JP2006190824A - Cof用積層板及びcofフィルムキャリアテープ - Google Patents

Cof用積層板及びcofフィルムキャリアテープ Download PDF

Info

Publication number
JP2006190824A
JP2006190824A JP2005001651A JP2005001651A JP2006190824A JP 2006190824 A JP2006190824 A JP 2006190824A JP 2005001651 A JP2005001651 A JP 2005001651A JP 2005001651 A JP2005001651 A JP 2005001651A JP 2006190824 A JP2006190824 A JP 2006190824A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cof
layer
thermoplastic polyimide
laminate
carrier tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005001651A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4642479B2 (ja
Inventor
Mari Miyamoto
真理 宮本
Yuichi Tokuda
裕一 徳田
Katsuya Kishida
克也 岸田
Akira Shimada
彰 嶋田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Chemical Co Ltd filed Critical Nippon Steel Chemical Co Ltd
Priority to JP2005001651A priority Critical patent/JP4642479B2/ja
Publication of JP2006190824A publication Critical patent/JP2006190824A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4642479B2 publication Critical patent/JP4642479B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】ICあるいはLSI等電子部品をフィルムキャリアテープに高温で金属共晶実装しても、フィルムキャリアテープが熱による寸法変化や変形せず、リードがバンプに沈み込む量を低くした電子部品とフィルムキャリアテープの接続信頼性を向上しうるCOF用積層板及びCOFフィルムキャリアテープを提供する。
【解決手段】絶縁層10の片面または両面に導体20を積層したCOF用積層板であって、絶縁層10が熱可塑性ポリイミド層13、非熱可塑性ポリイミド層12、任意の層としての熱可塑性ポリイミド層11からなり、非熱可塑性ポリイミド層12が線膨張係数20ppm/℃以下であり、かつ導体と接する熱可塑性ポリイミド層13のガラス転移温度が300℃以上、厚みが2.0μm以下であるCOF用積層板及びこれを加工して得られるCOFフィルムキャリアテープ。
【選択図】図1

Description

本発明は、ICあるいはLSIなど電子部品を実装するCOF(Chip on Film)用積層板及びこれを加工して得られるCOFフィルムキャリアテープに関するものである。
カメラ、パソコン、携帯電話、液晶ディスプレイなどの電子機器の普及及び発達に伴い、IC(集積回路)あるいはLSI(大規模集積回路)など電子部品を実装するプリント配線板の需要が急増しているが、近年では、電子機器の小型化、軽量化、薄型化、高精彩化、高機能化が要望され、小さいスペースで実装できる電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いた実装方式が採用されている。
電子部品実装用フィルムキャリアテープには、TABテープやT−BGAテープがあるが、より小さいスペース、より高密度の実装をおこなう実装方式としてCOFが実用化されている。
COFは、裸の半導体ICをフィルム状の配線板の上に直接搭載した複合部品のことであり、多くの場合、COFはより大きなリジッド配線板やディスプレイ板に接続して使用されている。そして、フィルム状の配線板は、ポリイミド等の有機ポリマーフィルムと金属箔を積層した積層板から作られる。
フィルム状の配線板は、金属箔積層板の金属箔面上に感光性樹脂層を積層し、所望の配線パターンに対応した露光を行い、必要な部分の感光性樹脂を光硬化させ、現像により、未露光部分の感光性樹脂を除去した後、エッチングにより硬化レジストに覆われていない基板の被覆金属層を除去したり、めっきにより硬化レジストに覆われていない部分にめっき金属を析出させる。最後に、剥離により、硬化レジストを除去して、所望の導体パターンを有する配線板を得るというような方法が採用される。感光性樹脂を積層する方法としては、液状レジストを塗布、乾燥する方法や感光性樹脂積層体をラミネートする方法がある。
COF用の積層板としては、主にポリイミド樹脂フィルムに銅をスパッタして得られるポリイミド銅張積層板が使用されてきた。スパッタ方式の場合、金属層のピンホールにより歩留まりが悪化しやすいため、ピンホールがないポリイミド金属積層板が望まれている。ピンホールがない金属積層板としては、ステンレス箔、圧延銅箔や電解銅箔とポリイミドを積層したものがある。この積層板はキャスティングやラミネート方式により銅箔上にポリイミドを積層して得られるが、接着力等を向上するために、熱可塑性ポリイミド層を金属箔上に形成するものがある。
一方、ICチップ実装は、ACF、NCP、超音波接合など低温で実装する方式から、Au-Au接合、Au-Sn接合など300℃以上の高温で実装する方式があるが、TABラインでの実装方式や、チップと配線の接続信頼性の点から、Au-Au接合、Au-Sn接合が多く採用されている。
スパッタ方式で得られるポリイミド積層板の場合、熱可塑性樹脂層がないため、300℃以上のチップ実装時に金属配線がポリイミド層に沈み込むという現象は起こらないが、導体との接着性が劣ることや上記のような問題がある。
銅箔にポリイミド層を塗布又は圧着等により積層する場合は、銅箔とポリイミド層間の接着力を高め、かつ、耐熱性を付与するためには、熱可塑性のポリイミドを用いることが一般に必要とされるが、300℃以上のチップ実装時に、熱可塑性ポリイミド層が熱変形を起こし、導体が熱可塑性ポリイミド層に沈み込む問題があった。
特開2004−17349号公報 特開2000−58989号公報 特許2729063号公報
特許文献1では、非熱可塑性ポリイミド層の両面に、ステンレスのエッチングストップ層として、特定の熱可塑性ポリイミド層が形成され、該熱可塑性樹脂層の両面にステンレス304が積層されたポリイミド金属積層体であって、熱可塑性ポリイミド層の厚みが0.5〜10μm(実施例7μm)であることを特徴とする金属箔との密着性に優れ、微細加工性の良いハードディスクドライブ用サスペンション用ポリイミド金属積層板が記載されている。
特許文献2では、絶縁層としてベースフィルムの両側に接着剤層を形成してなる3層構造の接着シートを用いる金属積層板において、ベースフィルムの吸湿膨張係数が20ppm以下であり、かつ、接着剤層の厚みが5μm以下(実施例:2〜3μm)であることを特徴とする吸湿特性が改善されたフレキシブル金属箔積層板が記載されている。
特許文献3では、金属箔に直接接している、ガラス転移温度が170℃以上である接着性ポリイミドフィルム層の厚さとガラス転移温度が300℃以上、500℃以下であるポリイミドフィルム層の厚さの比が0.001以上、0.2以下(実施例:4〜5μm)であり、かつ、溶媒に溶解したポリイミドまたはその前駆体を金属箔上に順次塗布した後に加熱して2種以上のフィルム層を形成することを特徴とするフレキシブル金属箔積層板の製造方法が記載されている。
上記のように、導体と接している熱可塑性または接着性ポリイミド層の厚みをある程度薄くすることは開示されているが、COF製造工程におけるAu-Sn共晶を用いるフリップチップ実装の場合は、300℃以上の高温、高圧にさらされるため、熱可塑性または接着性ポリイミドが熱変形を起こし、導体が沈み込むという問題があった。
本発明は、寸法安定性、導体との密着性に優れ、COF製造工程におけるAu-Sn共晶時の導体のポリイミド層への沈み込みを防止し、電子部品とフィルムキャリアテープの接続信頼性を向上しうるCOF用積層板及びCOFフィルムキャリアテープを提供することを目的とする。
本発明は、絶縁層の片面または両面に導体を積層したCOF用積層板において、上記絶縁層が複数のポリイミド系樹脂からなる多層構造であり、絶縁層は、線膨張係数が20ppm/℃以下である非熱可塑性ポリイミド層の片面または両面を、熱可塑性ポリイミド層で積層した構造であって、導体と接している熱可塑性ポリイミド層の厚みが2.0μm以下であり、且つ、この熱可塑性ポリイミド層のガラス転移温度が300℃以上であることを特徴とするCOF用積層板である。また、本発明は、上記COF用積層板を加工して得られるCOFフィルムキャリアテープである。
以下に、本発明を更に説明する。
COF用積層板は、導体となる金属箔と絶縁層となる多層構造のポリイミド層とからなり、金属箔は片面側にあっても、両面側にあってもよい。絶縁層は非熱可塑性ポリイミド層と熱可塑性ポリイミド層を各1層以上有し、導体と接しているポリイミド層は熱可塑性ポリイミド層となっている。
使用する金属箔の材質は問わず、例えばステンレス、銅、鉄、アルミ等が挙げられるが、銅又は銅合金が優れる。金属箔の厚みには制限はないが、5〜50μmの範囲から選択することがよい。
非熱可塑性ポリイミド層は、線熱膨張係数が20ppm/℃以下であり、10ppm/℃以上、20ppm/℃以下が適する。線熱膨張係数はサーモメカニカルアナライザーを用い、100℃から250℃の平均線熱膨張係数により測定される。
非熱可塑ポリイミド層を形成する非熱可塑ポリイミドとしては、特に制限はないが、特定のジアミンと特定のテトラカルボン酸二無水物から合成されるポリイミドが好ましく利用できる。
かかるジアミンとして、o-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3'-ジアミノジフェニルエーテル、4,4'-ジアミノ-ビフェニル、4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、アルキル基やアルコキシ基等の置換基を有してもよい4,4'-ジアミノ-ベンズアニリド等が挙げられる。これらは、単独又は2種類以上使用してもよい。また、その他のジアミンと併用することもできるが、上記のジアミン成分の使用量は70モル%以上であることが好ましい。
かかるテトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸等が挙げられる。これらは、単独又は2二種類以上使用してもよい。また、その他のテトラカルボン酸二無水物と併用することもできるが、上記のテトラカルボン酸成分の使用量は70モル%以上であることが好ましい。
更に、非熱可塑ポリイミド層を形成する非熱可塑ポリイミドとして、市販の非熱可塑性ポリイミドフィルム、またはその中間体であるポリイミド溶液又はその前駆体溶液が使用できる。例えば、宇部興産株式会社のユーピレックス(登録商標)S、SGA、SN、東レ・デュポン株式会社のカプトン(登録商標)H、V、EN、鐘淵化学工業株式会社のアピカル(登録商標)AH、NPI、HP等のフィルムまたはその中間体が挙げられる。
非熱可塑ポリイミド層の厚みは、格別な制限はないが、2〜100μm、好ましくは5〜50μmが適する。
導体と接している熱可塑性ポリイミド層は、厚みが2.0μm以下、好ましくは0.5μm以上2.0μm以下で、且つ、動的粘弾性測定装置にて測定できるガラス転移温度が300℃以上であることが必要である。なお、熱可塑性ポリイミド層を両面に有する場合は、それらは同一であっても異なってもよいが、両面に導体を有するときは、いずれも上記物性値を満足することが望ましい。
熱可塑ポリイミド層を形成する熱可塑ポリイミドとしては、特に制限はないが、特定のジアミンと特定のテトラカルボン酸二無水物から合成されるポリイミドが好ましく利用できる。
かかるジアミンとして、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4'−ビス(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、3,3'-ジアミノベンゾフェノン、2,2-ビス(4-(4‐アミノフェノキシ)フェニル)プロパン等が挙げられる。これらは、単独又は2種類以上使用してもよい。また、その他のジアミンと併用することもできるが、上記のジアミン成分の使用量は70モル%以上であることが好ましい。
かかるテトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸等が挙げられる。これらは、単独又は2二種類以上使用してもよい。また、その他のテトラカルボン酸二無水物と併用することもできるが、上記のテトラカルボン酸の使用量は70モル%以上であることが好ましい。
本発明のCOF用積層板は、金属箔表面に、熱可塑性ポリイミド又はその前駆体溶液を塗布し、次に非熱可塑性ポリイミド又はその前駆体溶液(以下、ワニスともいう)を塗布し、乾燥、硬化する方法で製造することができる。ワニスを塗布する方法としては、ダイコーター、コンマコータ、ロールコータ、グラビアコータ、カーテンコーター、スプレーコーター等の公知の方法が採用できる。この場合、必要によりさらに熱可塑性ポリイミド又はその前駆体溶液(以下、ワニスともいう)を多層に塗布することができる。塗布したワニスを乾燥、硬化する方法は、通常の加熱乾燥炉が利用できる。乾燥炉の雰囲気としては、空気、イナートガス(窒素、アルゴン)等が利用できる。乾燥、硬化の温度としては、60℃〜400℃程度の温度範囲が好適に利用される。硬化はポリイミド前駆体がポリイミドとなるまで行う。なお、銅箔厚みが大きい場合は、必要によりエッチング処理等により、銅箔厚みを所定の厚みとする。
両面に金属箔を有する積層板は、絶縁層を3層以上とし、最外層を熱可塑性ポリイミド層とし、この最外層の熱可塑性ポリイミド層の表面に金属箔を熱圧着すること等により製造される。
また、本発明のCOF用積層板は、非熱可塑性ポリイミドフィルムの片面または両面に熱可塑性ポリイミド又はその前駆体溶液を塗布し、上記方法と同様にして、多層のポリイミドフィルムを得て、熱可塑性ポリイミド層の表面に金属箔を熱圧着することにより製造することができる。
熱圧着する方法については、特に制限はないが、例えば加熱プレス法、熱ラミネート法などの公知の方法が採用できる。
COF用積層板から、COF用フィルムキャリアテープを製造する方法は、公知でありこれらの方法を適宜選択使用することができる。例えば、COF用積層板を所定幅のフィルムに切断し、フィルムの両側にはスプロケットを設けたのち、金属箔面側に感光性樹脂層を設け、所定の回路が得られるようなマスクを通して露光し、次いで、エッチング処理して、未露光部分又は露光部分のいずれかを除去する。次に、残った樹脂層をレジストとして露出した金属箔をエッチング処理して回路パターンを形成し、更に必要によりレジストを除去することによりCOF用フィルムキャリアテープとするなどの方法がある。
本発明により、耐熱性、接着性に優れ、ピンホールが無く、Au-Au接合あるいはAu-Sn接合によるチップ実装時でも配線ずれが少なく、アンダーフィル充填が可能で、電子部品とフィルムキャリアテープの接続信頼性を向上しうるCOF用積層板及びCOFフィルムキャリアテープを提供することができる。
すなわち、絶縁層は、非熱可塑性ポリイミド層の片面または両面を熱可塑性ポリイミド層で積層した構造であって、導体と接している熱可塑性ポリイミド層の厚みが2.0μm以下であるため、ICチップ実装時においても、寸法安定性、導体との密着性に優れ、300℃以上のAu-Sn共晶を用いるフリップチップ実装においても、熱変形が発生せず、導体のポリイミド層への沈み込みを防止し、電子部品とフィルムキャリアテープの接続信頼性を向上させる。
図1は、片面導体のCOF用積層板の層構造を説明するための断面図であり、絶縁層10と導体20とからなっている。絶縁層10は熱可塑性ポリイミド層11、非熱可塑性ポリイミド層12及び熱可塑性ポリイミド層13の3層から構成されており、熱可塑性ポリイミド層13が導体20と接している。
図2は、ICチップをCOF用フィルムキャリアテープに実装する例を示す概念図であり、ICチップ1の金メッキされたバンブ2が、COF用フィルムキャリアテープのポリイミド層3上に形成されている回路4に接合する状態を示す。この際、350〜400℃程度の高温で熱圧着されるため、圧着部のポリイミド層3厚みが当初厚みT1から、T2に沈み込むことになる。この厚みの差T1-T2を可及的に小さくすることが望まれている。
以下に、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
実施例に用いられる略語は、次の通りである。
PMDA・・・・・無水ピロメリット酸
BPDA・・・・・3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸
DAPE・・・・・4,4'-ジアミノ-ジフェニルエーテル
MT・・・・・・4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル
BAPP・・・・・2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン
TPE・・・・・・1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン
DMAc・・・・・ジメチルアセトアミド
実施例1
DMAc425gに、MT18.719g及びDAPE11.760gを1Lのセパラブルフラスコの中で撹拌しながら溶解させた。次に、PMDA25.305gとBPDA8.532gをこの溶液に少しずつ投入して、重合反応をおこない、高粘度の非熱可塑性ポリイミド前駆体溶液Aを得た。B型粘度計で、粘度を測定した結果、23℃で255ポイズであった。
同様に、DMAc425gにBAPP43.150gを溶解させた後、この溶液に、PMDA19.087gとBPDA4.543gを投入して、重合反応をおこない、高粘度の熱可塑性ポリイミド前駆体溶液Bを得た。粘度を測定した結果、23℃で40ポイズであった。
次に、上記で得られたポリイミド前駆体溶液Bを、厚みが18μmの電解銅箔(三井金属鉱山(株)製NA-VLP)上にイミド転化後のフィルム厚みが1μmになるようにバーコートした。その後、130℃で5min乾燥した。その後、乾燥したポリイミド層の上に、積層するようにポリイミド前駆体溶液Aをイミド転化後のフィルム厚みが37μmになるようにバーコートして、130℃で5min乾燥した。さらに同様にして、このフィルムの上にポリイミド前駆体溶液Bをイミド転化後の厚みが1μmになるようにバーコートして、130℃で5min乾燥した。
次に、乾燥した積層体を真空恒温槽に投入して200℃で30min、300℃で30min、350℃で30min熱処理をして、ポリイミド層の厚みが39μmのCOF用積層板を得た。ここで、ポリイミド前駆体溶液Aから得られた非熱可塑性ポリイミドA層の線膨張係数は15ppm/℃であった。また、ポリイミド前駆体溶液Bから得られた熱可塑性ポリイミドB層のガラス転移温度は310℃であった。ガラス転移温度は、動的粘弾性で測定して、損失弾性率のピーク値をガラス転移温度とした
得られたCOF用積層板に、60μmピッチの配線パターンを形成してCOFフィルムキャリアテープとした。なお、インナーリード部には錫メッキを施してある。その後、COFフィルムキャリアテープのインナーリード部へ金バンプを有するICを実装した。実装は、フリップチップボンダー「TFC-2100」芝浦メカトロニクス(株)製を使用し、ボンディングヘッドツール温度は400℃、ステージ温度は100℃、接合圧力は1バンプ当たりの荷重が20gfになるようにおこなった。
次にICを実装したCOFフィルムキャリアテープの断面を観察して、図2に示すT1(フィルム厚み)−T2(実装部フィルム厚み)=T3(実装による樹脂変形量)として、測定した。本実施例では、T3は1μmであり、インナーリードとバンプの接続状態は良好であった。
実施例2
DMAc425gにMT28.078gとTPE4.297gを1Lのセパラブルフラスコの中で撹拌しながら溶解させた。次に、PMDA25.305gとBPDA8.532gをこの溶液に少しずつ投入して、重合反応をおこない、高粘度の非熱可塑性ポリイミド前駆体溶液Cを得た。B型粘度計で、粘度を測定した結果、23℃で320ポイズであった。
同様にDMAc425gにBAPP43.150gを溶解させた後、この溶液に、PMDA21.333gとBPDA1.514gを投入して、重合反応をおこない、高粘度の熱可塑性ポリイミド前駆体溶液Dを得た。粘度を測定した結果、23℃で20ポイズであった。
その後、実施例1と同様な操作をおこない、ポリイミド層の厚みが39μmのCOF用積層板を得た。得られた非熱可塑性ポリイミドC層の線膨張係数は13ppm/℃、熱可塑性ポリイミド層D のガラス転移温度は310℃であった。COFフィルムキャリアテープに加工し、ICを実装した結果、T3は0.5μmであり、インナーリードとバンプの接続状態は良好であった。なお、ポリイミド層の厚みは、D/C/Dの順に1μm/37μm/1μmである。
実施例3
非熱可塑性ポリイミドA層が21μm、両側の熱可塑性ポリイミドB層が2μmである以外は、実施例1と同様にしてCOFフィルムキャリアテープに加工し、ICを実装した結果、T3は1.5μmであり、インナーリードとバンプの接続状態は良好であった。
比較例1
非熱可塑性ポリイミドA層が30μm、両側の熱可塑性ポリイミドB層がそれぞれ5μmである以外は、実施例1と同様にしてCOFフィルムキャリアテープに加工し、ICを実装した結果、T3は4μmであって、インナーリード近辺の樹脂の変形が大きく、インナーリードとバンプの接続状態は不良であった。
比較例2
DMAc425gにMT23.781gとTPE8.594gを1Lのセパラブルフラスコの中で撹拌しながら溶解させた。次にPMDA25.305gとBPDA8.532gをこの溶液に少しずつ投入して、重合反応をおこない、高粘度の非熱可塑性ポリイミド前駆体溶液Eを得た。B型粘度計で、粘度を測定した結果、23℃で230ポイズであった。次に、実施例2で得られた熱可塑性ポリイミド前駆体溶液Dと上記の非熱可塑性ポリイミド前駆体溶液Eを用い、実施例1と同様な操作をおこない、ポリイミド層の厚みが39μmのCOF用積層板を得た。得られた非熱可塑性ポリイミドE層の線膨張係数は30ppm/℃であった。COFフィルムキャリアテープに実装した結果、T3は0.5μmであったが、テープの熱寸法変化のためにインナーリードとバンプの位置がずれており、接続状態は不良であった。
比較例3
DMAc425gにTPE37.621gを1Lのセパラブルフラスコの中で撹拌しながら溶解させた。次に、BPDA37.379gをこの溶液に少しずつ投入して、重合反応をおこない、高粘度の熱可塑性ポリイミド前駆体溶液Fを得た。B型粘度計で、粘度を測定した結果、23℃で120ポイズであった。次に、上記で得られたポリイミド前駆体溶液Fを、厚みが18μmの電解銅箔NA-VLP(三井金属鉱山(株)製)上にイミド転化後のフィルム厚みが1μmになるようにバーコートした。その後、130℃で5min乾燥した。その後、乾燥したポリイミド層の上に、積層するように実施例1のポリイミド前駆体溶液Aをイミド転化後のフィルム厚みが37μmになるようにバーコートして、130℃で5min乾燥した。さらに同様にして、このフィルムの上にポリイミド前駆体溶液Fをイミド転化後の厚みが1μmになるようにバーコートして、130℃で5min乾燥した。
このようにして得られた積層体を真空恒温槽に投入して200℃で30min、300℃で30min、350℃で30min熱処理をして、ポリイミド層の厚みが39μmのCOF用積層基板を得た。
ポリイミド前駆体溶液Fから生じる熱可塑性ポリイミドFのガラス転移温度は220℃であった。実施例1と同様にしてCOFフィルムキャリアテープに加工し、ICを実装した結果、T3は2.0μmであったが、インナーリード近辺の樹脂の変形が大きく、一部のインナーリードがフィルムから剥れており、インナーリードとバンプの接続状態は不良であった。
COF用積層板の断面図 ICチップをCOFフィルムキャリアテープに実装する例を示す概念図
符号の説明
1:ICチップ、2:バンブ、3:ポリイミド層、4:回路、10:絶縁層、11、13:熱可塑性ポリイミド層、12:非熱可塑性ポリイミド層、20:導体

Claims (4)

  1. 絶縁層の片面または両面に導体を積層したCOF用積層板において、上記絶縁層が複数のポリイミド系樹脂からなる多層構造であり、絶縁層は、線膨張係数が20ppm/℃以下である非熱可塑性ポリイミド層の片面または両面を熱可塑性ポリイミド層で積層した構造であって、導体と接している熱可塑性ポリイミド層の厚みが2.0μm以下であり、且つ、熱可塑性ポリイミド層のガラス転移温度が300℃以上であることを特徴とするCOF用積層板。
  2. 絶縁層が、ポリイミドの前駆体溶液を直接導体に塗布し、熱硬化、イミド転化して得られるものであることを特徴とする請求項1に記載のCOF用積層板。
  3. 絶縁層が、ポリイミド系樹脂フィルムを導体に熱圧着して得られることを特徴とする請求項1に記載のCOF用積層板。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載のCOF用積層板を加工して得られるCOFフィルムキャリアテープ。
JP2005001651A 2005-01-06 2005-01-06 Cof用積層板及びcofフィルムキャリアテープ Expired - Fee Related JP4642479B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005001651A JP4642479B2 (ja) 2005-01-06 2005-01-06 Cof用積層板及びcofフィルムキャリアテープ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005001651A JP4642479B2 (ja) 2005-01-06 2005-01-06 Cof用積層板及びcofフィルムキャリアテープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006190824A true JP2006190824A (ja) 2006-07-20
JP4642479B2 JP4642479B2 (ja) 2011-03-02

Family

ID=36797751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005001651A Expired - Fee Related JP4642479B2 (ja) 2005-01-06 2005-01-06 Cof用積層板及びcofフィルムキャリアテープ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4642479B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035869A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Nitto Denko Corp Tab用テープキャリア
JP2008091431A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Nippon Steel Chem Co Ltd フレキシブル銅張積層板の製造方法
JP2009184130A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Nippon Steel Chem Co Ltd ポリイミド樹脂積層体の製造方法及び金属張積層板の製造方法
TWI412818B (zh) * 2009-09-15 2013-10-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 液晶顯示面板及其走線結構
CN107312329A (zh) * 2016-04-27 2017-11-03 新日铁住金化学株式会社 聚酰亚胺膜及覆铜层叠板
CN109572104A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 日铁化学材料株式会社 覆金属层叠板及电路基板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5000310B2 (ja) * 2006-01-12 2012-08-15 新日鐵化学株式会社 Cof用積層板及びcofフィルムキャリアテープ並びに電子装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55154795A (en) * 1979-05-21 1980-12-02 Kanegafuchi Chemical Ind Flexible circuit substrate
JP2729063B2 (ja) * 1988-11-01 1998-03-18 三井東圧化学株式会社 フレキシブル金属箔積層板の製造方法
JP2000052483A (ja) * 1998-08-05 2000-02-22 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属箔積層板及びその製造方法
JP2000058989A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Mitsui Chemicals Inc フレキシブル金属箔積層板
JP2001072781A (ja) * 1998-11-05 2001-03-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミドフィルムおよびそれを用いた電気・電子機器用基板
JP2003340961A (ja) * 2002-05-24 2003-12-02 Mitsui Chemicals Inc 寸法安定性に優れるポリイミド金属積層板及びその製造方法
JP2004006523A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Cofフィルムキャリアテープ
JP2004017377A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属積層板
JP2004025757A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属積層板
JP2004142183A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属箔積層板
JP2004153194A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Cofフィルムキャリアテープの製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55154795A (en) * 1979-05-21 1980-12-02 Kanegafuchi Chemical Ind Flexible circuit substrate
JP2729063B2 (ja) * 1988-11-01 1998-03-18 三井東圧化学株式会社 フレキシブル金属箔積層板の製造方法
JP2000052483A (ja) * 1998-08-05 2000-02-22 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属箔積層板及びその製造方法
JP2000058989A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Mitsui Chemicals Inc フレキシブル金属箔積層板
JP2001072781A (ja) * 1998-11-05 2001-03-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミドフィルムおよびそれを用いた電気・電子機器用基板
JP2003340961A (ja) * 2002-05-24 2003-12-02 Mitsui Chemicals Inc 寸法安定性に優れるポリイミド金属積層板及びその製造方法
JP2004006523A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Cofフィルムキャリアテープ
JP2004017377A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属積層板
JP2004025757A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属積層板
JP2004142183A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属箔積層板
JP2004153194A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Cofフィルムキャリアテープの製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035869A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Nitto Denko Corp Tab用テープキャリア
JP2008091431A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Nippon Steel Chem Co Ltd フレキシブル銅張積層板の製造方法
JP2009184130A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Nippon Steel Chem Co Ltd ポリイミド樹脂積層体の製造方法及び金属張積層板の製造方法
TWI412818B (zh) * 2009-09-15 2013-10-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 液晶顯示面板及其走線結構
JP2021088191A (ja) * 2016-04-27 2021-06-10 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 ポリイミドフィルム及び銅張積層板
KR20170122661A (ko) * 2016-04-27 2017-11-06 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 폴리이미드 필름 및 동장적층판
TWI721162B (zh) * 2016-04-27 2021-03-11 日商日鐵化學材料股份有限公司 聚醯亞胺膜及覆銅層疊板
CN107312329A (zh) * 2016-04-27 2017-11-03 新日铁住金化学株式会社 聚酰亚胺膜及覆铜层叠板
KR102272630B1 (ko) * 2016-04-27 2021-07-05 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 폴리이미드 필름 및 동장적층판
KR20210086588A (ko) * 2016-04-27 2021-07-08 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 폴리이미드 필름 및 동장적층판
CN113527882A (zh) * 2016-04-27 2021-10-22 日铁化学材料株式会社 聚酰亚胺膜及覆铜层叠板
JP7029006B2 (ja) 2016-04-27 2022-03-02 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 ポリイミドフィルム及び銅張積層板
KR102386047B1 (ko) 2016-04-27 2022-04-14 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 폴리이미드 필름 및 동장적층판
TWI763311B (zh) * 2016-04-27 2022-05-01 日商日鐵化學材料股份有限公司 聚醯亞胺膜及覆銅層疊板
CN113527882B (zh) * 2016-04-27 2024-10-18 日铁化学材料株式会社 聚酰亚胺膜及覆铜层叠板
CN109572104A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 日铁化学材料株式会社 覆金属层叠板及电路基板
CN109572104B (zh) * 2017-09-29 2022-05-03 日铁化学材料株式会社 覆金属层叠板及电路基板

Also Published As

Publication number Publication date
JP4642479B2 (ja) 2011-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8426029B2 (en) Metallic laminate and method for preparing the same
JP4619860B2 (ja) フレキシブル積層板及びその製造方法
KR101219065B1 (ko) 2층 양면 플렉시블 금속 적층판 및 그 제조 방법
JP4642479B2 (ja) Cof用積層板及びcofフィルムキャリアテープ
JP5000310B2 (ja) Cof用積層板及びcofフィルムキャリアテープ並びに電子装置
US7951460B2 (en) Laminate for electronic circuit
TWI387017B (zh) Cof用被銅積層板及cof用載置帶
JP5632426B2 (ja) ポリアミック酸及び非熱可塑性ポリイミド樹脂
JP2005144816A (ja) フレキシブル金属積層体
JP2006272886A (ja) フレキシブル金属積層体およびフレキシブルプリント基板
TWI397136B (zh) Cof用積層板及cof薄膜載帶以及電子裝置
JP5162379B2 (ja) ポリアミック酸及び非熱可塑性ポリイミド樹脂
JP4763964B2 (ja) ポリイミド金属積層板の製造方法
JP2005271449A (ja) フレキシブルプリント基板用積層板
JP5055244B2 (ja) ポリイミド金属積層板
JP2008168582A (ja) フレキシブル積層板の製造方法
JP4328138B2 (ja) ポリイミド金属積層板
JP2001212904A (ja) 接着剤付き導体−ポリイミド積層板
JP4409898B2 (ja) ポリイミド金属積層板
JP2000167979A (ja) 接着剤付きフレキシブル両面銅張り板
JP2002307609A (ja) ポリイミド金属箔積層板及びその製造方法
JP2003327931A (ja) 放熱板付きリードフレーム固定用接着基材
JP2000216302A (ja) 補強板付きインタ―ポ―ザ―及びその製造方法
JP2002285110A (ja) 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071026

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101130

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4642479

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees