CN100353819C - 薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔 - Google Patents

薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔 Download PDF

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Abstract

本发明涉及轧制铜箔，进行表面的平滑化处理，使其具有理想平滑面的1.30倍以下的表面积的薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔。还涉及具有下述特征的薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔，使Cu、或者Cu和Mo的合金粒子或由Cu和选自Ni、Co、Fe及Cr组中的至少1种元素所组成的合金粒子、或者由该合金粒子和选自V、Mo及W组中的至少1种元素的氧化物所组成的混合物的微细粗化粒子附着于经平滑化处理的铜箔上。

Description

薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔
技术领域
本发明涉及用于精密图形印刷电路板、特别是用于薄膜上的集成电路芯片(chip on film)(COF)、高频印刷电路板最为合适的铜箔、以及用于等离子显示器(PDP)的电磁波屏蔽板最为合适的铜箔。本发明还涉及使用该铜箔的印刷电路板、PDP电磁波屏蔽板及高频用印刷电路板。
背景技术
随着电子设备的小型化、轻量化，近来，各种电子部件正在向集成化发展。与此相对应，也要求印刷电路板的电路图形的高密度化，由微细的线宽度和电路行距组成的电路图形也正在形成。高密度化发展最快的是电脑、携带电话和PDA的显示部的驱动液晶显示器的IC安装基板，从IC被直接放置在薄膜基板上开始被称为薄膜上的集成电路芯片(COF)。
安装COF是根据透过通过铜箔形成电路图形的膜的光，检测出IC的位置。但是，以往的印刷电路板用电解铜箔的识别性(根据光检测IC位置的能力)非常差。其原因在于铜箔的表面粗糙。可透过光的膜部分的铜电路部分以外的不需要的铜箔部分是被蚀刻除去的部分，将铜箔贴附于膜上时，铜箔表面的凹凸被复写在膜面上残留下来，从而使膜表面的凹凸变大，光透过时，由于其凹凸的存在，使可直接进入的光量减少，从而导致识别性变差。
以往的印刷电路板用电解铜箔由于识别性差，所以，使用2层材料，即在聚酰亚胺膜上通过溅镀(薄膜形成工序)形成铜层，在其上进行镀铜。
但由于该溅镀铜层与膜的粘附力弱，所以，在在电路的制作加工的过程中，蚀刻液和镀液进入铜箔和膜之间，即有可能发生底割现象。此外，由于该溅镀铜层与膜之间的粘附力弱，所以，在产品的使用过程中，有发生铜箔从基板剥离事故的危险性。
电解铜箔通常采用下述方法制造：对用如图1所示的电解制箔装置制得的铜箔，用如图2所示的表面处理装置实施用于提高粘附性的粗化处理和防锈处理等。电解制箔装置是在如图1所示的由旋转鼓状的阴极2(表面为SUS或钛制)和对该阴极2以同心圆状设置的阳极1(铅或重金属氧化物包覆钛电极)组成的装置中，使电解液3流动的同时在两极间形成电流，在该阴极2的表面析出规定厚度的铜，其后，从该阴极2的表面剥取铜箔4。本说明书中将该阶段的铜箔称为未处理铜箔4，该未处理铜箔4和电解液3接触的面称为粗糙面，和旋转的鼓状阴极接触的面称为光滑面。
未处理铜箔4，作为用于印刷电路板所必需的性能，即用于提高与树脂基板接触时的粘附性，通过如图2所示的表面处理装置，连续进行电化学或化学性的表面处理，即粗化处理、镀金属处理、防锈处理、硅烷偶合剂处理等。上述表面处理中，粗化处理通常在未处理铜箔的粗糙面实施，作为表面处理铜箔8用于印刷电路板。图2中的5、6为电解液，7为表面处理装置的阳极。
影响表面处理铜箔8的蚀刻特性和识别性的较大原因之一是铜箔表面的粗糙度。对于蚀刻特性，重要的在于铜箔的粗糙面及光滑面的粗糙度均小，对于识别性，重要的在于与膜粘接侧的表面的粗糙度小。
此外，PDP电磁波屏蔽板所使用的铜箔也要求表面粗糙度小的铜箔。PDP是“利用由放电产生发光的显示器”，在真空的玻璃管中充入水银气体等，施加电压，使其放电，这时产生的紫外线与事先涂敷于玻璃管内侧的荧光涂料接触，产生可视光。PDP迄今为止主要作为车站和公共设施或展览会和西餐厅中的显示器使用，但近年来，用于家庭用大型电视机的需求也在增加。
对于PDP，为了防止从设备产生的电磁波的泄漏，在显示器前面(距观看人近的一侧)设置电磁波屏蔽板。作为可防止从公共设施等所使用的设备产生的电磁波泄漏的电磁波屏蔽板，使用在玻璃板的全部面涂敷银的薄膜层和在微细的尼龙制网状材料上进行镀铜的电磁波屏蔽板等。
而家庭用电视机要求产生更少的电磁波，以往的屏蔽板已经难以对应。为此，正使用通过在聚酯膜等透明膜上贴铜箔、蚀刻，在膜上残留网状铜类型的屏蔽板。该屏蔽板设置在显示器的前面，视听者看到从没有该网状铜的部分通过的光。为了得到良好的画质，必需光透过性优良的网，宽度10μm、间隔200μm的网铜箔现在正在大量生产。
由于该网的作成是通过蚀刻进行的，因此，对PDP用铜箔的要求和对高密度印刷电路板用铜箔的要求相似。即，为了制作精细宽度的网铜箔，要求铜箔的粗糙面及光滑面的粗糙度均必需小，表面粗糙度小的铜箔。
此外，不仅有电子设备的小型化、轻量化，而且随着信息传递量的增加，还有高频化的倾向。以往，1GHz以上的高频信号使用于飞机、卫星通信等限定的无线用途，而现在携带电话和无线LAN等身边的电子设备也在使用。该高频用印刷电路板，必需使用可满足高频特性的优良树脂，而对于铜箔来说也必需选择高频传输损耗少的铜箔。即，由于频率越高，则信号越集中在导体层的表面部分流动，也就是说集肤效应的现象越显著，因此，以往的凹凸大的铜箔高频传输损耗大，不适用于该用途。
影响高频传输损耗的较大原因在于表面的粗糙度。由于频率越高，则集肤效应的现象越显著，因此，对于高频传输损耗，要求铜箔的粗糙面及光滑面的粗糙度均小。
影响铜箔粗糙面的粗糙度主要有两个原因。一个是未处理铜箔的粗糙面的表面粗糙度，另一个是粗化处理的粒状铜的附着方式。如果未处理铜箔的粗糙面的表面粗糙度大，则粗化处理后的铜箔表面的粗糙度变大。粗化处理时的粒状铜的附着量可通过粗化处理时流过的电流来进行调节，但未处理铜箔的表面粗糙度主要决定于上述的图1的鼓状阴极2中析出铜时的电解条件、在电解液3中添加的添加剂。
一般的电解铜箔是将铜箔的粗糙面进行粗化处理，表面粗糙度：以Rz(JISB0601-1994“表面粗糙度的定义和表示”的5.1“十个点的平均粗糙度的定义”中称为所规定的Rz。以下相同)表示，12μm的铜箔其粗糙度在6μm左右，70μm的厚铜箔其粗糙度在10μm左右。
如上所述如果与树脂基板粘合的铜箔粘合面其表面粗糙度较大，则铜箔的粗糙面所具有的铜粒子和如树枝状析出的铜箔的一部分深入到树脂基板，从而得到较大粘附力。另一方面，在用于形成印刷电路的蚀刻方面，使进入树脂基板的铜粒子和树枝状析出的铜完全溶解的时间长，即发生“留根”的现象。
其结果是铜箔和树脂基板的底线直线性变差，如果使电路间隔变窄，则邻接电路间的绝缘性变差，更严重的情况下，电路完全不能制作，邻接的电路发生桥接现象。
光泽面(与鼓接触的一面)，初看是光泽的，看上去较平滑，但为鼓表面的复制品，其粗糙度进行平均，用Rz表示一般为1.5-2.0μm左右。
这是由于，最初鼓表面是以经研磨后平滑的状态开始制造的，但电解铜箔的制造在持续的过程中，因为电解液为强酸，所以鼓表面被溶解渐渐变得粗糙。在电解铜箔的制造进行某一定的时间之后，将变粗糙的鼓表面再进行研磨，使其平滑，但从平均来看，其粗糙度在1.5-2.0μm等级。
如果表面的粗糙度大，则由于会出现在电路蚀刻时贴于铜箔表面的干燥膜蚀刻保护层的粘附性有局部性好和坏的地方，因此，在蚀刻后，电路可能成为起伏形状。如果成为该起伏形状，则电路的直线性变差，发生难以切出精密图形的问题。液状保护层的情况下，与干燥膜保护层相比较其程度軽，但由于铜箔表面的凹部分和凸部分的溶解速度不同，电路同样出现起伏形状的现象。对于这样的精密图形化的要求，除铜箔的粗糙面的粗糙度小之外，光泽面的粗糙度小也很重要。
根据上述原因，关于识别性，重要的在于铜箔表面与膜粘合侧的表面粗糙度小，作为等离子显示器用和高频印刷电路板用铜箔，重要的在于两面的表面粗糙度均小。
以上关于电解铜箔、其表面粗糙度的重要性进行了说明，对于轧制铜箔也包含同样的问题，这一点上就不必说明了。
发明内容
本发明是为了解决上述以往的技术问题所进行的，其目的是提供具有下述特征的铜箔：具有高蚀刻因数、电路图形的底线的直线性优良且电路图形的树脂中不残留铜粒子、可制作精密图形、识别性优良、高频传输损耗少的铜箔。
本发明提供轧制铜箔，进行表面的平滑化处理，使其具有理想平滑面的1.30倍以下的表面积的薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔。
本发明为通过轧制铜箔(如果不做特别说明，则以下铜箔为电解铜箔、轧制铜箔的总称)，进行具有下述特征的平滑化处理，用激光显微镜(キ一エンス公司制型号：VK-8510)测量时的表面积为理想平滑面积的1.30倍以下，更好为1.20以下。
最好在经平滑化处理的铜箔表面镀Ni及Zn中的至少1种金属。
通过轧制铜箔表面进行平滑化处理，以在铜箔的平滑面镀Ni及Zn中的至少1种金属，可使其具有粘附力和耐化学药品性。
或者是使Cu、或者Cu和Mo的合金粒子或由Cu和选自Ni、Co、Fe及Cr中的至少1种元素所组成的合金粒子、或者由该合金粒子和选自V、Mo及W中的至少1种元素的氧化物所组成的混合物的微细粗化粒子附着于经平滑化处理的铜箔表面。
通过将金属粒子、合金粒子或各种粒子的混合物作为微细粗化粒子附着于经轧制铜箔表面进行了平滑化处理的平滑面，使微细粗化粒子均匀附着于经平滑化处理的表面，从而增强与基板树脂的粘附强度。
最好在经平滑化处理的表面附着的微细粗化粒子之上设置选自Cu、Ni、Zn、Co、V、Mo及W中的至少1种的金属镀层。
对于附着有微细粗化粒子的铜箔，由于根据微细粗化粒子的附着条件不同，有粒子不能牢固地与铜箔粘合的情况，在下一个加工工序中，上述微细粗化粒子的一部分在工序中剥离而粘附在设备上，因此有些情况下要求不易剥离的微细粗化处理。为了满足该要求，通过进行上述镀层处理，覆盖微细粗化粒子的表面，可抑制剥离现象(落粉)的发生。
对上述铜箔的最外层的表面也可实施防锈处理。
对上述铜箔的最外层的表面也可实施硅烷偶合剂处理。
对上述铜箔的最外层的表面还可实施防锈处理及硅烷偶合剂处理。
如上所述，通过将轧制后的铜箔表面或该表面附着的微细粗化粒子的表面进行防锈处理、硅烷偶合剂处理，可防止铜箔的氧化、变色。
附图说明
通过对相关附图的说明，使上述本发明的目的及特征更为明确，这里，
图1为表示电解铜箔制造装置的构造的示意图。
图2为表示电解铜箔的表面处理装置的示意图。
具体实施方式
本发明者发现，
1.决定COF的识别性的因素不仅有膜自身的透明性，而且还有铜箔的表面积(表面的凹凸)，表面越接近于理想平滑面，识别性越好，在实用上可允许的表面积在理想平滑面的1.30倍以下。
2.PDP的更接近于理想的精密图形化的要素为铜箔的表面积(表面的凹凸)，表面越接近于理想平滑面，精密图形化的效果越好，同时考虑到粘附性，表面积最好在理想平滑面的1.30倍-1.1倍。
3.所要求的通信的高速化、通信的速度差与高频印刷电路板用铜箔的表面积(表面的凹凸)有关，电波通过的铜箔表面越接近于理想平滑面，通信特性越好，表面积在理想平滑面的1.30倍以下时，可具有优良的通信特性。
这里，对本发明的铜箔用于COF的实施形态进行说明。
与铜箔粘合的聚酰亚胺树脂，根据制造厂商的不同，其色调和与铜箔的粘附力等性能有若干差异。例如，A厂商制聚酰亚胺膜由于色调深，所以膜自身的识别性稍差，但与铜的粘附性好，即使是本发明的没有粗化处理的铜箔，在实用上也可确保充分的粘附力。对于该聚酰亚胺膜，对进行了轧制处理、表面积在理想平滑面的1.30倍以下的铜箔再实施镀铬防锈处理和硅烷偶合剂处理，与聚酰亚胺膜贴合，作成电路后，对确认集成电路位置的识别性及两者的粘附力等进行测定，得到了满意的结果。
再在表面积达到理想平滑面的1.30倍的原箔上镀Ni或Zn金属中的至少1种金属，在其表面再进行镀铬防锈处理和硅烷偶合剂处理，对识别性及粘附力等进行测定，其结果表明具有满意的特性。
另一方面，B厂商制聚酰亚胺膜，其自身的透明性好，但由于与铜箔的粘附力弱，因此，必需提高粘附力的对策。本发明的实施形态是使Cu、或者Cu和Mo的合金粒子或由Cu和选自Ni、Co、Fe及Cr组中的至少1种元素所组成的合金粒子、或者由该合金粒子和选自V、Mo及W组中的至少1种元素的氧化物所组成的混合物的微细粗化粒子附着于表面积达到理想平滑面的1.30倍的原箔上，再实施镀铬防锈处理和硅烷偶合剂处理，与B厂商制聚酰亚胺膜贴合，经蚀刻处理构成电路后，对识别性及粘附力等必要的特性进行测定，确认得到了满意的结果。
附着于经平滑化处理的铜箔表面混合物的微细粗化粒子可为由铜组成的物质，也可为Cu和Mo的合金粒子或由Cu和选自Ni、Co、Fe及Cr组中的至少1种元素(I)所组成的合金粒子(以下称『粒子I』)，还可为由粒子I和选自V、Mo及W组中的至少1种元素(II)的氧化物所组成的混合物(以下称『粒子II』)。
通常的坚固线路板所使用的FR-4等环氧树脂是以Cu粒子或Cu和Mo的合金粒子得到所希望的粘附强度。但是，在粒子变得更加微细的COF所使用的聚酰亚胺的情况下，以Cu或Cu和Mo的合金粒子难以得到粘接强度，因此，使所述粒子I或粒子II进行粘附较为有效。由于所述粒子不仅具有锚定效果，还可增大与聚酰亚胺的化学结合，因此，可得到大的粘附强度。
作为粒子I，较好可列举例如Cu·Ni合金、Cu·Co合金、Cu·Fe合金、Cu·Cr合金等粒子。
所述合金粒子中的所述元素(I)的含有量，最好是相对于Cu的含有量1mg/dm2箔(mg/dm2·箔)为0.1-3mg/dm2箔(mg/dm2·箔)，此外，所述混合物中的所述元素(II)的含有量，最好是相对于Cu的含有量1mg/dm2箔(mg/dm2·箔)为0.02-0.8mg/dm2箔(mg/dm2·箔)。
粒子I中的元素(I)的含有量，相对于Cu的含有量1mg/dm2箔大于0.1-3mg/dm2箔的合金组成，在蚀刻电路图形时，除Co之外难以溶解，出现残留有树脂基板的不良结果。相反少于0.1mg/dm箔的合金组成，出现不能提高对树脂基板，例如B  厂商制聚酰亚胺树脂基板的粘附力这样的不良结果。
由于在这样的粒子I内，Cu·Ni合金粒子或Cu·Co合金粒子，Ni或Co其自身对聚酰亚胺之类的树脂基板具有较高的粘附强度，因此，作为合金粒子全体与树脂基材之间也具有较高的粘附强度，效果好。该情况下，Cu在箔本体的存在量(粘附量)以绝对量计为4-20mg/dm2，Ni或Co的存在量(粘附量)为0.1-3mg/mg·Cu。Cu·Ni合金粒子或Cu·Co合金粒子具有非常高的粘附性，该方面较为理想。
粒子II为所述粒子I和氧化物粒子的混合物。在向铜箔的电镀时，粒子I在结晶粒的晶粒边界析出，但同时元素(II)，例如V、Mo、W形成V2O5、MoO3、WO3等氧化物粒子，以与粒子I的混合状态析出，从而形成粒子II。因此，该粒子II是以适度的相互分散的状态共存。
粒子I有选择性地附着于铜箔结晶粒界，该情况下，不是均匀附着于全部晶粒边界，而是具有集中附着于某特定晶粒边界的倾向。如果主要以这样的附着状态进行，则即使增加作为全体的附着量，也不能保证粒子I可在晶粒边界全体均匀附着。未附着的位置发生与树脂基材的粘附力降低的情况。
但是，如果在与元素(II)的V、Mo、W等共存的条件下进行电镀，其原因不明确，可在V、Mo、W的氧化物粒子的作用下，所述粒子I集中附着于某特定晶粒边界的倾向降低，变为分散附着于多数的结晶粒的粒界，实现作为全体的均匀附着。
其结果是，粒子II的情况下，可得到与单独使用粒子I进行附着时相比，和树脂的粘附性得到提高的效果。
粒子II中，元素(II)的含有量高于0.8mg/mg·Cu的情况下，在树脂基板上按压层叠之后，进行剥离试验时，会有氧化物残留于树脂基板上的情况发生。相反低于0.02mg/mg·Cu的情况下，添加元素(II)的效果不大。所以，最好选定0.8-0.02mg/mg·Cu的范围。
将表面经平滑化处理、附着有微细粗化粒子的铜箔与聚酰亚胺树脂膜贴合，通过蚀刻形成电路后，也可在形成该电路的铜箔上进行镀Sn。这时，如果镀Sn液的温度非常高，则有发生镀液侵入铜箔和膜之间，即底割的情况。因此，如果要作为上述用途使用，必须在以上述微细粗化粒子的元素组成不引起底割发生方面做出努力。
本发明者在该方面也进行了研究，结果发现，微细粗化粒子中的元素组成，相对于Cu的含有量1mg/dm2·箔，Co为0.1-3.0mg/dm2·箔、Ni为0.1-3.0mg/dm2·箔较为合适，更好是相对于Cu的含有量1 mg/dm2·箔，Co为1.2-2.2mg/dm2·箔、Ni为0.1-2.0mg/dm2·箔，最好是相对于Cu的含有量1mg/dm2·箔，Co为1.5-1.9mg/dm2·箔、Ni为1.3-1.7mg/dm2·箔。
本发明可使用电解铜箔、轧制铜箔中的任何一种，只要通过轧制，其表面积为理想平滑面的1.30倍以下即可。可根据被粘接的树脂种类和用途，在粗化处理、镀保护层处理、Ni或Zn处理、防锈处理、硅烷偶合剂处理中选择必要的处理。
以上，对在COF领域的识别性、粘附性进行了重点说明，但该铜箔不仅限于COF的用途，也可作为一般精密图形印刷电路板用、PDP电磁波屏蔽板用及高频印刷电路板用铜箔使用。
以下，以本发明的实施例为基础进行更详细的说明，但本发明不仅限于此。
原箔1
将厚度10μm、粗糙面的表面粗糙度Rz1.03μm、光泽面的表面粗糙度Rz1.20的未处理电解铜箔通过冷轧制进行1遍轧制，得到厚度9μm的原箔1。轧制是使用表面粗糙度Ra0.03的平滑工作辊，用4厘沲的低粘度轧制油，以将速度控制在不发生油泡的范围。
对于该轧制后的粗糙面，将80μm×120μm的一部分(理想平滑面积9,600μm2)的表面积用激光显微镜(キ一エンス公司制型号：VK-8510)测定的结果，得到表面面积的值为11,403μm2。该值为理想平滑面积的1.19倍。此外，对轧制前的粗糙面也进行了测定，得到的值为12,871μm(1.34倍)。
原箔2
将厚度15μm的未处理电解铜箔通过冷轧制进行2遍轧制，制得厚度12μm的原箔2。该原箔2的表面用激光显微镜(キ一エンス公司制型号：VK-8510)进行测定，对表面积进行计算的结果表明，平滑化处理后的结果为理想平滑面的1.25倍。
原箔3
将厚度18μm的未处理电解铜箔通过冷轧制进行3遍轧制，制得厚度12μm的原箔3。该原箔3的表面用激光显微镜(キ一工ンス公司制型号：VK-8510)进行测定，对表面积进行计算的结果表明，平滑化处理后的结果为理想平滑面的1.22倍。
原箔4
将厚度18μm的轧制铜箔再通过冷轧制进行3遍轧制，制得厚度12μm的原箔4。该原箔4的表面用激光显微镜(キ一エンス公司制型号：VK-8510)进行测定，对表面积进行计算的结果表明，平滑化处理后的结果为理想平滑面的1.25倍。
电镀A(镀镍)
〔电镀液组成〕硫酸镍(6水盐)：240g/立升
氯化镍(6水盐)              ：45g/立升
硼酸                       ：30g/立升
次磷酸钠                   ：10g/立升
〔条件〕温度               ：20℃
pH                         ：3.5
电流密度                   ：1A/dm2
处理时间                   ：0.7秒
电镀B(镀锌)
〔电镀液组成〕硫酸锌(7水盐)：35g/立升
氢氧化钠                   ：70g/立升
〔条件〕温度               ：20℃
电流密度                   ：0.25A/dm2
处理时间                   ：3秒
电镀C(微细粗化处理)
〔电镀液组成〕硫酸铜(5水盐) ：20g/立升
硫酸                     ：45g/立升
砷(As)                   ：140mg/立升
〔条件〕温度             ：20℃
电流密度                 ：11A/dm2
处理时间                 ：3秒
电镀D(微细粗化处理)
在电镀液1的处理之后，继续进行电镀液2的处理。
〔电镀液1的组成〕硫酸铜(5水盐)：98g/立升
硫酸                          ：100g/立升
钼酸铵                        ：4g/立升
〔条件〕温度                  ：35℃
电流密度                      ：40A/dm2
处理时间                      ：3.5秒
〔电镀液2的组成〕硫酸铜(5水盐)：236g/立升
硫酸                          ：100g/立升
〔条件〕温度                  ：50℃
电流密度                      ：20A/dm2
处理时间                      ：7秒
电镀E(微细粗化处理)
〔电镀液组成〕硫酸铜(5水盐)    ：20g/立升
硫酸钴(7水盐)                  ：38g/立升
硫酸镍(6水盐)                  ：36g/立升
硫酸铵                         ：40g/立升
硼酸                           ：20g/立升
〔条件〕温度                   ：40℃
pH                             ：3.5
电流密度                       ：15A/dm2
处理时间                       ：3秒
电镀F(微细粗化处理)
〔电镀液组成〕硫酸铜(5水盐)：20g/立升
硫酸镍(6水盐)              ：54g/立升
偏钒酸铵                   ：2g/立升
硼酸                       ：20g/立升
〔条件〕温度               ：40℃
pH                         ：3.5
电流密度                   ：10A/dm2
处理时间                   ：3秒
电镀G(金属镀层)
〔电镀液组成〕硫酸钴(7水盐) ：76g/立升
硼酸                        ：30g/立升
〔条件〕温度                ：40℃
pH                          ：3.1
电流密度                    ：5.6A/dm2
处理时间                    ：5秒
电镀H(防锈处理：阴极镀铬处理)
〔电镀液组成〕三氧化铬       ：3g/立升
〔条件〕温度                 ：33℃
电流密度                     ：3A/dm2
处理时间                     ：1秒
硅烷偶合剂处理I
〔电镀液组成〕环氧丙氧基丙基甲氧基硅烷：1g/立升
〔条件〕温度：室温
        处理：浸渍后、橡皮滚挤压、加热干燥
实施例1
分别通过电镀H对原箔1、原箔2、原箔3、原箔4实施防锈处理及硅烷偶合剂处理I。之后，在高温高压条件下与A厂商制聚酰亚胺膜粘合，这时其粘附性良好。在铜箔表面贴合干燥膜保护层，进行蚀刻，作成COF用树脂基板(COF)。在制作该COF用树脂基板时，电路没有成为起伏的形状，电路的直线性很好，完成了宽度15μm。导体间隔15μm的精密图形的COF。通过用图形蚀刻取除的聚酰亚胺膜一边识别集成电路，一边使该COF对准位置，从膜上可容易地确认集成电路的位置，可正确地连接集成电路和COF电路。此外，也不发生镀Sn时的底割现象。
实施例2
通过电镀A对原箔1、原箔2、原箔3、原箔4进行镀镍，再通过电镀B进行镀锌。之后，分别通过电镀H实施防锈处理及硅烷偶合剂处理I。在高温高压条件下在这个铜箔表面上与A厂商制聚酰亚胺膜粘合，这时其粘附性良好。然后，在铜箔表面贴合干燥膜保护层，进行蚀刻，作成COF用树脂基板(COF)。在制作该COF用树脂基板时，电路没有成为起伏的形状，电路的直线性很好，完成了宽度15μm、导体间隔15μm的精密图形的COF。通过用图形蚀刻取除的聚酰亚胺膜一边识别集成电路，一边使该COF对准位置，从膜上可容易地确认集成电路的位置，可正确地连接集成电路和COF电路。此外，也不发生镀Sn时的底割现象。
实施例3
通过电镀C对原箔1、原箔2、原箔3、原箔4进行微细粗化处理之后，分别通过电镀H实施防锈处理及硅烷偶合剂处理I。在该铜箔的表面涂敷B厂商制聚酰亚胺树脂，经加热固化使树脂形成膜，进行加热老化处理，制得铜贴聚酰亚胺膜。该铜贴聚酰亚胺膜中的铜和聚酰亚胺之间的粘附性良好。然后，在铜箔表面贴合干燥膜保护层，进行蚀刻，作成COF用树脂基板(COF)。在制作该COF用树脂基板时，电路没有成为起伏的形状，电路的直线性很好，完成了宽度25μm、导体间隔25μm的精密图形的COF。通过用图形蚀刻取除的聚酰亚胺膜一边识别集成电路，一边使该COF对准位置，从膜上可容易地确认集成电路的位置，可正确地连接集成电路和COF电路。此外，也不发生镀Sn时的底割现象。
实施例4
通过电镀D对原箔1、原箔2、原箔3、原箔4进行微细粗化处理之后，分别通过电镀H实施防锈处理及硅烷偶合剂处理I。在该铜箔的表面涂敷B厂商制聚酰亚胺树脂，经加热固化使树脂形成膜，进行加热老化处理，制得铜贴聚酰亚胺膜。该铜贴聚酰亚胺膜中的铜和聚酰亚胺之间的粘附性良好。然后，在铜箔表面贴合干燥膜保护层，进行蚀刻，作成COF用树脂基板(COF)。在制作该COF用树脂基板时，电路没有成为起伏的形状，电路的直线性很好，完成了宽度25μm、导体间隔25μm的精密图形的COF。通过用图形蚀刻取除的聚酰亚胺膜一边识别集成电路，一边使该COF对准位置，从膜上可容易地确认集成电路的位置，可正确地连接集成电路和COF电路。此外，也不发生镀Sn时的底割现象。
实施例5
通过电镀E对原箔1、原箔2、原箔3、原箔4进行微细粗化处理之后，分别通过电镀H实施防锈处理及硅烷偶合剂处理I。在该铜箔的表面涂敷B厂商制聚酰亚胺树脂，经加热固化使树脂形成膜，进行加热老化处理，制得铜贴聚酰亚胺膜。该铜贴聚酰亚胺膜中的铜和聚酰亚胺之间的粘附性良好。然后，在铜箔表面贴合干燥膜保护层，进行蚀刻，作成COF用树脂基板(COF)。在制作该COF用树脂基板时，电路没有成为起伏的形状，电路的直线性很好，完成了宽度20μm、导体间隔20μm的精密图形的COF。通过用图形蚀刻取除的聚酰亚胺膜一边识别集成电路，一边使该COF对准位置，从膜上可容易地确认集成电路的位置，可正确地连接集成电路和COF电路。此外，也不发生镀Sn时的底割现象。
实施例6
通过电镀F对原箔1、原箔2、原箔3、原箔4进行微细粗化处理之后，分别通过电镀H实施防锈处理及硅烷偶合剂处理I。在该铜箔的表面涂敷B厂商制聚酰亚胺树脂，经加热固化使树脂形成膜，进行加热老化处理，制得铜贴聚酰亚胺膜。该铜贴聚酰亚胺膜中的铜和聚酰亚胺之间的粘附性良好。然后，在铜箔表面贴合干燥膜保护层，进行蚀刻，作成COF用树脂基板(COF)。在制作该COF用树脂基板时，电路没有成为起伏的形状，电路的直线性很好，完成了宽度25μm、导体间隔25μm的精密图形的COF。通过用图形蚀刻取除的聚酰亚胺膜一边识别集成电路，一边使该COF对准位置，从膜上可容易地确认集成电路的位置，可正确地连接集成电路和COF电路。此外，也不发生镀Sn时的底割现象。
实施例7
通过电镀E对原箔1、原箔2、原箔3、原箔4进行微细粗化处理。该状态的箔，在PDP电磁波屏蔽板的制作工序中层压聚酰亚胺膜时，微细粗化处理粒子与导辊摩擦、剥离，从而发生附着于辊表面的问题。为了防止该问题的发生，在微细粗化粒子之上，通过电镀G形成作为被覆层的镀钴金属层。其后，分别通过电镀H实施防锈处理及硅烷偶合剂处理I。分别在A厂商制聚酰亚胺膜上层压粘合该铜箔，在实施该工序时，完全没有出现微细粗化粒子的剥离和在导辊上的附着。然后，在铜箔表面涂敷液状蚀刻保护层，进行蚀刻，作成PDP电磁波屏蔽板。该PDP电磁波屏蔽板的电路的直线性很好，完成了宽度9μm、导体间隔200μm的精密图形的PDP电磁波屏蔽板。该PDP电磁波屏蔽板满足电磁波屏蔽性的B级规格，可用于家庭用电视机。
实施例8
通过电镀F对原箔1、原箔2、原箔3、原箔4进行微细粗化处理之后，分别通过电镀H实施防锈处理及硅烷偶合剂处理I。使该铜箔的表面含浸高频基板用树脂，放置玻璃布预浸料坯，进行加热压制，作成覆铜层压板。然后在铜箔表面贴合干燥膜保护层，进行蚀刻，作成高频印刷电路板。该高频印刷电路板电路的直线性很好，完成了宽度100μm、导体间隔100μm的图形的高频印刷电路板。用该高频印刷电路板发送4GHz的信号500mm，传输损耗与使用一般铜箔相比减少19％，也几乎没有测量到时间误差。
本发明通过使如上所述铜箔的表面平滑，可提供适合COF用、PDP用、精密图形印刷电路板(特别是高频用)铜箔。

Claims (6)

1.薄膜上的芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔，其特征在于，轧制铜箔，进行表面的平滑化处理，使其具有理想平滑面的1.30倍以下的表面积；经平滑化处理的铜箔表面附着有Cu和Mo的合金粒子或由Cu和选自Ni、Co、Fe及Cr组中的至少1种元素(I)所组成的合金粒子、或者由该合金粒子和选自V、Mo及W组中的至少1种元素(II)的氧化物所组成的混合物的微细粗化粒子；所述合金粒子中元素(I)的量相对于Cu的含有量1mg/dm2箔，为0.1-3mg/dm2箔，所述混合物中元素(II)的量相对于Cu的含有量1mg/dm2箔，为0.02-0.8mg/dm2箔。
2.根据权利要求1所述的薄膜上的芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔，其特征在于，在经平滑化处理的表面镀Ni及Zn中的至少1种金属。
3.根据权利要求1所述的薄膜上的芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔，其特征在于，在经平滑化处理的表面附着的微细粗化粒子之上设有选自Cu、Ni、Zn、Co、V、Mo及W组中的至少1种的金属镀层。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的薄膜上的芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔，其特征在于，对最外层的表面实施了防锈处理。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的薄膜上的芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔，其特征在于，对最外层的表面实施了硅烷偶合处理。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的薄膜上的芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔，其特征在于，对最外层的表面实施了防锈处理及硅烷偶合处理。
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