JP2006107713A - 不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ここに開示される不揮発性メモリ装置は、第1電圧と制御ノードとの間に連結され、第2電圧によって制御される第1トランジスタと、第1電圧と制御ノードとの間に連結され、第3電圧によって制御される第2トランジスタと、制御ノードの電圧に応答してワードラインを駆動するワードラインドライバとを含む。第2電圧は消去動作時接地電圧に設定され、第3電圧は消去動作時電源電圧に設定される。
【選択図】 図2
Description
101、105 PMOSトランジスタ
102、103、104、106、107 NMOSトランジスタ
Claims (15)
- 読み出し、プログラム、および消去モードで動作可能な不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路において、
第1電圧と制御ノードとの間に連結され、第2電圧によって制御される第1トランジスタと、
第1電圧と制御ノードとの間に連結され、第3電圧によって制御される第2トランジスタと、
前記制御ノードの電圧に応答してワードラインを駆動するワードラインドライバとを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路。 - 前記消去動作の間、
前記第2電圧は接地電圧に設定され、前記第3電圧は電源電圧に設定されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路。 - 前記消去動作を除外した残りの動作では前記第3電圧が前記接地電圧に設定されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路。
- 前記読み出しおよびプログラム動作時、選択信号に応答して前記制御ノードを前記接地電圧および前記電源電圧のうちのいずれか一つに連結するスイッチをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路。
- 前記スイッチは直列連結された第1スイッチトランジスタおよび第2スイッチトランジスタを含むことを特徴とする請求項4に記載の不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路。
- 前記スイッチは直列連結された第3スイッチトランジスタおよび第4スイッチトランジスタを含むことを特徴とする請求項4に記載の不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路。
- 前記第1トランジスタはPMOSトランジスタであり、前記第2トランジスタはNMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路。
- 前記第1電圧は前記消去動作時、接地電圧、プログラム動作時10V、および読み出し動作時5Vに各々設定されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路。
- 前記第2電圧は前記読み出し動作時前記接地電圧に、そして前記プログラム動作時前記第1電圧より低い電圧に設定されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路。
- 不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路を動作させる方法において、
第1電圧および制御ノードとの間に連結された第1トランジスタを第2電圧で制御する段階と、
前記第1電圧および前記制御ノードとの間に連結された第2トランジスタを第3電圧で制御する段階と、
前記制御電圧に応答してワードラインを駆動する段階とを含むことを特徴とする方法。 - 消去動作の間、
前記第2電圧を接地電圧に設定する段階と、
前記第3電圧を電源電圧に設定する段階とを含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 読み出しおよびプログラム動作の間、
選択信号に応答して電源電圧と接地電圧のうちのいずれか一つに前記制御ノードを連結する段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記消去動作を除外した残りの動作の間前記第3電圧を接地電圧に設定する段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 消去動作、プログラム動作、および読み出し動作の間前記第1電圧を接地電圧、10V、および15Vに各々設定する段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 読み出し動作の間前記第2電圧を接地電圧に設定する段階と、
プログラム動作の間前記第1電圧より低い電圧に前記第2電圧を設定する段階とを含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
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