JPH07333648A - 液晶表示装置およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 段差に伴う配線断線や短絡などの問題を回避
し、かつ配線抵抗値を小さくして輝度傾斜のない液晶表
示装置を提供する。 【構成】 少なくともマトリクス状に薄膜トランジスタ
および画素電極が設けられ、画素間に信号線が設けられ
た一方の絶縁性透明基板であるＴＦＴ基板と、対向電極
が設けられた他方の絶縁性透明基板である対向電極基板
とのあいだに液晶材料が挟持されてなる液晶表示装置で
あって、前記信号線の一部２が前記ＴＦＴ基板１に設け
られた溝９内に形成されるとともに該信号線の表面は前
記ＴＦＴ基板の表面から数十〜数百ｎｍの高さになるよ
うに成膜されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置およびその
製法に関する。さらに詳しくは、マトリクス状に形成さ
れる各画素に薄膜トランジスタを有し、画素間に信号線
が設けられるアクティブマトリクス型で、信号線の膜厚
を厚くすることにより信号線の抵抗による輝度ムラをな
くするとともに信号線の段差に伴う配線切れなどを防止
した液晶表示装置およびその製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
という）を各画素に有するアクティブマトリクス型液晶
表示装置におけるＴＦＴが設けられた側のＴＦＴ基板
は、たとえば図５に示されるように、ガラスなどの絶縁
性透明基板１上に複数のゲート線２とソース線３が各画
素１１のあいだに格子状に絶縁膜を介して設けられ、各
画素に設けられたＴＦＴ４のゲート電極２ａはゲート線
２に、ソース電極３ａがソース線３に接続されている。
各ゲート線２には駆動回路から送信された走査信号が順
次印加され、走査信号が印加されたゲート線２に接続さ
れたＴＦＴ４はＯＮになり、また各ソース線３には順次
データ信号が印加され、信号が印加されたソース線３に
接続されたＴＦＴ４のソース電極３ａに画素信号が入力
される。

【０００３】そのため、ＴＦＴ４がＯＮとなり、データ
信号が印加されたソース線３に接続されたＴＦＴ４のみ
で、データ信号がドレイン電極７に伝わり、さらに画素
電極８に伝わり、その画素のみがＯＮになり、液晶表示
装置の画面に表示がなされる。

【０００４】よって、液晶表示装置の表示の制御をより
正確に行うためには、ＴＦＴ４がＯＮとなる時間を正確
に制御する、すなわちゲート電極２ａに印加される走査
信号電圧の制御を正確にすることが必要である。しか
し、最近の液晶表示装置の高精細化、高開口率化に伴
い、画素数は増え、ゲート線などの信号線は細くなる傾
向にある。その結果、ゲート線などの抵抗を無視するこ
とができず、入力端子１０から入力されたときの走査信
号は入力端子からゲート線２の末端に接続されているＴ
ＦＴ４に伝わるまでに遅延の影響で波形がなまってしま
う。この結果、入力端子１０に最も近い位置に接続され
ているＴＦＴ４と最も遠いゲート線２の末端に接続され
ているＴＦＴ４とではＴＦＴ４がＯＮとなる時間に差が
できるため、輝度ムラが発生するという問題がある。

【０００５】ゲート線２は、たとえば図５のＡ−Ａ線断
面図が図６に示されるように、絶縁性透明基板１上に形
成され、その上にＳｉＯ₂、ＳｉＮなどからなる絶縁膜
５を介して図示しないソース線が交差するように形成さ
れている。そのため、ゲート線２の厚さを厚くすると、
段差が大きくなり、ステップカバレジがわるくなるた
め、その上に交差して形成されるソース線と短絡した
り、ソース線の断線をひき起す。

【０００６】一方、基板上に形成されるゲート線やソー
ス線の積層による段切れを防止するため、特開平２−２
７１６３７号公報に開示されているように、ゲート電極
およびゲート線を溝内に埋め込む方法が提案されてい
る。このＴＦＴの断面図およびゲート線の形成工程断面
をそれぞれ図７〜８に示す。

【０００７】図７において、たとえばガラス基板１に設
けられた溝内にたとえばＡｌまたはＣｒなどからなるゲ
ート電極２ａおよび平面を平らにするための絶縁膜５ｃ
が設けられ、ガラス基板１の表面全体にゲート絶縁膜５
ａが設けられ、ゲート電極２ａ上にあたる部分のゲート
絶縁膜５ａ上に、スイッチング作用の活性層となる半導
体層６として、たとえばアモルファスシリコン層が設け
られ、その上にソース電極３ａおよびドレイン電極７が
ＡｌまたはＣｒなどの金属膜により設けられ、ドレイン
電極７はＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極８に
接続されている。なおソース電極３ａは図示されていな
いソース線３と一体に形成されている。これらの表面全
体には保護膜５ｂがＳｉＯ₂、ＳｉＮなどにより形成さ
れている。すなわちＴＦＴ４そのものは通常の逆スタガ
構造のＴＦＴと同じであるがゲート電極２ａが図示され
ていないゲート線とともに前記基板１内に設けられるこ
とにより、表面での段差を少なくしてステップカバレジ
の改良が試みられている。

【０００８】この溝内にゲート電極およびゲート線を埋
め込む方法を、図８を参照してゲート線部で代表して説
明する。

【０００９】まず、図８（ａ）に示されるように、ガラ
ス基板１上のゲート線が設けられる場所に露光、現像、
エッチングなどの写真製版工程により溝９を形成し、そ
ののち、スパッタリング法などの方法を用いてＡｌなど
の金属膜１２を全面に成膜する。

【００１０】金属膜１２の形成後、ゲート線２部以外の
金属膜１２を取り除くために、（ｂ）に示されるように
レジスト膜１３を金属膜１２上に塗布し、ゲート線２部
以外の金属膜１２の上部のレジスト膜１３を除去し（図
８（ｃ）参照）露出した余分な金属膜１２をエッチング
により取り除く（図８（ｄ）参照）。 そののちレジス
ト膜１３を剥離し、必要なゲート線２が形成される。こ
こでゲート線２の低抵抗化を図ろうとするならばゲート
線の膜厚はできるだけ厚いほうがよい。

【００１１】そののち、図７に示されるように、溝９内
に絶縁膜を堆積し、表面の平坦化を図っている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】前述のゲート線などの
信号線の抵抗を減らすため、膜厚を厚くするとステップ
カバレジがわるくなり断線や短絡などの事故を起しやす
いとともに、液晶材料を挟持する２枚の基板間隙（通常
５〜１０μｍ程度）内にＴＦＴを形成しなければならな
いため、厚く形成するのに限界がある。

【００１３】一方、基板に溝を形成し、該溝内にゲート
線などを形成する方法では前述のレジスト膜を露光、現
像する際の露光機の位置合わせ精度は数百ｎｍ程度のず
れに抑えるのが限度で、図９に図８と同様の工程図を、
同じ部分には同じ符号を付して示すように、露光ずれ１
０が起こる。露光ずれ１０によりパターンがずれると、
溝９の外に残った金属膜１２ａの膜厚分の段差が溝９部
とともに、かえって大きく生じ、電気的断線や短絡など
の欠陥が生じやすいという問題がある。

【００１４】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたもので、段差に伴う配線断線や短絡などの問題を回
避し、かつ、配線抵抗値を小さくして輝度傾斜のない液
晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、少なくともマトリクス状に薄膜トランジスタおよび
画素電極が設けられ、画素間に信号線が設けられた一方
の絶縁性透明基板であるＴＦＴ基板と、対向電極が設け
られた他方の絶縁性透明基板である対向電極基板とのあ
いだに液晶材料が挟持されてなる液晶表示装置であっ
て、前記信号線の一部が前記ＴＦＴ基板に設けられた溝
内に形成されるとともに該信号線の表面は前記ＴＦＴ基
板の表面から数十〜数百ｎｍの高さになるように成膜さ
れている。

【００１６】前記ＴＦＴ基板の表面に絶縁膜が成膜さ
れ、該絶縁膜に前記溝が設けられ該溝内に前記信号線が
形成されていることが、エッチングによる溝形成が容易
であるため好ましい。

【００１７】前記ＴＦＴ基板上に形成される前記溝は基
板表面側が底面より広くなるように形成されているこ
と、または前記溝内に形成され、該溝から突出するよう
に形成された前記信号線の突出部が表面側で断面積が小
さくなるように形成されていることが、露光時のマスク
ずれがあってもパターニング後の段差が軽減されるため
好ましい。

【００１８】本発明の液晶表示装置の製法は、少なくと
もマトリクス状に薄膜トランジスタおよび画素電極が設
けられ、画素間に信号線が設けられた一方の絶縁性透明
基板であるＴＦＴ基板と、対向電極が設けられた他方の
絶縁性透明基板である対向電極基板とのあいだに液晶材
料が挟持されてなる液晶表示装置の製法であって、前記
信号線の一部の形成を、前記絶縁性透明基板の該信号線
を形成する場所に溝を形成し、該溝を含めて前記絶縁性
透明基板の表面全体に前記溝部で前記基板表面より突出
するように、信号線用金属膜を成膜し、該金属膜の信号
線形成部分にマスクを設け、等方性エッチングにより前
記金属膜をパターニングすることにより形成することを
特徴とする。

【００１９】また、少なくともマトリクス状に薄膜トラ
ンジスタおよび画素電極が設けられ、画素間に信号線が
設けられた一方の絶縁性透明基板であるＴＦＴ基板と、
対向電極が設けられた他方の絶縁性透明基板である対向
電極基板とのあいだに液晶材料が挟持されてなる液晶表
示装置の製法であって、前記信号線の一部の形成を、前
記絶縁性透明基板の該信号線を形成する場所に開口部を
設けたマスクを形成し、該マスクの開口部からエッチン
グ液により底部の断面が小さくなるような溝を形成し、
該溝を含めて前記絶縁性透明基板の表面全体に前記溝部
で前記基板表面より突出するように、信号線用金属膜を
成膜し、該金属膜をエッチングしてパターニングするこ
とにより形成することを特徴とする。

【００２０】

【作用】本発明によれば、信号線が基板に設けられた溝
内に形成されるとともに、基板上に盛り上がるように形
成されているため、信号線の膜厚が厚く形成され、信号
線の入力端子側と末端側での輝度ムラが生じなくなると
ともに基板表面での段差をなだらかにでき、配線の断線
や短絡を防止できる。すなわち、信号線の膜厚が厚くさ
れることにより、時定数が小さくなり高い周波数成分も
信号線の末端側に伝わるため、走査信号のなまりが減少
し、輝度ムラは生じない。また信号線が基板表面上に数
十〜数百ｎｍ程度に盛り上がるように形成されているた
め、パターニングの際のエッチングを等方性エッチング
で行うことなどによりエッチング面に傾斜ができるた
め、基板上での段差を小さくすることができ、しかも基
板表面上の膜厚は従来以下としているため、ステップカ
バレジの問題が生じない厚さであり、配線の断線や短絡
を防止することができる。

【００２１】また本発明の製法によれば、溝形成や信号
線のパターニングの際に等方性エッチングにより行うた
め、溝は底面積が小さく、信号線はその表面側の断面積
が小さい形状にすることができ、傾斜面を形成できるた
め、露光の際の位置ずれが生じても極端な段差は生じな
い。

【００２２】

【実施例】つぎに、添付図面を参照しつつ本発明の液晶
表示装置を説明する。

【００２３】液晶表示装置はガラス、プラスチックスな
どの絶縁性透明基板に少なくとも前述のＴＦＴおよび画
素電極がマトリックス状に形成され、各画素間を縦横に
マトリクス状に設けられたソース線とゲート線などの信
号線が設けられ、さらに配向膜などが設けられた一方の
基板であるＴＦＴ基板と、同様の絶縁性透明基板に少な
くとも対向電極が設けられ、他に配向膜やブラックマス
ク、カラーフィルタなどが必要に応じて設けられた他方
の基板である対向電極基板とが一定間隙を保持して周囲
で貼着され、その間隙に液晶材料が注入され、その両側
に偏光板が配置されるとともにバックライトなどが設け
られることにより形成されている。本発明の液晶表示装
置は前記ＴＦＴ基板に設けられる信号線のうち絶縁性透
明基板側に設けられる信号線が絶縁性透明基板に設けら
れた溝内に形成されるとともに、その信号線の表面部は
基板表面上に数十〜数百ｎｍ突出するように形成されて
いることに特徴がある。すなわちゲート線とソース線は
相互に接触しないように、絶縁膜を介して設けられてお
り、ＴＦＴが逆スタガ構造のものではゲート電極および
ゲート線が基板側に形成され、正スタガ構造のＴＦＴで
はソース電極およびソース線が基板側に形成され、基板
側に形成される信号線が基板に設けられた溝内に設けら
れているもので、どちらの構造にも本発明を適用でき
る。

【００２４】液晶表示装置の他の部分の構造は従来の構
造および製法と同様であり、ＴＦＴ基板側の絶縁性透明
基板の溝内に形成される信号線をゲート線を例にとり、
その部分の構造および製法について、以下に具体的実施
例により説明する。

【００２５】［実施例１］図１は本発明の液晶表示装置
の一実施例で絶縁性透明基板１にゲート線２が設けられ
た部分の断面説明図、図２はゲート線の形成工程の断面
説明図である。

【００２６】図１において、ガラス、プラスチックスな
どからなる絶縁性透明基板１に設けられた溝９にゲート
線２が形成されている。本発明により絶縁性透明基板１
に設けられる溝９は、その深さが２００〜３００ｎｍ程
度、好ましくは４００〜５００ｎｍ程度である。抵抗を
減らすという観点からは深い程好ましいが、ある程度ゲ
ート線の膜厚を厚くすれば、それ以上厚くする効果は少
ない反面、深く形成するにはエッチング時間を長くする
必要があり、工数アップになるとともに、前記基板１の
強度が弱くなるからである。この溝９は図１に示される
ようにその断面がテーパ状に形成されたり、おわん状な
どに形成され、溝９の表面側の断面積が底面側の断面積
より広くなるように形成されている。その結果、後述す
るように露光の際のマスクずれが生じても段差の形成が
なだらかになるので、段差による配線切れや短絡を防止
することができて好ましい。

【００２７】溝がテーパ状に形成されたばあい、このテ
ーパの角度（図１のθ）は、たとえば露光の際のステッ
プのマスク合わせのずれを３０〜４０ｎｍとすれば、溝
の深さを３００ｎｍとしてｔａｎθ＝３０／３００以
上、すなわちθ＝５．７°以上であることが好ましい。
すなわち、溝９の側面がこのような傾斜面に形成されて
いると、マスクずれで溝９内にエッチングされてもテー
パ状の傾斜面でエッチングは止まり、大きな段差にはな
らないからである。マスク合わせのずれが３０〜４０ｎ
ｍより大きければθは大きくなり、マスク合わせのずれ
が３０〜４０ｎｍでもθが大きい程位置ずれによる段差
を小さくする面からは好ましい。しかし余り大きくする
と隣接する画素電極部まで侵入することになり、後述す
る等方性エッチングにより形成される深さと同じ長さで
横に広がる４５°程度が限度である。またこの傾斜面は
錐状でなくても曲面形状でもよい。

【００２８】この溝９の断面がテーパ状になるようにす
るには、レジスト膜の開口部をテーパ状にして反応性イ
オンエッチングなどの異方性エッチングで形成したり、
レジスト膜でエッチング場所を開口したのち、たとえば
硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液など
のエッチング液で前記基板１をエッチングすることによ
り深さ方向のみならず、横方向にもエッチングされるた
め、球面状の凹部となり、断面がテーパ状に形成され
る。

【００２９】また本発明のゲート線は前記基板１の表面
上に数十〜数百ｎｍ突出するように形成されている。従
来のゲート線は３００ｎｍ程度であるため、従来程度以
下の厚さが突出するもので、この程度の厚さであれば、
ステップカバレジの問題は発生しない。このような突出
部が形成されることにより後述するように、表面部の断
面をテーパ状にすることができ、露光の際のマスクずれ
が生じても極端な段差を解消できる。

【００３０】つぎに、図２を参照しながらその製法につ
いて説明する。まず図２（ａ）に示されるように、前記
基板１のゲート線形成場所に溝９を形成し、ゲート線用
のＡｌ、Ｃｒ、Ｔａなどをスパッタリングなどにより成
膜して金属膜１２を形成する。この溝９の形成は前述の
ように、マスクとするレジスト膜の開口部をテーパ状に
形成して反応性イオンエッチングなどの異方性エッチン
グを行うか、またはレジスト膜に開口部を設けたのち硝
酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液などの
エッチング液により等方性エッチングすることにより、
断面がテーパ状になるように形成することが好ましい。

【００３１】つぎに、ゲート線以外の金属膜１２を取り
除くために、図２（ｂ）に示されるように、レジスト膜
１３を金属膜１２上に塗布し、露光、現像によりゲート
線２を形成しない部分の金属膜１２の上部のレジスト膜
１３のみを除去する（図２（ｃ）参照）。ついで図２
（ｄ）に示されるように、露出した余分な金属膜１２を
硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液など
のエッチング液を用いて取り除く。この際金属膜１２は
等方性エッチングされるため、レジスト膜１３の下側も
エッチングされ、マスクずれが生じていても高い金属膜
部分も除去され（図２（ｄ）のＡ参照）、極端な段差は
なくなる。そののち、レジスト膜１３を剥離することに
より、表面の断面がテーパ状の、必要なゲート線２が形
成される。そののち、ＣＶＤ法、スパッタリング、蒸着
法などによりゲート絶縁膜５を成膜することにより、図
１に示される構造のゲート線が形成される。

【００３２】本発明によれば、ゲート線２のガラス表面
からの厚さは、通常の逆スタガ方式のＴＦＴにおけるゲ
ート線の膜厚と同程度以下であるから、この上に積層さ
れるゲート絶縁膜５やソース線の段切れのおそれはな
く、また、ゲート線２の全体の膜厚に関しては、絶縁性
透明基板１に形成された溝の２００〜５００ｎｍだけ通
常の逆スタガ方式よりも増加しているので、ゲート線の
断面積が２倍程度増加することになり、ゲート線の抵抗
を５０％低減することができる。

【００３３】また、図２（ｄ）に示されるように、露光
のずれが起こっても、溝９の断面がテーパ状に形成され
ているため、露光精度の限界により露光のずれが発生し
て溝内のエッチングされる部分は傾斜面で止まり（図２
（ｄ）のＡ参照）、段差を小さくすることができる。

【００３４】［実施例２］図３は本発明の液晶表示装置
の他の実施例のゲート線部の断面図である。

【００３５】本実施例は絶縁性透明基板１がガラス、プ
ラスチックスなどの基板１ａ上に酸化ケイ素、チッ化ケ
イ素などの絶縁膜１ｂが形成されたものからなり、その
絶縁膜１ｂに溝９が形成されている。ガラス、プラスチ
ックスなどをエッチングする方法としては、ドライエッ
チングが考えられるが、ドライエッチングではシャープ
な形状のエッチングは困難である。ガラス基板１ａの上
に絶縁膜１ｂを２００〜５００ｎｍ成膜し、ドライエッ
チングすれば、現在の技術で容易に溝を形成することが
できる。そののち、実施例１と同様にゲート線２および
ゲート絶縁膜５を形成する。

【００３６】本実施例によれば、絶縁膜１ｂの成膜工程
が必要となるが、溝の形成は容易で、作業し易いという
効果がある。

【００３７】［実施例３］図４は本発明の液晶表示装置
のさらに他の実施例のゲート線形成工程を示す断面図で
ある。

【００３８】本実施例は絶縁性透明基板に溝を形成した
のち、ゲート線用の金属膜を、形成するのに液体有機金
属をスピンコートなどにより塗布したのち、パターニン
グするもので、液体有機金属のため、溝９内に完全に埋
ったのち、表面は同一高さに形成されるため、表面の薄
い層のみエッチングすればよく、溝９の断面を傾斜面に
しなくても、マスクずれがあるばあいでも極端な段差は
生じない。

【００３９】まず図４（ａ）に示されるように、実施例
１と同様に溝９を絶縁性透明基板１にエッチングなどに
より形成したのち、液体有機金属を塗布し、焼成するこ
とにより金属膜１２を形成する。このばあい金属膜表面
は溝の深さに関係なく平らである。

【００４０】つぎに、ゲート線以外の金属膜を取り除く
ためにレジスト膜１３を全面に設け（図４（ｂ）参
照）、露光、現像によりゲート線２上にのみレジスト膜
を残し（図４（ｃ）参照）絶縁性透明基板１の表面まで
等方性エッチングを行う（図４（ｄ）参照）。そののち
レジスト膜１３を除去する（図４（ｅ）参照）ことによ
り、前記基板１上に数十〜数百ｎｍの厚さ突出したゲー
ト線２が形成される。

【００４１】本実施例によれば、金属膜１２のエッチン
グする量が薄い（数十〜数百ｎｍ）ため、図４（ｃ）に
示されるようなマスクずれ１０が生じても、段差は僅か
ですみ、溝の形状を断面がテーパ状でなくても問題はな
い。

【００４２】また本実施例において金属１２のパターニ
ングをする際にエッチング液により行うことにより、ゲ
ート線表面の断面を傾斜面とすることができる。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、信号線を絶縁性透明基
板に設けられた溝内に埋め込み、かつ、絶縁性透明基板
の表面から数十〜数百ｎｍの高さまで成膜しているた
め、信号線の抵抗を大幅に低下させることができ、信号
線の入力端と末端での画素の輝度の差がなくなるととも
に、露光機の精度の限界に関わらず、信号線に伴う段差
は軽減され、断線、短絡などの事故を防止でき、液晶表
示装置の表示性能を向上させることができる。

【００４４】また本発明の製法によれば、溝の底面側お
よび／または信号線の表面側の断面積を小さく形成でき
るため、露光の際のマスク合わせの位置ずれを補うこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の液晶表示装置の一実施例を示すゲー
ト線部分の断面説明図である。

【図２】 図１の製造工程を示す断面説明図で、露光ず
れが生じたときの図である。

【図３】 本発明の液晶表示装置の他の実施例を示すゲ
ート線部分の断面説明図である。

【図４】 本発明の液晶表示装置のさらに他の実施例の
ゲート線部分の製造工程を示す断面説明図である。

【図５】 ＴＦＴと信号線が形成されたＴＦＴ基板の模
式的平面説明図である。

【図６】 図５のＡ−Ａ線断面図である。

【図７】 従来の液晶表示装置の一例のＴＦＴ部分の断
面説明図である。

【図８】 図７のゲート線部分の製造工程を示す断面説
明図である。

【図９】 図８の製造工程でマスクずれがあったばあい
の製造工程を示す図である。

【符号の説明】

１ 透明絶縁性基板、１ａ 基板、１ｂ 絶縁膜、２
ゲート線、５ ゲート絶縁膜、９ 溝。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくともマトリクス状に薄膜トランジ
   スタおよび画素電極が設けられ、画素間に信号線が設け
   られた一方の絶縁性透明基板であるＴＦＴ基板と、対向
   電極が設けられた他方の絶縁性透明基板である対向電極
   基板とのあいだに液晶材料が挟持されてなる液晶表示装
   置であって、前記信号線の一部が前記ＴＦＴ基板に設け
   られた溝内に形成されるとともに該信号線の表面は前記
   ＴＦＴ基板の表面から数十〜数百ｎｍの高さになるよう
   に成膜されてなる液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記ＴＦＴ基板の表面に絶縁膜が成膜さ
   れ、該絶縁膜に前記溝が設けられ該溝内に前記信号線が
   形成されてなる請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記ＴＦＴ基板上に形成される前記溝
   は、基板表面側が底面より広くなるように形成されてな
   る請求項１または２記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記溝内に形成され、該溝から突出する
   ように形成された前記信号線の突出部が表面側で断面積
   が小さくなるように形成されてなる請求項１、２または
   ３記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 少なくともマトリクス状に薄膜トランジ
   スタおよび画素電極が設けられ、画素間に信号線が設け
   られた一方の絶縁性透明基板であるＴＦＴ基板と、対向
   電極が設けられた他方の絶縁性透明基板である対向電極
   基板とのあいだに液晶材料が挟持されてなる液晶表示装
   置の製法であって、前記信号線の一部の形成を、前記絶
   縁性透明基板の該信号線を形成する場所に溝を形成し、
   該溝を含めて前記絶縁性透明基板の表面全面に前記溝部
   で前記基板表面より突出するように、信号線用金属膜を
   成膜し、該金属膜の信号線形成部分にマスクを設け、等
   方性エッチングにより前記金属膜をパターニングするこ
   とにより形成することを特徴とする液晶表示装置の製
   法。
6. 【請求項６】 少なくともマトリクス状に薄膜トランジ
   スタおよび画素電極が設けられ、画素間に信号線が設け
   られた一方の絶縁性透明基板であるＴＦＴ基板と、対向
   電極が設けられた他方の絶縁性透明基板である対向電極
   基板とのあいだに液晶材料が挟持されてなる液晶表示装
   置の製法であって、前記信号線の一部の形成を、前記絶
   縁性透明基板の該信号線を形成する場所に開口部を設け
   たマスクを形成し、該マスクの開口部からエッチング液
   により底部の断面が小さくなるような溝を形成し、該溝
   を含めて前記絶縁性透明基板の表面全体に前記溝部で前
   記基板表面より突出するように、信号線用金属膜を成膜
   し、該金属膜をエッチングしてパターニングすることに
   より形成することを特徴とする液晶表示装置の製法。