JP2000216302A - 補強板付きインタ―ポ―ザ―及びその製造方法 - Google Patents
補強板付きインタ―ポ―ザ―及びその製造方法Info
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- JP2000216302A JP2000216302A JP11014931A JP1493199A JP2000216302A JP 2000216302 A JP2000216302 A JP 2000216302A JP 11014931 A JP11014931 A JP 11014931A JP 1493199 A JP1493199 A JP 1493199A JP 2000216302 A JP2000216302 A JP 2000216302A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 従来の接着剤付きフレキシブル回路板をイン
ターポーザーとした場合、インターポーザーを工程搬送
用の補強板に貼り付ける工程が必要であると共に、補強
板貼り付け後のインターポーザーの変形を防止するた
め、線膨張係数がインターポーザーより小さい材質の補
強板を使用すると、半導体の製造工程上の加熱工程にお
いて、インターポーザーが変形するという問題点があ
る。 【解決手段】 接着剤付きフレキシブル回路板と線膨張
係数がインターポーザーの５０〜１５０％の範囲にある
金属箔を熱圧着で張り合わせたのち、この金属箔をエッ
チングすることにより、半導体製造工程搬送用の補強板
を半導体チップ群搭載部の外周部に形成することによ
り、インターポーザーを補強板に貼り付ける工程を省略
するとともに、半導体製造工程中の加熱処理によるイン
ターポーザーの変形を防止できる補強板付きインターポ
ーザーを得る。
ターポーザーとした場合、インターポーザーを工程搬送
用の補強板に貼り付ける工程が必要であると共に、補強
板貼り付け後のインターポーザーの変形を防止するた
め、線膨張係数がインターポーザーより小さい材質の補
強板を使用すると、半導体の製造工程上の加熱工程にお
いて、インターポーザーが変形するという問題点があ
る。 【解決手段】 接着剤付きフレキシブル回路板と線膨張
係数がインターポーザーの５０〜１５０％の範囲にある
金属箔を熱圧着で張り合わせたのち、この金属箔をエッ
チングすることにより、半導体製造工程搬送用の補強板
を半導体チップ群搭載部の外周部に形成することによ
り、インターポーザーを補強板に貼り付ける工程を省略
するとともに、半導体製造工程中の加熱処理によるイン
ターポーザーの変形を防止できる補強板付きインターポ
ーザーを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着剤付きフレキ
シブル回路板上に複数個の半導体チップを格子状に搭載
した状態で製造される半導体装置の製造工程おいて、イ
ンターポーザーを補強板に貼り付ける工程を省略すると
ともに、半導体製造工程中の加熱処理によるインターポ
ーザーの変形を防止できる補強板付きインターポーザー
及びその製造方法に関するものである。
シブル回路板上に複数個の半導体チップを格子状に搭載
した状態で製造される半導体装置の製造工程おいて、イ
ンターポーザーを補強板に貼り付ける工程を省略すると
ともに、半導体製造工程中の加熱処理によるインターポ
ーザーの変形を防止できる補強板付きインターポーザー
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は高集積化が進行し
て、実装技術も高密度化が求められており、半導体チッ
プを、図４及び図５に示すように接着層３を形成した接
着剤付きフレキシブル回路板４に配線回路が形成され、
更に回路面上にソルダーレジスト層５を形成したインタ
ーポーザー２の接着層３上に実装し、ソルダーレジスト
層５を形成したインターポーザー下面に形成された半田
ボールを介してマザーボードに実装される半導体装置が
注目されている。本半導体装置は、フレキシブル回路板
をインターポーザーとして使用しているため、図３に示
すような半導体製造工程搬送用の補強板１を図４及び図
５に示すような位置に貼り付けて、製造されている。
て、実装技術も高密度化が求められており、半導体チッ
プを、図４及び図５に示すように接着層３を形成した接
着剤付きフレキシブル回路板４に配線回路が形成され、
更に回路面上にソルダーレジスト層５を形成したインタ
ーポーザー２の接着層３上に実装し、ソルダーレジスト
層５を形成したインターポーザー下面に形成された半田
ボールを介してマザーボードに実装される半導体装置が
注目されている。本半導体装置は、フレキシブル回路板
をインターポーザーとして使用しているため、図３に示
すような半導体製造工程搬送用の補強板１を図４及び図
５に示すような位置に貼り付けて、製造されている。
【０００３】しかしながら、このようなフレキシブル回
路板をインターポーザーとした半導体装置では、次のよ
うな問題点があった。本半導体装置は、インターポーザ
ーを工程搬送用の補強板に加熱圧着により貼り付けて製
造される訳であるが、加熱圧着後のインターポーザーの
うねり、たるみを防止するため、補強板の材質は、線膨
張係数がインターポーザーより小さな材質、例えば、４
２アロイが使用されているが、４２アロイ補強板では、半導体
の製造工程上の加熱工程、例えば、封止材硬化工程、半
田ボールリフロー工程の加熱処理において、インターポ
ーザーと補強板の線膨張係数の不適合によりインターポ
ーザーに更にうねり、たるみが発生し、大きな問題とな
っていた。
路板をインターポーザーとした半導体装置では、次のよ
うな問題点があった。本半導体装置は、インターポーザ
ーを工程搬送用の補強板に加熱圧着により貼り付けて製
造される訳であるが、加熱圧着後のインターポーザーの
うねり、たるみを防止するため、補強板の材質は、線膨
張係数がインターポーザーより小さな材質、例えば、４
２アロイが使用されているが、４２アロイ補強板では、半導体
の製造工程上の加熱工程、例えば、封止材硬化工程、半
田ボールリフロー工程の加熱処理において、インターポ
ーザーと補強板の線膨張係数の不適合によりインターポ
ーザーに更にうねり、たるみが発生し、大きな問題とな
っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、上記
の問題を鑑みて、鋭意研究をした結果なされたものであ
り、接着剤付きフレキシブル回路板上に複数個の半導体
チップを格子状に搭載した状態で製造される半導体装置
の製造工程おいて、インターポーザーを補強板に貼り付
ける工程を省略するとともに、半導体製造工程中の加熱
処理によるインターポーザーの変形を防止できる補強板
付きインターポーザー及び補強板付きインターポーザー
の製造方法を提供することを目的とする。
の問題を鑑みて、鋭意研究をした結果なされたものであ
り、接着剤付きフレキシブル回路板上に複数個の半導体
チップを格子状に搭載した状態で製造される半導体装置
の製造工程おいて、インターポーザーを補強板に貼り付
ける工程を省略するとともに、半導体製造工程中の加熱
処理によるインターポーザーの変形を防止できる補強板
付きインターポーザー及び補強板付きインターポーザー
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、接着剤付きフレキシブル回路板上に複
数個の半導体チップを格子状に搭載した状態で製造され
る半導体装置に使用されるインターポーザーにおいて、
接着剤付きフレキシブル回路板と金属箔を熱圧着で張り
合わせたのち、この金属箔をエッチングすることによ
り、半導体製造工程搬送用の補強板を半導体チップ群搭
載部の外周部に形成することを特徴とするものである。
めに、本発明は、接着剤付きフレキシブル回路板上に複
数個の半導体チップを格子状に搭載した状態で製造され
る半導体装置に使用されるインターポーザーにおいて、
接着剤付きフレキシブル回路板と金属箔を熱圧着で張り
合わせたのち、この金属箔をエッチングすることによ
り、半導体製造工程搬送用の補強板を半導体チップ群搭
載部の外周部に形成することを特徴とするものである。
【０００６】 〔発明の詳細な説明〕本発明の補強板付きインターポー
ザーは、構造の一例を図１及び図２を用いて説明する
と、接着層３を形成した接着剤付きフレキシブル回路板
４に、接着層３の対面の回路面にソルダーレジスト層５
を形成した接着剤付きフレキシブル回路板４であるイン
ターポーザー２において、半導体製造工程搬送用の補強
板１を半導体チップ群搭載部の外周部に形成されたもの
である。このインターポーザーは、接着層３上に複数個
の半導体チップを格子状に搭載した状態で製造される半
導体装置に使用されるものである。
ザーは、構造の一例を図１及び図２を用いて説明する
と、接着層３を形成した接着剤付きフレキシブル回路板
４に、接着層３の対面の回路面にソルダーレジスト層５
を形成した接着剤付きフレキシブル回路板４であるイン
ターポーザー２において、半導体製造工程搬送用の補強
板１を半導体チップ群搭載部の外周部に形成されたもの
である。このインターポーザーは、接着層３上に複数個
の半導体チップを格子状に搭載した状態で製造される半
導体装置に使用されるものである。
【０００７】本発明の補強板付きインターポーザーの製
造方法について一例を用いて、以下に説明する。まずキ
ャリアフィルム上に公知のポリアミド酸樹脂溶液をダイ
コーター等の一般的な塗布機により流延塗布し、半乾燥
させてポリアミド酸フィルムをえる。次に、このポリア
ミド酸フィルムをキャリアフィルム付きのまま、ポリア
ミド酸樹脂面を配線回路用銅箔と対向させて熱圧着し、
その後、キャリアフィルムを剥離する。得られたポリア
ミド酸フィルム付き銅箔を、乾燥、アニールさせて、ポ
リアミド酸を閉環させてポリイミド樹脂にする。さらに
このポリイミド樹脂層上に、接着剤樹脂溶液を流延塗布
して接着層を形成し、接着剤付きフレキシブル回路板を
得る。
造方法について一例を用いて、以下に説明する。まずキ
ャリアフィルム上に公知のポリアミド酸樹脂溶液をダイ
コーター等の一般的な塗布機により流延塗布し、半乾燥
させてポリアミド酸フィルムをえる。次に、このポリア
ミド酸フィルムをキャリアフィルム付きのまま、ポリア
ミド酸樹脂面を配線回路用銅箔と対向させて熱圧着し、
その後、キャリアフィルムを剥離する。得られたポリア
ミド酸フィルム付き銅箔を、乾燥、アニールさせて、ポ
リアミド酸を閉環させてポリイミド樹脂にする。さらに
このポリイミド樹脂層上に、接着剤樹脂溶液を流延塗布
して接着層を形成し、接着剤付きフレキシブル回路板を
得る。
【０００８】本発明に用いる接着剤樹脂としては、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂又はそれらの混合でも使用でき
るが、熱可塑性樹脂は半導体チップマウント時の接着層
として併用でき、好適である。
塑性樹脂、熱硬化性樹脂又はそれらの混合でも使用でき
るが、熱可塑性樹脂は半導体チップマウント時の接着層
として併用でき、好適である。
【０００９】次に、得られた接着剤付きフレキシブル回
路板の接着剤面に、補強板用金属箔を熱圧着して、貼り
付ける。熱圧着の方法は、ロールラミネート、プレスな
どが使用できるが、貼り付ける金属箔の厚みが厚い場合
は、プレスが好ましい。接着剤樹脂に応じて加熱温度と
圧力を制御することによって、充分な接着強度を得なが
ら接着剤樹脂の均一な厚みを保持してフレキシブル回路
板と金属箔とを張り合わせる。加熱温度は、使用する接
着剤樹脂組成による異なるが、加熱温度が高すぎると接
着剤樹脂が軟化流動して厚みが不均一になったり、水分
が急激に気化して発泡する。加熱温度が低すぎると充分
な接着力がでず、半導体装置製造工程で剥離が生じる。
また、圧力は低すぎると充分な接着力が出ず、高すぎる
と接着樹脂が流動して厚みムラを生じる。
路板の接着剤面に、補強板用金属箔を熱圧着して、貼り
付ける。熱圧着の方法は、ロールラミネート、プレスな
どが使用できるが、貼り付ける金属箔の厚みが厚い場合
は、プレスが好ましい。接着剤樹脂に応じて加熱温度と
圧力を制御することによって、充分な接着強度を得なが
ら接着剤樹脂の均一な厚みを保持してフレキシブル回路
板と金属箔とを張り合わせる。加熱温度は、使用する接
着剤樹脂組成による異なるが、加熱温度が高すぎると接
着剤樹脂が軟化流動して厚みが不均一になったり、水分
が急激に気化して発泡する。加熱温度が低すぎると充分
な接着力がでず、半導体装置製造工程で剥離が生じる。
また、圧力は低すぎると充分な接着力が出ず、高すぎる
と接着樹脂が流動して厚みムラを生じる。
【００１０】本発明の補強板に用いる金属箔の材質は、
銅、銅系の合金、鉄、鉄系の合金、アルミニュウムなど
エッチングできる金属であれば何れも使用できるが、金
属箔の線膨張係数が、本発明のインターポーザーの線膨
張係数の５０〜１５０％の範囲であり、特に８０〜１２
０％の範囲の金属箔が好ましい。金属箔の線膨張係数が
低すぎると、半導体装置製造工程中の半導体用封止材硬
化工程、ハンダボールリフロー工程等の加熱工程におい
て、インターポーザーにうねり、たるみが発生する。線
膨張係数が高すぎると、金属箔エッチング後にインター
ポーザーにうねり、たるみが発生する。
銅、銅系の合金、鉄、鉄系の合金、アルミニュウムなど
エッチングできる金属であれば何れも使用できるが、金
属箔の線膨張係数が、本発明のインターポーザーの線膨
張係数の５０〜１５０％の範囲であり、特に８０〜１２
０％の範囲の金属箔が好ましい。金属箔の線膨張係数が
低すぎると、半導体装置製造工程中の半導体用封止材硬
化工程、ハンダボールリフロー工程等の加熱工程におい
て、インターポーザーにうねり、たるみが発生する。線
膨張係数が高すぎると、金属箔エッチング後にインター
ポーザーにうねり、たるみが発生する。
【００１１】また、本発明の補強板に用いる金属箔の厚
みは、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ、特に０．２ｍｍ〜０．
４ｍｍの範囲の金属箔が好ましい。金属箔の厚みが薄す
ぎると、半導体製造工程でのハンドリングが悪くなり、
金属箔の厚みが厚すぎると製造コストが必要以上に高く
なる。
みは、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ、特に０．２ｍｍ〜０．
４ｍｍの範囲の金属箔が好ましい。金属箔の厚みが薄す
ぎると、半導体製造工程でのハンドリングが悪くなり、
金属箔の厚みが厚すぎると製造コストが必要以上に高く
なる。
【００１２】さらに、金属箔に張り合わせたフレキシブ
ル回路板の回路面をパターニングして配線のパターンを
形成し、その配線パターン上にソルダーレジストを形
成、パターニング後、補強板用金属箔をエッチングする
ことにより、半導体製造工程搬送用の補強板を半導体チ
ップ群搭載部の外周部に形成することにより、図１のよ
うな補強板付きインターポーザーを得る。
ル回路板の回路面をパターニングして配線のパターンを
形成し、その配線パターン上にソルダーレジストを形
成、パターニング後、補強板用金属箔をエッチングする
ことにより、半導体製造工程搬送用の補強板を半導体チ
ップ群搭載部の外周部に形成することにより、図１のよ
うな補強板付きインターポーザーを得る。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳しく説明する
が、何らこれらに限定されない。
が、何らこれらに限定されない。
【００１４】合成例１（ポリアミド酸の合成） 乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度計、攪拌機を備えた
四口フラスコに、脱水精製したＮＭＰ４５０ｇを入れ、
窒素ガスを流しながら１０分間激しく攪拌した後、２，
２−ビス（４−（アミノフェノキシ）フェニル）プロパ
ン（ＢＡＰＰ）４２．０ｇを投入し、均一になるまで攪
拌した。系を水浴で２０℃以下に冷却しながら、ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸３３．０ｇを徐々に加え重合
反応をさせてポリアミド酸ワニスを得た。
四口フラスコに、脱水精製したＮＭＰ４５０ｇを入れ、
窒素ガスを流しながら１０分間激しく攪拌した後、２，
２−ビス（４−（アミノフェノキシ）フェニル）プロパ
ン（ＢＡＰＰ）４２．０ｇを投入し、均一になるまで攪
拌した。系を水浴で２０℃以下に冷却しながら、ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸３３．０ｇを徐々に加え重合
反応をさせてポリアミド酸ワニスを得た。
【００１５】合成例２（ポリイミド接着剤樹脂の合成） 乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度計、攪拌機を備えた
四口フラスコに、脱水精製したＮＭＰ７９１ｇを入れ、
窒素ガスを流しながら１０分間激しく攪拌した後、ＢＡ
ＰＰ７３．９ｇ、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン（ＡＰＢ）１７．５ｇ、α，ω−ビス（３
−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン５０．２ｇ
（平均分子量８３７）を投入し、系を６０℃に加熱し、
均一になるまで攪拌した。次に系を氷水浴で５℃以下に
冷却し、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物（ＢＰＤＡ）４４．１ｇ、エチレングリコ
ールビストリメリット酸二無水物（ＴＭＥＧ）６１．５
ｇを粉末状のまま１５分間かけて添加し、その後３時間
攪拌を続けた。この間フラスコは５℃以下に保った。そ
の後、窒素ガス導入管と冷却器を外し、キシレンを満た
したディーン・スターク管をフラスコに装着し、系にキ
シレン１９８ｇを添加した。油浴にかえて系を１７５℃
に加熱し発生する水を系外に除いた。４時間加熱して系
からの水の発生が認められなくなった後、冷却し、この
反応溶液を大量のメタノール中に投入して、ポリイミド
接着剤樹脂を析出させた。固形分を濾過後、８０℃で１
２時間減圧乾燥し溶剤を除き、２２７．８ｇの固形樹脂
を得た。
四口フラスコに、脱水精製したＮＭＰ７９１ｇを入れ、
窒素ガスを流しながら１０分間激しく攪拌した後、ＢＡ
ＰＰ７３．９ｇ、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン（ＡＰＢ）１７．５ｇ、α，ω−ビス（３
−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン５０．２ｇ
（平均分子量８３７）を投入し、系を６０℃に加熱し、
均一になるまで攪拌した。次に系を氷水浴で５℃以下に
冷却し、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物（ＢＰＤＡ）４４．１ｇ、エチレングリコ
ールビストリメリット酸二無水物（ＴＭＥＧ）６１．５
ｇを粉末状のまま１５分間かけて添加し、その後３時間
攪拌を続けた。この間フラスコは５℃以下に保った。そ
の後、窒素ガス導入管と冷却器を外し、キシレンを満た
したディーン・スターク管をフラスコに装着し、系にキ
シレン１９８ｇを添加した。油浴にかえて系を１７５℃
に加熱し発生する水を系外に除いた。４時間加熱して系
からの水の発生が認められなくなった後、冷却し、この
反応溶液を大量のメタノール中に投入して、ポリイミド
接着剤樹脂を析出させた。固形分を濾過後、８０℃で１
２時間減圧乾燥し溶剤を除き、２２７．８ｇの固形樹脂
を得た。
【００１６】（実施例１）キャリアフィルムとして厚さ
７５μｍのポリエステルフィルム上に、合成例１のポリ
アミド酸の１３重量％ＮＭＰ溶液を、ダイコータで塗布
し、１００℃で１０分間乾燥して、厚みが４０μｍのポ
リアミド酸フィルムを得た。１８μｍの圧延銅箔（日本
鉱業製）上に、上記のポリアミド酸フィルムを重ねて、
ロールラミネータで１４０℃で加熱圧着した。得られた
銅箔付ポリアミド酸フィルムを窒素乾燥機内で、連続的
に１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃、３５０℃
で各々１５分加熱し、さらに４００℃で２時間加熱し、
イミド化を行った。イミド化後のポリイミド層の厚みは
２０μｍであった。このポリイミド層上に、合成例２の
ポリイミド接着剤樹脂のＮＭＰ溶液を、バーコータで流
延塗布し、８０℃、１５０℃、２３０℃で各々５分乾燥
して、１２μｍの接着剤層を形成した。得られた接着剤
付きフレキシブル回路板を２００μｍの圧延銅箔（古河
電気工業製EFTEC-23Z、線膨張係数17ppm）に２００℃で
３０分プレスし、加熱圧着した。その後、フレキシブル
回路板の１８μｍ銅箔をパターニングすることにより配
線パターンを形成し、その配線パターン上にソルダーレ
ジスト（太陽インキ製造（株）製ＰＳＲ−９０００）を
スクリーン印刷で塗布後、パターニング、１５０℃で５
０分硬化して、ソルダーレジスト層を形成した。得られ
たインターポーザーの線膨張係数は２０ｐｐｍであっ
た。さらに、２００μｍ圧延銅箔をエッチングし、半導
体製造工程搬送用の補強板を半導体チップ群搭載部の外
周部に形成した。得られた補強板付きインターポーザー
は、うねり、たるみがなく、半導体製造工程中の加熱工
程においても、製造上問題となるようなうねり、たるみ
は発生しなかった。
７５μｍのポリエステルフィルム上に、合成例１のポリ
アミド酸の１３重量％ＮＭＰ溶液を、ダイコータで塗布
し、１００℃で１０分間乾燥して、厚みが４０μｍのポ
リアミド酸フィルムを得た。１８μｍの圧延銅箔（日本
鉱業製）上に、上記のポリアミド酸フィルムを重ねて、
ロールラミネータで１４０℃で加熱圧着した。得られた
銅箔付ポリアミド酸フィルムを窒素乾燥機内で、連続的
に１５０℃、２００℃、２５０℃、３００℃、３５０℃
で各々１５分加熱し、さらに４００℃で２時間加熱し、
イミド化を行った。イミド化後のポリイミド層の厚みは
２０μｍであった。このポリイミド層上に、合成例２の
ポリイミド接着剤樹脂のＮＭＰ溶液を、バーコータで流
延塗布し、８０℃、１５０℃、２３０℃で各々５分乾燥
して、１２μｍの接着剤層を形成した。得られた接着剤
付きフレキシブル回路板を２００μｍの圧延銅箔（古河
電気工業製EFTEC-23Z、線膨張係数17ppm）に２００℃で
３０分プレスし、加熱圧着した。その後、フレキシブル
回路板の１８μｍ銅箔をパターニングすることにより配
線パターンを形成し、その配線パターン上にソルダーレ
ジスト（太陽インキ製造（株）製ＰＳＲ−９０００）を
スクリーン印刷で塗布後、パターニング、１５０℃で５
０分硬化して、ソルダーレジスト層を形成した。得られ
たインターポーザーの線膨張係数は２０ｐｐｍであっ
た。さらに、２００μｍ圧延銅箔をエッチングし、半導
体製造工程搬送用の補強板を半導体チップ群搭載部の外
周部に形成した。得られた補強板付きインターポーザー
は、うねり、たるみがなく、半導体製造工程中の加熱工
程においても、製造上問題となるようなうねり、たるみ
は発生しなかった。
【００１７】（比較例１）実施例１において、２００μ
ｍの圧延銅箔のかわりに２００μｍの４２アロイ（線膨
張率：４．３ｐｐｍ）を使用し、補強板付きインタポー
ザーを作成した。得られた補強板付きインターポーザー
は、プレス後は、インターポーザーにうねり、たるみが
観察されなかったが、半導体製造工程中の加熱工程にお
いて、うねり、たるみが発生し、半導体装置の製造困難
になった。
ｍの圧延銅箔のかわりに２００μｍの４２アロイ（線膨
張率：４．３ｐｐｍ）を使用し、補強板付きインタポー
ザーを作成した。得られた補強板付きインターポーザー
は、プレス後は、インターポーザーにうねり、たるみが
観察されなかったが、半導体製造工程中の加熱工程にお
いて、うねり、たるみが発生し、半導体装置の製造困難
になった。
【００１８】（比較例２）厚さ７５μｍのポリエステル
フィルム上に、合成例１のポリアミド酸の１３重量％Ｎ
ＭＰ溶液を、ダイコータで塗布し、１００℃で１０分間
乾燥して、厚みが４０μｍのポリアミド酸フィルムを得
た。１８μｍの圧延銅箔（日本鉱業製）上に、上記のポ
リアミド酸フィルムを重ねて、ロールラミネータで１４
０℃で加熱圧着した。得られた銅箔付ポリアミド酸フィ
ルムを窒素乾燥機内で、連続的に１５０℃、２００℃、
２５０℃、３００℃、３５０℃で各々１５分加熱し、さ
らに４００℃で２時間加熱し、イミド化を行った。イミ
ド化後のポリイミド層の厚みは２０μｍであった。この
ポリイミド層上に、合成例２のポリイミド接着剤樹脂の
ＮＭＰ溶液を、バーコータで流延塗布し、８０℃、１５
０℃、２３０℃で各々５分乾燥して、１２μｍの接着剤
層を形成した。得られた接着剤付きフレキシブル回路板
の１８μｍ銅箔をパターニングすることにより配線パタ
ーンを形成し、その配線パターン上にソルダーレジスト
（太陽インキ製造（株）製ＰＳＲ−９０００）をスクリ
ーン印刷で塗布後、パターニング、１５０℃で５０分硬
化して、ソルダーレジスト層を形成した。得られたイン
ターポーザーの線膨張係数は２０ｐｐｍであった。この
インターポーザーの接着剤面に図３に示す２００μｍ厚
の補強板（４２アロイ製、線膨張係数４．３ｐｐｍ）を
２９０℃で１分間プレスし、図４に示す補強板付きイン
ターポーザーを得た。プレス後は、インターポーザーに
うねり、たるみが観察されなかったが、半導体製造工程
中の加熱工程において、うねり、たるみが発生し、半導
体装置の製造困難になった。
フィルム上に、合成例１のポリアミド酸の１３重量％Ｎ
ＭＰ溶液を、ダイコータで塗布し、１００℃で１０分間
乾燥して、厚みが４０μｍのポリアミド酸フィルムを得
た。１８μｍの圧延銅箔（日本鉱業製）上に、上記のポ
リアミド酸フィルムを重ねて、ロールラミネータで１４
０℃で加熱圧着した。得られた銅箔付ポリアミド酸フィ
ルムを窒素乾燥機内で、連続的に１５０℃、２００℃、
２５０℃、３００℃、３５０℃で各々１５分加熱し、さ
らに４００℃で２時間加熱し、イミド化を行った。イミ
ド化後のポリイミド層の厚みは２０μｍであった。この
ポリイミド層上に、合成例２のポリイミド接着剤樹脂の
ＮＭＰ溶液を、バーコータで流延塗布し、８０℃、１５
０℃、２３０℃で各々５分乾燥して、１２μｍの接着剤
層を形成した。得られた接着剤付きフレキシブル回路板
の１８μｍ銅箔をパターニングすることにより配線パタ
ーンを形成し、その配線パターン上にソルダーレジスト
（太陽インキ製造（株）製ＰＳＲ−９０００）をスクリ
ーン印刷で塗布後、パターニング、１５０℃で５０分硬
化して、ソルダーレジスト層を形成した。得られたイン
ターポーザーの線膨張係数は２０ｐｐｍであった。この
インターポーザーの接着剤面に図３に示す２００μｍ厚
の補強板（４２アロイ製、線膨張係数４．３ｐｐｍ）を
２９０℃で１分間プレスし、図４に示す補強板付きイン
ターポーザーを得た。プレス後は、インターポーザーに
うねり、たるみが観察されなかったが、半導体製造工程
中の加熱工程において、うねり、たるみが発生し、半導
体装置の製造困難になった。
【００１９】
【発明の効果】本発明の補強板付きインターポーザー及
びその製造方法によれば、接着剤付きフレキシブル回路
板上に複数個の半導体チップを格子状に搭載した状態で
製造される半導体装置の製造工程おいて、インターポー
ザーを補強板に貼り付ける工程を省略できるとともに、
半導体製造工程中の加熱処理によるインターポーザーの
変形を防止できる補強板付きインターポーザーを得るこ
とができる。
びその製造方法によれば、接着剤付きフレキシブル回路
板上に複数個の半導体チップを格子状に搭載した状態で
製造される半導体装置の製造工程おいて、インターポー
ザーを補強板に貼り付ける工程を省略できるとともに、
半導体製造工程中の加熱処理によるインターポーザーの
変形を防止できる補強板付きインターポーザーを得るこ
とができる。
【図１】本発明の補強板付きインターポーザー
【図２】Ａ−Ａ’断面図
【図３】従来例の補強板
【図４】補強板接着後の従来インターポーザー
【図５】Ｂ−Ｂ’断面図
１． 補強板 ２． インターポーザー ３． 接着層 ４． フレキシブル回路板 ５． ソルダーレジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 接着剤付きフレキシブル回路板上に複数
個の半導体チップを格子状に搭載した状態で製造される
半導体装置に使用されるインターポーザーにおいて、半
導体製造工程搬送用の補強板を半導体チップ群搭載部の
外周部に形成したことを特徴とする補強板付きインター
ポーザー。 - 【請求項２】 接着剤付きフレキシブル回路板と熱圧着
で張り合わせる半導体製造工程搬送用の補強板の金属箔
の線膨張係数が、インターポーザーの線膨張係数の５０
〜１５０％の範囲である請求項１記載の補強板付きイン
ターポーザー。 - 【請求項３】 接着剤付きフレキシブル回路板上に複数
個の半導体チップを格子状に搭載した状態で製造される
半導体装置に使用されるインターポーザーにおいて、接
着剤付きフレキシブル回路板と金属箔を熱圧着で張り合
わせたのち、この金属箔をエッチングすることにより、
半導体製造工程搬送用の補強板を半導体チップ群搭載部
の外周部に形成することを特徴とする補強板付きインタ
ーポーザーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11014931A JP2000216302A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | 補強板付きインタ―ポ―ザ―及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11014931A JP2000216302A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | 補強板付きインタ―ポ―ザ―及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216302A true JP2000216302A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11874724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11014931A Pending JP2000216302A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | 補強板付きインタ―ポ―ザ―及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000216302A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6816385B1 (en) | 2000-11-16 | 2004-11-09 | International Business Machines Corporation | Compliant laminate connector |
-
1999
- 1999-01-22 JP JP11014931A patent/JP2000216302A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6816385B1 (en) | 2000-11-16 | 2004-11-09 | International Business Machines Corporation | Compliant laminate connector |
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