JP2007080373A - 不揮発性メモリ - Google Patents
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Abstract
【課題】 フラッシュメモリなどの不揮発性メモリにおいて、メモリセルのディスターブを軽減することができる技術を提供する。
【解決手段】 電気的に書き込み及び消去可能な複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルに接続されるワード線WL及びビット線とを備えた不揮発性メモリに、非選択のワード線WLに印加される電圧を動作モードに応じて切り替える手段を設ける。非選択のワード線WLに印加される電圧(VUW)は、消去モード時の電圧を−2Vとし、他のモード時の電圧を−1.4Vとする。
【選択図】 図1
【解決手段】 電気的に書き込み及び消去可能な複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルに接続されるワード線WL及びビット線とを備えた不揮発性メモリに、非選択のワード線WLに印加される電圧を動作モードに応じて切り替える手段を設ける。非選択のワード線WLに印加される電圧(VUW)は、消去モード時の電圧を−2Vとし、他のモード時の電圧を−1.4Vとする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、不揮発性メモリに関し、特に、フラッシュメモリなどの電気的に書き込み及び消去可能な不揮発性メモリに適用して有効な技術に関する。
本発明者が検討した技術として、例えば、電気的に書き込み及び消去が可能な不揮発性メモリの1つとしてフラッシュメモリがある。フラッシュメモリにおいては、書き込み、消去ともトンネル電流を用いて浮遊ゲートの電荷放出、注入を行う、いわゆるAND型のメモリセル構成が知られている。
このフラッシュメモリは、ワードデコーダ回路の高速化を図るために、複数のブロックに分割されたメモリセルアレイのうち、任意のブロックを選択するメインデコーダ、選択されたブロック内の特定のワード線を選択するゲートデコーダ、並びにサブデコーダとに階層化されたものがある。
ところで、前記のようなフラッシュメモリの技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。
例えば、フラッシュメモリにおいては、書き込み、読み出し又は消去動作時に、非選択メモリセルにも動作電圧が加わることにより、非選択メモリセルのしきい値電圧(以下「Vth」という)が変動する、いわゆるディスターブという問題がある。図4により、このディスターブを説明する。
図4は、1Gビットフラッシュメモリにおける階層化ビット線構造を示す図である。図4に示すフラッシュメモリは、浮遊ゲート401とアシストゲート402からなる多数のメモリセルが行列状に配列され、ストリングを形成している。ストリングの周辺にはワード線WLを駆動するワードドライバ回路403と、ビット線を制御するカラム系制御回路404が配置されている。このフラッシュメモリは、8kセル/ページ(16kセル/ブロック)、256セル/ストリングの構成となっている。
例えば、書き込み動作において、メモリセル405が選択された場合(選択ブロック/選択ビット)、同じワード線上の選択ブロック/非選択ビット406のVthが変動する、いわゆるワードディスターブが発生する。同様に、非選択ブロック407では、いわゆるドレインディスターブが発生する。
そこで、本発明の目的は、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリにおいて、メモリセルのディスターブを軽減することができる技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
すなわち、本発明による不揮発性メモリは、電気的に書き込み及び消去可能な複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルに接続されるワード線及びビット線と、非選択の前記ワード線に印加される電圧を動作モードに応じて切り替える手段とを有するものである。
本願において開示される発明によれば、メモリセルのディスターブを軽減することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図1は本発明の一実施の形態による不揮発性メモリにおいて、ストリング部分の構成を示す回路図、図2は各動作モードにおけるワード線に印加される電圧の値を示す図、図3は非選択ワード線に印加される負電圧(VUW)の切り替え手段を示す回路図である。
まず、図1により、本実施の形態による不揮発性メモリの構成の一例を説明する。本実施の形態の不揮発性メモリは、例えば電気的に書き込み及び消去可能な4Gビットフラッシュメモリとされ、メモリセル間の干渉を防ぐアシストゲートとデータを記憶する浮遊ゲートとを交互に配置したメモリセル方式を採用している。そして、ビット線配線として、アシストゲート下の反転層を利用している。また、このアシストゲートは、素子分離の役目も果たしている。そして、この不揮発性メモリの一例としてのフラッシュメモリは、周知の半導体製造技術によって、1個の半導体チップ上に形成されている。
このフラッシュメモリは、浮遊ゲート101とアシストゲート102,103からなる多数のメモリセルが行列状に配列され、ストリング104を形成している。各メモリセルの浮遊ゲート101のゲートはワード線WLに接続され、ソース又はドレインはアシストゲート102,103のソース又はドレインに接続されている。ビット線を形成するGBL(グローバルビットライン)側のアシストゲート102のゲートは、制御信号AG0,AG2に接続され、ディスチャージに使用されるCD(コモンドレイン)側のアシストゲート103のゲートは、制御信号AG1,AG3に接続されている。ストリング104の周辺には、ビット線プリチャージ用のトランジスタ105や、センスラッチ106などが配置されている。
次に、このフラッシュメモリの読み出し動作を説明する。まず、トランジスタ107がオン(制御信号STSがハイ)、アシストゲート102がオン(制御信号AG0がハイ)の状態で、制御信号RPC0/1により、プリチャージ用のトランジスタ105をオンにしてビット線のプリチャージを行う。例えば、制御信号RPC0/1を1.8V、制御信号FRPCを1.3Vとして、ビット線を約1.2Vまでプリチャージする。プリチャージが終了したら、制御信号CDが0V、選択ワード線WLがハイ(1〜5V)、アシストゲート103がオン(制御信号AG3がハイ)の状態で、制御信号STDをハイにして、トランジスタ108によりビット線をディスチャージする。この時、非選択ワード線WLに印加される電圧は−1.4Vである。所定のディスチャージ時間経過後、トランジスタ108をオフ(制御信号STDをロウ)にして、センスラッチ106により、ビット線電位と基準電位との差を増幅して保持する。
書き込み・書き換え動作は、選択ワード線WLに13〜16Vを印加して、非選択ワード線WLに−1.4Vを印加して、センスラッチ106のデータを、メモリセルの浮遊ゲート101に電荷を注入して書き込む。
消去動作は、選択ワード線WLに−14〜−19Vの電圧を印加し、非選択ワード線WLに−2.0Vの電圧を印加して、メモリセルの浮遊ゲート101の電荷を放出して、ワード単位でデータを消去する。
この4Gビットフラッシュメモリでは、オフリーク防止のため、非選択ワード線WLには負電圧(VUW)を印加している。以下において、非選択ワード線WLに印加する負電圧を「VUW」とする。
従来のフラッシュメモリでは、書き換えブロックに隣接するブロック上のメモリセルのメモリVthが書き換え回数に応じて上昇する、隣接ワードディスターブの問題があった。非選択ワード線の負電圧(VUW)を0Vに近づけると、ドレインディスターブは改善される。しかし、消去動作時に非選択ワード線の負電圧(VUW)を0Vに近づけると、すなわち選択ワード線と非選択ワード線との電位差を大きくすると、隣接ワードディスターブが悪化する。
そこで、本実施の形態に係る4Gビットフラッシュメモリでは、ドレインディスターブと隣接ワードディスターブの両者を改善するために、非選択ワード線WLに印加される負電圧(VUW)を動作モードに応じて切り替える構成としている。具体的には、図2に示すように、非選択ワード線WLに印加される負電圧(VUW)を、読み出しバイアス時と書き込みバイアス時は−1.4V、消去バイアス時は−2.0Vとしている。VUWの切り替えは例えばCPU命令で行う。
図3に、VUWの切り替え回路の一例を示す。図3の切り替え回路では、切り替え信号P1LVUWDLFIXを“default=High”とし、CPU命令(ROM)で消去バイアスと消去ベリファイ時だけ“Low”にする。そして、VUW出力電圧トリミング信号が“2’b00”のとき、VUWは−2.0Vとなる。
したがって、本実施の形態による不揮発性メモリによれば、非選択ワード線WLに印加される負電圧を動作モードに応じて切り替える構成としているため、ワードディスターブとドレインディスターブを共に軽減することができる。
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、前記実施の形態においては、フラッシュメモリについて説明したが、これに限定されるものではなく、EEPROM、EPROM等の他の不揮発性メモリについても適用可能である。
また、前記実施の形態においては、メモリセルがアシストゲートと浮遊ゲートからなるフラッシュメモリについて説明したが、これに限定されるものではなく、アシストゲートを使用しない不揮発性メモリについても適用可能である。
本発明は、半導体装置、電子機器等の製造業において利用可能である。
101,401 浮遊ゲート
102,103,402 アシストゲート
104 ストリング
105,107,108 トランジスタ
106 センスラッチ
403 ワードドライバ回路
404 カラム系制御回路
405 メモリセル
406 選択ブロック/非選択ビット
407 非選択ブロック
BL ビット線
WL ワード線
102,103,402 アシストゲート
104 ストリング
105,107,108 トランジスタ
106 センスラッチ
403 ワードドライバ回路
404 カラム系制御回路
405 メモリセル
406 選択ブロック/非選択ビット
407 非選択ブロック
BL ビット線
WL ワード線
Claims (5)
- 電気的に書き込み及び消去可能な複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルに接続されるワード線及びビット線と、
非選択の前記ワード線に印加される電圧を動作モードに応じて切り替える手段とを有することを特徴とする不揮発性メモリ。 - 請求項1記載の不揮発性メモリにおいて、
前記非選択の前記ワード線に印加される電圧は、消去モード時の電圧が他のモード時の電圧よりも低いことを特徴とする不揮発性メモリ。 - 請求項2記載の不揮発性メモリにおいて、
前記非選択の前記ワード線に印加される電圧は、消去モード時の電圧が第1の負電圧であり、他のモード時の電圧が前記第1の負電圧よりも高い第2の負電圧であることを特徴とする不揮発性メモリ。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記メモリセルは、アシストゲートを含むことを特徴とする不揮発性メモリ。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の不揮発性メモリにおいて、
前記ビット線は、反転層配線を用いていることを特徴とする不揮発性メモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005266214A JP2007080373A (ja) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | 不揮発性メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005266214A JP2007080373A (ja) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | 不揮発性メモリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007080373A true JP2007080373A (ja) | 2007-03-29 |
Family
ID=37940519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005266214A Pending JP2007080373A (ja) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | 不揮発性メモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007080373A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012133876A (ja) * | 2010-12-23 | 2012-07-12 | Macronix International Co Ltd | Nandメモリ用デコーダ |
-
2005
- 2005-09-14 JP JP2005266214A patent/JP2007080373A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012133876A (ja) * | 2010-12-23 | 2012-07-12 | Macronix International Co Ltd | Nandメモリ用デコーダ |
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