JP2002246712A - ファインパターン用電解銅箔 - Google Patents
ファインパターン用電解銅箔Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 引き剥がし強さを低下させることなく、高い
エッチングファクターを持ち、回路パターン上部の直線
性に優れ、なおかつ回路パターンの根本に銅粒子が残る
ことなく、ファインパターンを達成できる銅箔を提供す
る。 【解決手段】 ファインパターン用電解銅箔であって、
平均粒径２μm以下の結晶粒が全面に渡り表出している
電解銅箔の未処理銅箔を原箔とし、２％以上の加工度の
冷間圧延加工を行い該箔表面を平滑化したことを特徴と
する。
エッチングファクターを持ち、回路パターン上部の直線
性に優れ、なおかつ回路パターンの根本に銅粒子が残る
ことなく、ファインパターンを達成できる銅箔を提供す
る。 【解決手段】 ファインパターン用電解銅箔であって、
平均粒径２μm以下の結晶粒が全面に渡り表出している
電解銅箔の未処理銅箔を原箔とし、２％以上の加工度の
冷間圧延加工を行い該箔表面を平滑化したことを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、その用途における
ファインパターン化に対応可能な電解銅箔、更にはこの
電解銅箔を使用した銅張積層板及びプリント配線板に関
する。
ファインパターン化に対応可能な電解銅箔、更にはこの
電解銅箔を使用した銅張積層板及びプリント配線板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、軽量化に伴い、最近
の各種電子部品は高度に集積化されている。これに対応
して、プリント配線板における回路パターンも高密度化
が要求され、微細な線幅と配線ピッチの配線から成る回
路パターンが形成されている。いわゆるファインパター
ンのプリント配線板が要求されるようになってきた。最
近では、配線ピッチが５０〜１００μm程度で線幅が３
０μ前後の高密度極細配線を有するプリント配線板が要
求されている。
の各種電子部品は高度に集積化されている。これに対応
して、プリント配線板における回路パターンも高密度化
が要求され、微細な線幅と配線ピッチの配線から成る回
路パターンが形成されている。いわゆるファインパター
ンのプリント配線板が要求されるようになってきた。最
近では、配線ピッチが５０〜１００μm程度で線幅が３
０μ前後の高密度極細配線を有するプリント配線板が要
求されている。
【０００３】これに応えるために、プリント回路形成の
ためのエッチング技術の向上やレジストの性能向上等が
なされているが、それとともにファインパターン化が可
能な電解銅箔の開発が要求されている。
ためのエッチング技術の向上やレジストの性能向上等が
なされているが、それとともにファインパターン化が可
能な電解銅箔の開発が要求されている。
【０００４】従来の電解銅箔がファインパターン化でき
なかった大きな要因として、マット面及び光沢面ともに
表面粗さが粗いことをあげることができる。電解銅箔
は、通常、図１に示すような電解製箔装置により製箔さ
れた銅箔に、図２に示すような表面処理装置により密着
性向上のための粗化処理や防錆処理等を施して製造され
る。電解製箔装置は、回転するドラム状のカソード２
（表面はＳＵＳ又はチタン製）と該カソードに対して同
心円状に配置されたアノード１（鉛又は貴金属酸化物被
覆チタン電極）からなる装置に、電解液３を流通させつ
つ両極間に電流を流して、該カソード表面に所定の厚さ
に銅を析出させ、その後該カソード表面から銅を剥ぎ取
る。この段階の銅箔を未処理銅箔４という。また該未処
理銅箔の電解液と接していた面をマット面と呼び、回転
するドラム状のカソード２と接していた面を光沢面と呼
ぶ。
なかった大きな要因として、マット面及び光沢面ともに
表面粗さが粗いことをあげることができる。電解銅箔
は、通常、図１に示すような電解製箔装置により製箔さ
れた銅箔に、図２に示すような表面処理装置により密着
性向上のための粗化処理や防錆処理等を施して製造され
る。電解製箔装置は、回転するドラム状のカソード２
（表面はＳＵＳ又はチタン製）と該カソードに対して同
心円状に配置されたアノード１（鉛又は貴金属酸化物被
覆チタン電極）からなる装置に、電解液３を流通させつ
つ両極間に電流を流して、該カソード表面に所定の厚さ
に銅を析出させ、その後該カソード表面から銅を剥ぎ取
る。この段階の銅箔を未処理銅箔４という。また該未処
理銅箔の電解液と接していた面をマット面と呼び、回転
するドラム状のカソード２と接していた面を光沢面と呼
ぶ。
【０００５】この後、銅張積層板に必要とされる性能を
付与するため、図２に示すような表面処理装置に未処理
銅箔４を通し、電気化学的或いは化学的な表面処理を連
続的に行う。この処理の内、樹脂基板と接着させるとき
の密着性を高めるために、粒状の銅を析出させる工程が
ある。これを粗化処理と呼んでいる。この粗化処理は、
通常、該未処理銅箔のマット面に施される。これらの表
面処理した後の銅箔を表面処理銅箔８と呼び、銅張積層
板に使用される。
付与するため、図２に示すような表面処理装置に未処理
銅箔４を通し、電気化学的或いは化学的な表面処理を連
続的に行う。この処理の内、樹脂基板と接着させるとき
の密着性を高めるために、粒状の銅を析出させる工程が
ある。これを粗化処理と呼んでいる。この粗化処理は、
通常、該未処理銅箔のマット面に施される。これらの表
面処理した後の銅箔を表面処理銅箔８と呼び、銅張積層
板に使用される。
【０００６】電解銅箔の機械的性能は未処理銅箔４の性
能によって決定されるが、銅箔のエッチング特性、すな
わちエッチング速度とエッチングの均一溶解性も、この
未処理銅箔の性能によって多くが決定される。
能によって決定されるが、銅箔のエッチング特性、すな
わちエッチング速度とエッチングの均一溶解性も、この
未処理銅箔の性能によって多くが決定される。
【０００７】銅箔の性能でエッチング性に影響する大き
な要因は表面の粗さである。特に最近のファインパター
ン化要求に対しては、銅箔のマット面の粗さが小さく、
更に光沢面の粗さも小さいことが重要である。
な要因は表面の粗さである。特に最近のファインパター
ン化要求に対しては、銅箔のマット面の粗さが小さく、
更に光沢面の粗さも小さいことが重要である。
【０００８】銅箔のマット面の粗さに影響する要因は大
きく分けて２つある。ひとつは未処理銅箔のマット面の
表面粗さであり、もうひとつは粗化処理の粒状銅の付き
かたである。未処理銅箔のマット面の表面粗さが粗い
と、粗化処理後の銅箔の粗さは粗くなる。粗化処理時の
粒伏銅の付着量は、粗化処理時に流す電流により調節が
可能であるが、未処理銅箔の表面粗さは、前述のドラム
状のカソードに銅を析出させる時の電解条件、特に電解
液に加える添加剤によって決まるところが大きい。
きく分けて２つある。ひとつは未処理銅箔のマット面の
表面粗さであり、もうひとつは粗化処理の粒状銅の付き
かたである。未処理銅箔のマット面の表面粗さが粗い
と、粗化処理後の銅箔の粗さは粗くなる。粗化処理時の
粒伏銅の付着量は、粗化処理時に流す電流により調節が
可能であるが、未処理銅箔の表面粗さは、前述のドラム
状のカソードに銅を析出させる時の電解条件、特に電解
液に加える添加剤によって決まるところが大きい。
【０００９】従来の電解銅箔では、銅箔のマット面を粗
化処理し、表面粗度：Ｒｚ（ＪＩＳＢ ０６０１−１９
９４「表面粗さの定義と表示」の５．１ 十点平均粗さ
の定義に規定されたＲｚを言う。以下、同様）で表わし
て、１２μm銅箔で６μm前後あり、厚さの厚い７０μm
銅箔では１０μm前後の粗さであった。
化処理し、表面粗度：Ｒｚ（ＪＩＳＢ ０６０１−１９
９４「表面粗さの定義と表示」の５．１ 十点平均粗さ
の定義に規定されたＲｚを言う。以下、同様）で表わし
て、１２μm銅箔で６μm前後あり、厚さの厚い７０μm
銅箔では１０μm前後の粗さであった。
【００１０】このように接着面が比較的大きな表面粗度
の銅箔を用いた銅張基板では、銅箔の粗化面にあった銅
粒子や樹枝状に析出した銅箔の一部が樹脂基板に深くく
い込んでいる。このため大きな接着力が得られる反面、
プリント回路を形成するためのエッチングにおいて、完
全にこの銅が溶解するのに時間がかかる、いわゆる「根
残り」という現象が発生する。
の銅箔を用いた銅張基板では、銅箔の粗化面にあった銅
粒子や樹枝状に析出した銅箔の一部が樹脂基板に深くく
い込んでいる。このため大きな接着力が得られる反面、
プリント回路を形成するためのエッチングにおいて、完
全にこの銅が溶解するのに時間がかかる、いわゆる「根
残り」という現象が発生する。
【００１１】その結果、銅箔と樹脂基板のボトムライン
の直線性が乏しく、回路間隔を狭くすると、隣接する回
路間の絶縁が悪くなり、著しい場合には回路が完全に切
れず、隣接する回路がブリッジしてしまうという現象を
生じる。
の直線性が乏しく、回路間隔を狭くすると、隣接する回
路間の絶縁が悪くなり、著しい場合には回路が完全に切
れず、隣接する回路がブリッジしてしまうという現象を
生じる。
【００１２】また、光沢面と呼ぶドラムに接触していた
側の面は、一見光沢があり平滑に見えるが、ちょうどド
ラム表面のレプリカになっており、その粗さは平均して
Ｒｚで、１．５〜２．０μm位あるのが普通である。
側の面は、一見光沢があり平滑に見えるが、ちょうどド
ラム表面のレプリカになっており、その粗さは平均して
Ｒｚで、１．５〜２．０μm位あるのが普通である。
【００１３】これは、当初のドラム表面は研磨された平
滑な状態で製造をスタートするが、電解銅箔の製造を続
けるうちに、電解液が強酸であるため、ドラム表面が次
第に荒れてくるためである。ある一定の時間電解銅箔の
製造を行った後、ドラム表面が荒れてくると再度研磨し
て平滑にするが、平均してみると、その粗さは１．５〜
２．０μm位になってしまう。
滑な状態で製造をスタートするが、電解銅箔の製造を続
けるうちに、電解液が強酸であるため、ドラム表面が次
第に荒れてくるためである。ある一定の時間電解銅箔の
製造を行った後、ドラム表面が荒れてくると再度研磨し
て平滑にするが、平均してみると、その粗さは１．５〜
２．０μm位になってしまう。
【００１４】表面粗さが粗いと、回路のエッチング時に
貼るドライフィルムエッチングレジストの密着性が局部
的に良いところと悪いところができるため、エッチング
した時、回路が波を打つような形状になる。すなわち回
路の直線性が悪いため、ファインパターンが切りにくく
なるという問題が発生する。また、液レジストの場合
は、ドライフィルムレジストに比較すると程度は軽くな
るが銅箔の表面の凹の部分と凸の部分では溶解速度が異
なるので、同様に回路の形状が波打つ現象が見られる。
貼るドライフィルムエッチングレジストの密着性が局部
的に良いところと悪いところができるため、エッチング
した時、回路が波を打つような形状になる。すなわち回
路の直線性が悪いため、ファインパターンが切りにくく
なるという問題が発生する。また、液レジストの場合
は、ドライフィルムレジストに比較すると程度は軽くな
るが銅箔の表面の凹の部分と凸の部分では溶解速度が異
なるので、同様に回路の形状が波打つ現象が見られる。
【００１５】以上の理由により、ファインパターン化要
求に対しては、銅箔のマット面の粗さが小さいことに加
え、光沢面の粗さも小さいことが重要である。
求に対しては、銅箔のマット面の粗さが小さいことに加
え、光沢面の粗さも小さいことが重要である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の問題点を解消すべくなされたものであり、引
き剥がし強さを低下させることなく、高いエッチングフ
ァクターを持ち、回路パターン上部の直線性に優れ、な
おかつ回路パターンの根本に銅粒子が残ることなく、フ
ァインパターンを達成できる銅箔を提供することを目的
とするものである。
従来技術の問題点を解消すべくなされたものであり、引
き剥がし強さを低下させることなく、高いエッチングフ
ァクターを持ち、回路パターン上部の直線性に優れ、な
おかつ回路パターンの根本に銅粒子が残ることなく、フ
ァインパターンを達成できる銅箔を提供することを目的
とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ファインパタ
ーン用電解銅箔であって、平均粒径２μm以下の結晶粒
が全面に渡り表出している電解銅箔の未処理銅箔を原箔
とし、２％以上の加工度の冷間圧延加工を行い銅箔表面
を平滑化せしめたものであることを特徴とする。未処理
銅箔にこのような処置を施すことによって、マット面の
みならず光沢面も平滑化された電解銅箔が得られるので
ある。
ーン用電解銅箔であって、平均粒径２μm以下の結晶粒
が全面に渡り表出している電解銅箔の未処理銅箔を原箔
とし、２％以上の加工度の冷間圧延加工を行い銅箔表面
を平滑化せしめたものであることを特徴とする。未処理
銅箔にこのような処置を施すことによって、マット面の
みならず光沢面も平滑化された電解銅箔が得られるので
ある。
【００１８】更に、前記の未処理銅箔として、マット面
の表面粗度：Ｒｚが該未処理銅箔の光沢面の表面粗度：
Ｒｚと同じか、それより小さいものを使用することによ
り、より効果的に、未処理銅箔のマット面、光沢面を平
滑化することができる。
の表面粗度：Ｒｚが該未処理銅箔の光沢面の表面粗度：
Ｒｚと同じか、それより小さいものを使用することによ
り、より効果的に、未処理銅箔のマット面、光沢面を平
滑化することができる。
【００１９】ところで、電解銅箔の未処理銅箔を圧延加
工すること自体は、既に知られた技術である。例えば、
特公昭３２−１０００７号公報には、チオウレア及び膠
等を添加した銅電解液を使用して電気分解を行い、陰極
上に電着した電気銅板を剥ぎ取った後、この電気銅板を
直接冷間加工により伸延材とし、この伸延材を非酸化雰
囲気又は真空中で焼鈍することを特徴とする無酸素銅伸
延材の製造方法が開示されている。
工すること自体は、既に知られた技術である。例えば、
特公昭３２−１０００７号公報には、チオウレア及び膠
等を添加した銅電解液を使用して電気分解を行い、陰極
上に電着した電気銅板を剥ぎ取った後、この電気銅板を
直接冷間加工により伸延材とし、この伸延材を非酸化雰
囲気又は真空中で焼鈍することを特徴とする無酸素銅伸
延材の製造方法が開示されている。
【００２０】しかしながら、当該方法によってはファイ
ンパターン用の電解銅箔を得ることは不可能である。
ンパターン用の電解銅箔を得ることは不可能である。
【００２１】チオウレア及び膠等を添加した銅電解液を
使用した電気分解にて陰極上に電着した電気銅板のマッ
ト面は、図３に示すようにマット面の凹凸が大きく、ま
たその結晶組織も図４に示すように粗大な柱状結晶であ
り、こうした電気銅板を圧延加工した場合、マット面表
面の山の部分だけが単に押し潰されるだけで、大きな凹
凸自体は消えることはなく最後まで表面に残る。また、
結晶組織の変化も小さい。プリント配線板用の銅箔の場
合、前述のように、この後に粒状の銅を電析させる粗化
処理を行う。こうした表面形状、あるいは結晶組織の銅
箔上に、粒状の銅を電析させると、表面形状、あるいは
結晶組織の影響を受け、粒状の銅の粗大化、いわゆる
「異常突起」が起こったり、樹枝状の銅が電析する。粗
大化した銅粒や樹枝状の銅は、前述のように樹脂基板に
深くくい込む。このため、プリント回路形成時のエッチ
ングで、「根残り」が発生する。これが、前記の「不可
能」と言った理由である。
使用した電気分解にて陰極上に電着した電気銅板のマッ
ト面は、図３に示すようにマット面の凹凸が大きく、ま
たその結晶組織も図４に示すように粗大な柱状結晶であ
り、こうした電気銅板を圧延加工した場合、マット面表
面の山の部分だけが単に押し潰されるだけで、大きな凹
凸自体は消えることはなく最後まで表面に残る。また、
結晶組織の変化も小さい。プリント配線板用の銅箔の場
合、前述のように、この後に粒状の銅を電析させる粗化
処理を行う。こうした表面形状、あるいは結晶組織の銅
箔上に、粒状の銅を電析させると、表面形状、あるいは
結晶組織の影響を受け、粒状の銅の粗大化、いわゆる
「異常突起」が起こったり、樹枝状の銅が電析する。粗
大化した銅粒や樹枝状の銅は、前述のように樹脂基板に
深くくい込む。このため、プリント回路形成時のエッチ
ングで、「根残り」が発生する。これが、前記の「不可
能」と言った理由である。
【００２２】これに対して本発明の銅箔は、前述の特徴
を有する未処理銅箔を原箔としている。因みに、このよ
うな銅箔としては、本願発明者らの発明による特開平９
−１４３７８５号に開示された銅箔を挙げることができ
る。この未処理銅箔の表面形状（マット面）を図５に、
その結晶組織を図６に示す。前述の電気銅板とは異な
り、表面が平滑であり、なおかつ結晶組織は、平均粒径
２μm以下の結晶粒からなっていることがわかる。この
ような未処理銅箔を原箔として使用し、２％以上の加工
度の冷間圧延加工を行うことによって、初めてファイン
パターン用に適した電解銅箔が得られるのである。
を有する未処理銅箔を原箔としている。因みに、このよ
うな銅箔としては、本願発明者らの発明による特開平９
−１４３７８５号に開示された銅箔を挙げることができ
る。この未処理銅箔の表面形状（マット面）を図５に、
その結晶組織を図６に示す。前述の電気銅板とは異な
り、表面が平滑であり、なおかつ結晶組織は、平均粒径
２μm以下の結晶粒からなっていることがわかる。この
ような未処理銅箔を原箔として使用し、２％以上の加工
度の冷間圧延加工を行うことによって、初めてファイン
パターン用に適した電解銅箔が得られるのである。
【００２３】本発明の冷間圧延加工を施された電解銅箔
は、表面が平滑であり、なおかつ結晶粒度が小さいの
で、この後に粗化処理を行った場合でも、電析する粒状
の銅は微細であり、粒状の銅の粗大化や樹枝状の銅が電
析することはあり得ない。
は、表面が平滑であり、なおかつ結晶粒度が小さいの
で、この後に粗化処理を行った場合でも、電析する粒状
の銅は微細であり、粒状の銅の粗大化や樹枝状の銅が電
析することはあり得ない。
【００２４】特開平９−１４３７８５号に開示された銅
箔の冷間圧延加工前のＲｚ（マット面）は１．０〜１．
５μm程度、光沢面のそれは１．５〜２．０μm程度であ
る。これに冷間圧延加工を施すと、Ｒｚはマット面、光
沢面ともに０．５〜０．８μm程度まで平滑化する。こ
の揚合、加工度、すなわち[（原箔の厚さ−加工後の厚
さ）／原箔の厚さ]×１００が高いほど平滑化される傾
向にあり、２％未満では所望の平滑化は困難である。２
％以上、好ましくは５％以上、特に好ましくは１５％以
上の加工度の冷間圧延加工を施すことにより、所望の平
滑化が可能となる。
箔の冷間圧延加工前のＲｚ（マット面）は１．０〜１．
５μm程度、光沢面のそれは１．５〜２．０μm程度であ
る。これに冷間圧延加工を施すと、Ｒｚはマット面、光
沢面ともに０．５〜０．８μm程度まで平滑化する。こ
の揚合、加工度、すなわち[（原箔の厚さ−加工後の厚
さ）／原箔の厚さ]×１００が高いほど平滑化される傾
向にあり、２％未満では所望の平滑化は困難である。２
％以上、好ましくは５％以上、特に好ましくは１５％以
上の加工度の冷間圧延加工を施すことにより、所望の平
滑化が可能となる。
【００２５】本発明の銅箔を樹脂基板と接合するのは、
冷間圧延加工を施した未処理銅箔（以下、「圧延加工銅
箔」という）のいずれの面（マット面又は光沢面）でも
良いが、いずれの面もそのままでは樹脂基板との密着強
度が低いため、通常、圧延加工銅箔の片面（マット面又
は光沢面）又は両面に更に粗化処理を施す。
冷間圧延加工を施した未処理銅箔（以下、「圧延加工銅
箔」という）のいずれの面（マット面又は光沢面）でも
良いが、いずれの面もそのままでは樹脂基板との密着強
度が低いため、通常、圧延加工銅箔の片面（マット面又
は光沢面）又は両面に更に粗化処理を施す。
【００２６】ファインパターン化に対応するためには、
粗化処理にて付着せしめられた粒子（以下、「粗化粒
子」という）も微細粒子としなければ、最終的に表面粗
度の小さい箔を得ることが出来ない。一方、表面粗度を
小さくすることは、樹脂基板と接合する際のアンカー効
果が小さくなり、密着強度が弱くなるという問題が生じ
てくる。
粗化処理にて付着せしめられた粒子（以下、「粗化粒
子」という）も微細粒子としなければ、最終的に表面粗
度の小さい箔を得ることが出来ない。一方、表面粗度を
小さくすることは、樹脂基板と接合する際のアンカー効
果が小さくなり、密着強度が弱くなるという問題が生じ
てくる。
【００２７】この相反する命題をクリアする電解銅箔、
すなわち、表面粗度は小さく、全体として平滑な表面に
なっていながら、ファインな回路パターンにエッチング
することができるとともに、樹脂基板との密着強度が大
きい電解銅箔を提供するため、本発明においては、前記
の圧延加工銅箔の片面又は両面に電気めっきで付着せし
められる粗化粒子の平均粒径を３μm以下のもの、特に
好ましくは、１μm以下のものにする（以下、このよう
な微細な粗化粒子を「微細粗化粒子」という）。この平
均粒径が３μmより大きい場合には、得られた銅箔の接
着表面積の拡大効果が小さく、そのため、樹脂基材との
接着性も充分には向上しないとともに、例えば回路パタ
ーンをエッチングする際に、この微細粗化粒子が樹脂基
材の方に残りやすくなり、ファインな回路パターンの形
成が困難になるからである。この現象は、平均粒径が１
μm以下になると、より一層顕著になってくる。尚、こ
こでいう微細粒子の平均粒径とは、走査型電子顕微鏡で
測定したときの１０点以上の実測値の平均値のことをい
う。
すなわち、表面粗度は小さく、全体として平滑な表面に
なっていながら、ファインな回路パターンにエッチング
することができるとともに、樹脂基板との密着強度が大
きい電解銅箔を提供するため、本発明においては、前記
の圧延加工銅箔の片面又は両面に電気めっきで付着せし
められる粗化粒子の平均粒径を３μm以下のもの、特に
好ましくは、１μm以下のものにする（以下、このよう
な微細な粗化粒子を「微細粗化粒子」という）。この平
均粒径が３μmより大きい場合には、得られた銅箔の接
着表面積の拡大効果が小さく、そのため、樹脂基材との
接着性も充分には向上しないとともに、例えば回路パタ
ーンをエッチングする際に、この微細粗化粒子が樹脂基
材の方に残りやすくなり、ファインな回路パターンの形
成が困難になるからである。この現象は、平均粒径が１
μm以下になると、より一層顕著になってくる。尚、こ
こでいう微細粒子の平均粒径とは、走査型電子顕微鏡で
測定したときの１０点以上の実測値の平均値のことをい
う。
【００２８】ここで、本発明の電解銅箔の１例を図７に
示す。図７において、基材である箔本体（圧延加工銅
箔。以下、同様）１０の片面には電気めっきで微細粗化
粒子２０が互いに連結してなる集合組織が形成されてお
り、この微細粗化粒子２０を有する側を樹脂基材に接着
して実使用に供される。なお、この微細粗化粒子２０は
箔本体１０の両面に付着されていてもよい。
示す。図７において、基材である箔本体（圧延加工銅
箔。以下、同様）１０の片面には電気めっきで微細粗化
粒子２０が互いに連結してなる集合組織が形成されてお
り、この微細粗化粒子２０を有する側を樹脂基材に接着
して実使用に供される。なお、この微細粗化粒子２０は
箔本体１０の両面に付着されていてもよい。
【００２９】この微細粗化粒子２０は箔本体１０への電
気めっきによって形成される。先ず、微細粗化粒子２０
は、箔本体１０の表面に表出している結晶粒の結晶粒界
に選択的に析出し始め、そしてその粒界から成長してい
き、箔本体１０の結晶粒の全面に均一に微細粗化粒子の
付着が進行していく。そして、それは平面的に広がって
いくが、結局、微細粗化粒子２０の付着は箔本体１０の
表面で局部的になるという傾向を示す。
気めっきによって形成される。先ず、微細粗化粒子２０
は、箔本体１０の表面に表出している結晶粒の結晶粒界
に選択的に析出し始め、そしてその粒界から成長してい
き、箔本体１０の結晶粒の全面に均一に微細粗化粒子の
付着が進行していく。そして、それは平面的に広がって
いくが、結局、微細粗化粒子２０の付着は箔本体１０の
表面で局部的になるという傾向を示す。
【００３０】そして、このような状態で微細粗化粒子が
付着している銅箔は、樹脂基材に接着したときに十分に
高い密着強度が得られない。高い密着強度は、箔本体１
０の表面に微細粗化粒子が均一に分布して析出している
状態のときに実現することができる。
付着している銅箔は、樹脂基材に接着したときに十分に
高い密着強度が得られない。高い密着強度は、箔本体１
０の表面に微細粗化粒子が均一に分布して析出している
状態のときに実現することができる。
【００３１】このような問題に関しては、次のような対
応が有効であると考えられる。すなわち、樹脂基材との
間で高い密着強度を実現するためには、箔本体１０の表
面に表出している結晶粒を微細なものにして単位面積当
たりに存在する結晶粒界の数を多くすることである。結
晶粒界の数が多いと、電気めっき時に箔本体１０の単位
面積当たりに付着（析出）する微細粒子の量が多くな
り、微細粗化粒子２０は局部的に偏在することなく箔本
体１０の全面に付着する。そのことにより、樹脂基材と
の密着強度が高くなるからである。
応が有効であると考えられる。すなわち、樹脂基材との
間で高い密着強度を実現するためには、箔本体１０の表
面に表出している結晶粒を微細なものにして単位面積当
たりに存在する結晶粒界の数を多くすることである。結
晶粒界の数が多いと、電気めっき時に箔本体１０の単位
面積当たりに付着（析出）する微細粒子の量が多くな
り、微細粗化粒子２０は局部的に偏在することなく箔本
体１０の全面に付着する。そのことにより、樹脂基材と
の密着強度が高くなるからである。
【００３２】このようなことから、本発明にあっては、
未処理銅箔の表面に表出している結晶粒の平均粒径を２
μm以下に設定しているのである。単位面積当たりの結
晶粒界の数が多くなり、その結果、箔本体表面への微細
粗化粒子の付着割合も多くなり、また偏在することなく
付着するため、樹脂基材との接着性を向上させることが
できるからである。ここで、結晶粒の平均粒径は小さく
するほど所望の効果が得られるが、その製造コスト等を
考慮して適宜決めればよい。
未処理銅箔の表面に表出している結晶粒の平均粒径を２
μm以下に設定しているのである。単位面積当たりの結
晶粒界の数が多くなり、その結果、箔本体表面への微細
粗化粒子の付着割合も多くなり、また偏在することなく
付着するため、樹脂基材との接着性を向上させることが
できるからである。ここで、結晶粒の平均粒径は小さく
するほど所望の効果が得られるが、その製造コスト等を
考慮して適宜決めればよい。
【００３３】尚、上記した未処理銅箔の結晶粒の平均粒
径とは、まず結晶粒が形成されている箔を断面方向に
０．０３μm厚さで切れるような設定でミクロトームで
切り取り、その試料を透過型電子顕微鏡で撮影し、その
写真における結晶粒の面積を１０点以上実測し、その結
晶粒を実測面積を有する真円にしたときの直径を計算
し、そのときの計算値のことをいう。
径とは、まず結晶粒が形成されている箔を断面方向に
０．０３μm厚さで切れるような設定でミクロトームで
切り取り、その試料を透過型電子顕微鏡で撮影し、その
写真における結晶粒の面積を１０点以上実測し、その結
晶粒を実測面積を有する真円にしたときの直径を計算
し、そのときの計算値のことをいう。
【００３４】ここで、前記の微細粗化粒子は、Ｃｕから
なるものであってよいが、ＣｕとＭｏの合金粒子やＣｕ
とＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＣｒの群から選ばれる少なくと
も１種の元素（Ｉ）とから成る合金粒子（以下、「粒子
Ｉ」という）であってもよいし、該合金粒子と、Ｖ、Ｍ
ｏ及びＷの群から選ばれる少なくとも１種の元素（II）
との混合物（以下、「粒子II」という）であってもよ
い。
なるものであってよいが、ＣｕとＭｏの合金粒子やＣｕ
とＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＣｒの群から選ばれる少なくと
も１種の元素（Ｉ）とから成る合金粒子（以下、「粒子
Ｉ」という）であってもよいし、該合金粒子と、Ｖ、Ｍ
ｏ及びＷの群から選ばれる少なくとも１種の元素（II）
との混合物（以下、「粒子II」という）であってもよ
い。
【００３５】通常のリジット配線板に使用されるＦＲ−
４等のエポキシ樹脂では、Ｃｕ粒子又はＣｕとＭｏの合
金粒子で所望の密着強度が得られるが、粒子がより微細
になるフレキシブル配線板に使用されるポリイミドの場
合、Ｃｕ粒子又はＣｕとＭｏの合金粒子では密着強度が
出にくくなるので、前記の粒子Ｉ又は粒子IIを付着させ
るのが効果的である。これらの粒子は、単なるアンカー
効果のみでなく、ポリイミドとの化学結合を増大させる
ため、大きな密着強度が得られる、と考えられる。
４等のエポキシ樹脂では、Ｃｕ粒子又はＣｕとＭｏの合
金粒子で所望の密着強度が得られるが、粒子がより微細
になるフレキシブル配線板に使用されるポリイミドの場
合、Ｃｕ粒子又はＣｕとＭｏの合金粒子では密着強度が
出にくくなるので、前記の粒子Ｉ又は粒子IIを付着させ
るのが効果的である。これらの粒子は、単なるアンカー
効果のみでなく、ポリイミドとの化学結合を増大させる
ため、大きな密着強度が得られる、と考えられる。
【００３６】粒子Ｉとしては、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合
金、Ｃｕ−Ｃｏ合金、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金
などの粒子を好適例として挙げることができる。
金、Ｃｕ−Ｃｏ合金、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金
などの粒子を好適例として挙げることができる。
【００３７】前記の合金粒子における前記元素（Ｉ）の
存在量は、Ｃｕの存在量１mg/dm2−箔当たり０．１〜３
mg/dm2−箔が好ましく、また前記の混合物における前記
元素（II）の存在量は、Ｃｕの存在量１mg/dm2−箔当た
り０．０２〜０．８mg/dm2−箔が好ましい。
存在量は、Ｃｕの存在量１mg/dm2−箔当たり０．１〜３
mg/dm2−箔が好ましく、また前記の混合物における前記
元素（II）の存在量は、Ｃｕの存在量１mg/dm2−箔当た
り０．０２〜０．８mg/dm2−箔が好ましい。
【００３８】粒子Ｉにおいて、元素（Ｉ）の存在量が３
mg/mg-Cuより多くなるような合金組成では、回路パター
ンをエッチングする際に、Ｃｏを除いて溶解しにくく、
樹脂基板の方に残るような問題が生じて不都合であり、
逆に０．１mg/mg-Cuより少ない合金組成では、樹脂基
板、とりわけポリイミド樹脂基板に対してピール向上を
期待できないというような不都合を生ずるからである。
mg/mg-Cuより多くなるような合金組成では、回路パター
ンをエッチングする際に、Ｃｏを除いて溶解しにくく、
樹脂基板の方に残るような問題が生じて不都合であり、
逆に０．１mg/mg-Cuより少ない合金組成では、樹脂基
板、とりわけポリイミド樹脂基板に対してピール向上を
期待できないというような不都合を生ずるからである。
【００３９】このような粒子Ｉの内、Ｃｕ−Ｎｉ合金粒
子又はＣｕ−Ｃｏ合金粒子は、Ｎｉ又はＣｏそれ自体が
ポリイミドのような樹脂基材に対して高い密着強度を示
すので、合金粒子全体としても樹脂基材との間で高い密
着強度を示すようになって好適である。その場合、Ｃｕ
の箔本体への存在量（付着量）が絶対量で４〜２０mg/d
m2であり、Ｎｉ又はＣｏの存在量（付着量）が０．１〜
３mg/mg-CuであるＣｕ−Ｎｉ合金粒子又はＣｕ−Ｃｏ合
金粒子は非常に高い接着性を示すという点で特に好適で
ある。
子又はＣｕ−Ｃｏ合金粒子は、Ｎｉ又はＣｏそれ自体が
ポリイミドのような樹脂基材に対して高い密着強度を示
すので、合金粒子全体としても樹脂基材との間で高い密
着強度を示すようになって好適である。その場合、Ｃｕ
の箔本体への存在量（付着量）が絶対量で４〜２０mg/d
m2であり、Ｎｉ又はＣｏの存在量（付着量）が０．１〜
３mg/mg-CuであるＣｕ−Ｎｉ合金粒子又はＣｕ−Ｃｏ合
金粒子は非常に高い接着性を示すという点で特に好適で
ある。
【００４０】粒子IIは、前記の粒子Ｉと酸化物粒子との
混合物である。箔本体への電気めっき時に、結晶粒の粒
界に粒子Ｉが析出するが、同時に元素（II）、例えば
Ｖ、Ｍｏ、ＷはＶ2Ｏ5、ＭｏＯ3、ＷＯ3、のような酸化
物粒子となって粒子Ｉと混在する状態で析出することに
よりこの粒子IIは形成される。したがって、この粒子II
は、箔本体の結晶位の粒界を中心にして付着している
が、粒子Ｉと酸化物粒子は適度に相互分散した状態で共
存している。
混合物である。箔本体への電気めっき時に、結晶粒の粒
界に粒子Ｉが析出するが、同時に元素（II）、例えば
Ｖ、Ｍｏ、ＷはＶ2Ｏ5、ＭｏＯ3、ＷＯ3、のような酸化
物粒子となって粒子Ｉと混在する状態で析出することに
よりこの粒子IIは形成される。したがって、この粒子II
は、箔本体の結晶位の粒界を中心にして付着している
が、粒子Ｉと酸化物粒子は適度に相互分散した状態で共
存している。
【００４１】尚、粒子Ｉは、前述の通り、結晶粒界に選
択的に付着するが、その場合、全ての粒界に均一に付着
するのではなく、ある特定の粒界に集中的に付着すると
いう傾向を示す。このような付着状態が支配的に進行す
ると、全体としての付着量は増加していても、粒子Ｉは
粒界全体に均一に付着しているとは限らず、未付着の箇
所では樹脂基材との密着性が低下するという事態が発生
することがある。
択的に付着するが、その場合、全ての粒界に均一に付着
するのではなく、ある特定の粒界に集中的に付着すると
いう傾向を示す。このような付着状態が支配的に進行す
ると、全体としての付着量は増加していても、粒子Ｉは
粒界全体に均一に付着しているとは限らず、未付着の箇
所では樹脂基材との密着性が低下するという事態が発生
することがある。
【００４２】しかしながら、元素（II）としてのＶ、Ｍ
ｏ、Ｗなどの共存下で電気めっきを行うと、その理由は
明確ではないが、Ｖ、Ｍｏ、Ｗの酸化物粒子の働きで、
前記の粒子Ｉは、ある特定の粒界に集中して付着する傾
向が低下し、多数の結晶粒の粒界に分散して付着するよ
うになり、全体として均一付着が実現する。
ｏ、Ｗなどの共存下で電気めっきを行うと、その理由は
明確ではないが、Ｖ、Ｍｏ、Ｗの酸化物粒子の働きで、
前記の粒子Ｉは、ある特定の粒界に集中して付着する傾
向が低下し、多数の結晶粒の粒界に分散して付着するよ
うになり、全体として均一付着が実現する。
【００４３】その結果、粒子IIの場合は、粒子Ｉが単独
で付着しているときよりも樹脂基材との接着性は向上す
るという効果が得られる。
で付着しているときよりも樹脂基材との接着性は向上す
るという効果が得られる。
【００４４】粒子IIにおいて、元素IIの存在量が０．８
mg/mg-Cuより多い場合には、樹脂基板にプレスした後、
ビールを引いたときに樹脂基板上に酸化物が残るような
問題が生じて不都合であり、逆に０、０２mg/mg-Cuより
少ない場合には元素（II）を添加する効果が見られない
という不都合が生じる。
mg/mg-Cuより多い場合には、樹脂基板にプレスした後、
ビールを引いたときに樹脂基板上に酸化物が残るような
問題が生じて不都合であり、逆に０、０２mg/mg-Cuより
少ない場合には元素（II）を添加する効果が見られない
という不都合が生じる。
【００４５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を実施例に基づい
て更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定される
ものではない。
て更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定される
ものではない。
【００４６】原箔１ 厚さ：１３μmで、マット面粗度：Ｒｚ＝１．２０μm、
光沢面粗度：Ｒｚ＝１．４０μmの未処理銅箔を用意し
た。この箔を冷間圧延にて１パス圧延し、厚さ１２μm
の原箔を得た。
光沢面粗度：Ｒｚ＝１．４０μmの未処理銅箔を用意し
た。この箔を冷間圧延にて１パス圧延し、厚さ１２μm
の原箔を得た。
【００４７】原箔２ 厚さ：１５μmで、マット面粗度：Ｒｚ＝１．２５μm、
光沢面粗度：Ｒｚ＝１．３８μmの未処理銅箔を用意し
た。この箔を冷間圧延にて２パス圧延し、厚さ：１２μ
mの原箔を得た。
光沢面粗度：Ｒｚ＝１．３８μmの未処理銅箔を用意し
た。この箔を冷間圧延にて２パス圧延し、厚さ：１２μ
mの原箔を得た。
【００４８】原箔３ 厚さ：１８μmで、マット面粗度：Ｒｚ＝１．１５μm、
光沢面粗度：Ｒｚ＝１．４２μmの未処理銅箔を用意し
た。この箔を冷間圧延にて３パス圧延し、厚さ：１２μ
mの原箔を得た。
光沢面粗度：Ｒｚ＝１．４２μmの未処理銅箔を用意し
た。この箔を冷間圧延にて３パス圧延し、厚さ：１２μ
mの原箔を得た。
【００４９】電気めっきＡ（めっき浴１の処理に続けて
めっき浴２の処理を行った） ・めっき浴１の組成：硫酸銅（Ｃｕ金属として）２５ｇ
／dm3、硫酸１００ｇ／dm3、モリブデン酸アンモニウム
（Ｍｏ金属として）１．０ｇ／dm3、 ・電流密度４０Ａ／dm3、 ・通電時間：３．５秒、 ・浴温：３５℃
めっき浴２の処理を行った） ・めっき浴１の組成：硫酸銅（Ｃｕ金属として）２５ｇ
／dm3、硫酸１００ｇ／dm3、モリブデン酸アンモニウム
（Ｍｏ金属として）１．０ｇ／dm3、 ・電流密度４０Ａ／dm3、 ・通電時間：３．５秒、 ・浴温：３５℃
【００５０】・めっき浴２の組成：硫酸銅（Ｃｕ金属と
して）６０ｇ／dm3、硫酸１００ｇ／dm3、 ・電流密度２０Ａ／dm2、 ・通電時間：７．０秒、 ・浴温：５０℃
して）６０ｇ／dm3、硫酸１００ｇ／dm3、 ・電流密度２０Ａ／dm2、 ・通電時間：７．０秒、 ・浴温：５０℃
【００５１】電気めっきＢ ・めっき浴の組成：硫酸銅（Ｃｕ金属として）５ｇ／dm
3、硫酸ニッケル（Ｎｉ金属として）１２ｇ／dm3、メタ
パナジン酸アンモニウム（Ｖ金属として）１．０ｇ／dm
3、pH３．５、 ・電流密度１０Ａ／dm2、 ・通電時間：３秒、 ・浴温：４０℃
3、硫酸ニッケル（Ｎｉ金属として）１２ｇ／dm3、メタ
パナジン酸アンモニウム（Ｖ金属として）１．０ｇ／dm
3、pH３．５、 ・電流密度１０Ａ／dm2、 ・通電時間：３秒、 ・浴温：４０℃
【００５２】電気めっきＣ ・めっき浴の組成：硫酸銅（Ｃｕ金属として）５ｇ／dm
3、硫酸コバルト（Ｃｏ金属として）１２ｇ／dm3モリブ
デン酸アンモニウム（Ｍｏ金属として）１．０ｇ／d
m3、pH３．５、 ・電流密度１０Ａ／dm2、 ・通電時間：３秒、 ・浴温：４０℃
3、硫酸コバルト（Ｃｏ金属として）１２ｇ／dm3モリブ
デン酸アンモニウム（Ｍｏ金属として）１．０ｇ／d
m3、pH３．５、 ・電流密度１０Ａ／dm2、 ・通電時間：３秒、 ・浴温：４０℃
【００５３】実施例１ 原箔１を用いて電気めっきＡにより処理を行った。
【００５４】実施例２ 原箔２を用いて電気めっきＡにより処理を行った。
【００５５】実施例３ 原箔３を用いて電気めっきＡにより処理を行った。
【００５６】実施例４ 原箔１を用いて電気めっきＢにより処理を行った。
【００５７】実施例５ 原箔２を用いて電気めっきＢにより処理を行った。
【００５８】実施例６ 原箔３を用いて電気めっきＢにより処理を行った。
【００５９】実施例７ 原箔１を用いて電気めっきＣにより処理を行った。
【００６０】実施例８ 原箔２を用いて電気めっきＣにより処理を行った。
【００６１】実施例９ 原箔３を用いて電気めっきＣにより処理を行った。
【００６２】原箔４ 厚さ：１２μmで、マット面粗度：Ｒｚ＝１．２１μm、
光沢面粗度：Ｒｚ＝１．４５μmの未処理銅箔を用意し
た。
光沢面粗度：Ｒｚ＝１．４５μmの未処理銅箔を用意し
た。
【００６３】比較例１ 原箔４を用いて電気めっきＡにより処理を行った。
【００６４】比較例２ 原箔４を用いて電気めっきＢにより処理を行った。
【００６５】比較例３ 原箔４を用いて電気めっきＣにより処理を行った。
【００６６】得られた銅箔の被接合面（粗化処理面）側
の表面に亜鉛めっき（０．１mg/dm2）を施し、更にその
上にクロメート処理を施した試料（以下、「表面処理銅
箔」という）を作製した。
の表面に亜鉛めっき（０．１mg/dm2）を施し、更にその
上にクロメート処理を施した試料（以下、「表面処理銅
箔」という）を作製した。
【００６７】得られた表面処理銅箔の特性を下記の項目
についてそれぞれ評価した。
についてそれぞれ評価した。
【００６８】（１）ピール強度 ユーピレックスＶＴ（商品名、宇部興産（株）製のポリ
イミドフィルム）を用意し、得られた表面処理銅箔の被
接合両側に重ね合わせた後、全体をステンレス鋼板で挟
み、２６６０Paの真空プレスで徐々に昇温、昇圧してい
き、温度３３０℃、圧力０．２MPaの加熱・加圧状態下
で１０分間熱圧着し、更に５MPaの加圧下で５分間保持
した後、徐々に冷却、減圧した。得られた樹脂付き銅箔
を試料とし、ＪＩＳ Ｃ ６４８１「プリント配線板用
銅張積層板試験方法」の５．７に従って常態ピール（常
態での「引き剥がし強さ」）を測定した。測定片の幅は
１０mmとし、測定温度は常温である。３点の測定結果の
平均値を表１〜３に示す。
イミドフィルム）を用意し、得られた表面処理銅箔の被
接合両側に重ね合わせた後、全体をステンレス鋼板で挟
み、２６６０Paの真空プレスで徐々に昇温、昇圧してい
き、温度３３０℃、圧力０．２MPaの加熱・加圧状態下
で１０分間熱圧着し、更に５MPaの加圧下で５分間保持
した後、徐々に冷却、減圧した。得られた樹脂付き銅箔
を試料とし、ＪＩＳ Ｃ ６４８１「プリント配線板用
銅張積層板試験方法」の５．７に従って常態ピール（常
態での「引き剥がし強さ」）を測定した。測定片の幅は
１０mmとし、測定温度は常温である。３点の測定結果の
平均値を表１〜３に示す。
【００６９】（２）エッチング特性 実施例１〜９及び比較例１〜３で得られた表面処理銅箔
をピール強度の被検体の作製方法に準じて樹脂付き銅箔
（但し、基材はガラスエポキシ基材−ＦＲ４−を使用）
を作製し、そのそれぞれに対するエッチング特性の評価
を次に示す方法で行った。各銅張基板表面を３％過酸化
水素−１０％硫酸混合水溶液にて洗浄後、液レジストを
５μmの厚さで均一に塗布して乾燥した。次に該レジス
トに試験回路パターンを重ね、露光機を用いて２００mJ
/cm2で紫外線照射した。テストパターンは線幅３０μ
m、線間３０μm、及び線幅２０μm、線間２０μm、さら
に線幅１５μm、線間１５μmの３種類とし、長さ１００
mmの平行直線を１０本並べたものである。紫外線照射後
直ちに現像し、水洗、乾燥した。
をピール強度の被検体の作製方法に準じて樹脂付き銅箔
（但し、基材はガラスエポキシ基材−ＦＲ４−を使用）
を作製し、そのそれぞれに対するエッチング特性の評価
を次に示す方法で行った。各銅張基板表面を３％過酸化
水素−１０％硫酸混合水溶液にて洗浄後、液レジストを
５μmの厚さで均一に塗布して乾燥した。次に該レジス
トに試験回路パターンを重ね、露光機を用いて２００mJ
/cm2で紫外線照射した。テストパターンは線幅３０μ
m、線間３０μm、及び線幅２０μm、線間２０μm、さら
に線幅１５μm、線間１５μmの３種類とし、長さ１００
mmの平行直線を１０本並べたものである。紫外線照射後
直ちに現像し、水洗、乾燥した。
【００７０】このように、レジストによる回路が形成さ
れた各銅張積層板のそれぞれに対し、エッチング評価装
置（自作）によりエッチングした。エッチング評価装置
は単ノズルで、垂直に立てた試料の銅張基板に対し直角
方向からエッチング液を噴射するものである。エッチン
グ液には塩化第二鉄と塩酸を混合した液（ＦｅＣｌ3：
２mol/l、ＨＣｌ：０．５mol/l）を使用し、液温５０
℃、噴射圧０．１６MPa、液流量１ｌ／min、試料とノズ
ルの距離１５cmにて行った、噴射時間は５５秒とした。
噴射後直に水洗し、アセトンにてレジストを剥離してプ
リント回路パターンを得た。得られた各々のプリント回
路パターンに対し、回路間のブリッジの有無を観察し
た。その結果を表１〜３に示す。ブリッジが少ないほど
エッチング特性が良好と判断できる。
れた各銅張積層板のそれぞれに対し、エッチング評価装
置（自作）によりエッチングした。エッチング評価装置
は単ノズルで、垂直に立てた試料の銅張基板に対し直角
方向からエッチング液を噴射するものである。エッチン
グ液には塩化第二鉄と塩酸を混合した液（ＦｅＣｌ3：
２mol/l、ＨＣｌ：０．５mol/l）を使用し、液温５０
℃、噴射圧０．１６MPa、液流量１ｌ／min、試料とノズ
ルの距離１５cmにて行った、噴射時間は５５秒とした。
噴射後直に水洗し、アセトンにてレジストを剥離してプ
リント回路パターンを得た。得られた各々のプリント回
路パターンに対し、回路間のブリッジの有無を観察し
た。その結果を表１〜３に示す。ブリッジが少ないほど
エッチング特性が良好と判断できる。
【００７１】
【表１】
【００７２】
【表２】
【００７３】
【表３】
【００７４】実施例においては、原箔の表面が平滑化さ
れているので、細線におけるエッチング性が良好であ
る。また、粗化処理後の表面粗度（Ｒａ,Ｒｚ）も比較
例に比し小さく、引き剥がし強さは逆に向上している。
尚、比較例に比し実施例ではエッチング時の「根残り」
がきわめて少ないことも確認した。
れているので、細線におけるエッチング性が良好であ
る。また、粗化処理後の表面粗度（Ｒａ,Ｒｚ）も比較
例に比し小さく、引き剥がし強さは逆に向上している。
尚、比較例に比し実施例ではエッチング時の「根残り」
がきわめて少ないことも確認した。
【００７５】
【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、その箔本
体の表面粗度は小さく、全体として平滑な表面になって
いながら、ファインな回路パターンにエッチングするこ
とができるとともに、樹脂基板との密着強度を大きくし
た電解銅箔、更にはそれを用いた銅張積層板又はプリン
ト配線板を提供し得る。
体の表面粗度は小さく、全体として平滑な表面になって
いながら、ファインな回路パターンにエッチングするこ
とができるとともに、樹脂基板との密着強度を大きくし
た電解銅箔、更にはそれを用いた銅張積層板又はプリン
ト配線板を提供し得る。
【図１】電解製箔装置の構造を示す断面図である。
【図２】表面処理装置の構成を示す断面図である。
【図３】従来の未処理銅箔の表面状態を示す電子顕微鏡
イメージである。
イメージである。
【図４】従来の未処理銅箔の結晶組織を示す電子顕微鏡
イメージである。
イメージである。
【図５】本発明の原箔となる未処理銅箔の表面状態を示
す電子顕微鏡イメージである。
す電子顕微鏡イメージである。
【図６】本発明の原箔となる未処理銅箔の結晶組織を示
す電子顕微鏡イメージである。
す電子顕微鏡イメージである。
【図７】本発明の電解銅箔の構造を示す断面図である。
１ 電解製箔装置のアノード ２ 電解製箔装置のカソード ３ 電解製箔装置の電解液 ４ 未処理銅箔 ５ 表面処理装置の電解液 ６ 表面処理装置の電解液 ７ 表面処理装置のアノード ８ 電解銅箔（表面処理銅箔） １０ 箔本体（圧延加工銅箔） ２０ 微細粗化粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星野 和弘 栃木県今市市荊沢601番地の２ 古河サー キットフォイル株式会社内 Ｆターム(参考） 4E351 AA02 BB01 BB30 BB38 CC19 DD04 DD17 DD19 DD54 DD55 DD58 GG01 4K024 AA09 AA15 BA09 BB11 BC02 DB07 5E343 AA02 AA12 AA39 BB16 BB24 BB39 BB40 BB43 BB44 BB45 BB67 DD75 DD80 GG02
Claims (5)
- 【請求項１】 平均粒径２μm以下の結晶粒が全面に渡
り表出している電解銅箔の未処理銅箔を原箔とし、２％
以上の加工度の冷間圧延加工を行い該箔表面を平滑化し
たことを特徴とするファインパターン用電解銅箔 - 【請求項２】 前記の未処理銅箔が、マット面の表面粗
度：Ｒｚが該未処理銅箔の光沢面の表面粗度Ｒｚと同じ
か、それより小さいものである、請求項１に記載の電解
銅箔。 - 【請求項３】 前記の電解銅箔が、その片面又は両面
に、平均粒径３μm以下の微細粗化粒子であって、Ｃ
ｕ、若しくはＣｕとＭｏの合金粒子、又はＣｕとＮｉ、
Ｃｏ、Ｆｅ及びＣｒの群から選ばれる少なくとも１種の
元素（Ｉ）とから成る合金粒子、若しくは該合金粒子と
Ｖ、Ｍｏ及びＷの群から選ばれる少なくとも１種の元素
（II）との混合物である微細粗化粒子、を更に付着せし
めたものである、請求項１又は２に記載のファインパタ
ーン用電解銅箔。 - 【請求項４】 前記の合金粒子における前記元素（Ｉ）
の存在量が０．１〜３mg/mg‐Ｃｕであり、前記の混合
物における前記元素（II）の存在量が０．０２〜０．８
mg/mg‐Ｃｕである、請求項３に記載の電解銅箔。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一に記載の電解
銅箔を、その粗化処理した面にて樹脂基板と接着せしめ
た銅張積層板又はプリント配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001040287A JP4429539B2 (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | ファインパターン用電解銅箔 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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