JP5148355B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態にしたがった不揮発性半導体記憶装置の基本構成を示すものである。本実施形態では、二重(積層)ゲート構造を有するMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタによってメモリセルが構成されてなる、NAND型フラッシュメモリを例に説明する。また、全ビット線選択センス方式とした場合について説明する。
図14は、本発明の第2の実施形態にしたがった、負の閾値セルの読み出しおよびベリファイにかかる動作を説明するために示すものである。本実施形態の場合、セルソース線SRCおよびセルウェル線WELLを正の電圧にバイアスさせる、負の閾値セルの読み出し時およびベリファイ時において、選択トランジスタSGTD,SGTSとほぼ同時に、ワード線WL(制御ゲート電極CG)を二段階に分けてプリチャージするようにしている。なお、以下では、第1の実施形態に示した構成のNAND型フラッシュメモリにおいて、負の閾値セルの読み出しにかかる動作を例に説明する。
1. ソース線およびウェル線を正の電圧にバイアスさせることにより、負の閾値セルの読み出しおよびベリファイが可能な不揮発性半導体記憶装置であって、
前記負の閾値セルの読み出し時およびベリファイ時に、セレクトゲートに、正の閾値セルの読み出し時の電圧に前記バイアスさせた分の正の電圧を加えたセレクトゲート電圧を印加する電圧制御回路を有する。
前記ワード線電圧発生回路は、少なくとも二段階に分けて、前記非選択ワード線の立ち上げを行う。
前記電圧制御回路は、前記ドレイン側セレクトゲートおよび前記ソース側セレクトゲートを同時に立ち上げる。
前記負の閾値セルの読み出し時およびベリファイ時に、セレクトゲートに、正の閾値セルの読み出し時の電圧に前記バイアスさせた分の正の電圧を加えたセレクトゲート電圧を印加する電圧制御回路を有し、
前記電圧制御回路は、少なくとも二段階に分けて、前記セレクトゲートの立ち上げを行う。
前記ワード線電圧発生回路は、少なくとも二段階に分けて、前記非選択ワード線の立ち上げを行う。
前記電圧制御回路は、前記ドレイン側セレクトゲートおよび前記ソース側セレクトゲートを同時に立ち上げる。
Claims (4)
- ソース線およびウェル線を正の電圧にバイアスさせることにより、負の閾値セルの読み出しおよびベリファイが可能な不揮発性半導体記憶装置であって、
前記負の閾値セルの読み出し時およびベリファイ時に、セレクトゲートに、正の閾値セルの読み出し時の電圧に前記バイアスさせた分の正の電圧を加えたセレクトゲート電圧を印加する電圧制御回路を有し、
前記電圧制御回路は、少なくとも二段階に分けて、前記セレクトゲートの立ち上げを行い、前記セレクトゲートの一段階目の立ち上げを、前記ソース線が立ち上がる前か、前記ソース線の立ち上げと同時に行い、前記セレクトゲートの二段階目の立ち上げを、前記ソース線が立ち上がった後に行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - さらに、前記負の閾値セルの読み出し時およびベリファイ時に、非選択ワード線にワード線電圧を与えるワード線電圧発生回路を備え、
前記ワード線電圧発生回路は、少なくとも二段階に分けて、前記非選択ワード線の立ち上げを行うことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記電圧制御回路の、前記セレクトゲートの一段階目の立ち上げ時のセレクトゲート電圧は、正の閾値セルの読み出し時のセレクトゲート電圧に等しく、前記セレクトゲートの二段階目の立ち上げ時のセレクトゲート電圧の増加分は、ソース線およびウェル線をバイアスさせた分の正の電圧に等しいことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記電圧制御回路は、前記セレクトゲートの一段階目の立ち上げを、前記ソース線が立ち上がる前に行うことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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Family Cites Families (8)
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JPH07105448B2 (ja) * | 1988-03-14 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | Mos型集積回路 |
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US6839281B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-01-04 | Jian Chen | Read and erase verify methods and circuits suitable for low voltage non-volatile memories |
JP4130784B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2008-08-06 | 日本電信電話株式会社 | 多値メモリ回路 |
JP4768256B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-09-07 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
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Cited By (1)
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