JP2006150534A - 研磨液組成物 - Google Patents
研磨液組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006150534A JP2006150534A JP2004347212A JP2004347212A JP2006150534A JP 2006150534 A JP2006150534 A JP 2006150534A JP 2004347212 A JP2004347212 A JP 2004347212A JP 2004347212 A JP2004347212 A JP 2004347212A JP 2006150534 A JP2006150534 A JP 2006150534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- acid
- weight
- liquid composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Abstract
【解決手段】アミノ基及び/又はイミノ基を分子内に2つ以上有する有機窒素化合物、有機多塩基酸、研磨材、及び水を含有してなる研磨液組成物、該研磨液組成物を被研磨基板1cm2当たり、0.01〜0.5mL/分で基板に供給し、研磨パッドを用い基板を研磨する工程を有する基板の製造方法。
【選択図】なし
Description
〔1〕 アミノ基及び/又はイミノ基を分子内に2つ以上有する有機窒素化合物、有機多塩基酸、研磨材、及び水を含有してなる研磨液組成物、並びに
〔2〕 前記〔1〕記載の研磨液組成物を被研磨基板1cm2当たり、0.01〜0.5mL/分で基板に供給し、研磨パッドを用い基板を研磨する工程を有する基板の製造方法
に関する。
即ち、研磨速度向上のために使用される有機多塩基酸により、砥粒や研磨カスが基板に残留しやすくなるのを、有機窒素化合物が砥粒や研磨カスに吸着することによって、研磨基板への付着と残留を防止しているものと推測する。
特に、中間アルミナの場合、BET 法で測定された比表面積としては、好ましくは30〜300m2/g、より好ましくは50〜200m2/gである。
表1に示すα−アルミナ(一次粒子の平均粒径0.07μm、二次粒子の平均粒径0.3μm、比表面積15m2/g、純度99.9%)、θ−アルミナ(二次粒子の平均粒径0.2μm、比表面積120m2/g、純度99.9%)、有機多塩基酸、有機窒素化合物及びその他の添加物を所定量、残分をイオン交換水として攪拌混合して研磨液組成物を得た。
厚さ1.27mm、直径3.5インチのNi-Pメッキされたアルミニウム合金からなる基板(「Zygo NewView5032」で短波長うねり3.8nm、長波長うねり1.6nm)の表面を両面加工機により、以下の両面加工機の設定条件で上記研磨液組成物を用いポリッシングし、磁気記録媒体用基板として用いられるNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。
両面加工機の設定条件を下記に示す。
両面加工機:スピードファーム(株)製、9B型両面加工機
加工圧力 :9.8kPa
研磨パッド:フジボウ製 ハードディスク基板用研磨パッド
定盤回転数:50r/min
研磨液組成物供給流量:100mL/min(被研磨基板1cm2当たり、0.076mL/min)
研磨時間:4min
投入した基板の枚数:10枚
(1)研磨速度
研磨前後の各基板の重さを計り(Sartorius 社製「BP-210S 」)を用いて測定し、各基板の重量変化を求め、10枚の平均値を減少量とし、それを研磨時間で割った値を重量減少速度とした。重量の減少速度を下記の式に導入し、研磨速度(μm/min)に変換した。
重量減少速度(g/min)={研磨前の重量(g)−研磨後の重量(g)}/研磨時間(min)
研磨速度(μm/min)=重量減少速度(g/min)/基板片面面積(mm2)
/Ni-Pメッキ密度(g/cm3)×1000000
なお、比較例1の研磨速度を基準値1として各実施例、比較例の研磨速度の相対値(相対速度)を表1に示した。
研磨後の各基板の表面を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製:S-4000)にて1万倍で観察し、下記の5段階評価をした。1,2は実用上の不良である。
5:表面にアルミナ残留物や研磨クズ等が全く観察されないもの
4:極わずかしか見られなかったもの
3:少し観察されたもの
2:多く観察されたもの
1:非常に多く観察されたもの
研磨後の各基板のうねりについては下記の条件に従い、短波長うねりと長波長うねりの2種類について測定した。比較例1のうねりを基準値1として、各実施例、比較例のうねりの相対値を表1に示した。数値が低い方がうねりが低減されていることを示す。
機器 :Zygo NewView5032
レンズ :2.5倍 Micheison
ズーム比 :0.5
リムーブ :Cylinder
フィルター:FFT Fixed Band Pass
短波長うねり:50〜500μm
長波長うねり:0.5 〜5mm
エリア :4.33mm×5.77mm
Claims (6)
- アミノ基及び/又はイミノ基を分子内に2つ以上有する有機窒素化合物、有機多塩基酸、研磨材、及び水を含有してなる研磨液組成物。
- 前記有機窒素化合物の分子量が150〜100000である請求項1記載の研磨液組成物。
- 前記有機窒素化合物の含有量が0.001〜0.5重量%である請求項1又は2記載の研磨液組成物。
- pHが1〜7である請求項1〜3いずれか記載の研磨液組成物。
- 請求項1〜4いずれか記載の研磨液組成物を被研磨基板1cm2当たり、0.01〜0.5mL/分で基板に供給し、研磨パッドを用い基板を研磨する工程を有する基板の製造方法。
- 研磨圧力が2〜30kPaである、請求項5記載の基板の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004347212A JP4836441B2 (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | 研磨液組成物 |
CN2005101253766A CN1781971B (zh) | 2004-11-30 | 2005-11-16 | 研磨液组合物 |
GB0523438A GB2421244B (en) | 2004-11-30 | 2005-11-17 | Polishing composition |
MYPI20055484A MY144163A (en) | 2004-11-30 | 2005-11-24 | Polishing composition |
US11/288,294 US20060112647A1 (en) | 2004-11-30 | 2005-11-29 | Polishing composition |
TW094142196A TWI370844B (en) | 2004-11-30 | 2005-11-30 | Polishing composition |
US12/216,762 US20080280538A1 (en) | 2004-11-10 | 2008-07-10 | Polishing composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004347212A JP4836441B2 (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | 研磨液組成物 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009119022A Division JP4949432B2 (ja) | 2009-05-15 | 2009-05-15 | ハードディスク用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006150534A true JP2006150534A (ja) | 2006-06-15 |
JP4836441B2 JP4836441B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=35580228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004347212A Expired - Fee Related JP4836441B2 (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-30 | 研磨液組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060112647A1 (ja) |
JP (1) | JP4836441B2 (ja) |
CN (1) | CN1781971B (ja) |
GB (1) | GB2421244B (ja) |
MY (1) | MY144163A (ja) |
TW (1) | TWI370844B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008108397A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体用非金属基板の再生方法 |
JP2008307676A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Kao Corp | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
JP2009163808A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Kao Corp | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
JP2010135052A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-06-17 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 研磨剤組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法 |
WO2014054611A1 (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-10 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨方法及び合金材料の製造方法 |
US9159352B2 (en) | 2010-12-16 | 2015-10-13 | Kao Corporation | Polishing liquid composition for magnetic disk substrate |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009013046A (ja) * | 2007-06-05 | 2009-01-22 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板表面を加工する方法 |
JP5657247B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-01-21 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP5940278B2 (ja) * | 2010-10-27 | 2016-06-29 | 花王株式会社 | ガラスハードディスク基板の製造方法 |
JP5979872B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
CN103403109B (zh) * | 2011-02-23 | 2015-12-23 | 大日精化工业株式会社 | 水性液态组合物、水性涂布液、功能性涂布膜、及复合材料 |
JP5933950B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-06-15 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
EP2889335B1 (en) | 2012-08-21 | 2017-02-01 | Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd. | Aqueous liquid composition, aqueous coating liquid, functional coating film and composite material |
SG11201701760UA (en) * | 2014-09-17 | 2017-04-27 | Hoya Corp | Method for manufacturing magnetic-disk substrate |
JP6659449B2 (ja) * | 2016-05-09 | 2020-03-04 | 山口精研工業株式会社 | 無電解ニッケル−リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
JP6734146B2 (ja) * | 2016-08-23 | 2020-08-05 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
CN108148507B (zh) * | 2017-12-18 | 2020-12-04 | 清华大学 | 一种用于熔石英的抛光组合物 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002030273A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-01-31 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
JP2002164307A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2002164308A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
WO2003068883A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively-charged polyelectrolytes for cmp |
WO2003068882A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-21 | Ekc Technology, Inc. | Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance cmp formulations |
JP2003347247A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体絶縁膜用cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2004059871A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Kao Corp | ロールオフ低減剤 |
JP2004091674A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
JP2004193495A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Toshiba Corp | 化学的機械的研磨用スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2004100242A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Cmpプロセス用研磨液及び研磨方法 |
JP2004335978A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Jsr Corp | 化学機械研磨方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4639394A (en) * | 1985-04-01 | 1987-01-27 | Ppg Industries, Inc. | Non-aqueous dispersions prepared with styrene polymer dispersion stabilizers |
US5209816A (en) * | 1992-06-04 | 1993-05-11 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing |
US5350788A (en) * | 1993-03-11 | 1994-09-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for reducing odors in recycled plastics and compositions relating thereto |
US5391258A (en) * | 1993-05-26 | 1995-02-21 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing |
US5362784A (en) * | 1993-05-28 | 1994-11-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aldehyde scavenging compositions and methods relating thereto |
US6855266B1 (en) * | 1999-08-13 | 2005-02-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing system with stopping compound and method of its use |
DE60019142T2 (de) * | 1999-08-13 | 2006-02-09 | Cabot Microelectronics Corp., Aurora | Poliersystem mit stopmittel und verfahren zu seiner verwendung |
JP4264781B2 (ja) * | 1999-09-20 | 2009-05-20 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨方法 |
US7323416B2 (en) * | 2001-03-14 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US6755721B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-06-29 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Chemical mechanical polishing of nickel phosphorous alloys |
GB2393186B (en) * | 2002-07-31 | 2006-02-22 | Kao Corp | Polishing composition |
GB2393447B (en) * | 2002-08-07 | 2006-04-19 | Kao Corp | Polishing composition |
JP2004311484A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物 |
US7247566B2 (en) * | 2003-10-23 | 2007-07-24 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers |
-
2004
- 2004-11-30 JP JP2004347212A patent/JP4836441B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-11-16 CN CN2005101253766A patent/CN1781971B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-17 GB GB0523438A patent/GB2421244B/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-24 MY MYPI20055484A patent/MY144163A/en unknown
- 2005-11-29 US US11/288,294 patent/US20060112647A1/en not_active Abandoned
- 2005-11-30 TW TW094142196A patent/TWI370844B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-07-10 US US12/216,762 patent/US20080280538A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002030273A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-01-31 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
JP2002164307A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2002164308A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
WO2003068883A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively-charged polyelectrolytes for cmp |
WO2003068882A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-21 | Ekc Technology, Inc. | Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance cmp formulations |
JP2003347247A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体絶縁膜用cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2004059871A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Kao Corp | ロールオフ低減剤 |
JP2004091674A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
JP2004193495A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Toshiba Corp | 化学的機械的研磨用スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2004100242A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Cmpプロセス用研磨液及び研磨方法 |
JP2004335978A (ja) * | 2003-05-12 | 2004-11-25 | Jsr Corp | 化学機械研磨方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008108397A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体用非金属基板の再生方法 |
JP4577296B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2010-11-10 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 磁気記録媒体用非金属基板の再生方法 |
JP2008307676A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Kao Corp | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
JP2009163808A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Kao Corp | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
JP2010135052A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-06-17 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 研磨剤組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法 |
US9159352B2 (en) | 2010-12-16 | 2015-10-13 | Kao Corporation | Polishing liquid composition for magnetic disk substrate |
WO2014054611A1 (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-10 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨方法及び合金材料の製造方法 |
JPWO2014054611A1 (ja) * | 2012-10-03 | 2016-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法及び合金材料の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1781971A (zh) | 2006-06-07 |
US20060112647A1 (en) | 2006-06-01 |
TWI370844B (en) | 2012-08-21 |
GB0523438D0 (en) | 2005-12-28 |
GB2421244A (en) | 2006-06-21 |
CN1781971B (zh) | 2010-05-05 |
US20080280538A1 (en) | 2008-11-13 |
MY144163A (en) | 2011-08-15 |
GB2421244B (en) | 2009-03-18 |
TW200621967A (en) | 2006-07-01 |
JP4836441B2 (ja) | 2011-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4273475B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP4836441B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
US6117220A (en) | Polishing composition and rinsing composition | |
JP4753710B2 (ja) | ハードディスク基板用研磨液組成物 | |
JP4003116B2 (ja) | 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
JPH10204416A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2000001665A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2000073049A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP4339034B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
US6328774B1 (en) | Polishing composition and method for producing a memory hard disk | |
JP2007320031A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2004331887A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP4214093B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2011161599A (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP4949432B2 (ja) | ハードディスク用基板の製造方法 | |
JP2005262413A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2007301721A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2008307676A (ja) | ハードディスク基板用研磨液組成物 | |
JP4206313B2 (ja) | 磁気ディスク用研磨液組成物 | |
JP2000273445A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2009079228A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP4640981B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
JP5142594B2 (ja) | ハードディスク基板の製造方法 | |
JP2008231159A (ja) | ハードディスク基板用研磨液組成物 | |
JP2007331105A (ja) | 研磨液組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070815 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090216 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090414 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090515 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091019 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091208 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100114 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100114 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100430 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100728 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100809 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20101001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110824 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110927 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |