JP2004142183A - ポリイミド金属箔積層板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ポリイミド層と金属箔が積層されたポリイミド金属箔積層板であって、該金属箔に用いる金属が電解メッキおよび/または、無電解メッキ法により形成されたものであり、更に、該金属箔の表面が両面共に粗化処理を施していないものであって、金属箔の表面の10点平均粗さ(Rz)が、ポリイミド層に接する面において1.0μm未満、且つその裏面が2.0μm以下であるポリイミド金属箔積層板。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はフレキシブル配線基板等に広く使用されている、ポリイミド金属箔積層板に関するものである。詳しくは、金属箔のエッチング特性が良好であり、かつ、回路形成後の自動外観検査工程での回路認識性の優れる、高密度回路基板材料に適する金属箔積層板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、ポリイミド金属箔積層板は主に回路基板材料として使用されてきた。特に近年の電子機器の小型、携帯化に伴い、部品、素子の高密度実装が可能な、ポリイミド金属箔積層板の利用が増大している。更に、高密度化に対応するため、配線幅が10〜40μmとなる微細パターンの加工に適するポリイミド金属箔積層板が望まれていた。
【0003】
従来、こうした微細加工に用いられるポリイミド金属箔積層板には大きく3つの製法の異なる積層体が市販されている。一つは、スパッタ法と呼ばれる、ポリイミドの表面にスパッタリングにより数〜数百オングストローム程の薄い金属膜を形成後、所望の厚さに金属を無電解および/または電解メッキ法により形成させるポリイミド金属箔積層板である。しかしながら、該製法は、真空設備を用いるため製造コストが高く、また、ピンホールと呼ばれる金属層に微小な穴が点在するため、回路の電気抵抗信頼性が劣るといった微細回路形成において致命的な欠陥を有している。
【0004】
このような問題を克服する為に、ピンホールの無い金属箔を用いる方法として、キャスト法、ラミネート法と呼ばれる製法がある。しかしながらこれらの製法で従来用いられている金属箔は、その金属箔が鋳造によって得られた金属のインゴットと呼ばれる塊を圧延により箔状に形成せしめる、いわゆる圧延銅箔である場合、インゴット中に微量の酸素が混入する為、圧延後の金属箔中に電気的に絶縁物である酸化金属が点在してしまい、回路の電気抵抗信頼性が劣るといった致命的な欠陥を有している為、微細回路用途において不向きであり使用できない。
【0005】
一方、電解および/または無電解メッキにより形成された金属箔の場合、殆ど酸素を含まない為、電気抵抗信頼性は高いが、これまではポリイミド面側の金属箔表面には、粗化処理と呼ばれる、ポリイミドとの密着力を高める目的の処理を施したものが用いられるため、例えば粗化後の表面粗度がRzで2.0μm程度以上あるような場合にはエッチングの際に、粗化粒子がエッチングされずにポリイミド上に残り、回路間でショートを引き起こす不具合が発生しやすく、微細な回路パターンを形成する高密度基板材料としては必ずしも満足できるものではなかった。(特許文献1参照)。従って、上記課題を解決することが望まれていた。
【0006】
【特許文献1】
特開昭63−89698号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記の問題に鑑み、金属箔のエッチング特性が良好で、信頼性の高い微細配線パターンを形成でき、かつ、回路の自動外観検査ができる高密度回路基板材料に適するポリイミド金属箔積層板を提供することにある。
【0008】
【問題を解決するための手段】
本発明者らは前述問題を克服する為に、ポリイミド面側に積層される金属箔表面に粗化処理を施さない箔の使用を考えたが、ポリイミドの密着力が不足したり、ポリイミドと接しない表面の粗度がRzで3μm程度有る為、エッチング工程できれいな直線状の回路形状が得られない等の問題があった。
【0009】
さらに、ポリイミド面側の金属箔表面が粗化処理を行わない箔の場合でも、その粗度がRzで1.0μm以上である場合、ポリイミドとの積層時に金属層の粗度がポリイミド層側に転写し、回路形成後にポリイミド層を介して回路の検査を行う際、転写した凹凸の為に、回路像が歪んで見えたり、光の乱反射のために、認識が劣るなどの不具合が生じることがわかった。
【0010】
そこで、更に検討した結果、ポリイミド層と金属箔が積層されたポリイミド金属箔積層板であって、該金属箔に用いる金属が電解メッキおよび/または、無電解メッキ法により形成されたものであり、更に、該金属箔の表面が両面共に粗化処理を施していないものであって、金属箔の表面の10点平均粗さ(Rz)が、それぞれ特定の値であるものが上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。
【0011】
即ち、本発明は、ポリイミド層と金属箔が積層されたポリイミド金属箔積層板であって、該金属箔に用いる金属が電解メッキおよび/または、無電解メッキ法により形成されたものであり、更に、該金属箔の表面が両面共に粗化処理を施していないものであって、金属箔の表面の10点平均粗さ(Rz)が、ポリイミド層に接する面において1.0μm未満、且つその裏面が2.0μm以下であることを特徴とするポリイミド金属箔積層板に関するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳しく説明する。
本発明のポリイミド金属箔積層板は、ポリイミド層と金属箔が積層された金属箔積層板であって、該金属箔に用いる金属が電解メッキおよび/または、無電解メッキ法により形成されたものである。
【0013】
電解メッキおよび/または無電解メッキ法とは、具体的には、特開2002−246712号公報、特開平09−143785号公報、特開2001−295079号公報、特開2000−141542号公報等に記載されているような方法であり、特に限定されないが、例として電解メッキ法による銅箔の場合には、硫酸銅水溶液の電解液を、陽極とこれに対向して設けられた例えばチタン製の陰極回転ドラムの隙間に満たし、これら電極に通電することにより陰極回転ドラムの上に銅を析出させ、これを連続的に巻取ることにより製造する方法等が挙げられる。このとき得られる銅箔表面粗度を小さくする目的で電流密度や液温を最適化したり、陰極ドラム表面粗度を小さくしたり、電解液中に平滑化を目的とした添加剤等を加えることが好ましい。更に好ましくは、巻き取った後の箔を、圧延により表面凹凸をつぶしたり、砥石やバフによる機械研磨や、硝酸や硫酸、過酸化水素水等の薬液を使用する化学研磨により平滑化することが望ましい。
【0014】
本発明に用いる金属箔は、両面共、粗化処理をしていないものである。粗化処理とは、具体的には、酸やアルカリによる化学的粗化やサンドブラストなどによる機械的粗化の他に、3μm程度未満の粒子、及び/または、1μm未満の微細粒子を金属箔表面に付着させる方法等である。
【0015】
この粒子を付着させる方法は、具体例としては、Cu、NiやCu−Ni合金、Cu−Co合金、Cu−Fe合金、Cu−Cr合金などの粒子及び/またはその酸化物が一般的に用いられる。ここで化学的、機械的な粗化の場合は、目的とする樹脂との密着力向上があまり期待できない為、もっぱら粒子を付着させる粗化処理が現在広く用いられている。この方法では樹脂との密着力は向上するが、本発明においては粗化処理を施すことにより、その微細な凹凸形状がポリイミドとの積層後にポリイミド面に転写することにより、回路形成後にポリイミド層を介して回路の検査を行う際、転写した凹凸の為に、回路像が歪んで見えたり、光の乱反射のために、認識が劣るなどの不具合が生じることを見出し、該粗化処理自体が好ましくないことをつきとめたことにより、本発明においてはこれらの処理をおこなわないものを使用する。
【0016】
本発明に用いる金属箔は両面共に如何なる粗化処理も施されていないものであって、その表面の10点平均粗さ(Rz)が、ポリイミド層に接する面において1.0μm未満、好ましくは0.8μm以下、更に好ましくは0.6μm以下であり、その裏面が2.0μm以下、好ましくは1.5μm以下、更に好ましくは1.0μm以下であることが望まれる。
【0017】
表面の10点平均粗さ(Rz)は、JIS B−0601に規定される方法であり、カットオフ値0.25mm、測定長さ2.5mmとし、金属箔の幅方向に向かって測定を行う。
【0018】
金属箔の金属種は特に限定はないが、好ましくは銅および/または、ニッケル、亜鉛、鉄、クロム、コバルト、モリブテン、タングステン、バナジウム、ベリリウム、チタン、スズ、マンガン、アルミニウム、燐、珪素等のうち、少なくとも1種以上の成分と銅を含む銅合金であり、これらは回路加工上好まれて使用される。
【0019】
特に望ましい金属箔としては電解メッキ法によって形成された電解銅箔であり、その好ましい厚さは3〜150μm、更に好ましくは3〜35μm、より好ましくは3〜12μmである。
【0020】
その銅箔のポリイミド層に接する面の表面に、ニッケルが0.05〜1.0mg/dm2、好ましくは0.1〜0.4mg/dm2、亜鉛が0.2mg/dm2以下、好ましくは0 mg/dm2以上0.1mg/dm2以下、より好ましくは0mg/dm2以上0.05mg/dm2以下、クロムが0.2mg/dm2以下、好ましくは0 mg/dm2以上0.1mg/dm2以下、珪素が0.2mg/dm2以下、好ましくは0 mg/dm2以上0.1mg/dm2以下それぞれ付着していることが、回路の信頼性の面で望ましい。また、ポリイミド層に接しない面にも、ニッケルや亜鉛メッキ、更にクロメート処理が施されていることが好ましい。
【0021】
ここで珪素はポリイミドとの密着を高める目的で施されるシランカップリング剤由来のものである。このシランカップリング剤は、金属箔表面処理の最表層にアルコールや水に溶解させたものを均一に塗布し、その後50−150℃程度で乾燥し形成させることが一般的で、その種類も、ビニルトリメトキシシランなどのビニルシラン系、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランなどのエポキシシラン系、γ−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノシラン系などが代表的であるが、これに限定されるものではない。
【0022】
また、ポリイミド層は1層または、異なる成分からなるポリイミドによる多層であってもよく、その総厚さは5〜100μm、好ましくは10〜50μmであることが好ましい。
【0023】
ポリイミド層として熱可塑性ポリイミド1層ではその後の加工時に、温度が熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移温度以上になるような場合、耐熱性が問題になることがあるため、非熱可塑性ポリイミドとの組み合わせによる多層構造にすることが適している。さらに、カールの面でも多層にすることが好ましい。
【0024】
ポリイミド層が異なる成分からなる多層である場合の例として、非熱可塑性ポリイミド層/熱可塑性ポリイミド層/金属箔等が挙げられ、非熱可塑性ポリイミド層が必要に応じて更に積層されても構わない。
【0025】
金属箔に直接接している面のポリイミド層は、熱可塑性ポリイミドであることが好ましい。その場合の好ましい例しては、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル及び、3,3’−ジアミノベンゾフェノンからなる群から選ばれた少なくとも一種のジアミンと、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物からなる群から選ばれた少なくとも一種もテトラカルボン酸二無水物から合成された熱可塑性ポリイミドであり、更にこの樹脂を60wt%以上含むことがより好ましい。
その厚みは、好ましくは0.5〜10μm、より好ましくは1〜5μmであり、耐熱性や金属箔との密着力を高める上で好ましい。
【0026】
非熱可塑ポリイミド層として使用する非熱可塑ポリイミドとしては、特定のジアミンと特定のテトラカルボン酸二無水物から合成されるものが利用できる。ここで特定のジアミンとして、o−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル等が挙げられる。これらは、単独または2種類以上使用しても良い。また、前記のアミン化合物を併用する場合、特定のジアミン成分の使用量は、少なくとも70モル%以上、好ましくは80モル%以上である。
【0027】
特定のテトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’―ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸等が挙げられる。これらは、単独または、二種類以上使用してもよい。
【0028】
また、非熱可塑性ポリイミドとして市販の非熱可塑性ポリイミドフィルムも使用できる。使用可能な例としては、例えば、ユーピレックスS、ユーピレックスSGA、ユーピレックスSN(宇部興産株式会社製、商品名)、カプトンH、カプトンV、カプトンEN、E(東レ・デュポン株式会社製、商品名)、アピカルAH、アピカルNPI、アピカルHP(鐘淵化学工業株式会社製、商品名)等が挙げられ、フィラーやその凝集物が少なく、光透過性の高いものを選択することが好ましい。
【0029】
ポリイミドには密着力を高める目的でその表面をプラズマ処理、コロナ放電処理等を施してもよい。
また、適宜、金属箔がポリイミドの片側、又は、両側に積層することができる。
【0030】
ポリイミド金属箔積層体の製造方法としては、ポリイミドと金属箔が、加熱圧着により積層される、いわゆるラミネート方式か、または、ポリイミドの前駆体ワニスを金属箔に塗布乾燥して積層される、キャスト方式か、さらにそれらを組み合わせることで積層させるか、それらいずれかを適宜選択できる。
【0031】
ここで、ラミネート方法としては、加熱プレス法及び/又は連続ラミネート法が挙げられる。加熱プレス法としては、例えば、プレス機の所定のサイズに切りだした金属箔とポリイミドとを重ね合わせを行ない加熱プレスにより熱圧着することにより製造できる。加熱温度としては、150〜600℃の温度範囲が望ましい。加圧力としては、制限は無いが、好ましくは0.1〜500kg/cm2で製造できる。加圧時間としては、特に制限はない。
【0032】
連続ラミネート法としては、特に制限は無いが、例えば、ロールとロール間に挟み込み、張り合わせを行なう方法がある。このロールは金属ロール、ゴムロール等が利用できる。材質に制限はないが、金属ロールとしては、鋼材やステンレス材料が使用される。表面にクロムメッキ等が処理されたロールを使用することが好ましい。ゴムロールとしては、金属ロールの表面に耐熱性のあるシリコンゴム、フッ素系のゴムを使用することが好ましい。ラミネート温度としては、100〜300℃の温度範囲が好ましい。加熱方式は、伝導加熱方式の他、遠赤外等の輻射加熱方式、誘導加熱方式等も利用できる。
【0033】
また、ベルトラミネートと呼ばれる、上下2本の金属ロールを1組とし、それを1組以上直列に配置した上下ロール間に上下2つのシームレスのステンレスベルトを間に配置させ、そのベルトを金属ロールにより加圧し、更に、金属ロールやその他熱源により加熱させることで連続ラミネートしても良い。
【0034】
加熱プレス法及び/又は連続ラミネート後、加熱アニールすることも好ましい。加熱装置として、通常の加熱炉、オートクレーブ等が利用できる。加熱雰囲気として、空気、イナートガス(窒素、アルゴン)等が利用できる。加熱方法としては、フィルムを連続的に加熱する方法またはフィルムをコアに巻いた状態で加熱炉に放置する方法のどちらの方法も好ましい。加熱方式としては、伝導加熱方式、輻射加熱方式、及び、これらの併用方式等が好ましい。加熱温度は、200〜600℃の温度範囲が好ましい。加熱時間は、0.05〜5000分の時間範囲が好ましい。
【0035】
キャスト方法としては、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液(以下、これらを総称してワニスという)を直接塗布・乾燥することにより製造することが出来る。ワニスは、前記の特定のジアミンとテトラカルボン酸二無水物を溶媒中で重合して得られた溶液である。
【0036】
直接塗布する方法としては、ダイコーター、コンマコーター、ロールコーター、グラビアコーター、カーテンコーター、スプレーコーター等の公知の方法が採用できる。塗布する厚み、ワニスの粘度等に応じて適宜利用できる。
【0037】
塗布したワニスを乾燥・キュアする方法は、通常の加熱乾燥炉が利用できる。乾燥炉の雰囲気としては、空気、イナートガス(窒素、アルゴン)等が利用できる。乾燥の温度としては、溶媒の沸点により適宜選択するが、60〜600℃の温度範囲が好適に利用される。乾燥の時間は、厚み、濃度、溶媒の種類により適宜選択するが0.05〜500分程度で行なうのが望ましい。
【0038】
本発明により提供されるポリイミド金属箔積層板は、金属箔のエッチング特性が優れ、また、金属箔と熱可塑性ポリイミド層のピール強度が強いことから、エッチング、穴あけ、メッキ等の加工を行ない10〜40μmの微細加工を形成しても、電気的信頼性に優れ、且つ、ポリイミドとの密着が強く剥がれ等の問題の無い電子部品として高密度実装加工が可能となる。また、回路形成後に自動外観検査ができる。
【0039】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
エッチング特性は、回路の加工後の形状を指標とした。また、自動外観検査の際の回路認識性は、ポリイミドの可視光透過率を指標とした。尚、実施例に示した加工形状、金属箔の表面の粗度、金属箔とポリイミド層とのピール強度、ポリイミドの可視光透過率は、下記の方法により測定した。
【0040】
(1)加工形状
金属回路のポリイミド側の幅を、回路のボトム幅(WB)とし、ポリイミド側でない金属回路の幅を回路のトップ幅(WT)とし、WTの最小値WT(min)と最大値WT(max)と平均値WT(ave)より、式1(数1)により算出する。それぞれの値は、金属回路の断面を1250倍の光学顕微鏡で観察し、測定する。
【0041】
【数1】
【0042】
(2)10点平均粗さ(Rz)
表面粗度計(小坂研究所製、形式:サーフコーダーSE−30D)を用いて、JIS B−0601に規定される方法に従い、カットオフ値0.25mm、測定長さ2.5mmとし、金属箔の幅方向に向かって測定を行う。
【0043】
(3)ピール強度(kN/m)
長さ50mm、幅2mmの導体を、金属箔をエッチングすることにより形成し、JIS C−6471に規定される方法に従い、短辺の端から金属導体側をポリイミド層から剥離し、その応力を測定する。剥離角度を90°、剥離速度を50mm/minとした。
【0044】
(4)可視光透過率
Jasco社製紫外・可視分光計DS−570で測定を行なった。透過法を用い、金属箔とポリイミドを積層後、金属箔を完全にエッチングにより除去したポリイミドフィルムを測定し、600nmの波長における透過率を求めた。
【0045】
また、実施例に用いた溶剤、酸二無水物、ジアミンの略称は以下の通りである。
DMAc:N,N−ジメチルアセトアミド
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
PPD:p−フェニレンジアミン
ODA:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
m−BP:4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル
APB:1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン
BPDA:3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BTDA:3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
DABP:3,3’−ジアミノベンゾフェノン
【0046】
合成例1
撹拌機及び窒素導入管を備えた容器に、溶媒としてDMAc1718.6gを加え、これにAPB146.2gを加え、溶解するまで室温にて撹拌を行った。その後、BTDA157.1gを加え、60℃において撹拌を行い、ポリアミック酸溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液はポリアミック酸の含有率が15重量%であり、25℃でのE型粘度は500cpsであった。
【0047】
合成例2
撹拌機及び窒素導入管を備えた容器に、溶媒としてDMAc846.9gとNMP362.9gを加え、これにPPD16.2g(30mol%)、及び、ODA49.1g(49mol%)を加え、撹拌しながら50〜60℃に加熱して溶解させた。その後、氷で約30℃になるまで冷却した後、BPDA25.1gを加え60℃に加熱し約2時間撹拌を行った。さらに、m−BP38.7g(21mol%)を加え60℃に温度を保ちながら撹拌を行った。最後にPMDA84.4gを加え60℃で2時間撹拌を行い、ポリアミック酸溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液はポリアミック酸の含有率が15重量%であり、25℃でのE型粘度は400cpsであった。
【0048】
合成例3
撹拌機及び窒素導入管を備えた容器に、溶媒としてDMAc1491gを加え、これにDABP106.2gを加えて溶解するまで室温にて撹拌を行った。その後、BTDA157.1gを4回に別けて加え、60℃において撹拌を行ってポリアミック酸溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液はポリアミック酸の含有率が15重量%であり、25℃でのE型粘は300cpsであった。
【0049】
合成例4
撹拌機及び窒素導入管を備えた容器に、溶媒としてNMP877.3gを加え、これにm−BP92.1gを加えて溶解するまで室温にて撹拌を行った。その後、PMDA26.7gとBPDA36.0gを加え、60℃において撹拌を行ってポリアミック酸溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液はポリアミック酸の含有率が15重量%であり、25℃でのE型粘は550cpsであった。
【0050】
実施例1
市販のポリイミド樹脂フィルム(東レ・デュポン(株)製、商品名:カプトン150EN)を用い、第一面に合成例1のポリアミック酸溶液(以下ワニスと呼ぶ)をロールコーターにより乾燥後の厚さで2μmになるように塗布し、150℃2分乾燥後、第二面に合成例2のワニスをロールコーターにより乾燥後の厚さで2μmになるように塗布し、70℃5分、110℃5分乾燥後、140℃2分、180℃5分、265℃2分、エアーフロート方式の乾燥炉にて乾燥を行い、第一面が熱可塑性ポリイミド樹脂層、第二面が非熱可塑性ポリイミド樹脂層であるポリイミドの絶縁フィルム1を得た。その後、電解銅箔2(厚さ9μm、ポリイミド積層面Rz:0.9μm、裏面Rz:1.5μm)に、シリコンゴムで覆われたロールラミネーターにより240℃で圧力1.5MPaの条件で、金属箔と絶縁フィルムを金属箔側に熱可塑性ポリイミド層が接するように張り合わせ、その後、バッチ式のオートクレーブにて温度300℃4時間窒素雰囲気下でアニールを行い、ポリイミド金属積層体を得た。
得られた、ポリイミド金属箔積層体を評価した結果、WT(ave)が25μmで加工形状は8%で回路幅にばらつきが少なく、ピール強度は0.80kN/m、光透過率は54%であった。
【0051】
実施例2
表1に示すように金属箔の表面粗度(ポリイミド積層面Rz:0.5μm、裏面Rz:0.6μm)が異なる以外は実施例1と同様にしてポリイミド金属積層体を得た。
得られた、ポリイミド金属箔積層体を評価した結果、WT(ave)が25μmで加工形状は4%で回路幅にばらつきが少なく、ピール強度は0.80kN/m、光透過率は58%であった。
【0052】
実施例3
合成例1のポリイミドに代えて合成例3のポリイミドを用いた以外は実施例1と同様にして絶縁フィルムを得た。
その後、実施例2と同様の金属箔に、金属箔と絶縁フィルムを金属箔側に熱可塑性ポリイミド層が接するように重ね合わせ、150℃で10分加熱後、0.2mmステンレス板に挟み、更に、クッション材と1.5mmのステンレス鏡面板で挟み、300℃、2MPaの圧力で1時間プレスを行い、ポリイミド金属積層体を得た。
得られた、ポリイミド金属箔積層体を評価した結果、W T(ave)が25μmで加工形状は4%で回路幅にばらつきが少なく、ピール強度は1.0kN/m、光透過率は58%であった。
【0053】
実施例4
合成例3のポリイミドに代えて、合成例4のポリイミドを用いた以外は実施例3と同様にしてポリイミド金属積層体を得た。
得られた、ポリイミド金属箔積層体を評価した結果、WT(ave)が25μmで加工形状は4%で回路幅にばらつきが少なく、ピール強度は0.90kN/m、光透過率は58%であった。
【0054】
比較例1
表1に示すように金属箔の表面粗度(ポリイミド積層面Rz:1.5μm、裏面Rz:1.5μm)が異なる以外は実施例1と同様にしてポリイミド金属箔積層体を得た。
得られた、ポリイミド金属箔積層体を評価した結果、WT(ave)が25μmで加工形状は10%で回路幅にばらつきが有り、ピール強度は0.80kN/m、光透過率は42%で、回路認識性が劣る結果であった。
【0055】
比較例2
表1に示すように金属箔の表面粗度(ポリイミド積層面Rz:0.5μm、裏面Rz:3.5μm)が異なる以外は実施例1と同様にしてポリイミド金属箔積層体を得た。
得られた、ポリイミド金属箔積層体を評価した結果、WT(ave)が25μmで加工形状は15%で回路幅のばらつきが大きく、ピール強度は0.80kN/m、光透過率は58%であった。
【0056】
【表1】
【0057】
【発明の効果】
本発明のポリイミド金属箔積層板は、金属箔のポリイミドと接していない面の粗度が小さいことから、エッチング後の加工形状のばらつきが小さく、より微細回路に適しており、また、ポリイミド側の金属箔表面には一切粗化処理を施しておらず、且つ、粗度も小さいことから、金属箔エッチング後のポリイミドが光透過率に優れ、自動外観検査が可能で、更には、熱可塑性ポリイミドと最適な金属箔表面処理を選択していることから、高い密着力が得られるため、高密度配線を必要とする、フレキシブルプリント配線板、ICパッケージ、LCD配線板等の配線基材として有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わるフレキシブル金属積層体の概略断面図である。
【図2】加工形状を計測するための金属回路のポリイミドである。
【符号の説明】
1.ポリイミド層
2.金属箔
Claims (3)
- ポリイミド層と金属箔が積層されたポリイミド金属箔積層板であって、該金属箔に用いる金属が電解メッキおよび/または、無電解メッキ法により形成されたものであり、更に、該金属箔の表面が両面共に粗化処理を施していないものであって、金属箔の表面の10点平均粗さ(Rz)が、ポリイミド層に接する面において1.0μm未満、且つその裏面が2.0μm以下であることを特徴とするポリイミド金属箔積層板。
- 金属箔の厚さが3〜150μmの銅箔であり、ポリイミド層に接する面の表面に、ニッケルが0.05〜1.0mg/dm2、亜鉛が0.2mg/dm2以下、クロムが0.2mg/dm2以下、珪素が0.2mg/dm2以下付着していることを特徴とする請求項1記載のポリイミド金属箔積層板。
- 金属箔に直接接している面のポリイミド層が、熱可塑性ポリイミドであって、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル及び、3,3’−ジアミノベンゾフェノンからなる群から選ばれた少なくとも一種のジアミンと、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物からなる群から選ばれた少なくとも一種のテトラカルボン酸二無水物から合成された熱可塑性ポリイミド樹脂であり、その厚みが0.5〜10μmであることを特徴とする請求項1記載のポリイミド金属箔積層板。
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