JP2002285110A - 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】かつ反りを低減することができ、かつ打ち抜き
性に優れた半導体用接着剤付きテ−プおよび、それを用
いた銅張り積層板、ならびに半導体装置をを提供する。 【解決手段】有機絶縁性フィルム層とすくなくとも１層
以上の接着剤層の積層体から構成され、有機絶縁性フィ
ルム層の熱収縮が０．０４〜０．３％の範囲にあること
を特徴とする半導体用接着剤付きテープ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路を実
装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンデ
ィング（ＴＡＢ）方式のパターン加工テープ、ボールグ
リッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージ用インターポーザー
等の半導体接続用基板、ダイボンディング材、リードフ
レーム固定テープ、ＬＯＣテープ、多層基板の層間接着
シート、等のフィルム形状の接着剤を用いた半導体装置
を作成するために適した接着剤付きテープおよびそれを
用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）の実装には、金
属製のリードフレームを用いた方式がもっとも多く用い
られているが、近年ではガラスエポキシやポリイミド等
の有機絶縁性フィルム上にＩＣ接続用の導体パターンを
形成した接続用基板に実装する方式が増加している。代
表的なものとして、テープオートメーテッドボンディン
グ（ＴＡＢ）方式によるテープキャリアパッケージ（Ｔ
ＣＰ）が挙げられる。

【０００３】ＴＣＰの接続用基板（パターンテープ）に
はＴＡＢ用接着剤付きテープ（以下ＴＡＢ用テープと称
する）が使用されるのが一般的である。通常のＴＡＢ用
テープは、ポリイミドフィルム等の可撓性を有する有機
絶縁性フィルム上に、未硬化状態の接着剤層および保護
フィルム層として離型性を有するポリエステルフィルム
等を積層した３層構造より構成されている。

【０００４】ＴＡＢ用テープは、（１）スプロケットお
よびデバイス孔の穿孔、（２）銅箔との熱ラミネートお
よび接着剤の加熱硬化、（３）パターン形成（レジスト
塗布、エッチング、レジスト除去）、（４）スズまたは
金−メッキ処理などの加工工程を経て、接続用基板であ
るＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工される。図１
にパターンテープの形状を示す。図２に本発明のＴＣＰ
型半導体装置の一態様の断面図を示す。パターンテープ
のインナーリード部６を、半導体集積回路８の金バンプ
１０に熱圧着（インナーリードボンディング）し、半導
体集積回路を搭載する。次いで、封止樹脂９による樹脂
封止工程を経て半導体装置が作成される。最後に、ＴＣ
Ｐ型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とア
ウターリード７を介して接続され、電子機器への実装が
なされる。

【０００５】一方、近年の電子機器の小型・軽量化に伴
い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、パッケ
ージの裏面に接続端子を配列するＢＧＡ（ボールグリッ
ドアレイ）、ＣＳＰ（チップスケールパッケージ）が用
いられるようになってきた。

【０００６】ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＣＰと同様に、イン
ターポーザーと称する接続用基板が必須である。しか
し、ＩＣの接続方法において、従来のＴＣＰでは大半が
ＴＡＢ方式のギャングボンディングであるのに対し、Ｂ
ＧＡ、ＣＳＰではＴＡＢ方式およびワイヤーボンディン
グ方式のいずれかを、個々のパッケージの仕様、用途、
設計方針等により選択している点が異なっている。図３
および図４に本発明の半導体装置（ＢＧＡ，ＣＳＰ）の
一態様の断面図を示す。

【０００７】ここでいうインターポーザーは、前述のＴ
ＣＰのパターンテープと同様の機能を有するものなの
で、ＴＡＢ用接着剤付きテープを使用することができ
る。インナーリードを有する接続方式に有利であること
は当然であるが、半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイス
ホールを機械的に打ち抜いた後に銅箔をラミネートする
プロセスに特に適している。一方、ワイヤーボンディン
グにより接続するため、インナーリードが不要であった
り、銅箔ごと半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホー
ルを開けるプロセスでは、すでに銅箔を積層し、接着剤
を加熱硬化させた銅張り積層板を用いてもよい。

【０００８】上記のパッケージ形態において、ポリイミ
ド等の絶縁性フィルムの厚みは、機械的強度を持たせる
ため７５μｍ以上が一般的であったが、最近は薄くなる
傾向にある。これは、半田ボール孔径やビアホール孔径
が微細化し、打ち抜きやメッキ等の工程でに支障を来す
ためである。たとえば、機械強度とのバランスから５０
μｍが現実的とされる。しかしながら、７５μｍより薄
いフィルムでは剛性が低下し銅箔と貼り合わせた際に反
りを生じやすくなるという問題がある。

【０００９】これに対し、従来の接着剤付きテープでは
接着剤にシロキサン構造を導入し、柔軟性を持たせるこ
とで反りを回避する方法が検討されている（特開平１１
−３４５８４３号公報）。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の反り特
性において、従来の半導体用接着剤付きテープは必ずし
も十分とはいえない。上記したようにフィルムの厚みを
厚くすれば剛性によってそりは低下するが半田ボール用
の孔の打ち抜き性が悪化する。

【００１１】本発明はこのような問題点を解決し、そり
を低減し、かつ打ち抜き性を同時に達成し得る半導体用
接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半
導体接続用基板ならびに半導体装置を提供することを目
的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】すなわち，本発明は，有
機絶縁性フィルム層とすくなくとも１層の接着剤層の積
層体から構成され、有機絶縁性フィルム層の熱収縮が
０．０４〜０．３％の範囲にあることを特徴とする半導
体用接着剤付きテープである。

【００１３】

【発明の実施の形態】有機絶縁性フィルム層に接着剤層
を積層させた場合、各々の線膨張係数の差によって加工
温度から室温に温度を下げた場合そりが発生する。接着
剤層の線膨張係数が大きい場合そりを低減するために
は、有機絶縁フィルム層を収縮させる事が有効である。
接着材が線膨張係数の差によって収縮する応力と、絶縁
性フィルムが熱収縮する応力が釣り合うことによってそ
りが低減する。

【００１４】有機絶縁性フィルムは溶液状の高分子を平
面上に伸張することによって製造される。本発明による
熱収縮とはフィルム製造時に残存している応力が高温に
さらされることによって、緩和した時の寸法変化を指
す。

【００１５】本発明の半導体装置用接着剤付きテープに
用いられる有機絶縁性フィルム層は、熱収縮が０．０４
〜０．３％の範囲にあることが重要である。好ましくは
０．０４％〜０．２％である。０．０４％より小さい場
合そりの低減効果が少なく、０．３％を越えると寸法安
定性が悪化する。

【００１６】この物性を備えていれば特に材質は問わな
いが、たとえば、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェ
ニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテ
ルエーテルケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリ
アリレート、液晶ポリマー等のプラスチックあるいはエ
ポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなるフィ
ルムが例示され、これらから選ばれる複数のフィルムを
積層して用いても良い。中でもポリイミド樹脂を主成分
とするフィルムは機械、電気、耐熱、化学等の諸特性に
優れ、コスト的にもバランスがよく、好適である。本発
明における絶縁性フィルムは必要に応じて、加水分解、
コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コー
ティング処理等の表面処理をその片面または両面に施す
ことができる。

【００１７】有機絶縁性フィルムの膜厚は、打ち抜き性
の点で好ましくは１０〜６５μｍ、より好ましくは２５
〜５５μｍである。１０μｍより薄いと機械強度が低
く、パターン加工以降の工程で作業性が低下する。６５
μｍより厚いとであると半田ボール、ビアホールの微細
化に支障をきたす場合がある。

【００１８】有機絶縁性フィルムの線膨張係数は特に限
定されないが、そりが低減できる点で好ましくは１１ｐ
ｐｍ／℃以上がよい。

【００１９】本発明の接着剤層は特に限定しないが、耐
熱性の点で熱硬化性樹脂を少なくとも１種類以上含有す
ることが好ましい。通常、熱硬化性樹脂を含有した接着
剤層は半硬化状態で供され、銅箔ラミネート後に加熱、
加圧、電場、磁場、紫外線、放射線、超音波等から選ば
れる少なくとも１種以上のエネルギー印加により硬化、
架橋可能なものであり、化学構造は特に限定されない。
本発明では特に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミド樹脂、マレイミド樹脂から選ばれる少なくとも１
種類以上の熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。熱
硬化性樹脂の添加量は接着剤層の好ましくは１０〜８０
重量％、さらに好ましくは３０〜７５重量％である。

【００２０】エポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポ
キシ基を有するものであれば特に制限されないが、ビス
フェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、
ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェ
ノール、ジシクロペンタジエンジキシレノール等のジグ
リシジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、
エポキシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフ
ェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタ
ン、エポキシ化メタキシレンジアミン、脂環式エポキシ
等が挙げられる。

【００２１】フェノール樹脂としては、ノボラック型フ
ェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフ
ェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノ
ール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニル
フェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換
フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状
アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シア
ノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するも
の、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、
ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｓ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノ
ールからなる樹脂が挙げられる。

【００２２】ポリイミド樹脂としては、ピロメリット
酸、３．３’，４．４’−ビフェニルテトラカルボン
酸、３．３’，４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸などの芳香族テトラカルボン酸の二無水物と、４．
４’−ジアミノジフェニルエ−テル、４．４’−ジアミ
ノジフェニルスルホン、パラフェニレンジアミン、ジメ
チルベンジジン、３．３’−ジアミノベンゾフェノンな
どのジアミンの縮重合によって得られるポリアミック酸
をイミド化したものが挙げられる。

【００２３】マレイミド樹脂としては、２官能以上のも
のが好ましく、例えば、Ｎ，Ｎ’−（４，４’ジフェニ
ルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレン
ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイ
ミド、Ｎ，Ｎ’−２，４−トリレンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ’−２，６−トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’
−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン
ビスマレイミド等が例示される。

【００２４】本発明の接着剤層は、さらに熱可塑性樹脂
を含有させることができる。熱可塑性樹脂は軟化温度を
制御するのに有効であり、接着力、可撓性、熱応力の緩
和、低吸水性による絶縁性の向上等の機能を有する。熱
可塑性樹脂の添加量は接着剤層の、好ましくは２０〜９
０重量％、さらに好ましくは２５〜７０重量％である。
２０重量％を下回ると接着剤層の可とう性がなくなり割
れが生じる。９０重量％を越えると耐熱性が低下する。

【００２５】好ましい熱可塑性樹脂としては、アクリロ
ニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニ
トリル−ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ス
チレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、アク
リル、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステ
ルアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリウレタン等公知のものが例示される。また、こ
れらの熱可塑性樹脂はフェノール樹脂、エポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していても
よい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキ
シ基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基、ビニ
ル基、シラノール基等である。これらの官能基により熱
硬化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するの
で好ましい。中でも、銅箔との接着性、可撓性、絶縁性
の点からポリアミド樹脂が好ましく、種々のものが使用
できる。特に、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水
率のため絶縁性にすぐれる、炭素数が３６であるジカル
ボン酸（いわゆるダイマー酸）を必須成分として含むポ
リアミド樹脂が好適である。ダイマー酸を含むポリアミ
ド樹脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合に
より得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン
酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重
合成分として含有してもよい。ジアミンはエチレンジア
ミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン等の公知の
ものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から２種以上の混
合でもよい。本発明の接着剤層に硬化剤および硬化促進
剤を添加することは何等制限されない。たとえば、芳香
族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等
の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メ
チルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダ
ゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水ト
リメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェ
ニルフォスフィン、ジアザビシクロウンデセン等公知の
ものが使用できる。添加量は接着剤層１００重量部に対
して０．１〜１０重量部であると好ましい。

【００２６】以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。

【００２７】本発明においては硬化前の接着剤厚みは３
〜３００μｍの範囲にあることが好ましい。

【００２８】本発明の半導体装置用接着剤付きテープ
は、保護フィルム層を有していてもよい。保護フィルム
層とは、銅箔を熱ラミネートする前に接着剤面から半導
体用接着剤付きテープの形態を損なうことなく剥離でき
れば特に限定されないが、たとえばシリコーンあるいは
フッ素化合物のコーティング処理を施したポリエステル
フィルム、ポリオレフィンフィルム、およびこれらをラ
ミネートした紙が挙げられる。

【００２９】次に本発明の接着剤付きテープを用いた銅
張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置の製造
方法を例示して説明する。 （１）接着剤付きテープの製造方法例 本発明の要件を具備するポリイミド等の絶縁性フィルム
に接着剤組成物溶液をコーティング法により塗工、乾燥
した後所定の幅にスリットし、接着剤付きテープを得
る。また、離型性を付与したポリエステルフィルム等の
保護フィルム上に接着剤組成物溶液をコーティング法に
より塗工、乾燥した後、２９．７〜６０．６ｍｍの規格
幅にスリットした接着剤付きテープを、幅３５〜７０ｍ
ｍの規格幅の絶縁性フィルムの中央部に１００〜１６０
℃、１０Ｎ／ｃｍ、５ｍ／ｍｉｎの条件で熱ロールラミ
ネートする方法でＴＡＢ用接着剤付きテープ形状として
用いても良い。

【００３０】（２）銅張り積層板の製造方法例 （１）の接着剤付きテープサンプルに３〜３５μｍの電
解または圧延銅箔を、１１０〜１８０℃、３０Ｎ／ｃ
ｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートする。必要に応じ
てエアオーブン中で、８０〜３００℃、１〜２４時間段
階的加熱硬化処理を行ない、銅張り積層板を作成する。
この際に、銅箔張り合わせ前に接着剤付きテープサン
プルにデバイス孔およびハンダボール孔を穿孔しても良
い。

【００３１】（３）半導体接続用基板の製造方法例 （２）で得られた銅張り積層板銅箔の銅箔面に常法によ
りフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、
電解金メッキ、ソルダーレジスト膜形成を行ない、半導
体接続用基板（パターン加工テープ）を作成する（図
１）。

【００３２】（４）半導体装置の製造方法例 まず、（３）のパターン加工テープ上にエポキシ系のダ
イボンド材を用いて半導体集積回路（ＩＣ）を接着す
る。さらに、１１０〜２５０℃、３秒で反対面にダイボ
ンディングし、必要に応じてダイボンド材を硬化させ
る。次に、１１０〜２００℃、６０〜１１０ｋＨｚの条
件でワイヤーボンディング接続する。最後にエポキシ系
封止樹脂による封止、ハンダボール接続工程を経てＦＰ
−ＢＧＡ方式の半導体装置を得る（図２）。また、ダイ
ボンド材として本発明の要件を具備するポリイミド等の
絶縁性フィルムの両面に１０〜１００μｍの接着剤層を
有する接着剤付きテープを用いても良い。この場合、パ
ターン加工テープ上への圧着およびＩＣの圧着は、８０
〜２００℃、０．５〜５秒程度が好ましい。また、圧着
後必要に応じて８０〜３００℃、１〜２４時間段階的加
熱硬化処理を行ない、接着剤を硬化させる。

【００３３】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００３４】参考例１（有機絶縁性フィルムの合成） Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを溶媒として、３．
３’，４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
とｐ−フェニレンジアミンを等モル比ずつ加え、約１０
時間反応させポリアミック酸溶液を得た。この溶液をガ
ラス板上に流延塗布して塗膜を形成した後、その表面に
１３０℃の熱風を６０分間供給して乾燥、剥離して自己
保持性を有する有機絶縁性フィルムを作成した。

【００３５】このフィルムを支持枠に所定のテンション
で固定し、２００℃〜４５０℃の熱処理を適宜行い、表
１に示す特性のポリイミドフィルムIII〜VIを得た。特
性は以下の方法で測定した。

【００３６】熱収縮：ＡＳＴＭ Ｄ１２０４に準じた方
法で測定した。２３±２℃、５５±１０％ＲＨの状態に
２４時間放置した後、０．００１ｍｍまで評点間の長さ
を測定した。次に２００±５℃で２時間加熱し、２３±
２℃、５５±１０％ＲＨの状態に２４時間放置した後、
加熱前と同じ評点間の長さを測定した。測定した長さを
下記式１で熱収縮を求めた。

【００３７】 熱収縮（％）＝（Ｌ１−Ｌ２）／Ｌ１×１００ ・・・（１） Ｌ１：加熱前の評点間の長さ Ｌ２：加熱後の評点間の長さ。

【００３８】線膨張係数：ＴＭＡ（TheramoMechanical
Analysis:熱機械分析）引っ張り加重法によって測定し
た。加重２ｇ、昇温速度２０℃／ｍｉｎで２００℃まで
測定した。測定したデータの２５℃から１６０℃の平均
の線膨張係数を求めた。

【００３９】参考例２（ポリアミド樹脂の合成） 酸成分としてダイマ−酸（ユニケマ社製、ＰＲＩＰＯＬ
１００９）およびアジピン酸、アミン成分としてヘキサ
メチレンジアミンを所定のモル比で用い、これらの酸／
アミン反応物、消泡剤および１％以下のリン酸触媒を加
えポリアミド反応体を調整した。この反応体を２０５℃
で熱重合させ、定法に従い、酸化防止剤を添加した後、
ポリアミド樹脂を取り出した。酸／アミン成分比、重合
時間を適宜調整し、ポリアミド樹脂を得た。

【００４０】 ポリアミド樹脂 酸価 １ 重量平均分子量１００，０００。

【００４１】評価方法 （１）評価用サンプル作成方法 （ａ）接着剤付きテ−プの作成 参考例２で作成したポリアミド樹脂 ４０部、ジシクロ
ペンタジエンエポキシ樹脂（東都化成（株）製、”エポ
ト−ト”ＺＸ−１２５７、エポキシ等量２５７）２０
部、ＢｉｓＡフェノールレゾ−ル樹脂（群栄化学（株）
製、ＰＬ６２２２）４０部を配合し、濃度２０重量％と
なるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に
３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。

【００４２】この接着剤溶液をバーコータで、保護フィ
ルムである厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム（東レ（株）製”ルミラー”）に約１２μｍの
乾燥厚さとなるように塗布し，１００℃、１分および１
６０℃で５分間の乾燥を行ない、接着剤シートを作成し
た。

【００４３】さらに、得られた接着剤シートを表１に示
したポリイミドフィルムに１２０℃、１ｋｇ／ｃｍ²の
条件でラミネートして接着剤付きテープを作成した。

【００４４】（ｂ）評価用半導体接続用基板（パターン
加工テープ）の作成 （ａ）の接着剤付きテープサンプルを保護フィルムの上
から直径０．３ｍｍの半田ボール用の孔を金型で打ち抜
いた。孔を開けた接着剤付きテープサンプルに１８μｍ
の電解銅箔を、１４０℃、３０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎ
の条件でラミネートした。接着剤付きテープサンプルを
３５ｍｍ×３５ｍｍに切断し、続いてエアオーブン中
で、所定条件で加熱硬化処理を行ない、銅箔付きの半導
体用接着剤付きテープを作成した。

【００４５】（２）反り評価方法 得られたサンプルの反りの測定は、ＳＥＭＩ−Ｇ７６−
０２９９に準じて２３℃、５５％ＲＨで２４時間調湿し
た後行い、サンプルの一辺を押さえて反り上がったサン
プルの反対側の高さをノギスで測定し、反り量とした
（銅箔が上側に反る場合をプラスとし、反対側に反った
場合をマイナスとした）。

【００４６】（３）打ち抜き性（パンチング性） （１）ｂ項で直径０．３ｍｍの半田ボール用の孔を金型
によって打ち抜いて形成した。その孔１００００個のバ
リ、カケ等を光学顕微鏡で検査した。バリ、カケの発生
率が０．３％以上になると工程不良とした。

【００４７】表２に実施例および比較例の結果を示し
た。

【００４８】

【表１】

【００４９】

【表２】

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、反りを低減することが
でき、さらに打ち抜き性に優れた半導体用接着剤付きテ
−プおよび、それを用いた銅張り積層板、ならびに半導
体装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを加工
して得られた、半導体集積回路搭載前の半導体接続用基
板（パターン加工テープ）の一態様の斜視図。

【図２】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用い
た半導体装置（ＴＣＰ）の一態様の断面図。

【図３】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用い
た半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。

【図４】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用い
た半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。

【符号の説明】 １，２３ 可とう性を有する絶縁性フィルム ２，１２，２５ 接着剤 ３ スプロケット孔 ４ デバイス孔 ５ 半導体集積回路接続用の導体 ６，１４，２２ インナーリード部 ７ アウターリード部 ８，１５，２１ 半導体集積回路 ９，１６，２４ 封止樹脂 １０，１７ 金バンプ １１ 保護膜 １３，１９ 補強板 １８，２６ ハンダボール １５，２７ ソルダーレジスト ２０ ダイアタッチ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１Ｗ Ｆターム(参考） 4J004 AA12 AA13 AA16 AB04 AB05 AB06 AB07 CA03 CA06 CC02 DB01 DB02 FA05 FA08 4J040 EB031 EB071 EB101 EC041 EC051 EC061 EC071 EH021 JB07 LA08 NA20 5F044 MM03 MM06 MM11

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】有機絶縁性フィルム層とすくなくとも１層
   の接着剤層の積層体から構成され、有機絶縁性フィルム
   層の熱収縮が０．０４〜０．３％の範囲にあることを特
   徴とする半導体用接着剤付きテープ。
2. 【請求項２】有機絶縁性フィルム層の厚みが１０μｍ以
   上６５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の
   半導体用接着剤付きテープ。
3. 【請求項３】有機絶縁性フィルム層の線膨張係数が１１
   ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とする請求項１または
   請求項２記載の半導体用接着剤付きテープ。
4. 【請求項４】接着剤層がエポキシ樹脂、フェノール樹
   脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂から選ばれる少な
   くとも１種類以上の熱硬化性樹脂を含有することを特徴
   とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれか記載の半導体装置
   用接着剤付きテープを用いたことを特徴とする銅張り積
   層板。
6. 【請求項６】請求項１〜４のいずれか記載の半導体装置
   用接着剤付きテープを用いたことを特徴とする半導体接
   続用基板。
7. 【請求項７】請求項５または６記載の銅張り積層板また
   は半導体接続用基板を用いたことを特徴とする半導体装
   置。