例えば、金属基板１と絶縁樹脂層３との間で熱膨張率が異なる場合、絶縁樹脂層３は周縁３ｃｏから剥がれやすい。特に、絶縁樹脂層３は、その角部３ｃｏｃから剥がれやすい傾向がある。配線基板Ａでは、第１閉気孔群７が絶縁樹脂層３の中で、第１稜線部３ｄの近傍に存在している。このため、絶縁樹脂層３が、その角部３ｃｏｃ、周縁３ｃｏから剥がれるのを抑えることができる。絶縁樹脂層３の中で、第１閉気孔群７が存在している部分は、その部分の弾性率が低くなる。第１閉気孔群７が存在している部分は変形しやすくなる。このため、金属基板１の表面１ａに対する固着力が高まる。
　ここで、第１閉気孔群７が存在している部分とは、図２および図３に示しているように、絶縁樹脂層３の厚みの方向において、金属基板１の表面１ａに近く、かつ、絶縁樹脂層３を平面視したときに、絶縁樹脂層３の周縁３ｃｏに近い部分である。一方、他の領域とは、図２および図３に示しているように、第１閉気孔群７が存在しているところよりも絶縁樹脂層３の厚みの方向に金属基板１の表面１ａから遠いところであり、また、絶縁樹脂層３を平面視したときに、絶縁樹脂層３の周縁３ｃｏよりも中央３ｃｃに近い位置である。
　第１閉気孔群７は、上述したように、複数の閉気孔７ａを含む。閉気孔７ａとは、絶縁樹脂層３の内部に存在している気孔のことである。閉気孔７ａは、閉じられた空間を有する。閉気孔７ａは、絶縁樹脂層３の第１面３ａ、第２面３ｂ、側面（第３面３ｃ）、第１稜線部３ｄに面していない。閉気孔７ａは、絶縁樹脂層３を構成している第１面３ａ、第２面３ｂ、側面（第３面３ｃ）、第１稜線部３ｄの各部分との間に樹脂が存在する。
　このため、閉気孔７ａは、絶縁樹脂層３の第１面３ａ、第２面３ｂ、側面（第３面３ｃ）、第１稜線部３ｄに開口した部分を有しない。なお、絶縁樹脂層３中には、第１閉気孔群７となっている部分の他の領域には、閉気孔７ａが単独で存在している。第１閉気孔群７を構成している閉気孔７ａは、第１閉気孔群７の部分以外の他の領域に存在している閉気孔７ａよりも平均径が大きい。第１閉気孔群７を構成している閉気孔７ａの平均径Ｄ１は、第１閉気孔群７の部分以外の他の領域に存在している閉気孔７ａの平均径Ｄ２の１．５～５倍であってもよい。
　絶縁樹脂層３に含まれる多数の閉気孔７ａから第１閉気孔群７とする領域の確認は、以下のように行う。まず、配線基板Ａから図３に示すような断面を抽出する。次に、その断面に対して、例えば、電子顕微鏡を用いて観察を行い、写真から閉気孔７ａの存在を確認する。次に、閉気孔７ａが密集した部分である第１閉気孔群７の候補を探し、閉気孔７ａが密集していない領域との間を目視で仮の区分けを行う。
　次に、第１閉気孔群７の候補とした部分を画像解析により各閉気孔７ａの直径をそれぞれ求める。各閉気孔７ａの直径は、画像解析から求めた閉気孔７ａの面積を円の面積に換算して求める。得られた各閉気孔７ａの直径の測定値から、閾値とする直径よりも大きい閉気孔７ａが存在する範囲までを第１閉気孔群７の範囲とする。ここで、閉気孔７ａの直径の閾値は、後述する具体例では、０．０５μｍである。なお、閉気孔の直径が０．０５μｍよりも小さいものが、第１閉気孔群７を構成する閉気孔７ａの間に存在している場合には、そのような小さい直径の閉気孔７ａも第１閉気孔群７の範囲に含めるようにする。直径が０．０１μｍ以下の閉気孔７ａについては直径の測定は行わず対象外とする。このようにして複数の閉気孔７ａが密集した第１閉気孔群７を確定させる。
　金属基板１は、銅、アルミニウム、銅とアルミニウムとの合金、銅板とアルミニウム板とを貼り合わせたクラッド材などの群から選ばれる一つを用いる。絶縁樹脂層３の材料には、熱硬化性樹脂が好適である。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好適である。絶縁樹脂層３には、無機粒子を含ませてもよい。導体層５としては、銅箔が好適である。
　図５は、配線基板の他の態様を示す外観斜視図である。図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線断面図である。図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ線断面図である。図８は、図６のＰ２部を拡大した断面図である。
　図５に示す配線基板Ｂは、金属基板１と、絶縁樹脂層３と、導体層５とを有する。絶縁樹脂層３は、金属基板１上に位置している。導体層５は、絶縁樹脂層３上に位置している。図５では、導体層５が絶縁樹脂層３の第２面３ｂの端の方に配置されているが、導体層５の位置はこれに限られない。導体層５のパターン設計により必要な場所に配置される。図５では、導体層５の数は２個であるが、導体層５の数もパターン設計により必要となる数が配置されてもよい。
　絶縁樹脂層３は、第１面３ａおよび第２面３ｂを有する。絶縁樹脂層３は、貫通孔９を有する。図５に示す配線基板Ｂが、上述した配線基板Ａと異なる点は、絶縁樹脂層３が貫通孔９を有していることである。貫通孔９は、絶縁樹脂層３の第１面３ａと第２面３ｂとの間を貫くように形成されている。貫通孔９は内面９ａを有する。内面９ａは絶縁樹脂層３の第１面３ａと第２面３ｂとの間に位置する。図５に示す貫通孔９は平面視で矩形状である。貫通孔９の内面９ａは４つの面より構成される。ここで、貫通孔９の内面９ａのうちの一つを第４面９ａａとする。図５に示した貫通孔９の内面９ａは、４つの第４面９ａａを有する。第４面９ａａは、いずれも第１面３ａと交わる向きである。
　ここでは、４つの第４面９ａａのうちの１つの第４面９ａａを対象にして説明する。第４面９ａａは、絶縁樹脂層３の第１面３ａと第２面３ｂとの間に位置する。絶縁樹脂層３は、第３稜線部９ｂ、第４稜線部９ｃを有する。第３稜線部９ｂは、図５および図６に示すように、絶縁樹脂層３の第１面３ａと第４面９ａａとが交わる部分である。第４稜線部９ｃは、図５および図６に示すように、絶縁樹脂層３の第２面３ｂと第４面９ａａとが交わる部分である。
　配線基板Ｂを構成する絶縁樹脂層３もまた、配線基板Ａの場合と同様に、多数の閉気孔を有する。配線基板Ｂを構成する絶縁樹脂層３もまた、配線基板Ａの場合と同様の形態の閉気孔群を有する。ここで、配線基板Ｂにおいて、絶縁樹脂層３に形成した貫通孔９の近くに存在する閉気孔群のことを第２閉気孔群１１とする。第２閉気孔群１１を構成している閉気孔については、以下、符号１１ａで表す。ここで、第１閉気孔群７および閉気孔７ａ、第２閉気孔群１１および閉気孔１１ａは、説明の都合上、異なる符号で表している。第１閉気孔群７および閉気孔７ａと第２閉気孔群１１および閉気孔１１ａとは、サイズ、分布状態がそれぞれ同じであってもよい。
　配線基板Ｂの場合、第２閉気孔群１１は、絶縁樹脂層３の第４稜線部９ｃよりも第３稜線部９ｂの近くに存在する。言い換えると、第２閉気孔群１１は、絶縁樹脂層３の中で、第３稜線部９ｂの近傍に存在する。第２閉気孔群１１が存在する領域は、この場合も、絶縁樹脂層３の他の領域よりも絶縁樹脂層３を形成している樹脂の割合が少ない。
　このため、絶縁樹脂層３の中で、第２閉気孔群１１が存在する領域は、絶縁樹脂層３の他の領域よりも弾性率が低くなる。配線基板Ｂでは、絶縁樹脂層３の第３稜線部９ｂの近傍に他の領域よりも弾性率の低い部分が形成される。これにより、金属基板１と絶縁樹脂層３との間に発生する応力を緩和させることができる。
　その結果、絶縁樹脂層３の貫通孔９側が金属基板１との間で剥離する確率を低減することができる。言い換えると、絶縁樹脂層３の貫通孔９側が金属基板１から剥がれる可能性を低くすることができる。例えば、金属基板１と絶縁樹脂層３との間で熱膨張率が異なる場合、絶縁樹脂層３は周縁３ｃｏと同様に端面となっている貫通孔９の内面９ａが部分的に剥がれやすい。
　配線基板Ｂでは、第２閉気孔群１１が絶縁樹脂層３の中で、第３稜線部９ｂの近くに存在している。このため、絶縁樹脂層３は貫通孔９の内面９ａ側からも剥がれるのを抑えることができる。絶縁樹脂層３の中で、第２閉気孔群１１が存在している部分は、その部分の弾性率が低くなる。また、第２閉気孔群１１が存在している部分は変形しやすくなる。このため、金属基板１の表面１ａに対する固着力が高まる。
　ここで、第２閉気孔群１１が存在している部分とは、図５および図６に示しているように、絶縁樹脂層３の厚みの方向において、金属基板１の表面１ａに近く、かつ、絶縁樹脂層３を平面視したときに、貫通孔９の内面９ａに近い部分である。一方、他の領域とは、図５および図６に示しているように、第２閉気孔群１１が存在しているところよりも絶縁樹脂層３の厚みの方向に金属基板１の表面１ａから遠いところであり、また、絶縁樹脂層３を平面視したときに、貫通孔９の内面９ａから周縁３ｃｏに近い位置である。
　第２閉気孔群１１は、上述したように、複数の閉気孔１１ａを含む。閉気孔１１ａとは、絶縁樹脂層３の内部に存在している気孔のことである。閉気孔１１ａは、閉じられた空間を有する。閉気孔１１ａは、絶縁樹脂層３の第１面３ａ、第２面３ｂ、第４面９ａａ、側面（第３面３ｃ）、第１稜線部３ｄ、第２稜線部３ｅ、第３稜線部９ｂに面しておらず、これらの各部位の外界との間に樹脂を有する。このため、閉気孔１１ａは、絶縁樹脂層３の第１面３ａ、第２面３ｂ、第４面９ａａ、側面（第３面３ｃ）、第１稜線部３ｄ、第２稜線部３ｅ、第３稜線部９ｂに開口した部分を有しない。
　なお、配線基板Ｂの場合も、絶縁樹脂層３中において、第２閉気孔群１１となっている部分とは異なる他の領域には、閉気孔１１ａが単独で存在している。第２閉気孔群１１を構成している閉気孔１１ａは、第２閉気孔群１１の部分以外の他の領域に存在している閉気孔１１ａよりも平均径が大きい。第２閉気孔群１１を構成している閉気孔１１ａの平均径Ｄ３は、第２閉気孔群１１の部分以外の他の領域に存在している閉気孔１１ａの平均径Ｄ４の１．５～５倍であってもよい。
　配線基板Ｂは、絶縁樹脂層３中に第１閉気孔群７を有していてもよい。配線基板Ｂは、絶縁樹脂層３中に、第１閉気孔群７および第２閉気孔群１１を有していてもよい。つまり、配線基板Ｂを構成する絶縁樹脂層３は、第１稜線部３ｄの近くに、複数の閉気孔７ａが密集した第１閉気孔群７を有していてもよい。配線基板Ｂにおいて、第３稜線部９ｂの近くに第２閉気孔群１１を有することに加えて、第１稜線部３ｄの近くに第１閉気孔群７を有する場合には、貫通孔９の内面９ａ側だけでなく、金属基板１に積層された絶縁樹脂層３が周縁３ｃｏ、角部３ｃｏｃから剥がれるのを抑制することが可能になる。
　また、配線基板Ａ、配線基板Ｂの場合、第１閉気孔群７は、第１稜線部３ｄにわたる全域に位置していてもよい。第１閉気孔群７が第１稜線部３ｄにわたる全域に位置している状態になると、絶縁樹脂層３が、その全域において、金属基板１から剥がれ難くなる。
　また、配線基板Ｂの場合、第２閉気孔群１１は、第３稜線部９ｂにわたる全域に位置していてもよい。第２閉気孔群１１が第３稜線部９ｂにわたる全域に位置している状態であると、絶縁樹脂層３に形成された貫通孔９の第４面９ａａの全域において、金属基板１から剥がれ難くなる。この場合、全域に位置しているとは、図４に示しているように、第１閉気孔群７の最大長さＬを１としたときに、第１閉気孔群７がその最大長さＬの１０倍以下のピッチで第１稜線部３ｄに沿って配置していることをいう。第２閉気孔群１１が第３稜線部９ｂに沿って配置している場合も同様である。
　絶縁樹脂層３は、上述したように、複数の無機粒子を含んでいてもよいが、この場合、複数の無機粒子は、その粒度分布が２つのピークを有するものである方がよい。絶縁樹脂層３に含まれる無機粒子の粒度分布が２つのピークを有する性状のものであると、絶縁樹脂層３に含まれる大きい径の無機粒子の間に小さい径の無機粒子が入り込む組織を形成できる。このため、絶縁樹脂層３において、無機粒子の体積割合が低くても高い強度を示す絶縁樹脂層３を得ることができる。絶縁樹脂層３は、金属基板１に対して接着強度を高めることが可能になる。
　なお、絶縁樹脂層３の第１閉気孔群７、第２閉気孔群１１の領域は、元々、空隙の体積割合が高いことから無機粒子の体積割合が低い。このため、第１閉気孔群７、第２閉気孔群１１が絶縁樹脂層３中に存在することによる応力緩和の効果は維持できる。この場合、無機粒子の粒度分布が２つのピークを有するというのは、無機粒子の粒度分布を測定してその分布をグラフ化したときに、単にピークが２つ確認できるものであればよい。例えば、粒径の小さい方のピークから広がる裾野と、粒径の大きい方のピークから広がる裾野とは重なっていてもよい。
　図９は、実施形態の一例として示す発光装置Ｄの断面模式図である。図９に示す発光装置Ｄは、発光素子搭載用パッケージＣと発光素子１３とを有する。発光素子１３としては、ＬＥＤ素子の他、ＬＤ（Laser　Diode）を例示することができる。
　図９に示した発光素子搭載用パッケージＣは、図６に示した配線基板Ｂを基にしている。発光素子搭載用パッケージＣは、配線基板Ｂ、サブマウント基板１５および接合材１７を有する。サブマウント基板１５は、配線基板Ｂを構成する絶縁樹脂層３に形成された貫通孔９にはめ込まれている。サブマウント基板１５は、配線基板Ｂを構成する金属基板１上に配置されている。配線基板Ｂを構成する絶縁樹脂層３に形成された貫通孔９内の金属基板１上に接合材１７が配置されている。接合材１７は、金属基板１とサブマウント基板１５とを接合する。
　サブマウント基板１５は、作動時に発熱しやすい発光素子１３を搭載するという点から、高熱伝導、高強度、高靭性、低熱膨張という性質を有しているのがよい。このような特性を有するという点からサブマウント基板１５にはセラミックスを用いるのがよい。例えば、窒化珪素を主成分とするセラミックスがよい。接合材１７には、半田、Ａｕ－Ｓｎなどがよい。サブマウント基板１５と、金属基板１と、絶縁樹脂層３とは、熱膨張率が異なってもよい。
　発光素子搭載用パッケージＣに発光素子１３が搭載されて、発光素子１３が連続、または不連続で作動する状態となった場合、発光素子搭載用パッケージＣは発光素子１３の動作によって発熱する。互いに接合された金属基板１と絶縁樹脂層３との間には、両者の熱膨張率、ヤング率の違いから熱応力が発生する。発光装置Ｄの場合、発光素子搭載用パッケージＣを構成している配線基板Ｂの絶縁樹脂層３に、上記したように、第２閉気孔群１１が存在するため、金属基板１と絶縁樹脂層３との間に熱応力が生じても、絶縁樹脂層３は金属基板１から剥がれにくい。こうして高い信頼性を有する発光装置Ｄもしくは発光素子搭載用パッケージＣを得ることができる。
　なお、発光素子搭載用パッケージＣに配線基板Ａを用いた場合も同様に高い信頼性を有する発光装置Ｄを得ることが可能である。配線基板Ａを用いた場合、サブマウント基板１５は、配線基板Ａの絶縁樹脂層３の第２面３ｂ上に配置される。この場合、サブマウント基板１５は、接合材１７を介して絶縁樹脂層３の第２面３ｂ上に配置される。
　次に、配線基板Ａ、配線基板Ｂの製造方法について説明する。図１０Ａ、図１０Ｂは、配線基板Ａの製造工程の一部を示す。図１０Ａは、積層体を加圧加熱処理する前の状態を示す断面図である。図１０Ｂは、積層体を加圧加熱処理した後の状態を示す断面図である。
　まず、金属板２１および有機樹脂シート２３を用意する。金属板２１は金属基板１を得るための材料である。有機樹脂シート２３は絶縁樹脂層３を得るための材料である。金属板２１および有機樹脂シート２３は、それぞれ所定の形状に加工される。金属板の加工にはダイシングなどの機械的切断機を用いるのがよい。有機樹脂シート２３の材料には、熱硬化性樹脂を用いるのがよい。熱硬化性樹脂の材料としては、エポキシ樹脂がよい。熱硬化性樹脂には、硬化剤を添加してもよい。有機樹脂シート２３には無機粒子を含ませてもよい。無機粒子としては、シリカ、アルミナなどがよい。この場合、無機粒子としては、粒度分布を測定したときに２つのピークを有するものがよい。
　次に、金属板２１の表面２１ａに有機樹脂シート２３を接着させて積層体２５を作製する。金属板２１と有機樹脂シート２３との接着は、加熱した状態で加圧のできる積層機を用いる。ここで本開示では、熱硬化性樹脂の硬化条件として、用いる熱硬化性樹脂が硬化可能な温度よりも高い温度で硬化させる。熱硬化性樹脂として、例えば、エポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂は２００℃程度で硬化する。本開示では、硬化温度をこれよりも１０℃以上６０℃以下の高い温度に設定する。設定する硬化温度を硬化可能な条件よりも高くすることで、絶縁樹脂層３の表面は加圧加熱中に樹脂成分の一部が溶解して平坦になりやすい。このとき、最高温度において所定の時間保持する。このような条件を用いて積層体２５を作製すると、有機樹脂シート２３の内部に含まれていた気泡２７が有機樹脂シート２３から放出される。
　このとき、有機樹脂シート２３のうち金属板２１に接していない面からは気泡２７が抜けやすいが、金属板２１に面した方の表面２３ａからは気泡２７が抜けにくい。有機樹脂シート２３の表面２３ａが金属板２１に接しているため、有機樹脂シート２３から放出されるはずの気泡２７が金属板２１で遮られるためである。そのため、気泡２７は有機樹脂シート２３の金属板２１に面した表面２３ａ付近に溜まりやすい。
　つまり、有機樹脂シート２３中に分散していた気泡２７は金属板２１に面した表面２３ａ付近に密集してくる。こうして絶縁樹脂層３の表面から開気孔の割合を減らすことができる。なお、有機樹脂シート２３の金属板２１と反対側の面には、気泡が抜けやすくなるように、孔の開いたフィルムシートを重ねておくようにする。
　図１０Ｂに示すように、有機樹脂シート２３に元々含まれていた気泡２７は、加圧加熱処理の最初の段階で、有機樹脂シート２３が金属板２１に接しておらず、有機樹脂シート２３の中で解放されている部分に向かって移動する。有機樹脂シート２３の中で解放されている部分は、例えば、有機樹脂シート２３の側面２３ｂである。こうして、有機樹脂シート２３を硬化させて形成される絶縁樹脂層３には、複数の閉気孔が密集した第１閉気孔群７が形成される。第１閉気孔群７は、絶縁樹脂層３の側面（第３面３ｃ）の近くであり、かつ金属板２１に近い領域に形成される。
　なお、配線基板Ａの場合には、有機樹脂シート２３が単純な板状であるため、有機樹脂シート２３に含まれていた気泡２７は、有機樹脂シート２３の側面２３ｂに近い領域に集まる。こうして、絶縁樹脂層３の第２稜線部３ｅよりも第１稜線部３ｄの近くに、複数の閉気孔７ａが密集した第１閉気孔群７を有する配線基板Ａを得ることができる。
　なお、保持する時間が短い場合には、樹脂成分の一部の溶解が進まず、表面が平坦になりにくい。また、硬化温度を上記した通常の温度（例えば、２００℃）辺りに設定した場合には、絶縁樹脂層３の表面は凹凸の形状になりやすく、開気孔が形成されやすい。これは加圧加熱中に樹脂成分が溶解し難いためである。
　図１１Ａ、図１１Ｂは、配線基板Ｂの製造工程の一部を示す。図１１Ａは、積層体を加圧加熱処理する前の状態を示す断面図である。図１１Ｂは、積層体を加圧加熱処理した後の状態を示す断面図である。配線基板Ｂを製造する場合には、有機樹脂シート２３は後に絶縁樹脂層３の貫通孔９となる孔２９を形成する。孔２９の形成には金型の他、レーザー加工機を用いる。配線基板Ｂの場合には、有機樹脂シート２３に孔２９が形成されているため、その孔２９の内面２９ａに近い領域にも気泡２７が集まる。図１１Ｂに示すように、配線基板Ｂでは、気泡２７は、有機樹脂シート２３の側面２３ｂに近い領域、孔２９の内面２９ａに近い領域の両領域に集まる。こうして、絶縁樹脂層３に形成された貫通孔９の金属基板１から遠い側に位置する第４稜線部９ｃよりも金属基板１に近い側に位置する第３稜線部９ｂの近くに、複数の閉気孔が密集した第２閉気孔群１１を有する配線基板Ｂを得ることができる。このとき、配線基板Ｂの場合には、配線基板Ａと同様の位置にも気泡２７が集まってくるため第１閉気孔群７も形成される。配線基板Ｂを製造する場合も有機樹脂シート２３の金属板２１と反対側の面には、気泡が抜けやすくなるように、孔の開いたフィルムシートを重ねておくようにする。
　なお、配線基板Ａおよび配線基板Ｂを製造する場合に、有機樹脂シート２３に、粒度分布を測定したときに、２つのピークを有する無機粒子を用いた場合には、有機樹脂シート２３から形成される絶縁樹脂層３の機械的強度を高められることから、絶縁樹脂層３の金属基板１に対する接着強度を向上させることができる。
　次に、発光装置の製造方法について説明する。この場合、発光素子搭載用パッケージに配線基板Ｂを適用させた例を示す。
　まず、作製した配線基板Ｂの貫通孔９内に接合材１７を配置する。次いで、接合材１７の上面にサブマウント基板１５を配置し、加熱処理を行う。次に、サブマウント基板１５の表面に発光素子１３を実装する。発光素子１３は、配線基板Ｂを構成する絶縁樹脂層３の第２面３ｂに設けた導体層５にボンディングワイヤによって電気的に接続する。こうして発光装置Ｄを得ることができる。
　配線基板を作製し、信頼性を評価した。配線基板として配線基板Ｂを作製した。金属基板にはアルミニウムを用いた。絶縁樹脂層となる有機樹脂シートはエポキシ樹脂とシリカ粒子とを混合して作製した。シリカ粒子の含有量は３０体積％とした。シリカ粒子には、粒度分布において２つのピークを持つ原料と粒度分布においてピークが１つだけの原料の２種類を用いた。また、エポキシ樹脂１００質量部に対して硬化剤（ジシアンジアミド）を１質量部添加した。絶縁樹脂層の貫通孔は金型を用いて形成した。導体層は、亜鉛を含むニッケルのめっき液を用いて電解めっき法により形成した。
　積層体を作製する際の加圧加熱の条件は表１に示した。絶縁樹脂層の金属基板とは反対側の面には孔の開いたフィルムシートを重ねておくようにした。作製した配線基板は、以下のサイズであった。金属基板および絶縁樹脂層の平面の面積は４０ｍｍ×４０ｍｍであり、絶縁樹脂層に設けた貫通孔の面積は２０ｍｍ×２０ｍｍであり、金属基板の厚みは２ｍｍであり、絶縁樹脂層の厚みは０．２ｍｍである。
　作製した試料に対して以下の評価を行った。評価項目は、絶縁樹脂層に形成された第１閉気孔群および第２閉気孔群の有無、絶縁樹脂層の金属基板からの剥離の有無、絶縁樹脂層に発生するクラックの有無、金属基板に対する絶縁樹脂層の接着強度、とした。
　絶縁樹脂層に形成された第１閉気孔群、第２閉気孔群の有無は、以下のようにして求めた。まず、作製した配線基板から図３に示すような断面を抽出した。次に、その断面に対して、例えば、走査型電子顕微鏡を用いて観察を行い、写真から閉気孔の存在を確認した。次に、閉気孔が密集した部分である第１閉気孔群、第２閉気孔群の候補を探し、閉気孔が密集していない領域との間で、目視で仮の区分けを行った。次に、第１閉気孔群、第２閉気孔群の候補とした部分を画像解析により各閉気孔の直径をそれぞれ求めた。各閉気孔の直径は、画像解析から求めた閉気孔の面積を円の面積に換算して求めた。得られた各閉気孔の直径の測定値から、閾値とする直径よりも大きい閉気孔が存在する範囲までを第１閉気孔群、第２閉気孔群の範囲とした。ここで、閉気孔の直径の閾値は、０．０５μｍとした。なお、閉気孔の直径が０．０５μｍよりも小さいものが、第１閉気孔群、第２閉気孔群を構成する閉気孔の間に存在していた場合には、その小さい直径の閉気孔も第１閉気孔群、第２閉気孔群の領域に含めるようにした。なお、直径が０．０１μｍ以下の閉気孔については測定を行わず、測定対象から外した。作製した配線基板には、絶縁樹脂層の中で、第４稜線部よりも第３稜線部の近くに第２閉気孔群が形成されていることを確認した。また、第２閉気孔群は、貫通孔を構成する４つの面（第４面）によって形成される内壁（内面）の全周にわたって形成されていることを確認した。第１閉気孔群、第２閉気孔群の空隙率はいずれも５０％以上であった。この場合、第１閉気孔群、第２閉気孔群の空隙率は、最大７０％であった。
　絶縁樹脂層の金属基板からの剥離の有無は、３００℃に設定した半田槽に３０秒間浸漬する方法を用いて評価した。
　絶縁樹脂層に発生するクラックの有無は、温度サイクル試験後に確認する方法を用いた。温度サイクル試験の条件は、最低温度が－５５℃、最高温度が１５０℃、最低温度での保持時間、最高温度での保持時間、および最低温度から最高温度まであるいはその逆の方向へ温度を変化させる時間はいずれも１５分とした。温度サイクルの回数は３０００回に設定した。
　絶縁樹脂層に剥離、クラックが生じた状態は、レッドチェック液に浸漬する方法により確認した。絶縁樹脂層内にレッドチェック液の浸入が見られた試料を不良と判定した。また同時に、金属基板と絶縁樹脂層との間へのレッドチェック液の浸入についても評価した。
　金属基板に対する絶縁樹脂層の接着強度は、引張試験機（オートグラフ）を用いて測定した。これらの評価はいすれも試料数を１０個とした。この場合、評価した試料（１０個）のうちの１個でも剥離、クラックが見られた試料については、「有り」と表記した。接着強度については平均値を求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１の結果から明らかなように、絶縁樹脂層に第１閉気孔群および第２閉気孔群が形成されなかった試料（試料Ｎｏ．４）は、絶縁樹脂層の金属基板からの剥離が認められた。絶縁樹脂層はその角部から一部が剥離した状態であった。貫通孔の内面にも剥離した箇所が認められた。
　これに対し、絶縁樹脂層に第１閉気孔群および第２閉気孔群が形成された試料（試料Ｎｏ．１、２、３）は、絶縁樹脂層の金属基板からの剥離が認められなかった。これらの試料の中で、絶縁樹脂層に、粒度分布において２つのピークを持つ無機粒子を用い、積層体の作製条件の最高温度を２５０℃、保持時間を４時間とした試料（試料Ｎｏ．１）は、絶縁樹脂層中のクラックも認められなかった。さらに、金属基板に対する絶縁樹脂層の接着強度が３ＭＰａであった。積層体の作製条件の最高温度を２５０℃、保持時間を４時間でも粒度分布においてピークが１つだけの無機粒子を用いた試料（試料Ｎｏ．２）は、金属基板に対する絶縁樹脂層の接着強度が試料Ｎｏ．１よりも低く、１．１ＭＰａであり、また、絶縁樹脂層中にクラックが認められた。また、粒度分布において２つのピークを持つ無機粒子を用い、積層体の作製条件の最高温度を２５０℃、保持時間を１時間とした試料（試料Ｎｏ．３）の場合も、金属基板に対する絶縁樹脂層の接着強度が試料Ｎｏ．１よりも低く、１．５ＭＰａであり、また、絶縁樹脂層中にクラックが認められた。なお、試料Ｎｏ．２、３に認められたクラックは、いずれもサイズが微少であり、配線基板の性能を損なうほどのものではなかった。
Ａ、Ｂ・・・・・・配線基板
Ｃ・・・・・・・・発光素子搭載用パッケージ
Ｄ・・・・・・・・発光装置
１・・・・・・・・金属基板
３・・・・・・・・絶縁樹脂層
３ａ・・・・・・・第１面
３ｂ・・・・・・・第２面
３ｃ・・・・・・・第３面
３ｄ・・・・・・・第１稜線部
３ｅ・・・・・・・第２稜線部
５・・・・・・・・導体層
７・・・・・・・・第１閉気孔群
７ａ、１１ａ・・・閉気孔
９・・・・・・・・貫通孔
９ａ・・・・・・・内面
９ａａ・・・・・・第４面
９ｂ・・・・・・・第３稜線部
９ｃ・・・・・・・第４稜線部
１１・・・・・・・第２閉気孔群
１３・・・・・・・発光素子
１５・・・・・・・サブマウント基板
１７・・・・・・・接合材

Claims (8)

  1. 　金属基板と、該金属基板上に位置する絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層上に位置する導体層とを有し、
    　前記絶縁樹脂層は、前記金属基板に対向する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面と、前記第１面および前記第２面の間に位置する第３面と、前記第１面と前記第３面とが交わる第１稜線部と、前記第２面と前記第３面とが交わる第２稜線部とを備え、
    　前記絶縁樹脂層は、前記第２稜線部よりも前記第１稜線部の近くに、複数の閉気孔が密集した第１閉気孔群を有している、配線基板。
  2. 　金属基板と、該金属基板上に位置する絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層上に位置する導体層とを有し、
    　前記絶縁樹脂層は、前記金属基板に対向する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面を貫く貫通孔と、該貫通孔内において前記第１面および前記第２面の間に位置する第４面と、前記第１面と前記第４面とが交わる第３稜線部と、前記第２面と前記第４面とが交わる第４稜線部とを備え、
    　前記絶縁樹脂層は、前記第４稜線部よりも前記第３稜線部の近くに、複数の閉気孔が密集した第２閉気孔群を有している、配線基板。
  3. 　前記絶縁樹脂層は、前記第１面および前記第２面の間に位置する第３面と、前記第１面と前記第３面とが交わる第１稜線部と、前記第２面と前記第３面とが交わる第２稜線部とを備え、
    　前記絶縁樹脂層は、前記第２稜線部よりも前記第１稜線部の近くに、複数の閉気孔が密集した第１閉気孔群を有している、請求項２に記載の配線基板。
  4. 　前記第１閉気孔群は、前記第１稜線部の全域にわたって配置している、請求項１または３に記載の配線基板。
  5. 　前記第２閉気孔群は、前記第３稜線部の全域にわたって配置している、請求項２または３に記載の配線基板。
  6. 　前記絶縁樹脂層は、複数の無機粒子を有しており、該複数の無機粒子の粒度分布が２つのピークを有する、請求項１乃至５のうちいずれか１つに記載の配線基板。
  7. 　請求項１乃至６のうちいずれか１つに記載の配線基板に、発光素子を搭載するためのサブマウント基板が配置されている、発光素子搭載用パッケージ。
  8. 　請求項７に記載の発光素子搭載用パッケージのサブマウント基板上に発光素子を備えている、発光装置。
PCT/JP2021/027374 2020-07-29 2021-07-21 配線基板、発光素子搭載用パッケージおよび発光装置 WO2022024932A1 (ja)

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