JP3544222B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ読出し方法に関するものであり、更に詳しく言えば、自動的かつ電気的にデータが一括消去可能であって、自動消去前に、消去用のデータの書込みを実行するフラッシュメモリに関するものである。
【0002】
近年,各種情報処理装置の高性能化,多機能化に伴い、各機種に対応した制御アルゴリズム(データ)をメモリセルに書き込む不揮発性半導体記憶装置(以下フラッシュメモリともいう)が開発されている。当該装置は回路的、プロセス的には、従来例の不揮発性メモリ、EPROM及びEEPROMの延長線上にある。
【0003】
このフラッシュメモリではセルトランジスタの閾値電圧のバラつきを小さくするため、消去前にデータ書込みが行われ、その後、全ビットの書込みデータを同時に一括消去され、全メモリセルのデータが消去されるまで、この消去動作が繰り返される。
しかし、セルアレイの中には統計的な理由により、比較的消去が容易なメモリセルと、比較的消去が困難なメモリセルとが混在している。このため、消去動作を繰り返す方法では、過消去が生じ、メモリセル間で、データ保持特性に差を生じたり、消去動作に多くの時間を費やすことがある。
【0004】
そこで、過消去を起こしたメモリセルを検出し、その過消去を起こしたメモリセルのデータを正常に読み出すことができる装置及び方法が望まれている。
【0005】
【従来の技術】
図7,8は、従来例に係る説明図である。図7は従来例に係るフラッシュメモリを説明する構成図であり、図8は、その問題点を説明するメモリセルの消去フローチャートをそれぞれ示している。
例えば、データが自動的かつ電気的に消去可能であって、自動消去前に、消去用の書込みを実行するフラッシュメモリは、図7において、メモリ部1,書込み/読出し部2及び消去/書込み制御回路3から成る。メモリセルアレイ1にはセルトランジスタ(以下単にメモリセルという)1Aを有する。
【0006】
メモリセル1Aは図7の破線円内図に示すように、コントロールゲート電極CGと、フローティングゲート電極FGとを具備し、当該ゲート電極FGに電荷を注入することにより、データDINを記憶するトランジスタである。
一般的にセルアレイ1はNOR型の構成が採られる。この場合のデータ消去は、メモリセル1Aのドレインをフローティングにしてゲートを0V(全てのセルゲート)にし、ソースに12Vを印加することにより、全てのセルを一括に消去することができる。
【0007】
メモリセル1Aは、エンハンスメント型のトランジスタが用いられ、非選択のメモリセル1Aには電流が流れず、選択されたメモリセル1Aのみが、フローティングゲートFGの中の電荷量に応じて、電流が流れたり、流れなかったりする。この選択されたメモリセル1Aの振る舞いに応じて、「0」,「1」のデータが割当てられる。
【0008】
当該メモリの消去動作を説明する。例えば、図8のフローチャートに示すように、まず、ステップP1で消去前のデータをメモリセル1Aに書込む。この際に外部から消去/書込み制御回路3にイレーズ命令が入力される。イレーズ命令とは書込みデータDINをメモリセル1Aに書込み、それを消去する動作,すなわち、当該セル1AのフローティングゲートFGにホットレクトロンを注入し、その後、FN(ファウラーノルドハイム)トンネルによりホットエレクトンを引き抜く動作を繰り返す指示をいうものである。
【0009】
次に、ステップP2で全メモリセル1Aの一括消去をする。次いで、ステップP3でメモリセル1Aの消去が行われたか否かを確認する。ここで、その消去が正しく行われた場合(YES)には、ステップP4に移行し、メモリセルアレイ1の過消去チェックをする。なお、ステップP3で消去が行われない場合(NO)には、ステップP2に戻って消去を継続する。
【0010】
ステップP4でメモリセルアレイ1の中で過消去されたメモリセル1Aが存在する場合(YES)には、ステップP5に移行して過消去のメモリセル1Aが接続されたビット線にデータDINを再度書き込む。それが存在しない場合(NO)には、消去動作を終了する。
また、ステップP6でメモリセルアレイ1の中で過消去されたメモリセル1Aが存在するか否かをチェックする。ここで、過消去されたメモリセル1Aが、まだ存在する場合(YES)には、ステップP5に戻って、そのビット線にデータを再度書き込む。
【0011】
さらに、過消去されたメモリセル1Aが存在しない場合(NO)には、ステップP7に移行して、メモリセル1Aの消去が行われたか否かを確認する。ここで、その消去が正しく行われた場合(YES)には、消去動作を終了する。なお、ステップP7で消去が行われない場合(NO)には、ステップP8に移行してメモリセル1Aのデータを消去し、その後、ステップP9に移行して、メモリセル1Aの消去が行われたか否かを確認する。ここで、その消去が行われた場合(YES)には、ステップP6に戻ってメモリセルアレイ1の中で過消去されたメモリセル1Aが存在するか否かをチェックする。ステップP8で消去が行われない場合(NO)には、ステップP8に戻って、メモリセル1Aのデータを消去する。また、ステップP7でその消去が正しく行われた場合(YES)には、消去動作を終了する。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来例のフラッシュメモリによれば、ステップP1でメモリセル1Aの閾値電圧のバラつきを小さくするため、消去前のデータ書込みが行われ、ステップP2で全ビットに対して同時に一括消去され、その後、全メモリセル1Aが消去されるまで、この消去動作を繰り返される。
【0013】
しかし、セルアレイ1の中には統計的な理由により、比較的消去が容易なメモリセル1Aと、比較的消去が困難なメモリセル1Aとが混在している。このため、先に述べたような消去動作を繰り返す方法では、オーバーイレーズ(過消去)が生じ、メモリセル間で、データ保持特性に差を生じることがある。
このような特性の差は、製造プロセスのバラつき、長時間にわたるデータ書込み、及び、消去動作の繰り返しによるウエハへのストレス等により生じ得ると考えられる。
【0014】
また、データDINの書込み、消去の動作は、メモリセル1AのフローティングゲートFGに対する電荷の注入、放出により行われるため、必要以上に消去動作が成されたメモリセル1Aでは見掛け上、逆極性の電荷がフローティングゲートFGに注入された状態になることがある。この状態がオーバーイレーズ(過消去)と呼ばれる。
【0015】
一般にフラッシュメモリにおいて、エンハンスメント型のメモリセル1Aに対して、上述したように、オーバーイレーズ(過消去)が生じると、メモリセル1Aは見掛け上、デプレッション型のトランジスタ特性に変化する。
このため、たとえ選択されたメモリセル1Aに電流が流れない状態であっても、非選択のメモリセル1Aから電流が流れてしまい、「0」又は「1」のデータが誤ってセンスアンプに検出されることとなる。
【0016】
このような現象の多くは、再度、全セル1Aに「0」のデータを書込み、その後、全セルの消去することにより正常状態になる場合がある。しかし、再度、過消去の検出を行い、全セル1Aへの書込み/消去を行うこととなるので、当該メモリセルアレイ1を正常復帰させるためには、多くの消去時間を要するという問題がある。
【0017】
本発明は係る従来例の問題点に鑑み創作されたものであり、過消去を起こしたメモリセルを検出し、その過消去を起こしたメモリセルのデータを正常に読み出すことが可能となる不揮発性半導体記憶装置の提供を目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
図1は、本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の原理図を示している。本発明の不揮発性半導体記憶装置は、図1に示すように、データが自動的かつ電気的に消去可能な不揮発性メモリセルアレイ11を含む不揮発性半導体記憶装置において、並列に形成された第1及び第2のロードトランジスタTP1、TP2を含み、前記第2のロードトランジスタTP2は前記第1のロードトランジスタTP1より電流供給能力が大きく設計されているセンスアンプ25と、読み出し時に、前記不揮発性メモリセルアレイ11内に、過消去メモリセルが存在する場合には前記第2のロードトランジスタTP2を選択し、過消去メモリセルが存在しない場合には前記第1のロードトランジスタTP1を選択する切り替え手段13とを備えることを特徴とする。
【0019】
本発明の不揮発性半導体記憶装置において、過消去メモリセルが存在するか否かを検出し、当該検出結果に応じたロード切り換え信号SLを出力する検出手段12と、前記ロード切り換え信号SLに応じて、前記検出手段12が検出した前記過消去メモリセルの有無を記憶する冗長セル23Bとを有し、読み出し時に、前記切り換え手段13は、前記冗長セル23Bの出力信号DOに応じて、前記第1及び第2のロードトランジスタTP1、TP2のいずれかを選択することを特徴とする。
【0020】
本発明の不揮発性半導体記憶装置において、消去動作に先立ち、前記冗長セル23Bの記憶情報をリセットするリセット手段24を有することを特徴とし、上記目的を達成する。
【0023】
【作 用】
本発明の不揮発性半導体記憶装置の動作を説明する。例えば、メモリセル11の消去前にデータが書込みまれ、その後、メモリセル11のデータが一括消去された場合であって、メモリセル11からデータを読み出す場合に、消去動作によって所定以上の電荷を放出した過消去のメモリセル11の情報が、検出手段12により検出されると、該検出手段12から切り換え手段13にロード切り換え信号SLが出力される。また、消去動作に先立ちリセット手段14により、リセットされた切り換え手段13では、ロード切り換え信号SLに基づいてセンスアンプ25の能力が切り換えられる。
【0024】
具体的には、切り換え手段13の書込み回路23Aによりロード切り換え信号SLが、電源線VCCの電位から書込み用電源線VPPの電圧にレベル変換され、その結果、ゲート制御信号SG及びセンスアンプ25の負荷状態を示す書込み電圧VPPIが 冗長セル23Bに出力される。
一方、リセット手段14からのリセット信号RSTと、書込み回路23Aからのゲート制御信号SGとに基づいて書込み電圧VPPIが冗長セル23Bに記憶される。これにより、ロード切り換え信号SLの論理に基づいて、冗長セル23BからデータDOが読出され、これ基づいてゲート選択信号A,Aバーが読出し回路23Cからセンスアンプ25に出力される。
【0025】
ここで、センスアンプ25では、過消去されたメモリセル11からデータを読み出す場合には、トランジスタTP1に比べてサイズの大きなトランジスタT2がゲート選択信号Aを受けてON動作をし、通常のメモリセル11を読み出す場合には、ゲート選択信号Aバーを受けてトランジスタTP2に比べてサイズの小さいトランジスタT1がON動作する。
【0026】
このため、過消去のメモリセル11が生じた場合であっても、従来例の消去時間と同程度の時間で、データを正常に読み出すことが可能となる。
また、製造プロセスのバラつき、長時間にわたるデータ書込み、及び、消去動作の繰り返しによるウエハへのストレス等により、メモリセル11間で、データ保持特性に差を生じても、データを正常に読み出すことが可能となる。
【0027】
これにより、過消去を起こしたメモリセル11を他のメモリセル11と共に使用することができるので、生産歩留りの向上を図ることができる。また、読出し機能が充実することで、デバイスの信頼性の向上に大きく寄与する。
【0028】
【実施例】
次に、図を参照しながら本発明の実施例について説明をする。図2〜6は、本発明の実施例に係る不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ読出し方法を説明する図である。図2は、本発明の実施例に係るフラッシュメモリの構成図であり、図3はそのセンスアンプ切り換え回路及びその周辺回路の構成図である。図4は、当該フラッシュメモリの1ビットのメモリセルの構成図であり、図5は、そのメモリセルアレイの一部構成図である。図6は、そのメモリセルの消去フローチャートをそれぞれ示している。
【0029】
例えば、データDINが自動的かつ電気的に一括消去可能であって、センスアンプ部の能力を切り換えるフラッシュメモリは、図2において、メモリセルアレイ21,過消去検出回路22,センスアンプ切り換え部23,リセット回路24,センスアンプ25,消去/書込み制御回路26,書込み/消去電圧出力回路27,入出力バッファ28,命令レジスタ29,データ比較レジスタ30,信号発生論理回路31,アドレスラッチ回路32及びステータスレジスタ33から成る。
【0030】
すなわち、メモリセルアレイ21はYゲート部21A,メモリセル11及びソース電源制御部21Bを有する。例えば、Yゲート部21AはアドレスA0〜A4に基づいてメモリセル11のビット線を選択し、書込み電圧VPPIを供給する。メモリセル11はアドレスA5〜A14に基づいてデータDINを書込み/読出しをする記憶素子である。該メモリセル11の構造については、図4において詳述し、セルアレイ21については図5においてそれぞれ詳述する。ソース電源制御部21BはアドレスA15〜A18に基づいて消去電圧VPPIの供給制御をする回路である。
【0031】
過消去検出回路22は検出手段12の一例であり、消去動作によって所定以上の電荷が放出された過消去のメモリセル11の情報を検出してロード切り換え信号SLをセンスアンプ切り換え部23に出力する回路である。例えば、過消去検出回路22は消去動作後に、入出力バッファ28で取り込まれる制御信号S3をデコードし、過消去のメモリセル11を検出する。
【0032】
センスアンプ切り換え部23は切り換え手段13の一例であり、ロード切り換え信号SLに基づいてセンスアンプ25の能力を切り換えるものである。例えば、センスアンプ切り換え部23は、図3に示すように、S/Aロード情報書込み回路(以下単に書込み回路という)23A,冗長セル23B及び情報読出し回路(以下単に読出し回路という)23Cを有する。
【0033】
書込み回路23Aはロード切り換え信号SLをレベル変換をしてゲート制御信号SG及びセンスアンプ25の負荷状態を示す書込み電圧VPPIを出力する。例えば、書込み回路23Aは図3に示すように、インバータ INV1,NOR回路及び10個のn型の電界効果トランジスタTN10 〜TN19 及びp型の電界効果トランジスタTP11から成る。トランジスタTN11 ,TN13 〜TN15 , TN18 はディプレッション型から成る。トランジスタTN11 ,TN14 ,TP11 のソースには書込み/消去電圧VPPIが供給される。
【0034】
冗長セル23Bは、リセット信号RST及びゲート制御信号SGに基づいて書込み電圧VPPIを記憶する。冗長セル23Bは、図4に示すようなメモリセル11と同様に、コントロールゲート電極CGと、フローティングゲート電極FGとを備え、当該ゲート電極FGに電荷を注入することにより、セル情報(データDO)を記憶するトランジスタである。
【0035】
読出し回路23Cは、冗長セル23BからデータDOを読出し、少なくとも、該データDOに基づいてセンスアンプ25のトランジスタTP1,TP2にゲート選択信号A,Aバーを出力する。例えば、読出し回路23Cは、図3に示すようにインバータ INV2及び2個のn型の電界効果トランジスタTN31 ,TN32 を有する。ゲート選択信号Aはインバータ INV2の入力から分岐されてトランジスタTP1のゲートに入力され、ゲート選択信号Aバーはインバータ INV2の出力からトランジスタTP2のゲートにそれぞれ入力される。
【0036】
リセット回路24はリセット手段14の一例であり、命令レジスタ29から出力された信号S0(イレーズ命令等)に基づいて、センスアンプ切り換え部23にリセット信号RSTを出力する。リセット回路24は図3に示すように、5個のn型の電界効果トランジスタTN21 〜TN25 及び3個のp型の電界効果トランジスタTP21〜TP23から成る。
【0037】
センスアンプ25は、制御信号S3,S4,ゲート選択信号A,Aバーと書込み電圧VPPIとに基づいて、データDINの書込み/読出しをする回路である。センスアンプ25は、例えば、電源線VCCに接続された二個のトランジスタTP1,TP2を有する。トランジスタTP1,TP2はp型の電界効果トランジスタから成る。
【0038】
本発明の実施例では、トランジスタTP2のサイズは、トランジスタTP1のサイズよりも大きく設計される。例えば、TP2のゲート幅がTP1よりも大きくされる。また、TP2のチャネル長をTP1よりも狭くしても良い。トランジスタTP2は、過消去されたメモリセル11のデータを読み出す際に使用し、トランジスタTP1は過消去されていない通常のメモリセル11をデータ読み出す際に使用する。その他、アンプ25にはp型の電界効果トランジスタTP3と3個のn型の電界効果トランジスタTN41 〜TN43 が設けられ、それぞれのゲートがバス線に接続され、セルアレイ21のYゲート部21Aに至る。
【0039】
なお、以下の構成は従来例と同様である。消去/書込み制御回路26はデータDINの消去/書込み制御をする回路である。書込み/消去電圧出力回路27は制御回路26から出力される制御信号S1に基づいて消去/書込み電圧VPPIをメモリセルアレイ21,センスアンプ切り換え回路23,センスアンプ25及びアドレスラッチ回路32にそれぞれ供給する。
【0040】
入出力バッファ28は制御信号S3を取り込んだり、信号発生論理回路31から出力される制御信号S2とに基づいて,例えば、8ビットのデータDINを入出力する回路である。
命令レジスタ29は8ビットの命令を解読して、その結果信号S0をステータスレジスタ33に出力する回路である。結果信号S0にはイレーズ命令や、過消去のメモリセル11の情報が含まれる。データ比較レジスタ30は制御信号S3に基づいて自動消去/書き換え時等に読出しデータと書込みデータDINとを比較したり、イレーズ命令を判断する回路である。その結果データは消去/書込み制御回路26に出力される。
【0041】
信号発生論理回路31はステータスレジスタ33から出力されるデコード結果信号S0に基づいて制御信号S2,S4を発生する回路である。信号S2,S4にはチッップイネーブル信号WE,アウトプットイネーブル信号OE及びライトイネーブル信号WEが含まれる。
アドレスラッチ回路32は,例えば、信号発生論理回路31から出力される制御信号S4と制御回路26から出力される制御信号S5とに基づいて,19ビットのアドレスA0〜A18を入力ラッチする。アドレスラッチ回路32はコラムデコーダ32A,ロウデコーダ32B及びブロックデコーダ32Cを有する。コラムデコーダ32Aは5ビットのアドレスA0〜A4をデコードして、その結果をメモリセルアレイ21のYゲート部21Aに転送する。ロウデコーダ32Bは、10ビットのアドレスA5〜A14をデコードして、その結果をメモリセルアレイ21のメモリセル11に転送する。ブロックデコーダ32Cは、4ビットのアドレスA15〜A18をデコードして、その結果をメモリセルアレイ21の電源制御部21Bにそれぞれ転送する。
【0042】
ステータスレジスタ33は、外部から供給される書込み許可信号WE,チップイネーブル信号CE,出力イネーブル信号OE及びパワーダウン信号PWDの基礎となるデータや命令レジスタ29から出力される結果信号S0に基づいて消去/書込み制御回路26及び信号発生論理回路31の入出力を制御する回路である。
【0043】
次に、1ビットのメモリセル11の構成を説明する。図4(A)はメモリセル11の平面図であり、図4(B)は、そのy1−y2の矢視断面図であり、図4(C)は、そのx1−x2の矢視断面図をそれぞれ示している。
1ビットのメモリセル11は図4(A)〜(C)に示すように、ソース領域S,ドレイン領域D上にフローティングゲート電極(以下単にゲートという)FG及びコントロールゲート電極(以下単にゲートという)CGが設けられて成る。
【0044】
例えば、ソース領域(以下単にソースという)S及びドレイン領域(以下単にドレインという)Dは、n+ 型の不純物拡散層から成り、これらの領域S,Dがp型のSi基板11A内に設けられる。また、両ゲートCG,FGはソースS,ドレインDを跨ぐ領域上に厚さ100〔Å〕程度のSiO2 膜11B,11Cを介して順次設けられる。なお、SiO2 膜11Bはトンネル酸化膜と呼ばれ、両ゲートCG,FGは容量結合をする。このように、メモリセル11はnチャネルのMOSトランジスタのゲートCGの下に、SiO2 膜11Cを介してフローティングゲートFGを設けた構造になっている。
【0045】
当該メモリセル11のデータ書込み時の動作は、最初の状態ではフローティングゲートFGの電荷は「0」である。この状態を情報「1」と定義する。この状態で、基板11AやソースSの電位を0Vにし、ゲートCGを5V,ドレインを1Vにすると、容量結合によって、ゲートFGが3V程度に上昇し、当該トランジスタは導通状態となる。
【0046】
次に、基板11AやソースSの電位を0Vにしたままで、ゲートCGに12V,ドレインDに6V程度の電圧を印加すると、いわゆるアンバランシェブレークダウン(電子雪崩降服)現象を生じ、ドレインD近傍の高エネルギーの電子が多量に捕らわれる。これがデータの書込みである。
この状態で、ゲートCGを5V,ドレインDを1Vにすると、フローティングゲートFGが−2Vのような低い値になる。このため、当該トランジスタは非導通状態となる。これを情報「0」と定義する。
【0047】
ここで、基板11AとゲートCGを0Vとし、ドレインDをオープンにし、ソースSに12V程度の電圧を印加すると、いわゆるトンネル現象が起き、フローティングゲートFGからソースSに電子がトンネルし、当該ゲートFGの電荷が減少する。このトンネル時間を制御することで、フローティングゲートFGの電荷をほぼ零にすることができる。これがデータの消去である。
【0048】
すなわち、アンバランシェブレークダウン現象により、当該メモリセル11の情報を「1」から「0」に変化させることをデータの書込みという。また、トンネル現象により、その情報を「0」から「1」へ変化させることをデータの消去と呼ぶ。
当該フラッシュメモリは消去により全メモリセルの情報を「1」とし、所定のメモリセル11に書込みを行い、「0」の情報を導入することで必要な情報を記憶する。例えば、ドレインDに1V、ゲートCGに5Vの電圧をそれぞれ印加すると、情報「1」のメモリセル11にはドレイン電流が流れるが、情報「0」のメモリセル11にはドレイン電流が流れない。これがデータの読出しである。
【0049】
次に、メモリセルアレイ21の構成を説明する。図7はメモリセルアレイ21の回路例を示している。メモリセルアレイ21はメモリセルがマトリクス状に配置され成る。例えば、図5に示すように、4つのメモリトランジスタ(以下単にトランジスタという)T00〜T11を一単位として構成する。トランジスタT00,T01の各コントロールゲートがワード線WL0に接続され、トランジスタT10,T11の各コントロールゲートがワード線WL1にそれぞれ接続される。
【0050】
また、トランジスタT00,T10の各ドレインがビット線BL0に接続され、トランジスタT01,T11の各ドレインがビット線BL1にそれぞれ接続される。各ビット線BL0,BL1はYゲート21B(ビット線選択用のトランジスタ)を介してセンスアンプ25に接続される。なお、各トランジスタT00〜T11のソースがソース電源制御部21Bに接続される。当該回路21Bは基板11AやソースSの電位を制御する。
【0051】
例えば、トランジスタT00に情報を書き込む場合には、電源制御部21Bによりソース電位が0Vに固定される。また、ワード線WL1に12V,ビット線BL1に0Vがそれぞれ印加される。なお、トランジスタT10,T01,T11には書込みが行われない。
消去はトランジスタT00〜T11に対して同時に行われる。すなわち、ワード線WL0,WL1が0V,ビット線BL0,BL1が電気的にオープン状態され、ソース電位が12Vに昇圧される。
【0052】
トランジスタT00から情報を読み出す場合には、ソース電位が0Vに固定され、ワード線WL0に5V,ワード線WL1に0Vが印加される。また、ビット線BL0を1Vにしながらドレイン電流が流れるか否かをセンスアンプ25により検出する。ここで、ビット線BL0に電流が流れれば、トランジスタT00の情報は「1」である。この電流が流れなければ「0」である。
【0053】
次に、本発明の実施例に係るデータ読み出し方法についてフラッシュメモリの消去動作を中心に説明をする。例えば、図6のメモリセルの消去フローチャートに示すように、まず、ステップP1でセンスアンプをリセットする。この際に、命令レジスタ29からリセット回路24にS0=「H」レベルが出力され、S0=「L」レベルが書込み回路23Aにそれぞれ出力される。
【0054】
次に、ステップP2で全メモリセル11の消去前にデータを書込む。その後、ステップP3で全メモリセル11のデータを一括消去する。次いで、ステップP4でメモリセル11の消去が行われたか否かを確認する。ここで、その消去が正しく行われた場合(YES)には、ステップP5に移行し、メモリセルアレイ21の過消去チェックをする。なお、ステップP4で消去が行われない場合(NO)には、ステップP3に戻って消去を継続する。
【0055】
ステップP5では、メモリセルアレイ21の過消去チェックをする。この際に、メモリセルアレイ21の中で過消去されたメモリセル11が存在する場合(YES)には、ステップP6に移行してセンスアンプの動作点を切り換える。ここで、メモリセル11からデータを読み出す場合に、消去動作によって所定以上の電荷を放出した過消去のメモリセル11の情報,例えば、過消去のメモリセル11が接続されているビット線が、過消去検出回路22により検出されると、該過消去検出回路22からセンスアンプ切り換え部23にロード切り換え信号SL=「H」(ハイ)レベルが出力される。また、センスアンプ切り換え部23では、ロード切り換え信号SLに基づいてセンスアンプ25の能力が切り換えられる。なお、通常の読出し時にはSL=「L」(ロー)レベルである。
【0056】
具体的には、書込み回路23Aによりロード切り換え信号SLが、電源線VCCの電位から書込み用電源線VPPIの電圧にレベル変換され、その結果、ゲート制御信号SG及び書込み電圧VPPIが冗長セル23Bに出力される。リセット信号RSTと、書込み回路23Aからのゲート制御信号SGに基づいて書込み電圧VPPIが冗長セル23Bに記憶される。これにより、ロード切り換え信号SL=「H」レベルに基づいて、冗長セル23BからデータDOが読出され、これ基づいてゲート選択信号A,Aバーが読出し回路23Cからセンスアンプ25に出力される。
【0057】
ここで、センスアンプ25では、過消去されたメモリセル11からデータを読み出す場合には、トランジスタTP1に比べてサイズの大きなトランジスタT2がゲート選択信号Aを受けてON動作をし、通常のメモリセル11を読み出す場合には、ゲート選択信号Aバーを受けてトランジスタTP2に比べてサイズの小さいトランジスタT1がON動作する。
【0058】
なお、ステップP5で過消去のメモリセル11が存在しない場合(NO)には、消去動作を終了し、センスアンプの動作点を切り換えた後には、ステップP7でメモリセルアレイ21の過消去チェックをする。この際に、メモリセルアレイ21の中で過消去されたメモリセル11が存在する場合(YES)には、ステップP8に移行して消去不良のアラームを発生し、ステップP7で過消去のメモリセル11が存在しない場合(NO)には、消去動作を終了する。
【0059】
このようにして、本発明の実施例に係る不揮発性半導体記憶装置によれば、図2に示すように、過消去のメモリセル11の情報に基づいてセンスアンプ25の能力を切り換えるセンスアンプ切り換え部23が備えられる。
このため、メモリセル11が過消去を生じた場合であっても、従来例の消去時間と同程度の時間で、データを正常に読み出すことが可能となる。このことで、メモリセル11の中に、統計的な理由により、消去が容易なメモリセル11と、消去が困難なメモリセル11とが混在している場合でも、従来例に比べて、過消去のメモリセル11のデータを正常に読み出すことができる。
【0060】
また、製造プロセスのバラつき、長時間にわたるデータ書込み、及び、消去動作の繰り返しによるウエハへのストレス等により、メモリセル11間で、データ保持特性に差を生じても、データを正常に読み出すことが可能となる。
これにより、過消去を起こしたメモリセル11を他のメモリセル11と共に使用することができるので、生産歩留りの向上を図ることができる。また、読出し機能が充実することで、デバイスの信頼性の向上に大きく寄与する。
【0061】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の不揮発性半導体記憶装置によれば、過消去のメモリセルの情報に基づいてセンスアンプの能力を切り換える切り換え手段が備えられる。
このため、過消去のメモリセルが生じた場合であっても、データを正常に読み出すことができ、また、従来例の消去時間に比べて短時間に消去動作を完了する。
【0062】
さらに、本発明の不揮発性半導体記憶装置のデータ読出し方法によれば、過消去のメモリセルの情報に基づいてセンスアンプの能力を切り換えているので、メモリセル間で、データ保持特性に差を生じても、データを正常に読み出すことが可能となる。
これにより、過消去を起こしたメモリセルを他のメモリセルと同等に扱えるので、生産歩留りの向上を図ることができる。また、読出し機能が充実することで、フラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置の信頼性の向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の原理図である。
【図2】本発明の実施例に係るフラッシュメモリの全体構成図である。
【図3】本発明の実施例に係るセンスアンプ切り換え回路及びその周辺回路の構成図である。
【図4】本発明の実施例に係る1ビットのメモリセルの構成図である。
【図5】本発明の実施例に係るメモリセルアレイの構成図である。
【図6】本発明の実施例に係る消去フローチャートである。
【図7】従来例に係るフラッシュメモリを説明する構成図である。
【図8】従来例に係る問題点を説明するメモリセルの消去フローチャートである。
【符号の説明】
11…メモリセル、
12…検出手段、
13…切り換え手段、
14…リセット手段、
25…センスアンプ、
23A…書込み回路、
23B…冗長セル、
23C…読出し回路、
TP1,TP2…トランジスタ、
RST…リセット信号、
VP…増幅素子、
VPPI…書込み電圧、
DO…データ、
DIN…書込みデータ、
SG…ゲート制御信号、
SL…ロード切り換え信号、
A,Aバー…ゲート選択信号。
Claims (3)
- データが自動的かつ電気的に消去可能な不揮発性メモリセルアレイを含む不揮発性半導体記憶装置において、
並列に形成された第1及び第2のロードトランジスタを含み、前記第2のロードトランジスタは前記第1のロードトランジスタより電流供給能力が大きく設計されているセンスアンプと、
読み出し時に、前記不揮発性メモリセルアレイ内に、過消去メモリセルが存在する場合には前記第2のロードトランジスタを選択し、過消去メモリセルが存在しない場合には前記第1のロードトランジスタを選択する切り替え手段とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 過消去メモリセルが存在するか否かを検出し、当該検出結果に応じたロード切り換え信号を出力する検出手段と、
前記ロード切り換え信号に応じて、前記検出手段が検出した前記過消去メモリセルの有無を記憶する冗長セルとを有し、
読み出し時に、前記切り換え手段は、前記冗長セルの出力信号に応じて、前記第1及び第2のロードトランジスタのいずれかを選択することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 消去動作に先立ち、前記冗長セルの記憶情報をリセットするリセット手段を有することを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
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JP4808494A JP3544222B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4808494A JP3544222B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH07262787A JPH07262787A (ja) | 1995-10-13 |
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Family Applications (1)
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Country | Link |
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JP (1) | JP3544222B2 (ja) |
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JP4739940B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2011-08-03 | ソリッド ステート ストレージ ソリューションズ エルエルシー | 不揮発性メモリ |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP4808494A patent/JP3544222B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH07262787A (ja) | 1995-10-13 |
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