JP2006060060A - 半導体素子を備えた表示装置及びその製造方法並びにその半導体素子を備えた表示装置を搭載した電子機器 - Google Patents
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-
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Abstract
【解決手段】 ゲート電極を覆うように絶縁膜を形成し、絶縁膜表面の少なくともゲート電極又は配線の一部と重なる領域に有機溶剤を塗布し、絶縁膜表面に、有機溶剤が塗布され且つ残存する領域から有機溶剤が塗布されない領域にわたり、導電性の微粒子が有機溶媒に分散した流動体を液滴吐出法により吐出させた後、流動体を焼成して硬化させることによってソース及びドレイン電極を形成し、ソース及びドレイン電極間に挟まれた湾曲部において絶縁膜と接すると共にソース及びドレイン電極と接するように半導体膜を形成する。有機溶剤は、絶縁膜表面における流動体のぬれ性を高めるために塗布され、湾曲部を介して隣り合う、ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲して形成される。
【選択図】 図2
Description
基板上に形成されたゲート電極又は配線と、
前記ゲート電極又は配線を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたソース及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極間に挟まれた湾曲部において前記絶縁膜と接すると共に、該ソース及びドレイン電極と接するように形成された半導体膜とを有し、
前記湾曲部は前記絶縁膜を介して前記ゲート電極又は配線上にあり、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲してなることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置である。
基板上に形成されたゲート電極又は配線と、
前記ゲート電極又は配線を覆うように形成された第1の層及び該第1の層と異なる材料でなる第2の層からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された島状の第1の半導体膜と、
前記第1の半導体膜上に形成されたn型不純物又はp型不純物を含む第2の半導体膜でなるソース及びドレイン領域と、
前記ソース及びドレイン電極上から前記第2の層上にわたって形成されたソース及びドレイン電極とを有し、
前記ソース及びドレイン電極間に挟まれ且つ前記ソース及びドレイン領域間に挟まれた湾曲部を有し、
前記湾曲部は前記絶縁膜及び前記第1の半導体膜を介して前記ゲート電極又は配線上にあり、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲してなり、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン領域それぞれの端部は、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部と同じ形状であることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置である。
基板上にゲート電極又は配線を形成する工程と、
前記ゲート電極又は配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜表面の少なくとも前記ゲート電極又は配線の一部と重なる領域に有機溶剤を塗布する工程と、
前記絶縁膜表面に、前記有機溶剤が塗布され且つ残存する領域から前記有機溶剤が塗布されない領域にわたり、粒径が1nm以上100nm以下の導電性の微粒子が有機溶媒に分散した流動体を液滴吐出法により吐出させる工程と、
前記流動体を焼成して硬化させることによってソース及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース及びドレイン電極間に挟まれた湾曲部において前記絶縁膜と接すると共に、該ソース及びドレイン電極と接するように半導体膜を形成する工程とを有し、
前記有機溶剤は、該有機溶剤が塗布されない領域よりも前記絶縁膜表面における前記流動体のぬれ性を高めるために塗布され、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲して形成されることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法である。
基板上にゲート電極又は配線を形成する工程と、
前記ゲート電極又は配線を覆うように第1の層及び該第1の層と異なる材料でなる第2の層からなる絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層上に第1の半導体膜を形成する工程と、
前記第1の半導体膜上にn型不純物又はp型不純物を含む第2の半導体膜を形成する工程と、
前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜をパターニングして島状とする工程と、
前記島状の第2の半導体膜表面の少なくとも前記ゲート電極又は配線の一部と重なる領域に有機溶剤を塗布する工程と、
前記有機溶剤が塗布され且つ残存する領域から前記有機溶剤が塗布されない前記第2の層の表面にわたり、粒径が1nm以上100nm以下の導電性の微粒子が有機溶媒に分散した流動体を液滴吐出法により吐出させる工程と、
前記流動体を焼成して硬化させることによってソース及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース及びドレイン電極をマスクとして、前記第2の半導体膜をドライエッチングしてソース及びドレイン領域を形成する工程とを有し、
前記有機溶剤は、前記有機溶剤が塗布されない領域よりも前記第2の半導体膜表面における前記流動体のぬれ性を高めるために塗布され、
前記ソース及びドレイン電極を形成する工程と前記ソース及びドレイン領域を形成する工程によって、前記ソース及びドレイン電極間に挟まれ且つ前記ソース及びドレイン領域間に挟まれた湾曲部が形成され、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲して形成され、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン領域それぞれの端部は、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部と同じ形状に形成されることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法である。
図1(A)に示すように、基板101上にゲート電極(配線)102を形成する。図1(A)では、ゲート電極(配線)102の断面形状は凸状であるように示したが、凸状に限定されるわけではない。基板は、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板のいずれでもよい。ゲート電極(配線)102の形成方法として、流動体の液滴を微細な孔から吐出させて所定の形状のパターンを形成する方法(以下、本明細書では液滴吐出法という)を用いた例を以下に示す。インクジェット技術を用いた方法は、液滴吐出法の代表例である。本明細書に記載する液滴吐出法は、インクジェット技術を用いた方法に必ずしも限定されない。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なり、半導体膜としてペンタセンのような有機半導体を使用せず、シリコンなどの半導体膜を用いる。
本実施の形態では、実施の形態1に示した薄膜トランジスタをダブルゲート構造にした例を示す。
本実施の形態では、実施の形態2に示した薄膜トランジスタをダブルゲート構造にした例を示す。
102 ゲート電極(配線)
103 ゲート絶縁膜
104 領域
105、106 ソース及びドレイン電極
107 半導体膜
201、202 流動体
203、204 端部
501 基板
502 ゲート電極(配線)
503 第1の層
504 第2の層
505 第1の半導体膜
506 第2の半導体膜
507 領域
508、509 ソース及びドレイン電極
510、511 ソース及びドレイン領域
Claims (9)
- 基板上に形成されたゲート電極又は配線と、
前記ゲート電極又は配線を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたソース及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極間に挟まれた湾曲部において前記絶縁膜と接すると共に、該ソース及びドレイン電極と接するように形成された半導体膜とを有し、
前記湾曲部は前記絶縁膜を介して前記ゲート電極又は配線上にあり、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲してなることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置。 - 基板上に形成されたゲート電極又は配線と、
前記ゲート電極又は配線を覆うように形成された第1の層及び該第1の層と異なる材料でなる第2の層からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された島状の第1の半導体膜と、
前記第1の半導体膜上に形成されたn型不純物又はp型不純物を含む第2の半導体膜でなるソース及びドレイン領域と、
前記ソース及びドレイン電極上から前記第2の層上にわたって形成されたソース及びドレイン電極とを有し、
前記ソース及びドレイン電極間に挟まれ且つ前記ソース及びドレイン領域間に挟まれた湾曲部を有し、
前記湾曲部は前記絶縁膜及び前記第1の半導体膜を介して前記ゲート電極又は配線上にあり、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲してなり、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン領域それぞれの端部は、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部と同じ形状であることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置。 - 請求項1において、前記半導体膜は有機半導体からなることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体素子を備えた表示装置を搭載した電子機器。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体素子を備えた表示装置を搭載したテレビジョン装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体素子を備えた表示装置を搭載したデジタルカメラ。
- 基板上にゲート電極又は配線を形成する工程と、
前記ゲート電極又は配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜表面の少なくとも前記ゲート電極又は配線の一部と重なる領域に有機溶剤を塗布する工程と、
前記絶縁膜表面に、前記有機溶剤が塗布され且つ残存する領域から前記有機溶剤が塗布されない領域にわたり、粒径が1nm以上100nm以下の導電性の微粒子が有機溶媒に分散した流動体を液滴吐出法により吐出させる工程と、
前記流動体を焼成して硬化させることによってソース及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース及びドレイン電極間に挟まれた湾曲部において前記絶縁膜と接すると共に、該ソース及びドレイン電極と接するように半導体膜を形成する工程とを有し、
前記有機溶剤は、該有機溶剤が塗布されない領域よりも前記絶縁膜表面における前記流動体のぬれ性を高めるために塗布され、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲して形成されることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。 - 基板上にゲート電極又は配線を形成する工程と、
前記ゲート電極又は配線を覆うように第1の層及び該第1の層と異なる材料でなる第2の層からなる絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層上に第1の半導体膜を形成する工程と、
前記第1の半導体膜上にn型不純物又はp型不純物を含む第2の半導体膜を形成する工程と、
前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜をパターニングして島状とする工程と、
前記島状の第2の半導体膜表面の少なくとも前記ゲート電極又は配線の一部と重なる領域に有機溶剤を塗布する工程と、
前記有機溶剤が塗布され且つ残存する領域から前記有機溶剤が塗布されない前記第2の層の表面にわたり、粒径が1nm以上100nm以下の導電性の微粒子が有機溶媒に分散した流動体を液滴吐出法により吐出させる工程と、
前記流動体を焼成して硬化させることによってソース及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース及びドレイン電極をマスクとして、前記第2の半導体膜をドライエッチングしてソース及びドレイン領域を形成する工程とを有し、
前記有機溶剤は、前記有機溶剤が塗布されない領域よりも前記第2の半導体膜表面における前記流動体のぬれ性を高めるために塗布され、
前記ソース及びドレイン電極を形成する工程と前記ソース及びドレイン領域を形成する工程によって、前記ソース及びドレイン電極間に挟まれ且つ前記ソース及びドレイン領域間に挟まれた湾曲部が形成され、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲して形成され、
前記湾曲部を介して隣り合う、前記ソース及びドレイン領域それぞれの端部は、前記ソース及びドレイン電極それぞれの端部と同じ形状に形成されることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。 - 請求項7において、前記半導体膜は有機半導体を用いて形成されることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
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US11/195,768 US7759735B2 (en) | 2004-08-20 | 2005-08-03 | Display device provided with semiconductor element and manufacturing method thereof, and electronic device installed with display device provided with semiconductor element |
TW094126595A TWI430450B (zh) | 2004-08-20 | 2005-08-04 | 設有半導體元件的顯示裝置和其製造方法、及安裝有設有半導體元件的顯示裝置之電子裝置 |
KR1020050075157A KR101191279B1 (ko) | 2004-08-20 | 2005-08-17 | 반도체소자를 구비한 표시장치와 그 제조 방법 및 그반도체소자를 구비한 표시장치를 탑재한 전자기기 |
CN2005100920813A CN1755943B (zh) | 2004-08-20 | 2005-08-19 | 具有半导体元件的显示器件及其制造方法 |
US12/834,048 US8003420B2 (en) | 2004-08-20 | 2010-07-12 | Display device provided with semiconductor element and manufacturing method thereof, and electronic device installed with display device provided with semiconductor element |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277728A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-11-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子およびその製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
JP2009119395A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 塗布システムおよび塗布方法 |
KR20100081983A (ko) * | 2007-10-01 | 2010-07-15 | 코비오 인코포레이티드 | 단면 가공된 박막 디바이스 및 구조 |
JP2020115557A (ja) * | 2008-08-08 | 2020-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020182237A1 (en) * | 2001-03-22 | 2002-12-05 | The Procter & Gamble Company | Skin care compositions containing a sugar amine |
US7622338B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7977253B2 (en) * | 2004-08-31 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7470604B2 (en) * | 2004-10-08 | 2008-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
US7537976B2 (en) * | 2005-05-20 | 2009-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor |
US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
CN101449374B (zh) * | 2006-06-08 | 2011-11-09 | 国际商业机器公司 | 高热传导性柔软片及其制造方法 |
JP4565573B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2010-10-20 | 株式会社フューチャービジョン | 液晶表示パネルの製造方法 |
KR101485926B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2015-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억장치 |
US20090090915A1 (en) | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, display device having thin film transistor, and method for manufacturing the same |
JP5651961B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2015-01-14 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器 |
JP5771417B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2015-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | リチウム二次電池の電極の作製方法及びリチウムイオンキャパシタの電極の作製方法 |
WO2012002236A1 (en) | 2010-06-29 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
CN103299431B (zh) * | 2011-01-13 | 2016-06-15 | 夏普株式会社 | 半导体装置 |
KR101835005B1 (ko) * | 2011-04-08 | 2018-03-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
KR101947166B1 (ko) * | 2012-11-19 | 2019-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 및 상기 기판을 포함하는 표시장치 |
US9425090B2 (en) * | 2014-09-19 | 2016-08-23 | Infineon Technologies Austria Ag | Method of electrodepositing gold on a copper seed layer to form a gold metallization structure |
CN104409509A (zh) * | 2014-10-20 | 2015-03-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管 |
TW202129783A (zh) * | 2016-08-24 | 2021-08-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62247569A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
WO2003016599A1 (fr) * | 2001-08-09 | 2003-02-27 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Element a semi-conducteur organique |
JP2005093633A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5132248A (en) * | 1988-05-31 | 1992-07-21 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Direct write with microelectronic circuit fabrication |
JPH0820643B2 (ja) | 1989-08-29 | 1996-03-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
JPH03159174A (ja) | 1989-11-16 | 1991-07-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH06163584A (ja) | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH07333648A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製法 |
US5737041A (en) * | 1995-07-31 | 1998-04-07 | Image Quest Technologies, Inc. | TFT, method of making and matrix displays incorporating the TFT |
US5814834A (en) * | 1995-12-04 | 1998-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Thin film semiconductor device |
KR100241287B1 (ko) * | 1996-09-10 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정표시소자 제조방법 |
JPH10170960A (ja) | 1996-12-16 | 1998-06-26 | Casio Comput Co Ltd | パターン形成方法 |
JPH10209463A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置の配線形成方法、表示装置の製造方法、および表示装置 |
KR100255592B1 (ko) * | 1997-03-19 | 2000-05-01 | 구본준 | 액정 표시 장치 구조 및 그 제조 방법 |
JPH1056193A (ja) | 1997-05-09 | 1998-02-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US6215541B1 (en) * | 1997-11-20 | 2001-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
JPH11251259A (ja) | 1998-03-04 | 1999-09-17 | Seiko Epson Corp | 半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法 |
JP4087949B2 (ja) | 1998-05-20 | 2008-05-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
US6416583B1 (en) * | 1998-06-19 | 2002-07-09 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
EP0984492A3 (en) * | 1998-08-31 | 2000-05-17 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising organic resin and process for producing semiconductor device |
KR100439944B1 (ko) * | 1998-12-10 | 2004-11-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터형광감지센서,센서박막트랜지스터와그제조방법 |
US6630274B1 (en) * | 1998-12-21 | 2003-10-07 | Seiko Epson Corporation | Color filter and manufacturing method therefor |
US6573964B1 (en) * | 1998-12-25 | 2003-06-03 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Multidomain vertically aligned liquid crystal display device |
US6891236B1 (en) * | 1999-01-14 | 2005-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6426595B1 (en) * | 1999-02-08 | 2002-07-30 | Sony Corporation | Flat display apparatus |
US6265243B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-07-24 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating organic circuits |
TWI243432B (en) | 1999-10-29 | 2005-11-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device, method of making the same and liquid crystal display device |
TW473800B (en) * | 1999-12-28 | 2002-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP3918412B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2007-05-23 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置及び液晶表示装置とこれらの製造方法 |
CN1171188C (zh) | 2000-10-27 | 2004-10-13 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管平面显示器及其制作方法 |
WO2002067335A1 (fr) * | 2001-02-19 | 2002-08-29 | International Business Machines Corporation | Structure de transistor en couches minces, procede de fabrication d'une structure de transistor en couches minces, et dispositif d'affichage utilisant une structure de transistor en couches minces |
JP3900248B2 (ja) | 2001-03-30 | 2007-04-04 | ハリマ化成株式会社 | 多層配線板およびその形成方法 |
JP3774638B2 (ja) | 2001-04-24 | 2006-05-17 | ハリマ化成株式会社 | インクジェット印刷法を利用する回路パターンの形成方法 |
US6870180B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Organic polarizable gate transistor apparatus and method |
JP2003080694A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-03-19 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体 |
JP2003133691A (ja) * | 2001-10-22 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体 |
EP1306909A1 (en) * | 2001-10-24 | 2003-05-02 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Ambipolar organic transistors |
US6911675B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device and manufacturing method thereof |
JP2003317945A (ja) | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | デバイスの製造方法、デバイス、及び電子機器 |
JP3965562B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | デバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器 |
JP2003318401A (ja) | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器 |
JP2003318193A (ja) | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | デバイス、その製造方法及び電子装置 |
KR100640210B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2006-10-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100938885B1 (ko) | 2003-06-30 | 2010-01-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
WO2005048222A1 (en) | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting display device, method for manufacturing the same, and tv set |
WO2005055178A1 (en) | 2003-12-02 | 2005-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same, and television apparatus |
-
2004
- 2004-08-20 JP JP2004241119A patent/JP4628040B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-03 US US11/195,768 patent/US7759735B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-04 TW TW094126595A patent/TWI430450B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-08-17 KR KR1020050075157A patent/KR101191279B1/ko active IP Right Grant
- 2005-08-19 CN CN2005100920813A patent/CN1755943B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-12 US US12/834,048 patent/US8003420B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62247569A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
WO2003016599A1 (fr) * | 2001-08-09 | 2003-02-27 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Element a semi-conducteur organique |
JP2005093633A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277728A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-11-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子およびその製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
KR20100081983A (ko) * | 2007-10-01 | 2010-07-15 | 코비오 인코포레이티드 | 단면 가공된 박막 디바이스 및 구조 |
JP2010541255A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | コヴィオ インコーポレイテッド | 輪郭設計された薄膜デバイス及び構造体 |
KR101694684B1 (ko) * | 2007-10-01 | 2017-01-10 | 씬 필름 일렉트로닉스 에이에스에이 | 전기 활성 디바이스를 제조하는 방법 |
JP2009119395A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 塗布システムおよび塗布方法 |
JP2020115557A (ja) * | 2008-08-08 | 2020-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2022017282A (ja) * | 2008-08-08 | 2022-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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