JP2001226795A - 粗化処理銅箔及びその製造方法 - Google Patents
粗化処理銅箔及びその製造方法Info
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- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅箔の被接着面に電解処理によりコブ状銅を
形成させる際に、銅生箔の凸部だけでなく、凹部にもコ
ブ状銅を形成させることにより、粗面粗さを大きくする
ことなく、樹脂基材と銅箔間の接着強度に優れたプリン
ト配線板用銅箔として好適に用いられる粗化処理銅箔を
提供する。 【解決手段】 銅箔の被接着面に、銅並びにタングステ
ン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属と、ニッ
ケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１
種以上の金属とからなる複合金属層を設け、更にこの層
の上に銅からなる粗化層を設けてなる粗化処理銅箔、及
び、銅並びにタングステン及びモリブデンから選ばれる
少なくとも１種以上の金属とニッケル、コバルト、鉄及
び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属とからな
る複合金属層に銅イオンを含有するメッキ浴を用いて、
浴の限界電流密度以上の電流密度で電解処理して、樹枝
状銅電着層を形成し、更に浴の限界電流密度未満の電流
密度で電解処理してコブ状銅を形成することにより銅か
らなる粗化層を設ける粗化処理銅箔の製造方法。
形成させる際に、銅生箔の凸部だけでなく、凹部にもコ
ブ状銅を形成させることにより、粗面粗さを大きくする
ことなく、樹脂基材と銅箔間の接着強度に優れたプリン
ト配線板用銅箔として好適に用いられる粗化処理銅箔を
提供する。 【解決手段】 銅箔の被接着面に、銅並びにタングステ
ン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属と、ニッ
ケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１
種以上の金属とからなる複合金属層を設け、更にこの層
の上に銅からなる粗化層を設けてなる粗化処理銅箔、及
び、銅並びにタングステン及びモリブデンから選ばれる
少なくとも１種以上の金属とニッケル、コバルト、鉄及
び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属とからな
る複合金属層に銅イオンを含有するメッキ浴を用いて、
浴の限界電流密度以上の電流密度で電解処理して、樹枝
状銅電着層を形成し、更に浴の限界電流密度未満の電流
密度で電解処理してコブ状銅を形成することにより銅か
らなる粗化層を設ける粗化処理銅箔の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板等
に好適に用いられる粗化処理銅箔とその製造方法に関
し、更に詳しくは、ＦＲ−５等の高Ｔｇ樹脂基材との接
着強度に優れるプリント配線板用銅箔として好適に用い
られる粗化処理銅箔とその好適な製造方法に関する。
に好適に用いられる粗化処理銅箔とその製造方法に関
し、更に詳しくは、ＦＲ−５等の高Ｔｇ樹脂基材との接
着強度に優れるプリント配線板用銅箔として好適に用い
られる粗化処理銅箔とその好適な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板用銅箔は、一般に、樹脂
基材と積層する銅箔との被接着面が何らかの方法によっ
て、より強固な接着強度が得られるように、予め粗化処
理されている。この粗化処理手段として適用されている
主流の方法は、電解銅箔の場合メッキ法である。メッキ
法には、例えば、特公昭５３−３９３７６号公報に開示
されている方法がある。この方法は酸性銅メッキ浴を用
いて、銅生箔を陰極として、まず限界電流密度以上の電
流によりいわゆるコガシメッキによる樹枝状銅電着層を
銅箔の少なくとも一方の被接着面に形成させ、更に該層
上に限界電流密度未満の電流により前記樹枝状銅電着層
に平滑な銅電着層（カブセメッキ）を形成して前記樹枝
状銅をいわゆるコブ状銅に変化させ、このコブ状銅によ
り、接着強度の増強を得ようとするものである。このコ
ブ状銅を形成することにより該銅箔面は、電解処理前に
比べて比表面積の増大が図られるとともにコブ状銅によ
るアンカー効果が発揮されて樹脂基材と銅箔間の接着強
度が向上する。このコブ状銅が形成される銅生箔が電解
銅箔の場合、一般に一方の面（粗面側）は他方の面（光
沢面側）に比べて凹凸があり、電流は主に凸部に集中し
やすく、コブ状銅は殆ど凸部の先端に集中して形成され
る。
基材と積層する銅箔との被接着面が何らかの方法によっ
て、より強固な接着強度が得られるように、予め粗化処
理されている。この粗化処理手段として適用されている
主流の方法は、電解銅箔の場合メッキ法である。メッキ
法には、例えば、特公昭５３−３９３７６号公報に開示
されている方法がある。この方法は酸性銅メッキ浴を用
いて、銅生箔を陰極として、まず限界電流密度以上の電
流によりいわゆるコガシメッキによる樹枝状銅電着層を
銅箔の少なくとも一方の被接着面に形成させ、更に該層
上に限界電流密度未満の電流により前記樹枝状銅電着層
に平滑な銅電着層（カブセメッキ）を形成して前記樹枝
状銅をいわゆるコブ状銅に変化させ、このコブ状銅によ
り、接着強度の増強を得ようとするものである。このコ
ブ状銅を形成することにより該銅箔面は、電解処理前に
比べて比表面積の増大が図られるとともにコブ状銅によ
るアンカー効果が発揮されて樹脂基材と銅箔間の接着強
度が向上する。このコブ状銅が形成される銅生箔が電解
銅箔の場合、一般に一方の面（粗面側）は他方の面（光
沢面側）に比べて凹凸があり、電流は主に凸部に集中し
やすく、コブ状銅は殆ど凸部の先端に集中して形成され
る。
【０００３】近年、ノートパソコン、携帯電話等の普及
に伴い、樹脂基材として高ＴｇタイプのＦＲ−５材を使
用したガラスエポキシプリント配線板が増加している。
高Ｔｇタイプのエポキシ樹脂は、従来のＦＲ−４材と比
較すると高耐熱性である反面、銅箔との接着強度が低く
なる傾向がある。樹脂基材との接着強度を高める方法と
して、銅箔の被接着面の粗面粗さを大きくする方法があ
る。しかし、粗面粗さを大きくした場合、小さな摩擦力
でもコブ状銅が脱落するいわゆる銅粉落ち現象や、プリ
ント回路作製時に行うエッチング工程後において樹脂基
材の中にコブ状銅が残存する残銅現象が発生しやすくな
る。
に伴い、樹脂基材として高ＴｇタイプのＦＲ−５材を使
用したガラスエポキシプリント配線板が増加している。
高Ｔｇタイプのエポキシ樹脂は、従来のＦＲ−４材と比
較すると高耐熱性である反面、銅箔との接着強度が低く
なる傾向がある。樹脂基材との接着強度を高める方法と
して、銅箔の被接着面の粗面粗さを大きくする方法があ
る。しかし、粗面粗さを大きくした場合、小さな摩擦力
でもコブ状銅が脱落するいわゆる銅粉落ち現象や、プリ
ント回路作製時に行うエッチング工程後において樹脂基
材の中にコブ状銅が残存する残銅現象が発生しやすくな
る。
【０００４】これらを改良する手段として、特公昭５４
−３８０５３号公報等に酸性銅メッキ浴中に砒素、アン
チモン、ビスマス、セレン、テルルから選ばれた１種又
は２種以上を特定量添加し、限界電流密度前後で電解処
理する粗面形成方法がある。砒素、アンチモン、ビスマ
ス、セレン、テルルを微量含有させることにより微小な
突起が形成されるが、銅生箔の凸部に集中する現象は改
善されない。更に、毒物、劇物等である砒素、アンチモ
ン、ビスマス、セレン、テルルを含有する銅箔をプリン
ト配線板に用いた場合、エッチング廃液やプリント配線
板そのものの廃棄時に、環境汚染の問題が発生する。
−３８０５３号公報等に酸性銅メッキ浴中に砒素、アン
チモン、ビスマス、セレン、テルルから選ばれた１種又
は２種以上を特定量添加し、限界電流密度前後で電解処
理する粗面形成方法がある。砒素、アンチモン、ビスマ
ス、セレン、テルルを微量含有させることにより微小な
突起が形成されるが、銅生箔の凸部に集中する現象は改
善されない。更に、毒物、劇物等である砒素、アンチモ
ン、ビスマス、セレン、テルルを含有する銅箔をプリン
ト配線板に用いた場合、エッチング廃液やプリント配線
板そのものの廃棄時に、環境汚染の問題が発生する。
【０００５】また、酸性銅メッキ浴中にベンゾキノリン
を添加する方法（特公昭５６−４１１９６号公報）やモ
リブデンを添加する方法（特公昭６２−５６６７７号公
報）が開示されているが、接着強度の向上が十分に得ら
れなかった。
を添加する方法（特公昭５６−４１１９６号公報）やモ
リブデンを添加する方法（特公昭６２−５６６７７号公
報）が開示されているが、接着強度の向上が十分に得ら
れなかった。
【０００６】この課題を更に改良した方法として、特開
平８−２３６９３０号公報にクロム及びタングステンか
ら選ばれた１種以上の金属イオンと、バナジウム、ニッ
ケル、鉄、コバルト、亜鉛、ゲルマニウム及びモリブデ
ンから選ばれる１種以上の金属イオンを含む酸性銅メッ
キ浴を用いて、限界電流密度付近で電解し、添加金属を
含有する粗化処理層を形成する方法が開示されている。
また、特開平１１−２５６３８９号公報にモリブデンと
鉄、コバルト、ニッケル、タングステンから選ばれる１
種以上の金属イオンを含む酸性銅メッキ浴を用いて、限
界電流密度付近で電解し、添加金属を含有するやけめっ
き層（コガシメッキ層）を形成する方法が開示されてい
る。
平８−２３６９３０号公報にクロム及びタングステンか
ら選ばれた１種以上の金属イオンと、バナジウム、ニッ
ケル、鉄、コバルト、亜鉛、ゲルマニウム及びモリブデ
ンから選ばれる１種以上の金属イオンを含む酸性銅メッ
キ浴を用いて、限界電流密度付近で電解し、添加金属を
含有する粗化処理層を形成する方法が開示されている。
また、特開平１１−２５６３８９号公報にモリブデンと
鉄、コバルト、ニッケル、タングステンから選ばれる１
種以上の金属イオンを含む酸性銅メッキ浴を用いて、限
界電流密度付近で電解し、添加金属を含有するやけめっ
き層（コガシメッキ層）を形成する方法が開示されてい
る。
【０００７】しかし、これらの方法を用いても、コブ状
銅は銅生箔凸部の先端に集中して形成されるため、銅粉
落ち現象や、残銅現象がなお発生する。
銅は銅生箔凸部の先端に集中して形成されるため、銅粉
落ち現象や、残銅現象がなお発生する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
した従来技術の問題点を解消することにある。すなわ
ち、銅箔の被接着面に電解処理によりコブ状銅を形成さ
せる際に、銅生箔の凸部だけでなく、凹部にもコブ状銅
を形成させることにより、粗面粗さを大きくすることな
く、樹脂基材と銅箔間の接着強度に優れたプリント配線
板用銅箔として好適に用いられる粗化処理銅箔を提供す
ることにある。
した従来技術の問題点を解消することにある。すなわ
ち、銅箔の被接着面に電解処理によりコブ状銅を形成さ
せる際に、銅生箔の凸部だけでなく、凹部にもコブ状銅
を形成させることにより、粗面粗さを大きくすることな
く、樹脂基材と銅箔間の接着強度に優れたプリント配線
板用銅箔として好適に用いられる粗化処理銅箔を提供す
ることにある。
【０００９】本発明の他の目的は、上記の粗化処理銅箔
の好適な製造方法を提供することにある。
の好適な製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、銅
箔の被接着面に、銅並びにタングステン及びモリブデン
から選ばれる１種以上の金属とニッケル、コバルト、鉄
及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属とから
なる複合金属層を設け、更にこの層の上に銅からなる粗
化層を設けてなることを特徴とする粗化処理銅箔を提供
するものである。
箔の被接着面に、銅並びにタングステン及びモリブデン
から選ばれる１種以上の金属とニッケル、コバルト、鉄
及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属とから
なる複合金属層を設け、更にこの層の上に銅からなる粗
化層を設けてなることを特徴とする粗化処理銅箔を提供
するものである。
【００１１】本発明はまた、銅箔を陰極として、銅イオ
ン並びにタングステンイオン及びモリブデンイオンから
選ばれる１種以上の金属イオンとニッケル、コバルト、
鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属イオ
ンを含有するメッキ浴を用いて、浴の限界電流密度未満
の電流密度で電解処理することにより、銅並びにタング
ステン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属とニ
ッケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも
１種以上の金属とからなる複合金属層を設け、次いでこ
の複合金属層上に、銅イオンを含有するメッキ浴を用い
て、浴の限界電流密度以上の電流密度で電解処理して、
樹枝状銅電着層を形成し、更に浴の限界電流密度未満の
電流密度で電解処理してコブ状銅を形成することにより
銅からなる粗化層を設けることを特徴とする粗化処理銅
箔の製造方法を提供するものである。ここで記述する浴
の限界電流密度とは、金属及び金属化合物の析出する陰
極反応において、水素ガスの発生を伴う電流密度を意味
する。
ン並びにタングステンイオン及びモリブデンイオンから
選ばれる１種以上の金属イオンとニッケル、コバルト、
鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属イオ
ンを含有するメッキ浴を用いて、浴の限界電流密度未満
の電流密度で電解処理することにより、銅並びにタング
ステン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属とニ
ッケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも
１種以上の金属とからなる複合金属層を設け、次いでこ
の複合金属層上に、銅イオンを含有するメッキ浴を用い
て、浴の限界電流密度以上の電流密度で電解処理して、
樹枝状銅電着層を形成し、更に浴の限界電流密度未満の
電流密度で電解処理してコブ状銅を形成することにより
銅からなる粗化層を設けることを特徴とする粗化処理銅
箔の製造方法を提供するものである。ここで記述する浴
の限界電流密度とは、金属及び金属化合物の析出する陰
極反応において、水素ガスの発生を伴う電流密度を意味
する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる銅箔（銅生
箔）は主に電解銅箔が好適に用いられるが、圧延銅箔や
真空蒸着法等によって、例えば、プラスチックフィルム
上に銅膜を形成させたものであってもよい。また、銅箔
の厚さ、銅箔表面の粗さや形態については特に限定する
ものではない。更に銅箔の被接着面は両面であってもよ
い。
箔）は主に電解銅箔が好適に用いられるが、圧延銅箔や
真空蒸着法等によって、例えば、プラスチックフィルム
上に銅膜を形成させたものであってもよい。また、銅箔
の厚さ、銅箔表面の粗さや形態については特に限定する
ものではない。更に銅箔の被接着面は両面であってもよ
い。
【００１３】この銅生箔の被接着面には、銅の付着量が
好ましくは５，０００〜１０，０００μｇ／ｄｍ2、タ
ングステン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属
の付着量が好ましくは１０〜１，０００μｇ／ｄｍ2、
より好ましくは１００〜１，０００μｇ／ｄｍ2、ニッ
ケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１
種以上の金属の付着量が好ましくは１０〜１，０００μ
ｇ／ｄｍ2、より好ましくは１０〜３００μｇ／ｄｍ2で
ある複合金属層が設けられている。
好ましくは５，０００〜１０，０００μｇ／ｄｍ2、タ
ングステン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属
の付着量が好ましくは１０〜１，０００μｇ／ｄｍ2、
より好ましくは１００〜１，０００μｇ／ｄｍ2、ニッ
ケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１
種以上の金属の付着量が好ましくは１０〜１，０００μ
ｇ／ｄｍ2、より好ましくは１０〜３００μｇ／ｄｍ2で
ある複合金属層が設けられている。
【００１４】ニッケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ば
れる少なくとも１種以上の金属の付着量が１０μｇ／ｄ
ｍ2未満の場合には、メッキ法によりコブ状銅を形成し
てもコブ状銅は銅生箔の凹部まで形成されず、凸部に集
中して形成される傾向があり、１，０００μｇ／ｄｍ2
を超える場合には、銅回路形成において、不要な銅をエ
ッチングにより除去するとき該メッキ層のエッチング時
間が著しく遅くなる傾向がある。ニッケル、コバルト、
鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属の付
着量は、メッキ浴の組成やその処理条件の設定などに関
連するものであり、後記する浴組成、電解条件等から適
宜選択される。
れる少なくとも１種以上の金属の付着量が１０μｇ／ｄ
ｍ2未満の場合には、メッキ法によりコブ状銅を形成し
てもコブ状銅は銅生箔の凹部まで形成されず、凸部に集
中して形成される傾向があり、１，０００μｇ／ｄｍ2
を超える場合には、銅回路形成において、不要な銅をエ
ッチングにより除去するとき該メッキ層のエッチング時
間が著しく遅くなる傾向がある。ニッケル、コバルト、
鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属の付
着量は、メッキ浴の組成やその処理条件の設定などに関
連するものであり、後記する浴組成、電解条件等から適
宜選択される。
【００１５】また、複合金属層の銅の付着量が５，００
０μｇ／ｄｍ2未満であると凹部全体にコブ状銅が形成
されない傾向にあり、１０，０００μｇ／ｄｍ2を超え
ると凹部全体にコブ状銅の形成効果は小さく、また、製
造コストが増大する傾向がある。複合金属層のタングス
テン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属の付着
量が１０μｇ／ｄｍ2未満であると、凹部全体にコブ状
銅が形成されない傾向にあり、また１，０００μｇ／ｄ
ｍ2を超えるとコブ状銅が大きくならない傾向がある。
複合金属層の厚さは０．０５〜０．１５μｍであること
が好ましい。更に好ましくは０．０７〜０．１２μｍで
ある。
０μｇ／ｄｍ2未満であると凹部全体にコブ状銅が形成
されない傾向にあり、１０，０００μｇ／ｄｍ2を超え
ると凹部全体にコブ状銅の形成効果は小さく、また、製
造コストが増大する傾向がある。複合金属層のタングス
テン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属の付着
量が１０μｇ／ｄｍ2未満であると、凹部全体にコブ状
銅が形成されない傾向にあり、また１，０００μｇ／ｄ
ｍ2を超えるとコブ状銅が大きくならない傾向がある。
複合金属層の厚さは０．０５〜０．１５μｍであること
が好ましい。更に好ましくは０．０７〜０．１２μｍで
ある。
【００１６】本発明における複合金属層の形成は、銅箔
の被接着面に銅イオン並びにタングステン及びモリブデ
ンから選ばれる１種以上の金属イオンとニッケル、コバ
ルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金
属イオンを含有するメッキ浴を用いて浴の限界電流密度
未満の電流密度で電解処理することにより行われる。銅
箔の被接着面は予め、酸洗、脱脂処理を施しておくこと
が好ましい。
の被接着面に銅イオン並びにタングステン及びモリブデ
ンから選ばれる１種以上の金属イオンとニッケル、コバ
ルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金
属イオンを含有するメッキ浴を用いて浴の限界電流密度
未満の電流密度で電解処理することにより行われる。銅
箔の被接着面は予め、酸洗、脱脂処理を施しておくこと
が好ましい。
【００１７】このメッキ浴の各金属イオン源は水溶性の
金属塩から選ばれ用いられる。好適な浴組成は次のよう
な範囲から選択することが好ましいが、特に限定するも
のではない。 銅イオン源−硫酸銅５水和物：１０〜１００ｇ／ｌ タングステンイオン源−タングステン酸ナトリウム２水
和物：０．０１〜２０ｇ／ｌ モリブデンイオン源−モリブデン酸ナトリウム２水和
物：０．５〜２０ｇ／ｌ ニッケルイオン源−硫酸ニッケル６水和物 コバルトイオン源−硫酸コバルト７水和物 鉄イオン源−硫酸第１鉄７水和物 亜鉛イオン源−硫酸亜鉛７水和物 硫酸ニッケル６水和物、硫酸コバルト７水和物、硫酸第
１鉄７水和物及び硫酸亜鉛７水和物の合計：１０〜１０
０ｇ／ｌ 好適な電解条件は、メッキ浴の限界電流密度未満であれ
ばよく、概ね次のような範囲から選択することが好まし
い。 電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ2、電解処理時間：１〜３
０秒、浴温度：１０〜６０℃ メッキ浴のｐＨは１．５〜５．０の範囲から選択される
ことが好ましい。ｐＨが１．５より低い場合、複合金属
層中のタングステン及びモリブデンから選ばれる１種以
上の金属の付着量及び、ニッケル、コバルト、鉄及び亜
鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属の付着量が好
適な範囲が少なくなり、メッキ法によりコブ状銅を形成
してもコブ状銅は銅生箔の凹部まで形成されず、凸部に
集中して形成される傾向がある。また、ｐＨが５．０よ
り高い場合、タングステンイオン及びモリブデンイオン
から選ばれる１種以上の金属イオンの溶解時間が著しく
遅くなり、生産性が悪化する傾向がある。より好ましい
ｐＨは２．０〜４．０の範囲である。
金属塩から選ばれ用いられる。好適な浴組成は次のよう
な範囲から選択することが好ましいが、特に限定するも
のではない。 銅イオン源−硫酸銅５水和物：１０〜１００ｇ／ｌ タングステンイオン源−タングステン酸ナトリウム２水
和物：０．０１〜２０ｇ／ｌ モリブデンイオン源−モリブデン酸ナトリウム２水和
物：０．５〜２０ｇ／ｌ ニッケルイオン源−硫酸ニッケル６水和物 コバルトイオン源−硫酸コバルト７水和物 鉄イオン源−硫酸第１鉄７水和物 亜鉛イオン源−硫酸亜鉛７水和物 硫酸ニッケル６水和物、硫酸コバルト７水和物、硫酸第
１鉄７水和物及び硫酸亜鉛７水和物の合計：１０〜１０
０ｇ／ｌ 好適な電解条件は、メッキ浴の限界電流密度未満であれ
ばよく、概ね次のような範囲から選択することが好まし
い。 電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ2、電解処理時間：１〜３
０秒、浴温度：１０〜６０℃ メッキ浴のｐＨは１．５〜５．０の範囲から選択される
ことが好ましい。ｐＨが１．５より低い場合、複合金属
層中のタングステン及びモリブデンから選ばれる１種以
上の金属の付着量及び、ニッケル、コバルト、鉄及び亜
鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属の付着量が好
適な範囲が少なくなり、メッキ法によりコブ状銅を形成
してもコブ状銅は銅生箔の凹部まで形成されず、凸部に
集中して形成される傾向がある。また、ｐＨが５．０よ
り高い場合、タングステンイオン及びモリブデンイオン
から選ばれる１種以上の金属イオンの溶解時間が著しく
遅くなり、生産性が悪化する傾向がある。より好ましい
ｐＨは２．０〜４．０の範囲である。
【００１８】複合金属層の形成により、銅生箔凸部に微
細粒が発生するがこのまま或は該層上をコガシメッキ又
はカブセメッキにより銅で被覆しただけでは十分な接着
強度は得られない傾向がある。そこで該層上に銅からな
る粗化層をコガシメッキ及びカブセメッキを併用して微
細粒を銅生箔の凹部にまで析出させることで接着強度の
向上を図る。
細粒が発生するがこのまま或は該層上をコガシメッキ又
はカブセメッキにより銅で被覆しただけでは十分な接着
強度は得られない傾向がある。そこで該層上に銅からな
る粗化層をコガシメッキ及びカブセメッキを併用して微
細粒を銅生箔の凹部にまで析出させることで接着強度の
向上を図る。
【００１９】すなわち、上記の条件で得られた銅箔を水
洗し、得られた複合金属層上に、銅イオンを含有するメ
ッキ浴を用いて浴の限界電流密度以上の電流密度で電解
処理するコガシメッキにより樹枝状銅電着層を形成し、
更に浴の限界電流密度未満の電流密度で電解処理するカ
ブセメッキによりコブ状銅を形成することにより銅から
なる粗化層を設ける。
洗し、得られた複合金属層上に、銅イオンを含有するメ
ッキ浴を用いて浴の限界電流密度以上の電流密度で電解
処理するコガシメッキにより樹枝状銅電着層を形成し、
更に浴の限界電流密度未満の電流密度で電解処理するカ
ブセメッキによりコブ状銅を形成することにより銅から
なる粗化層を設ける。
【００２０】銅からなる粗化層の銅の付着量は３０，０
００〜３００，０００μｇ／ｄｍ2であることが好まし
い。３０，０００μｇ／ｄｍ2未満であるとコブ状銅が
小さく十分な接着強度は得られない傾向がある。３０
０，０００μｇ／ｄｍ2を超えると接着強度は得られる
が、製造原価が増大するので好ましくない。より好まし
い付着量は１００，０００〜２００，０００μｇ／ｄｍ
2である。銅からなる粗化層の形成はコガシメッキ−カ
ブセメッキの工程を複数回繰り返して行うこともでき
る。
００〜３００，０００μｇ／ｄｍ2であることが好まし
い。３０，０００μｇ／ｄｍ2未満であるとコブ状銅が
小さく十分な接着強度は得られない傾向がある。３０
０，０００μｇ／ｄｍ2を超えると接着強度は得られる
が、製造原価が増大するので好ましくない。より好まし
い付着量は１００，０００〜２００，０００μｇ／ｄｍ
2である。銅からなる粗化層の形成はコガシメッキ−カ
ブセメッキの工程を複数回繰り返して行うこともでき
る。
【００２１】銅からなる粗化層の形成は、例えば一般的
な硫酸酸性硫酸銅浴を用いた場合、次のような浴組成及
び電解条件の範囲から選択することが好ましいが、特に
限定するものではない。 銅イオン源−硫酸銅５水和物：２０〜３００ｇ／ｌ 硫酸：１０〜２００ｇ／ｌ 電流密度：コガシメッキ（限界電流密度以上）；１０〜
２００Ａ／ｄｍ2、カブセメッキ（限界電流密度未
満）；１〜２０Ａ／ｄｍ2 電解処理時間：コガシメッキ；１〜１０秒、カブセメッ
キ；４０〜１００秒 浴温度：２０〜６０℃ 銅からなる粗化層を形成した銅箔は、必要に応じて、通
常の銅箔に設けられるクロメート層、亜鉛層、銅亜鉛合
金層、亜鉛合金層、ニッケル−モリブデン−コバルト
層、インジウム−亜鉛層などの防錆処理層やカップリン
グ剤処理層、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等の接着樹脂層を設けて用いることが好ましい。
これらの層を設けた粗面化処理銅箔は、樹脂基材と加熱
加圧積層してプリント配線板用の銅張積層板として使用
される。
な硫酸酸性硫酸銅浴を用いた場合、次のような浴組成及
び電解条件の範囲から選択することが好ましいが、特に
限定するものではない。 銅イオン源−硫酸銅５水和物：２０〜３００ｇ／ｌ 硫酸：１０〜２００ｇ／ｌ 電流密度：コガシメッキ（限界電流密度以上）；１０〜
２００Ａ／ｄｍ2、カブセメッキ（限界電流密度未
満）；１〜２０Ａ／ｄｍ2 電解処理時間：コガシメッキ；１〜１０秒、カブセメッ
キ；４０〜１００秒 浴温度：２０〜６０℃ 銅からなる粗化層を形成した銅箔は、必要に応じて、通
常の銅箔に設けられるクロメート層、亜鉛層、銅亜鉛合
金層、亜鉛合金層、ニッケル−モリブデン−コバルト
層、インジウム−亜鉛層などの防錆処理層やカップリン
グ剤処理層、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等の接着樹脂層を設けて用いることが好ましい。
これらの層を設けた粗面化処理銅箔は、樹脂基材と加熱
加圧積層してプリント配線板用の銅張積層板として使用
される。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例によって更
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
【００２３】実施例１ （１）厚さ３５μｍの電解銅箔（粗面側表面粗さＲａ
０．９μｍ、ＪＩＳ Ｂ０６０１に準拠して測定）を１
０％硫酸溶液で２０秒間酸洗処理した。
０．９μｍ、ＪＩＳ Ｂ０６０１に準拠して測定）を１
０％硫酸溶液で２０秒間酸洗処理した。
【００２４】（２）この銅箔を水洗し、硫酸銅５水和物
５０ｇ／ｌ、モリブデン酸ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ
及び硫酸ニッケル６水和物５０ｇ／ｌからなるメッキ浴
を、ｐＨ３．０、浴温度３０℃に調整したメッキ浴を用
いて、前記銅箔の粗面側（被接着面）を電流密度６Ａ／
ｄｍ2で４秒間電解処理して銅箔の被接着面側に銅、モ
リブデン及びニッケルを含む複合金属層を形成した。複
合金属層の各金属量をＩＣＰ（誘導結合プラズマ発光）
分析装置で定量したところ、銅の付着量は７，９００μ
ｇ／ｄｍ2、モリブデンの付着量は１７８μｇ／ｄｍ2、
ニッケルの付着量は１４５μｇ／ｄｍ2であった。処理
後の処理面の表面粗さはＲａ０．９μｍであった。
５０ｇ／ｌ、モリブデン酸ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ
及び硫酸ニッケル６水和物５０ｇ／ｌからなるメッキ浴
を、ｐＨ３．０、浴温度３０℃に調整したメッキ浴を用
いて、前記銅箔の粗面側（被接着面）を電流密度６Ａ／
ｄｍ2で４秒間電解処理して銅箔の被接着面側に銅、モ
リブデン及びニッケルを含む複合金属層を形成した。複
合金属層の各金属量をＩＣＰ（誘導結合プラズマ発光）
分析装置で定量したところ、銅の付着量は７，９００μ
ｇ／ｄｍ2、モリブデンの付着量は１７８μｇ／ｄｍ2、
ニッケルの付着量は１４５μｇ／ｄｍ2であった。処理
後の処理面の表面粗さはＲａ０．９μｍであった。
【００２５】（３）次に、この銅箔を水洗し、前記複合
金属層上に硫酸銅５水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ
／ｌ、浴温度３０℃に調整したメッキ浴を用いて、電
流密度３０Ａ／ｄｍ2で３秒間電解処理（限界電流密度
以上）し、電流密度５Ａ／ｄｍ2で８０秒間電解処理
（限界電流密度未満）を施し、銅からなる粗化層を形成
した。銅からなる粗化層の銅の付着量は１５０，０００
μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．４μｍであった。得
られた粗化処理された電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコ
ブ状銅の形成が観察された。粗化処理面の走査型電子顕
微鏡写真（倍率：２０００倍、撮影角度４５°）を図１
に示す。
金属層上に硫酸銅５水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ
／ｌ、浴温度３０℃に調整したメッキ浴を用いて、電
流密度３０Ａ／ｄｍ2で３秒間電解処理（限界電流密度
以上）し、電流密度５Ａ／ｄｍ2で８０秒間電解処理
（限界電流密度未満）を施し、銅からなる粗化層を形成
した。銅からなる粗化層の銅の付着量は１５０，０００
μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．４μｍであった。得
られた粗化処理された電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコ
ブ状銅の形成が観察された。粗化処理面の走査型電子顕
微鏡写真（倍率：２０００倍、撮影角度４５°）を図１
に示す。
【００２６】（４）次にこの銅箔を水洗し、重クロム酸
ナトリウム２水和物３．５ｇ／ｌ、ｐＨ４．２、浴温度
２８℃に調整した水溶液に１０秒間浸漬し、防錆層を形
成した。
ナトリウム２水和物３．５ｇ／ｌ、ｐＨ４．２、浴温度
２８℃に調整した水溶液に１０秒間浸漬し、防錆層を形
成した。
【００２７】（５）更に、この銅箔を水洗し、３−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン０．１重量％の水
溶液に１０秒間浸漬後、直ちに８０℃で乾燥しシランカ
ップリング剤処理層を形成した。
シドキシプロピルトリメトキシシラン０．１重量％の水
溶液に１０秒間浸漬後、直ちに８０℃で乾燥しシランカ
ップリング剤処理層を形成した。
【００２８】（６）引き続いて接着強度を測定するため
にＦＲ−５相当ガラス・エポキシ樹脂含浸基材と前記銅
箔の被接着面を積層して銅張積層板とし、試験片を作製
した。この試験片の銅箔と樹脂基材間の接着強度をＪＩ
Ｓ Ｃ ６４８１に準拠し、室温下で測定（銅箔幅１ｍ
ｍ）した。また、銅張積層板を塩化第２銅水溶液で銅箔
をエッチング除去した後、基材表面の任意の１０ケ所を
スケールルーペ（倍率：６０倍、視野：２ｍｍφ）で樹
脂基材の中にコブ状銅が残存する残銅の有無を観察し
た。更に、銅箔の粗化処理面を、市販の粘着テープロー
ル（リンテック社製、ＣＲローラー）で該銅箔粗化処理
面の全面を転がした後、ロール表面の粘着テープ（巾８
０ｍｍ×長さ２００ｍｍ）を接着面を下にして白い紙に
貼り付け、テープ表面の任意の１０ケ所をスケールルー
ペ（倍率：６０倍、視野：２ｍｍφ）でコブ状銅の脱落
（粉落ち）の有無を観察した。測定及び観察の結果を一
括して表１に示した。
にＦＲ−５相当ガラス・エポキシ樹脂含浸基材と前記銅
箔の被接着面を積層して銅張積層板とし、試験片を作製
した。この試験片の銅箔と樹脂基材間の接着強度をＪＩ
Ｓ Ｃ ６４８１に準拠し、室温下で測定（銅箔幅１ｍ
ｍ）した。また、銅張積層板を塩化第２銅水溶液で銅箔
をエッチング除去した後、基材表面の任意の１０ケ所を
スケールルーペ（倍率：６０倍、視野：２ｍｍφ）で樹
脂基材の中にコブ状銅が残存する残銅の有無を観察し
た。更に、銅箔の粗化処理面を、市販の粘着テープロー
ル（リンテック社製、ＣＲローラー）で該銅箔粗化処理
面の全面を転がした後、ロール表面の粘着テープ（巾８
０ｍｍ×長さ２００ｍｍ）を接着面を下にして白い紙に
貼り付け、テープ表面の任意の１０ケ所をスケールルー
ペ（倍率：６０倍、視野：２ｍｍφ）でコブ状銅の脱落
（粉落ち）の有無を観察した。測定及び観察の結果を一
括して表１に示した。
【００２９】実施例２ 実施例１と同様の電解銅箔を用いて実施例１と同様の酸
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、モリ
ブデン酸ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ、硫酸コバルト７
水和物３０ｇ／ｌ及び硫酸第１鉄７水和物３０ｇ／ｌか
らなるメッキ浴を、ｐＨ２．０、浴温度３０℃に調整し
たメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着面）を
電流密度６Ａ／ｄｍ2で４秒間電解処理して銅箔の被接
着面側に銅、モリブデン、コバルト及び鉄を含む複合金
属層を形成した。複合金属層の各金属量をＩＣＰ（誘導
結合プラズマ発光）分析装置で定量したところ、銅の付
着量は７，９００μｇ／ｄｍ2、モリブデンの付着量は
１８０μｇ／ｄｍ2、コバルトの付着量は１２μｇ／ｄ
ｍ2、鉄の付着量は５０μｇ／ｄｍ2であった。処理後の
処理面の表面粗さはＲａ０．９μｍであった。次に、実
施例１と同様に銅からなる粗化層を形成した。この粗化
層の銅の付着量は１５０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗
さはＲａ１．５μｍであった。得られた粗化処理された
電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコブ状銅の形成が観察さ
れた。
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、モリ
ブデン酸ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ、硫酸コバルト７
水和物３０ｇ／ｌ及び硫酸第１鉄７水和物３０ｇ／ｌか
らなるメッキ浴を、ｐＨ２．０、浴温度３０℃に調整し
たメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着面）を
電流密度６Ａ／ｄｍ2で４秒間電解処理して銅箔の被接
着面側に銅、モリブデン、コバルト及び鉄を含む複合金
属層を形成した。複合金属層の各金属量をＩＣＰ（誘導
結合プラズマ発光）分析装置で定量したところ、銅の付
着量は７，９００μｇ／ｄｍ2、モリブデンの付着量は
１８０μｇ／ｄｍ2、コバルトの付着量は１２μｇ／ｄ
ｍ2、鉄の付着量は５０μｇ／ｄｍ2であった。処理後の
処理面の表面粗さはＲａ０．９μｍであった。次に、実
施例１と同様に銅からなる粗化層を形成した。この粗化
層の銅の付着量は１５０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗
さはＲａ１．５μｍであった。得られた粗化処理された
電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコブ状銅の形成が観察さ
れた。
【００３０】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００３１】実施例３ 実施例１と同様の電解銅箔を用いて実施例１と同様の酸
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、モリ
ブデン酸ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ及び硫酸亜鉛７水
和物５０ｇ／ｌからなるメッキ浴を、ｐＨ２．５、浴温
度３０℃に調整したメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面
側（被接着面）を電流密度７Ａ／ｄｍ2で４秒間電解処
理して銅箔の被接着面側に銅、モリブデン及び亜鉛を含
む複合金属層を形成した。複合金属層の各金属量をＩＣ
Ｐ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で定量したとこ
ろ、銅の付着量は９，２００μｇ／ｄｍ2、モリブデン
の付着量は２３０μｇ／ｄｍ2、亜鉛の付着量は１５９
μｇ／ｄｍ2であった。処理後の処理面の表面粗さはＲ
ａ０．９μｍであった。次に実施例１と同様に銅からな
る粗化層を形成した。この粗化層の銅の付着量は１５
０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．４μｍで
あった。得られた粗化処理された電解銅箔は銅生箔の凹
凸全体にコブ状銅の形成が観察された。
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、モリ
ブデン酸ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ及び硫酸亜鉛７水
和物５０ｇ／ｌからなるメッキ浴を、ｐＨ２．５、浴温
度３０℃に調整したメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面
側（被接着面）を電流密度７Ａ／ｄｍ2で４秒間電解処
理して銅箔の被接着面側に銅、モリブデン及び亜鉛を含
む複合金属層を形成した。複合金属層の各金属量をＩＣ
Ｐ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で定量したとこ
ろ、銅の付着量は９，２００μｇ／ｄｍ2、モリブデン
の付着量は２３０μｇ／ｄｍ2、亜鉛の付着量は１５９
μｇ／ｄｍ2であった。処理後の処理面の表面粗さはＲ
ａ０．９μｍであった。次に実施例１と同様に銅からな
る粗化層を形成した。この粗化層の銅の付着量は１５
０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．４μｍで
あった。得られた粗化処理された電解銅箔は銅生箔の凹
凸全体にコブ状銅の形成が観察された。
【００３２】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００３３】実施例４ 実施例１と同様の電解銅箔を用いて実施例１と同様の酸
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、タン
グステン酸ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ及び硫酸ニッケ
ル６水和物５０ｇ／ｌからなるメッキ浴を、ｐＨ３．
０、浴温度３０℃に調整したメッキ浴を用いて、前記銅
箔の粗面側（被接着面）を電流密度６Ａ／ｄｍ2で４秒
間電解処理して銅箔の被接着面側に銅、タングステン及
びニッケルを含む複合金属層を形成した。複合金属層の
各金属量をＩＣＰ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で
定量したところ、銅の付着量は７，９００μｇ／ｄ
ｍ2、タングステンの付着量は１５８μｇ／ｄｍ2、ニッ
ケルの付着量は１４５μｇ／ｄｍ2であった。処理後の
処理面の表面粗さはＲａ０．９μｍであった。次に、実
施例１と同様に銅からなる粗化層を形成した。この粗化
層の銅の付着量は１５０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗
さはＲａ１．４μｍであった。得られた粗化処理された
電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコブ状銅の形成が観察さ
れた。
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、タン
グステン酸ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ及び硫酸ニッケ
ル６水和物５０ｇ／ｌからなるメッキ浴を、ｐＨ３．
０、浴温度３０℃に調整したメッキ浴を用いて、前記銅
箔の粗面側（被接着面）を電流密度６Ａ／ｄｍ2で４秒
間電解処理して銅箔の被接着面側に銅、タングステン及
びニッケルを含む複合金属層を形成した。複合金属層の
各金属量をＩＣＰ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で
定量したところ、銅の付着量は７，９００μｇ／ｄ
ｍ2、タングステンの付着量は１５８μｇ／ｄｍ2、ニッ
ケルの付着量は１４５μｇ／ｄｍ2であった。処理後の
処理面の表面粗さはＲａ０．９μｍであった。次に、実
施例１と同様に銅からなる粗化層を形成した。この粗化
層の銅の付着量は１５０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗
さはＲａ１．４μｍであった。得られた粗化処理された
電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコブ状銅の形成が観察さ
れた。
【００３４】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００３５】実施例５ 実施例１と同様の電解銅箔を用いて実施例１と同様の酸
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、タン
グステン酸ナトリウム２水和物１０ｇ／ｌ、硫酸コバル
ト７水和物３０ｇ／ｌ及び硫酸第１鉄７水和物３０ｇ／
ｌからなるメッキ浴を、ｐＨ２．０、浴温度３０℃に調
整したメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着
面）を電流密度６Ａ／ｄｍ2で４秒間電解処理して銅箔
の被接着面側に銅、タングステン、コバルト及び鉄を含
む複合金属層を形成した。複合金属層の各金属量をＩＣ
Ｐ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で定量したとこ
ろ、銅の付着量は７，９００μｇ／ｄｍ2、タングステ
ンの付着量は２００μｇ／ｄｍ2、コバルトの付着量は
１２μｇ／ｄｍ2、鉄の付着量は５０μｇ／ｄｍ2であっ
た。処理後の処理面の表面粗さはＲａ０．９μｍであっ
た。次に、実施例１と同様に銅からなる粗化層を形成し
た。表面粗さはＲａ１．５μｍであった。得られた粗化
処理された電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコブ状銅の形
成が観察された。
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、タン
グステン酸ナトリウム２水和物１０ｇ／ｌ、硫酸コバル
ト７水和物３０ｇ／ｌ及び硫酸第１鉄７水和物３０ｇ／
ｌからなるメッキ浴を、ｐＨ２．０、浴温度３０℃に調
整したメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着
面）を電流密度６Ａ／ｄｍ2で４秒間電解処理して銅箔
の被接着面側に銅、タングステン、コバルト及び鉄を含
む複合金属層を形成した。複合金属層の各金属量をＩＣ
Ｐ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で定量したとこ
ろ、銅の付着量は７，９００μｇ／ｄｍ2、タングステ
ンの付着量は２００μｇ／ｄｍ2、コバルトの付着量は
１２μｇ／ｄｍ2、鉄の付着量は５０μｇ／ｄｍ2であっ
た。処理後の処理面の表面粗さはＲａ０．９μｍであっ
た。次に、実施例１と同様に銅からなる粗化層を形成し
た。表面粗さはＲａ１．５μｍであった。得られた粗化
処理された電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコブ状銅の形
成が観察された。
【００３６】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００３７】実施例６ 実施例１と同様の電解銅箔を用いて実施例１と同様の酸
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、タン
グステン酸ナトリウム２水和物１ｇ／ｌ、モリブデン酸
ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ及び硫酸亜鉛７水和物５０
ｇ／ｌからなるメッキ浴を、ｐＨ２．５、浴温度３０℃
に調整したメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接
着面）を電流密度７Ａ／ｄｍ2で４秒間電解処理して銅
箔の被接着面側に銅、タングステン、モリブデン及び亜
鉛を含む複合金属層を形成した。複合金属層の各金属量
をＩＣＰ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で定量した
ところ、銅の付着量は９，２００μｇ／ｄｍ2、タング
ステンの付着量は５０μｇ／ｄｍ2、モリブデンの付着
量は１８０μｇ／ｄｍ2、亜鉛の付着量は１６０μｇ／
ｄｍ2であった。処理後の処理面の表面粗さはＲａ０．
９μｍであった。次に実施例１と同様に銅からなる粗化
層を形成した。表面粗さはＲａ１．４μｍであった。得
られた粗化処理された電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコ
ブ状銅の形成が観察された。
洗、水洗を行った後、硫酸銅５水和物５０ｇ／ｌ、タン
グステン酸ナトリウム２水和物１ｇ／ｌ、モリブデン酸
ナトリウム２水和物２ｇ／ｌ及び硫酸亜鉛７水和物５０
ｇ／ｌからなるメッキ浴を、ｐＨ２．５、浴温度３０℃
に調整したメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接
着面）を電流密度７Ａ／ｄｍ2で４秒間電解処理して銅
箔の被接着面側に銅、タングステン、モリブデン及び亜
鉛を含む複合金属層を形成した。複合金属層の各金属量
をＩＣＰ（誘導結合プラズマ発光）分析装置で定量した
ところ、銅の付着量は９，２００μｇ／ｄｍ2、タング
ステンの付着量は５０μｇ／ｄｍ2、モリブデンの付着
量は１８０μｇ／ｄｍ2、亜鉛の付着量は１６０μｇ／
ｄｍ2であった。処理後の処理面の表面粗さはＲａ０．
９μｍであった。次に実施例１と同様に銅からなる粗化
層を形成した。表面粗さはＲａ１．４μｍであった。得
られた粗化処理された電解銅箔は銅生箔の凹凸全体にコ
ブ状銅の形成が観察された。
【００３８】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００３９】実施例７ 厚さ１８μｍの圧延銅箔（表面粗さＲａ０．１μｍ）を
使用した以外は実施例４と同様な処理を行い、銅、タン
グステン及びニッケルを含む複合金属層を形成した。複
合金属層の銅の付着量は７，９００μｇ／ｄｍ2、タン
グステンの付着量は１４５μｇ／ｄｍ2、ニッケルの付
着量は１２８μｇ／ｄｍ2であった。処理後の処理面の
表面粗さはＲａ０．１μｍであった。次に実施例１と同
様に銅からなる粗化層を形成した。表面粗さはＲａ０．
５μｍであった。
使用した以外は実施例４と同様な処理を行い、銅、タン
グステン及びニッケルを含む複合金属層を形成した。複
合金属層の銅の付着量は７，９００μｇ／ｄｍ2、タン
グステンの付着量は１４５μｇ／ｄｍ2、ニッケルの付
着量は１２８μｇ／ｄｍ2であった。処理後の処理面の
表面粗さはＲａ０．１μｍであった。次に実施例１と同
様に銅からなる粗化層を形成した。表面粗さはＲａ０．
５μｍであった。
【００４０】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００４１】実施例８ 厚さ１２μｍの電解銅箔（粗面側表面粗さＲａ０．２μ
ｍ）を使用した以外は実施例４と同様な処理を行い、
銅、タングステン及びニッケルを含む複合金属層を形成
した。複合金属層の銅の付着量は７，９００μｇ／ｄｍ
2、タングステンの付着量は１５０μｇ／ｄｍ2、ニッケ
ルの付着量は１３５μｇ／ｄｍ2であった。処理後の処
理面の表面粗さはＲａ０．２μｍであった。次に実施例
１と同様に銅からなる粗化層を形成した。表面粗さはＲ
ａ０．６μｍであった。
ｍ）を使用した以外は実施例４と同様な処理を行い、
銅、タングステン及びニッケルを含む複合金属層を形成
した。複合金属層の銅の付着量は７，９００μｇ／ｄｍ
2、タングステンの付着量は１５０μｇ／ｄｍ2、ニッケ
ルの付着量は１３５μｇ／ｄｍ2であった。処理後の処
理面の表面粗さはＲａ０．２μｍであった。次に実施例
１と同様に銅からなる粗化層を形成した。表面粗さはＲ
ａ０．６μｍであった。
【００４２】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００４３】比較例１ 実施例１において（３）の硫酸銅を含有するメッキ浴に
よる粗化層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同
様の処理をして得られた銅箔の粗面側表面粗さを測定し
たところＲａ０．９μｍであった。また、実施例１の
（６）と同様に接着強度の測定及び残銅、粉落ち試験を
行った結果を表１に示した。
よる粗化層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同
様の処理をして得られた銅箔の粗面側表面粗さを測定し
たところＲａ０．９μｍであった。また、実施例１の
（６）と同様に接着強度の測定及び残銅、粉落ち試験を
行った結果を表１に示した。
【００４４】比較例２ 実施例４において（３）の硫酸銅を含有するメッキ浴に
よる粗化層を形成しなかったこと以外は、実施例４と同
様の処理をして得られた銅箔の粗面側表面粗さを測定し
たところＲａ０．９μｍであった。また、実施例１の
（６）と同様に接着強度の測定及び残銅、粉落ち試験を
行った結果を表１に示した。
よる粗化層を形成しなかったこと以外は、実施例４と同
様の処理をして得られた銅箔の粗面側表面粗さを測定し
たところＲａ０．９μｍであった。また、実施例１の
（６）と同様に接着強度の測定及び残銅、粉落ち試験を
行った結果を表１に示した。
【００４５】比較例３ 実施例１と同様の銅箔を用いて実施例４の（１）及び
（２）の処理を行った後、この銅箔を水洗し、硫酸銅５
水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度３０℃
に調整したメッキ浴を用いて、電流密度３０Ａ／ｄｍ2
で３秒間電解処理（限界電流密度以上）を施し樹枝状銅
層（コガシメッキ）を形成した。樹枝状銅層の銅の付着
量は３０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．３
μｍであった。
（２）の処理を行った後、この銅箔を水洗し、硫酸銅５
水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度３０℃
に調整したメッキ浴を用いて、電流密度３０Ａ／ｄｍ2
で３秒間電解処理（限界電流密度以上）を施し樹枝状銅
層（コガシメッキ）を形成した。樹枝状銅層の銅の付着
量は３０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．３
μｍであった。
【００４６】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００４７】比較例４ 実施例１と同様の銅箔を用いて実施例４の（１）及び
（２）の処理を行った後、この銅箔を水洗し、硫酸銅５
水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度３０℃
に調整したメッキ浴を用いて、電流密度５Ａ／ｄｍ2で
８０秒間電解処理（限界電流密度未満）を施し平滑銅層
（カブセメッキ）を形成した。平滑銅層の銅の付着量は
１３２，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．１μ
ｍであった。
（２）の処理を行った後、この銅箔を水洗し、硫酸銅５
水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度３０℃
に調整したメッキ浴を用いて、電流密度５Ａ／ｄｍ2で
８０秒間電解処理（限界電流密度未満）を施し平滑銅層
（カブセメッキ）を形成した。平滑銅層の銅の付着量は
１３２，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．１μ
ｍであった。
【００４８】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００４９】比較例５ 実施例１と同様の電解銅箔を用いて実施例１と同様の酸
洗、水洗を行った後、複合金属層を形成することなく硫
酸銅５水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度
３０℃のメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着
面）に電流密度３０Ａ／ｄｍ2で３秒間電解処理（限
界電流密度以上）し、電流密度５Ａ／ｄｍ2で８０秒
間電解処理（限界電流密度未満）を施し、銅からなる粗
化層を形成した。銅からなる粗化層の銅の付着量は１５
０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．８μｍで
あった。得られた粗化処理された電解銅箔は銅生箔凹凸
の凸部に集中してコブ状銅の形成が観察された。粗化処
理面の走査型電子顕微鏡写真（倍率：２０００倍、撮影
角度４５°）を図２に示す。
洗、水洗を行った後、複合金属層を形成することなく硫
酸銅５水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度
３０℃のメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着
面）に電流密度３０Ａ／ｄｍ2で３秒間電解処理（限
界電流密度以上）し、電流密度５Ａ／ｄｍ2で８０秒
間電解処理（限界電流密度未満）を施し、銅からなる粗
化層を形成した。銅からなる粗化層の銅の付着量は１５
０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．８μｍで
あった。得られた粗化処理された電解銅箔は銅生箔凹凸
の凸部に集中してコブ状銅の形成が観察された。粗化処
理面の走査型電子顕微鏡写真（倍率：２０００倍、撮影
角度４５°）を図２に示す。
【００５０】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００５１】比較例６ 実施例７と同様の圧延銅箔を用いて実施例１と同様の酸
洗、水洗を行った後、複合金属層を形成することなく硫
酸銅５水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度
３０℃のメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着
面）に電流密度３０Ａ／ｄｍ2で３秒間電解処理（限
界電流密度以上）し、電流密度５Ａ／ｄｍ2で８０秒
間電解処理（限界電流密度未満）を施し、銅からなる粗
化層を形成した。銅からなる粗化層の銅の付着量は１５
０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ０．８μｍで
あった。
洗、水洗を行った後、複合金属層を形成することなく硫
酸銅５水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度
３０℃のメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着
面）に電流密度３０Ａ／ｄｍ2で３秒間電解処理（限
界電流密度以上）し、電流密度５Ａ／ｄｍ2で８０秒
間電解処理（限界電流密度未満）を施し、銅からなる粗
化層を形成した。銅からなる粗化層の銅の付着量は１５
０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ０．８μｍで
あった。
【００５２】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００５３】比較例７ 実施例８と同様の電解銅箔を用いて実施例１と同様の酸
洗、水洗を行った後、複合金属層を形成することなく硫
酸銅５水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度
３０℃のメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着
面）に電流密度３０Ａ／ｄｍ2で３秒間電解処理（限
界電流密度以上）し、電流密度５Ａ／ｄｍ2で８０秒
間電解処理（限界電流密度未満）を施し、銅からなる粗
化層を形成した。銅からなる粗化層の銅の付着量は１５
０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．０μｍで
あった。
洗、水洗を行った後、複合金属層を形成することなく硫
酸銅５水和物１３０ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温度
３０℃のメッキ浴を用いて、前記銅箔の粗面側（被接着
面）に電流密度３０Ａ／ｄｍ2で３秒間電解処理（限
界電流密度以上）し、電流密度５Ａ／ｄｍ2で８０秒
間電解処理（限界電流密度未満）を施し、銅からなる粗
化層を形成した。銅からなる粗化層の銅の付着量は１５
０，０００μｇ／ｄｍ2、表面粗さはＲａ１．０μｍで
あった。
【００５４】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００５５】比較例８ 実施例１と同様の電解銅箔を用いて実施例１と同様の酸
洗、水洗を行った後、複合金属層を形成することなく
硫酸銅５水和物１００ｇ／ｌ、硫酸１２０ｇ／ｌ、タン
グステン酸ナトリウム２水和物０．６ｇ／ｌ及び硫酸第
１鉄７水和物１５ｇ／ｌ、浴温度３５℃のメッキ浴を用
いて、前記銅箔の粗面側（被接着面）に電流密度４０Ａ
／ｄｍ2で３．５秒間電解処理（限界電流密度以上）
し、次いで硫酸銅５水和物２５０ｇ／ｌ、硫酸１００
ｇ／ｌ、浴温度５０℃のメッキ浴を用いて、電流密度５
Ａ／ｄｍ2で８０秒間電解処理（限界電流密度未満）を
施し、タングステン及び鉄を含有する銅粗化層を形成し
た。表面粗さはＲａ１．７μｍであった。
洗、水洗を行った後、複合金属層を形成することなく
硫酸銅５水和物１００ｇ／ｌ、硫酸１２０ｇ／ｌ、タン
グステン酸ナトリウム２水和物０．６ｇ／ｌ及び硫酸第
１鉄７水和物１５ｇ／ｌ、浴温度３５℃のメッキ浴を用
いて、前記銅箔の粗面側（被接着面）に電流密度４０Ａ
／ｄｍ2で３．５秒間電解処理（限界電流密度以上）
し、次いで硫酸銅５水和物２５０ｇ／ｌ、硫酸１００
ｇ／ｌ、浴温度５０℃のメッキ浴を用いて、電流密度５
Ａ／ｄｍ2で８０秒間電解処理（限界電流密度未満）を
施し、タングステン及び鉄を含有する銅粗化層を形成し
た。表面粗さはＲａ１．７μｍであった。
【００５６】更に実施例１の（４）及び（５）の処理を
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
行った後、実施例１の（６）と同様に接着強度の測定及
び残銅、粉落ち試験を行った結果を表１に示した。
【００５７】
【表１】 図１と図２を対比すると明らかなように、実施例１で得
られた粗化処理銅箔は、比較例５で得られた粗化処理銅
箔のようにコブ状銅が銅箔面の凸部領域に集中して電析
することなく、凹凸部全体にコブ状銅が電析している。
その結果表面粗さ（Ｒａ）が小さいにもかかわらず、接
着強度が向上し、また、Ｒａの値が小さいのでプリント
回路作製時に行われるエッチング後の基材面の残銅や、
小さな摩擦力による銅粉落ちの発生が防止される。
られた粗化処理銅箔は、比較例５で得られた粗化処理銅
箔のようにコブ状銅が銅箔面の凸部領域に集中して電析
することなく、凹凸部全体にコブ状銅が電析している。
その結果表面粗さ（Ｒａ）が小さいにもかかわらず、接
着強度が向上し、また、Ｒａの値が小さいのでプリント
回路作製時に行われるエッチング後の基材面の残銅や、
小さな摩擦力による銅粉落ちの発生が防止される。
【００５８】
【発明の効果】本発明の粗化処理銅箔は、これを用いて
プリント配線板にしたときに、樹脂基材と銅箔間の接着
強度に優れ、かつ残銅及び粉落ちの発生を防止するのに
有効である。特に、ＦＲ−５等の高Ｔｇ材に適用する
と、樹脂基材と銅箔間の接着強度を効果的に向上させる
ことができる。
プリント配線板にしたときに、樹脂基材と銅箔間の接着
強度に優れ、かつ残銅及び粉落ちの発生を防止するのに
有効である。特に、ＦＲ−５等の高Ｔｇ材に適用する
と、樹脂基材と銅箔間の接着強度を効果的に向上させる
ことができる。
【図１】実施例１により得られた粗化処理銅箔の粗化処
理面を示す走査型電子顕微鏡写真。
理面を示す走査型電子顕微鏡写真。
【図２】比較例５により得られた粗化処理銅箔の粗化処
理面を示す走査型電子顕微鏡写真。
理面を示す走査型電子顕微鏡写真。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｒ 3/24 3/24 Ａ 3/38 3/38 Ｃ // Ｂ３２Ｂ 15/08 Ｂ３２Ｂ 15/08 Ｊ Ｆターム(参考） 4E351 AA01 BB01 BB23 BB24 BB30 BB33 BB38 CC06 DD04 DD17 DD19 DD21 DD53 DD54 DD56 GG01 4F100 AB02B AB02H AB10A AB15B AB15H AB16B AB16H AB17A AB17C AB18B AB18H AB31B AB33A AB33C AK01D BA04 BA07 BA10D BA13 DD07C DD17A EC182 EG001 EH711 GB43 JK06 YY00C 4K023 AA04 AA19 AB17 AB28 AB38 AB49 BA06 BA16 DA02 DA06 DA07 4K024 AA09 AA15 AB02 AB03 AB19 BA09 BB11 BC02 CA01 CA03 CA06 5E343 AA02 AA12 BB06 BB16 BB24 BB53 BB61 BB67 BB71 CC33 CC47 CC55 CC78 DD44 DD47 DD80 EE55 GG02 GG04
Claims (5)
- 【請求項１】 銅箔の被接着面に、銅並びにタングステ
ン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属と、ニッ
ケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１
種以上の金属とからなる複合金属層を設け、更にこの層
の上に銅からなる粗化層を設けてなることを特徴とする
粗化処理銅箔。 - 【請求項２】 複合金属層における銅の付着量が５，０
００〜１０，０００μｇ／ｄｍ2、タングステン及びモ
リブデンから選ばれる１種以上の金属の付着量が１０〜
１，０００μｇ／ｄｍ2、ニッケル、コバルト、鉄及び
亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属の付着量が
１０〜１，０００μｇ／ｄｍ2である請求項１記載の粗
化処理銅箔。 - 【請求項３】 銅からなる粗化層における銅の付着量が
３０，０００〜３００，０００μｇ／ｄｍ2である請求
項１又は２記載の粗化処理銅箔。 - 【請求項４】 銅箔を陰極として、銅イオン並びにタン
グステン及びモリブデンから選ばれる１種以上の金属イ
オンとニッケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少
なくとも１種以上の金属イオンを含有するメッキ浴を用
いて浴の限界電流密度未満の電流密度で電解処理するこ
とにより、銅並びにタングステン及びモリブデンから選
ばれる少なくとも１種以上の金属とニッケル、コバル
ト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の金属
とからなる複合金属層を設け、次いでこの複合金属層上
に銅イオンを含有するメッキ浴を用いて、浴の限界電流
密度以上の電流密度で電解処理して、樹枝状銅電着層を
形成し、更に浴の限界電流密度未満の電流密度で電解処
理してコブ状銅を形成することにより銅からなる粗化層
を設けることを特徴とする粗化処理銅箔の製造方法。 - 【請求項５】 銅イオン並びにタングステン及びモリブ
デンから選ばれる１種以上の金属イオンとニッケル、コ
バルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種以上の
金属イオンとを含有するメッキ浴のｐＨが１．５〜５．
０である請求項４記載の粗化処理銅箔の製造方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2000124637A JP3949871B2 (ja) | 1999-12-10 | 2000-04-25 | 粗化処理銅箔及びその製造方法 |
| TW90109580A TW499508B (en) | 1999-12-10 | 2001-04-20 | Roughening treated copper foil and producing method therefor |
| US09/838,228 US6497806B1 (en) | 2000-04-25 | 2001-04-20 | Method of producing a roughening-treated copper foil |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35159299 | 1999-12-10 | ||
| JP11-351592 | 1999-12-10 | ||
| JP2000124637A JP3949871B2 (ja) | 1999-12-10 | 2000-04-25 | 粗化処理銅箔及びその製造方法 |
| US09/838,228 US6497806B1 (en) | 2000-04-25 | 2001-04-20 | Method of producing a roughening-treated copper foil |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001226795A true JP2001226795A (ja) | 2001-08-21 |
| JP2001226795A5 JP2001226795A5 (ja) | 2005-11-04 |
| JP3949871B2 JP3949871B2 (ja) | 2007-07-25 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000124637A Expired - Lifetime JP3949871B2 (ja) | 1999-12-10 | 2000-04-25 | 粗化処理銅箔及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP3949871B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3429290B2 (ja) | 2000-09-18 | 2003-07-22 | 日本電解株式会社 | 微細配線用銅箔の製造方法 |
| JP2003286596A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-10 | Nippon Denkai Kk | レーザー穴明けに適した銅箔とその製造方法 |
| KR100579411B1 (ko) * | 2001-08-21 | 2006-05-12 | 주식회사 포스코 | 아연-니켈-텅스텐 합금전기도금용액 및 이 용액을 이용한 아연-니켈-텅스텐 합금 전기도금강판의 제조방법 |
| KR100622742B1 (ko) | 2005-04-26 | 2006-09-19 | 엘에스전선 주식회사 | 통전롤 표면에 대한 구리도금 현상을 방지할 수 있는전해동박 도금방법 및 이를 위한 도금장치 |
| JP2007238968A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅箔、銅箔の製造方法および前記銅箔を用いた積層回路基板 |
| CN100353819C (zh) * | 2002-09-02 | 2007-12-05 | 古河电路铜箔株式会社 | 薄膜上的集成电路芯片用、等离子显示器用或高频印刷电路板用铜箔 |
| WO2012039285A1 (ja) | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | プリント配線板用銅箔の製造方法及びプリント配線板用銅箔 |
| KR20160119875A (ko) | 2011-09-30 | 2016-10-14 | 제이엑스금속주식회사 | 수지와의 밀착성이 우수한 동박 및 그 제조 방법 그리고 그 전해 동박을 사용한 프린트 배선판 또는 전지용 부극재 |
| JP2017007326A (ja) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP2017007327A (ja) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
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| JP2017220612A (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 株式会社デンソー | 多層基板の製造方法 |
| CN115261942A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-11-01 | 九江德福科技股份有限公司 | 一种pcb用电解铜箔表面处理方法 |
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| JPH09148508A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Nippon Denkai Kk | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
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-
2000
- 2000-04-25 JP JP2000124637A patent/JP3949871B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| KR20180026584A (ko) | 2011-09-30 | 2018-03-12 | 제이엑스금속주식회사 | 수지와의 밀착성이 우수한 동박 및 그 제조 방법 그리고 그 전해 동박을 사용한 프린트 배선판 또는 전지용 부극재 |
| KR20160119875A (ko) | 2011-09-30 | 2016-10-14 | 제이엑스금속주식회사 | 수지와의 밀착성이 우수한 동박 및 그 제조 방법 그리고 그 전해 동박을 사용한 프린트 배선판 또는 전지용 부극재 |
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