JP6477013B2 - 半導体集積回路装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
<不揮発性メモリー>
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路装置に内蔵された不揮発性メモリーの構成例を示すブロック図である。本発明の一実施形態に係る半導体集積回路装置は、フラッシュメモリーやEEPROM等の電気的に書き換え可能な不揮発性メモリーのみを内蔵しても良いし、不揮発性メモリーに加えて、所定の機能を有する回路ブロック又はCPU(中央演算装置)等の機能回路を内蔵しても良い。以下においては、不揮発性メモリーの一例として、NOR型フラッシュメモリーについて説明する。
図2は、図1に示す不揮発性メモリーのメモリーセル周辺の構成例を示す回路図である。図2には、メモリーセルアレイの一部の領域に配置された4つのメモリーセルMC00〜MC11と、ワード線駆動回路40の一部と、ソース線駆動回路50の一部とが示されている。
<消去モード>
消去モードにおいては、ワード線駆動回路40が、ワード線WL0及びWL1に基準電源電位VSSを印加し、ソース線駆動回路50が、図示しない経路を介して、ソース線SL0に高電源電位VPPを印加する。また、メモリー制御回路70が、スイッチ回路60をオフさせて、ビット線BL0及びBL1をオープン状態(ハイ・インピーダンス状態)にする。
第1の書き込みモードにおいて、メモリー制御回路70は、ビット線が延在する方向に隣接して配置されて1本のソース線に共通に接続された2つのメモリーセルに2ビットのデータを記憶させる。メモリー制御回路70は、書き込みデータに従って、それらのメモリーセルを制御する行選択信号を個別に活性化又は非活性化する。
第2の書き込みモードにおいて、メモリー制御回路70は、ビット線が延在する方向に隣接して配置されて1本のソース線に共通に接続された2つのメモリーセルの両方又は一方に1ビットのデータを記憶させる。
読み出しモードにおいては、メモリー制御回路70が、アドレス信号によって指定された行の行選択信号をローレベルに活性化すると共に、それ以外の行選択信号をハイレベルに非活性化する。ワード線駆動回路40は、アドレス信号によって指定された行のワード線にワード線昇圧電位VUPを印加すると共に、それ以外のワード線に基準電源電位VSSを印加する。
第1の書き込みモードと第2の書き込みモードとは、半導体集積回路装置が適用される製品の用途に応じてフレキシブルに選択されても良い。例えば、第1の書き込みモードと第2の書き込みモードとの内のどちらを選択するかを指定する書き込みモード指定データを保存する指定データ保存メモリーセルが、図1に示すメモリーセルアレイ10内に設けられる。
ところで、第2の書き込みモードにおいては、ビット線が延在する方向に隣接して配置されて1本のソース線に共通に接続された2つのメモリーセルに同一のデータを記憶させることが可能である。従って、一方のメモリーセルが初期不良であったり、使用途中で不良になった場合には、一方のメモリーセルを他方のメモリーセルで置き換えることができる。
次に、本発明の一実施形態に係る電子機器について、図5を参照しながら説明する。
図5は、本発明の一実施形態に係る電子機器の構成例を示すブロック図である。電子機器100は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路装置110と、CPU120と、操作部130と、ROM(リードオンリー・メモリー)140と、RAM(ランダムアクセス・メモリー)150と、通信部160と、表示部170と、音声出力部180とを含んでも良い。なお、図5に示す構成要素の一部を省略又は変更しても良いし、あるいは、図5に示す構成要素に他の構成要素を付加しても良い。
Claims (8)
- メモリーセルアレイに配置され、各メモリーセルが不揮発性メモリーを構成するトランジスターを含み、前記トランジスターのソースが1本のソース線に共通に接続され、ビット線が延在する方向に隣接して配置される第1のメモリーセルと第2のメモリーセルと、
第1の書き込みモードにおいて、前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルに2ビットのデータを記憶させ、前記トランジスターのコントロールゲートにそれぞれ接続された2本のワード線を個別に駆動し、第2の書き込みモードにおいて、前記トランジスターのコントロールゲートにそれぞれ接続された2本のワード線を共通に駆動するワード線駆動回路と、
前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルのトランジスターのコントロールゲートにそれぞれ接続された2本のワード線の内の少なくとも一方に基準電位よりも高い所定の電位が印加されたときに、前記トランジスターのソースに共通に接続されたソース線に前記所定の電位を印加し、前記2本のワード線のいずれにも前記所定の電位が印加されないときに、前記ソース線に前記所定の電位を印加しないソース線駆動回路と、を備え
第2の書き込みモードにおいて、前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルの両方、又は前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルのいずれか一方に1ビットのデータを記憶させるメモリー制御回路と、を備える、半導体集積回路装置。 - 前記メモリー制御回路が、前記メモリーセルアレイの第1の領域において前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルとに2ビットのデータを記憶させ、前記メモリーセルアレイの第2の領域において前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルの両方、又は第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルのいずれか一方に1ビットのデータを記憶させる、請求項1記載の半導体集積回路装置。
- メモリーセルアレイに配置され、各メモリーセルが不揮発性メモリーを構成するトランジスターを含み、前記トランジスターのソースが1本のソース線に共通に接続され、ビット線が延在する方向に隣接して配置される第1のメモリーセルと第2のメモリーセルと、
第1の書き込みモードにおいて、前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルのトランジスターのコントロールゲートにそれぞれ接続された2本のワード線を個別に駆動し、第2の書き込みモードにおいて、前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルのいずれか一方のトランジスターのコントロールゲートに接続されたワード線を駆動すると共に、他方の前記メモリーセルのトランジスターのコントロールゲートに接続されたワード線にトランジスターがオンしない電位を印加するワード線駆動回路と、
前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルのトランジスターのコントロールゲートにそれぞれ接続された2本のワード線の内の少なくとも一方に基準電位よりも高い所定の電位が印加されたときに、前記トランジスターのソースに共通に接続されたソース線に前記所定の電位を印加し、前記2本のワード線のいずれにも前記所定の電位が印加されないときに、前記ソース線に前記所定の電位を印加しないソース線駆動回路と、をさらに備え、
第2の書き込みモードにおいて、前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルの両方、又は前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルのいずれか一方に1ビットのデータを記憶させるメモリー制御回路と、を備える、半導体集積回路装置。 - 前記メモリー制御回路が、前記メモリーセルアレイの第1の領域において前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルとに2ビットのデータを記憶させ、前記メモリーセルアレイの第2の領域において前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルの両方、又は第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルのいずれか一方に1ビットのデータを記憶させる、請求項3記載の半導体集積回路装置。
- 第1の書き込みモードにおいて、前記第1のメモリーセルと前記第2のメモリーセルのいずれか一方のメモリーセルに所定のデータを書き込み、他方のメモリーセルに所定のデータを書き込まない場合に、前記ワード線駆動回路が、前記一方のメモリーセルのトランジスターのコントロールゲートに接続されたワード線に前記所定の電位を印加し、前記他方のメモリーセルのトランジスターのコントロールゲートに接続されたワード線に基準電位よりも高く前記所定の電位よりも低い第3の電位を印加する、請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体集積回路装置。
- 第2の書き込みモードにおいて、1ビットのデータを記憶した前記第1のメモリーセルからデータを読み出すか、あるいは1ビットのデータを記憶した前記第2のメモリーセルから、データを読み出すか、をワード線の対毎に指定し、又は、第2の書き込みモードにおいて、前記第1のメモリーセルへデータを記憶させるか、あるいは前記第2のメモリーセルへデータを記憶させるか、をワード線の対毎に指定するデータを保存するメモリーセルをさらに備える、請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1の領域及び前記第2の領域を指定するデータを保持するメモリーセルをさらに備える、請求項2または4記載の半導体集積回路装置。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載の半導体集積回路装置を備える電子機器。
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