CN1781971B - 研磨液组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种研磨液组合物，其含有有机氮化合物、有机多元酸、研磨材料和水，其中有机氮化合物在分子内具有两个或更多个氨基或亚氨基，或者在分子内具有1个或多个氨基以及1个或多个亚氨基；以及提供使用该研磨液组合物的基板的制造方法和基板表面污染的减少方法。该研磨液组合物例如可以适用于存储硬盘等硬盘用基板的制造工序。

Description

研磨液组合物
技术领域
本发明涉及研磨液组合物、以及使用该研磨液组合物的基板的制造方法和基板表面污染的减少方法。
背景技术
在近年的硬盘中，为减少最小记录面积，推进高容量化，要求减少磁头的浮动高度和防止表面污染等表面缺陷。
于是，正如日本专利特开2002-164307号公报所公开的那样，以前就研磨时可以更加平滑地研磨硬盘用基板的表面、且不易产生表面缺陷的研磨液组合物进行了研究。另外，为在一定时间内获得所要求的表面质量的基板，最近进行了采用2个或更多个阶段的研磨工序的研究。
但是，在第1阶段的研磨工序所得到的硬盘用基板上，如果有该工序使用的磨粒和研磨碎屑(debris)的残留，则其中的大部分将在第2阶段的研磨工序中得以除去，但是，没有彻底除净而残留下来的部分将导致缺陷的产生。另外，虽说可以在第2阶段的研磨工序中得以除去，但是，第1阶段的残留磨粒和研磨碎屑，将对第2阶段的研磨工序产生不良影响，诱发划痕和凹坑(pits)，这些都是不优选的。另外，当只进行1个阶段的研磨或者是在最终精加工工序进行的研磨时，则情况变得更加严重。
为了解决这些问题，重要的是在各个阶段所进行的研磨工序结束时，将磨粒和研磨碎屑从基板上除去。但是，关于这样的减少基板表面污染的研磨液组合物的研究基本上尚未进行，充分解决这些课题的方法，人们尚不得而知。
发明内容
也就是说，本发明所涉及的要点如下：
(1)一种研磨液组合物，其含有有机氮化合物、有机多元酸、研磨材料和水，其中所述有机氮化合物在分子内具有两个或更多个氨基或亚氨基，或者在分子内具有1个或多个氨基以及1个或多个亚氨基；
(2)一种基板的制造方法，其具有下述的工序：相对于每1cm2的被研磨基板，以0.01～0.5mL/分的流速向基板供给上述(1)所述的研磨液组合物，并使用研磨垫对基板进行研磨；以及
(3)一种基板表面污染的减少方法，其具有下述的工序：相对于每1cm2的被研磨基板，以0.01～0.5mL/分的流速向基板供给上述(1)所述的研磨液组合物，并使用研磨垫对基板进行研磨。
具体实施方式
本发明涉及研磨液组合物，其可以使磨粒和研磨中产生的研磨碎屑在研磨结束后的研磨基板上的残留较少，而且具有较高的研磨速度，同时也可以保持基板的平滑性，以及涉及使用该研磨液组合物的基板的制造方法和基板表面污染的减少方法.
通过使用本发明的研磨液组合物，可以产生出如下的效果：即能够有效地制造表面平滑性优良的基板，该基板的表面污染等表面缺陷较少，而且波纹度也较小。
通过下述说明，可以弄清楚本发明的上述优点以及其它优点。
如上所述，本发明的研磨液组合物的特征在于：其含有有机氮化合物、有机多元酸、研磨材料和水，其中所述有机氮化合物在分子内具有两个或更多个氨基或亚氨基，或者在分子内具有1个或多个氨基以及1个或多个亚氨基。由于具有这样的特征，可以产生出如下的效果：即能够有效地制造表面平滑性优良的基板，该基板的表面污染等表面缺陷较少，而且波纹度也较小。
此外，关于本发明的研磨液组合物防止磨粒和研磨碎屑的残留的作用机理，目前虽然尚不清楚，但正如以下所说明的那样，一般认为是由于并用特定的有机氮化合物和有机多元酸所产生的协同效应。
另外，关于它的作用机理，目前虽然尚不清楚，但本发明者推断为：有机多元酸吸附在磨粒和研磨碎屑上，使它们的表面电荷为负电，这样容易附着在基板上，同时，有机氮化合物的吸附使得电荷中和，因而抑制了磨粒和研磨碎屑在基板上的附着和残留。
所谓本发明所使用的有机氮化合物，是指在其分子内总计含有2个或更多个氨基和/或亚氨基的化合物。也就是说，本发明所使用的有机氮化合物在分子内具有两个或更多个氨基或亚氨基，或者在分子内具有1个或多个氨基以及1个或多个亚氨基。作为分子内氨基和亚氨基的总数，虽然并没有特别的限定，但从提高研磨速度和防止基板表面污染的角度考虑，优选为2～2000，更优选为2～1000，再优选为2～200，进一步优选为2～50。具体地说，可列举出聚烷撑亚胺类、二乙撑三胺、三乙撑四胺、四乙撑五胺、双(3-氨丙基)胺、1，3-丙二胺等。
所谓聚烷撑亚胺类，有代表性的例子可以列举出聚乙烯亚胺、聚丙烯亚胺、聚丁二烯亚胺等，还可以列举出具有直链状、支链状结构的聚烷撑亚胺类，或者具有环状结构的聚烷撑亚胺类。其中，从提高研磨速度和防止基板表面污染的角度考虑，优选的是聚乙烯亚胺。作为它的分子量，从提高研磨速度、降低基板表面污染的角度考虑，优选为150～100000，更优选为200～30000，进一步优选为200～10000，特别优选为300～2000。上述分子量可以根据沸点上升法或粘度法作为数均分子量加以测量。
另外，作为研磨液组合物中有机氮化合物的含量，从提高研磨速度和防止基板表面污染的角度考虑，优选为0.001～0.5重量％，更优选为0.001～0.3重量％，进一步优选为0.001～0.1重量％。
作为本发明所使用的有机多元酸，优选的是含硫有机酸、羧酸以及含磷有机酸。作为它的具体例子，可列举出甲二磺酸、乙二磺酸、苯酚二磺酸、荼二磺酸等有机磺酸，草酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、马来酸、富马酸、衣康酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、异柠檬酸、苯二甲酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸等多元羧酸，羟基亚乙基-1，1-二膦酸、膦酰基丁烷三羧酸、乙二胺四亚甲基膦酸等含磷有机酸等。其中，从提高研磨速度、减少波纹度、降低端面下垂(roll-off)的角度考虑，优选的是琥珀酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、羟基亚乙基-1，1-二磷酸、乙二胺四亚甲基膦酸，更优选的是柠檬酸、苹果酸、酒石酸，进一步优选的是柠檬酸。这些化合物既可以单独使用，也可以混合使用。
作为有机多元酸的含量，从研磨速度的提高和波纹度的减少的角度考虑，在研磨液组合物中优选为0.002重量％或以上，更优选为0.005重量％或以上，再优选为0.007重量％或以上，进一步优选为0.01重量％或以上。另外，从表面质量和经济性的角度考虑，优选为20重量％或以下，更优选为15重量％或以下，再优选为10重量％或以下，进一步优选为5重量％或以下。也就是说，研磨液组合物中有机多元酸的含量，优选为0.002～20重量％，更优选为0.005～15重量％，再优选为0.007～10重量％，进一步优选为0.01～5重量％。
另外，在本发明的研磨液组合物中，从提高研磨速度的角度考虑，上述有机氮化合物和有机多元酸的含量的重量比(有机氮化合物/有机多元酸)优选为1/1或以下，更优选为1/2或以下，进一步优选为1/5或以下。另外，从防止基板表面污染的角度考虑，优选为1/10000或以上，更优选为1/1000或以上，再优选为1/200或以上，进一步优选为1/50或以上。也就是说，从提高研磨速度和防止基板表面污染的角度考虑，优选为1/10000～1/1，更优选为1/1000～1/2，再优选为1/500～1/5，进一步优选为1/200～1/5，更进一步优选为1/50～1/5。
本发明所用的研磨材料可以使用研磨时通常使用的研磨材料。作为该研磨材料的例子，可列举出金属；金属或类金属的炭化物、氮化物、氧化物、硼化物；金刚石等。金属或类金属元素来自于长周期型周期表的2A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、6A、7A或8族的元素。作为研磨材料的具体例子，可列举出α-氧化铝粒子、中间氧化铝(intermediate alumina)粒子等氧化铝(以下有时称为“矾土”)粒子，炭化硅粒子、金刚石粒子、氧化镁粒子、氧化锌粒子、氧化铈粒子、氧化钛粒子、氧化锆粒子、胶体氧化硅粒子、热解法氧化硅粒子等。其中，尤其优选的是α-氧化铝粒子、中间氧化铝粒子、氧化铈粒子、氧化锆粒子、胶体氧化硅粒子、热解法氧化硅粒子等，更为优选的是α-氧化铝粒子、中间氧化铝粒子、胶体氧化硅粒子、热解法氧化硅粒子，进一步优选的是α-氧化铝粒子、中间氧化铝粒子。另外，从减少磨粒和研磨碎屑的角度考虑，优选的是氧化铝粒子。再者，通过α-氧化铝和中间氧化铝的并用、或者α-氧化铝和胶体氧化硅或热解法氧化硅的并用，可以获得进一步提高研磨速度和减少波纹度的效果。
即使在上述α-氧化铝和中间氧化铝之中，从减少波纹度、降低表面粗糙度、提高研磨速度和防止表面缺陷的角度考虑，作为氧化铝，其纯度优选为95％或以上，更优选为97％或以上，进一步优选为99％或以上。另外，从提高研磨速度的角度考虑，优选为α-氧化铝，从表面性状和减少波纹度的角度考虑，优选为γ-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝、η-氧化铝、κ-氧化铝等中间氧化铝。此外，本发明所使用的所谓中间氧化铝，是除α-氧化铝粒子以外的氧化铝粒子的总称，具体地说，可列举出γ-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝、η-氧化铝、κ-氧化铝以及它们的混合物等。在这些中间氧化铝之中，从提高研磨速度和减少波纹度的角度考虑，优选为γ-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝以及它们的混合物，特别优选为γ-氧化铝和θ-氧化铝。
特别是在中间氧化铝的情况下，作为用BET法测定的比表面积，优选为30～300m2/g，更优选为50～200m2/g。
作为上述研磨材料一次粒子的平均粒径，从提高研磨速度和减少波纹度的角度考虑，优选为0.001～2μm，更优选为0.005～0.8μm，进一步优选为0.01～0.5μm.再者，在一次粒子凝集形成二次粒子的情况下，从提高研磨速度和减少波纹度、不产生表面缺陷的角度考虑，该二次粒子的平均粒径优选为0.02～3μm，更优选为0.05～1μm，再优选为0.1～0.8μm，进一步优选为0.1～0.5μm.研磨材料一次粒子的平均粒径可以通过如下的方法求出：即用电子显微镜进行观察且对观察到的图像进行图像分析，从而对粒径进行测定，其中用扫描型电子显微镜进行观察时，适宜在3000～30000倍下进行观察，而用透射型电子显微镜进行观察时，适宜在10000～500000倍下进行观察.另外，二次粒子的平均粒径可以用激光衍射法作为体积平均粒径来加以测定.
从分散性及对研磨装置的供给性和回收再利用性的角度考虑，研磨材料的比重优选为1.5～8，更优选为1.5～5。
从经济性和提高研磨速度的角度考虑，研磨材料的含量在研磨液组合物中，优选为0.05～40重量％，更优选为0.1～30重量％，再优选为0.5～25重量％，进一步优选为1～20重量％，更进一步优选为1～10重量％。
本发明的研磨液组合物中的水是作为介质加以使用的，其含量从有效地研磨被研磨物的角度考虑，优选为55～99重量％，更优选为60～97重量％，进一步优选为70～95重量％。
另外，在本发明的研磨液剂组合物中，可以根据需要添加其它成分。
在本发明的研磨液组合物中，从进一步提高研磨速度和减少波纹度的角度考虑，优选并用无机酸。从提高研磨速度的角度考虑，优选的是硝酸、亚硝酸、硫酸、亚硫酸以及氨基硫酸，更优选的是硫酸、亚硫酸以及氨基硫酸，进一步优选的是硫酸。从研磨速度、表面质量和经济性的角度考虑，研磨液组合物中无机酸的含量优选为0.002～20重量％，更优选为0.005～15重量％，再优选为0.007～10重量％，进一步优选为0.01～5重量％。
另外，从提高研磨速度的角度考虑，本发明的研磨液组合物优选含有氧化剂。氧化剂大致分为无机系氧化剂和有机系氧化剂。作为无机系氧化剂，可以使用过氧化氢、碱金属或碱土类金属的过氧化物类、过硫酸或其盐类、过硝酸或其盐类、过磷酸或其盐类、过硼酸盐类、过铬酸盐类、高锰酸盐类、卤代酸或其衍生物类、无机酸金属盐等。作为有机系氧化剂，可以使用过羧酸类、过氧化物类、柠檬酸铁(III)等。其中，在比较研磨速度的提高性能、易得性能、水溶性等操作性能时，优选的是无机系氧化剂，其中，如果将环境问题考虑在内，则优选的是不含重金属的无机过氧化物。另外，从防止被研磨基板的表面污染的角度考虑，更优选的是过氧化氢、过硫酸盐类、卤代酸或其衍生物，进一步优选的是过氧化氢。另外，这些氧化剂可以使用1种，也可以混合2种或更多种使用。
从提高研磨速度、减少波纹度、表面质量以及经济性的角度考虑，氧化剂的含量在研磨液组合物中，优选为0.002～20重量％，更优选为0.005～15重量％，再优选为0.007～10重量％，进一步优选为0.01～5重量％。
此外，作为其它的成分，可列举出纤维素类，例如纤维素、羧甲基纤维素、羟乙基纤维素等；还有水溶性醇类，例如乙醇、丙醇、乙二醇等；还可以列举出表面活性剂，例如烷基苯磺酸盐、萘磺酸的甲醛缩聚物、聚丙烯酸盐、木质磺酸盐等；再可以列举出聚乙烯醇等水溶性高分子等。这些成分既可以单独使用，又可以混合2种或更多种使用。此外，其含量从发挥各自的机能的角度以及经济性的角度考虑，在研磨液组合物中优选为0.001～20重量％，更优选为0.01～5重量％，进一步优选为0.01～2重量％。
此外，研磨液组合物中上述各成分的浓度为研磨时优选的浓度，但是，该组合物制造时的浓度也可以比它们的浓度更高。组合物通常被制作成浓缩液，应用时将其稀释使用。
本发明的研磨液组合物适用于作为被研磨基板的硬盘用基板的研磨。作为硬盘用基板，只要是通常公知的，就没有什么特别的限定，例如，可以列举出：镀覆有Ni-P的铝合金基板，镀覆有Ni-P的玻璃基板，铝磁盘等表面层上具有金属层的基板，碳磁盘、玻璃基板等具有玻璃状物质或陶瓷材料的基板、以及它们复合而成的基板等。其中，在镀覆有Ni-P的铝合金基板、镀覆有Ni-P的玻璃基板、铝磁盘等在表面层具有金属层的基板上，当使用本发明的研磨液组合物时，尤其可以减少磨粒和研磨碎屑，因而是优选的。
研磨液组合物的pH优选根据实施研磨的基板的种类进行适当的决定。例如，从基板的漂洗性和加工机械的防腐蚀性以及操作人员的安全性的角度考虑，优选为1～12。另外，作为被漂洗基板，当以镀覆有Ni-P的铝合金基板、镀覆有Ni-P的玻璃基板、铝磁盘等表面层上具有金属层的基板为主要对象时，从提高研磨速度的角度考虑，pH优选为1～7，更优选为1～5，再优选为1～4，进一步优选为2～4，更进一步优选为大于等于2但小于3。该pH可以根据需要，通过适当添加无机酸、有机酸及它们的盐、或氨、氢氧化钠、氢氧化钾、胺等碱性物质来进行调节。
在本发明中，研磨液组合物防止磨粒和研磨碎屑残留的效果例如可以根据研磨后得到的基板表面的显微镜观察、扫描型电子显微镜观察等进行评价。其中对于硬盘用基板，可以通过用这些设备观察不易洗净的内径边缘部分进行评价。另外，也可以进一步用辉光放电光谱分析(GDOES)等评价研磨基板表面。
在硬盘用基板等基板的制造方法中，通过在其研磨工序中使用具有这样构成的本发明的研磨液组合物，防止了磨粒和因研磨产生的研磨碎屑在基板上的残留即表面污染，以致基板表面具有较少的划痕和凹坑等表面缺陷，因而可以制作磨粒和研磨碎屑少的基板。因此，本发明涉及基板的制造方法和基板表面污染的减少方法。
本发明的基板的制造方法以及基板的表面污染减少方法，具有使用上述研磨液组合物研磨被研磨基板的工序。在这个工序中，例如可以采用下述的方法对被研磨基板进行研磨：用贴附有多孔质有机高分子类研磨布(研磨垫)等的研磨盘将基板夹住，向研磨面供给本发明的研磨液组合物并施加一定的载荷，同时使研磨盘或基板移动。所以，本发明也涉及使用上述研磨液组合物对基板进行研磨的方法。
本发明在基板的制造方法和基板表面污染的减少方法中，从提高研磨速度和经济的角度考虑，优选具有如下的工序，该工序是相对于每1cm2的被研磨基板，以优选为0.01～0.5mL/分、更优选为0.02～0.3mL/分、进一步优选为0.03～0.2mL/分的流速向基板供给研磨液组合物，并使用研磨垫进行研磨。因此，作为本发明的基板的制造方法或基板表面污染的减少方法的例子，可以列举出具有如下工序的基板的制造方法或基板表面污染的减少方法，该工序相对于每1cm2的被研磨基板，以0.01～0.5mL/分的流速向基板供给研磨液组合物，并使用研磨垫对基板进行研磨。
另外，在本发明的基板的制造方法中，从提高研磨速度和减少波纹度的角度考虑，希望将研磨基板时的研磨压力调整为2～30kPa，优选调整为2～20kPa，更优选调整为4～15kPa。
另外，关于进行研磨时的其它条件，例如研磨机的种类、研磨垫的种类、研磨温度、研磨速度等，并没有特别限定，但在用含有氧化铝粒子的研磨材料研磨镀覆有Ni-P的铝合金基板的情况下，从生产效率和操作性的角度考虑，研磨速度优选为0.05～8μm/min，更优选为0.1～6μm/min，再优选为0.2～5μm/min，进一步优选为0.4～4μm/min.
本发明的研磨液组合物在研磨工序中特别有效，而在除此以外的研磨工序、例如抛光(lapping)工序等中也同样可以适用。
实施例
下面通过实施例更进一步记载并公开本发明的方案。这些实施例仅仅是本发明的例示，并不意味着对本发明的任何限定。
实施例1～13、比较例1～5
将表1所示的预定量的α-氧化铝(一次粒子的平均粒径为0.07μm，二次粒子的平均粒径为0.3μm，比表面积为15m2/g，纯度为99.9％)、θ-氧化铝(二次粒子的平均粒径为0.2μm，比表面积为120m2/g，纯度为99.9％)、有机多元酸、有机氮化合物和其它的添加物以及作为余量的离子交换水进行搅拌混合，从而得到研磨液组合物。
1、研磨方法
用双面加工机，在以下的双面加工机的设定条件下，使用上述的研磨液组合物，对由厚度为1.27mm、直径3.5英寸(95mm)的镀覆有Ni-P的铝合金构成的基板(用“Zygo NewView 5032”测得的短波长波纹度为3.8nm、长波长波纹度为1.6nm)的表面进行研磨，便得到作为磁记录介质用基板使用的镀覆有Ni-P的铝合金基板的研磨物。
双面加工机的设定条件如下所示。
<双面加工机的设定条件>
双面加工机：SPEED FAM公司制造，9B型双面研磨机
加工压力：9.8kPa
研磨垫：FUJIBO公司制造，硬盘基板用研磨垫
研磨盘的旋转速度：50r/min
研磨液组合物供给流量：100mL/min(相对于每1cm2的被研磨基板，为0.076mL/min)
研磨时间：4min
研磨的基板的块数：10块
2、评价方法
(1)研磨速度
使用计量仪器(Sartorius公司制造的“BP-210S”)测量研磨前后各基板的重量，求出各基板的重量变化，10块的平均值设定为减少量，并将该减少量用研磨时间相除，所得数值定义为重量减少速度。将重量减少速度代入下式中，便换算成研磨速度(μm/min)。
重量减少速度(g/min)＝{研磨前的重量(g)-研磨后的重量(g)}/研磨时间(min)
研磨速度(μm/min)＝重量减少速度(g/min)/基板的单面面积(mm2)/Ni-P镀层的密度(g/cm3)×1000000
此外，以比较例1的研磨速度(1.2μm/min)为标准值1，各实施例、比较例的研磨速度的相对值(相对速度)如表1所示。
(2)表面污染
用扫描型电子显微镜((株)日立制作所制：S-4000)在1万倍下观察研磨后各基板的表面，分为下述的5个等级进行评价。其中1、2在实用方面是不好的。
5：表面上完全观察不到氧化铝残留物和研磨碎屑等
4：仅观察到极少的氧化铝残留物和研磨碎屑等
3：观察到少量的氧化铝残留物和研磨碎屑等
2：观察到许多的氧化铝残留物和研磨碎屑等
1：观察到非常多的氧化铝残留物和研磨碎屑等
(3)波纹度
关于研磨后各基板的波纹度，按照下列的条件，分短波长波纹度和长波长波纹度2种波纹度进行了测量。以比较例1的各波纹度(短波长波纹度0.40nm，长波长波纹度0.42nm)作为标准值1，各实施例、比较例的波纹度相对值如表1所示。数值越低，表明波纹度降低得越多。
设备：Zygo NewView 5032
透镜：2.5倍迈克逊(Michelson)
变焦距比：0.5
基准面(remove)：圆柱面(cylinder)
滤光器：快速傅立叶变换固定通带(FFT Fixed Band Pass)
短波长波纹度：50～500μm
长波长波纹度：0.5～5mm
面积：4.33mm×5.77mm
Figure G2005101253766D00121
从表1所示的结果可知：实施例1～13所得到的研磨液组合物与比较例1～5的数值相比，研磨后基板的表面污染明显减少，基板上不易产生波纹。
本发明的研磨液组合物例如可以适用于存储硬盘等硬盘用基板的制造工序。
以上所述的本发明，明显存在许多可以进行等同置换的范围，这种多样性不能看作是背离了本发明的意图和范围，本领域的技术人员清楚了解的所有这些改变，均包含在所附的权利要求书所记载的技术范围内。

Claims (7)

1.一种硬盘基板用研磨液组合物，该硬盘基板为镀覆有Ni-P的铝合金基板；
所述研磨液组合物含有有机氮化合物、有机多元酸、研磨材料和水，其中，
所述有机氮化合物选自于：聚烷撑亚胺类、二乙撑三胺、三乙撑四胺、四乙撑五胺、双(3-氨丙基)胺以及1，3-丙二胺；而且
所述有机多元酸选自于：甲二磺酸、乙二磺酸、苯酚二磺酸、萘二磺酸、草酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、马来酸、富马酸、衣康酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、异柠檬酸、苯二甲酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、羟基亚乙基-1，1-二膦酸、膦酰基丁烷三羧酸以及乙二胺四亚甲基膦酸；
所述研磨材料是含有α-氧化铝和选自于γ-氧化铝、δ-氧化铝、θ-氧化铝、η-氧化铝、κ-氧化铝以及它们的混合物之中的中间氧化铝的磨粒；
所述有机氮化合物在研磨液组合物中的含量为0.001～0.5重量％；
所述有机氮化合物和所述有机多元酸的含量的重量比为1/1000～1/2。
2.根据权利要求1所述的研磨液组合物，其中所述有机氮化合物的数均分子量为150～100000。
3.根据权利要求1所述的研磨液组合物，其进一步含有氧化剂。
4.根据权利要求1所述的研磨液组合物，其中pH为1～7。
5.一种基板的制造方法，其具有下述的工序：相对于每1cm2的被研磨基板，以0.01～0.5mL/分的流速向基板供给权利要求1所述的研磨液组合物，并使用研磨垫对基板进行研磨。
6.根据权利要求5所述的基板的制造方法，其中研磨压力为2～30kPa。
7.一种基板表面污染的减少方法，其具有下述的工序：相对于每1cm2的被研磨基板，以0.01～0.5mL/分的流速向基板供给权利要求1所述的研磨液组合物，并使用研磨垫对基板进行研磨。
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