JP2006190852A - 薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板11上の光透過型感光性樹脂12の開口部に形成されたゲート電極13と、光透過型感光性樹脂及びゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜14と、
ゲート絶縁膜の一部の上に形成された半導体層15、オーミックコンタクト層16及び保護膜17と、ゲート絶縁膜、半導体層、オーミックコンタクト層及び保護膜上の光透過型感光性樹脂18の2つの開口部に形成されたソース・ドレイン電極19とを備え、前記ゲート電極及びソース・ドレイン電極が、金属微粒子を含有するインクを用いたインクジェット塗布により形成された電極であることを特徴とする薄膜トランジスタ
【選択図】図2
Description
Claims (5)
- 絶縁基板上の光透過型感光性樹脂の開口部に形成されたゲート電極と、
光透過型感光性樹脂及びゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
ゲート絶縁膜の一部の上に形成された半導体層、オーミックコンタクト層及び保護膜と、
ゲート絶縁膜、半導体層、オーミックコンタクト層及び保護膜上の光透過型感光性樹脂の2つの開口部に形成されたソース・ドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタにおいて、
前記ゲート電極及びソース・ドレイン電極が、金属微粒子を含有するインクを用いたインクジェット塗布により形成された電極であることを特徴とする薄膜トランジスタ - 前記保護膜が、オーミックコンタクト層又は半導体層の一部をマイクロ波プラズマ酸化法により酸化形成した膜であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ
- 前記保護膜が、オーミックコンタクト層をマイクロ波プラズマ酸化法により酸化形成した膜であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ
- 前記保護膜が、SiNxマイクロ波プラズマCVD膜であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ
- 走査線とデータ線との交差部に設けられ、走査線に接続されたゲート電極と、データ線に接続されたソース・ドレイン電極の一方の電極と、液晶素子の画素電極に接続されたソース・ドレイン電極の他方の電極とを有する薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタのゲート電極及びソース・ドレイン電極が、金属微粒子を含有するインクを用いたインクジェット塗布により形成された電極であることを特徴とする液晶表示装置
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100922271B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2009-10-15 | 가부시끼가이샤 퓨처 비전 | 액정 표시 패널 및 그 제조 방법 |
US7868959B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-11 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device having common electrodes formed over the main face of an insulating substrate and made of a coating type electroconductive film inside a bank to regulate the edges thereof |
KR101385464B1 (ko) | 2007-05-14 | 2014-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이와 그 제조방법 |
CN106098616A (zh) * | 2016-07-26 | 2016-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
CN107665896A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-06 | 北京京东方显示技术有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0562996A (ja) * | 1991-03-06 | 1993-03-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH05107561A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学表示装置およびその作製方法と駆動方法 |
JPH05326550A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Hitachi Ltd | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造装置 |
JP2001102581A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-04-13 | Tadahiro Omi | Krを含有するシリコン酸化膜を内蔵する半導体装置とシリコン酸化膜の形成方法 |
JP2003318193A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | デバイス、その製造方法及び電子装置 |
JP2004356599A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Seiko Epson Corp | デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
-
2005
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0562996A (ja) * | 1991-03-06 | 1993-03-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH05107561A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学表示装置およびその作製方法と駆動方法 |
JPH05326550A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Hitachi Ltd | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造装置 |
JP2001102581A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-04-13 | Tadahiro Omi | Krを含有するシリコン酸化膜を内蔵する半導体装置とシリコン酸化膜の形成方法 |
JP2003318193A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | デバイス、その製造方法及び電子装置 |
JP2004356599A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Seiko Epson Corp | デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100922271B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2009-10-15 | 가부시끼가이샤 퓨처 비전 | 액정 표시 패널 및 그 제조 방법 |
US7868959B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-01-11 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device having common electrodes formed over the main face of an insulating substrate and made of a coating type electroconductive film inside a bank to regulate the edges thereof |
KR101385464B1 (ko) | 2007-05-14 | 2014-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이와 그 제조방법 |
CN106098616A (zh) * | 2016-07-26 | 2016-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
CN107665896A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-06 | 北京京东方显示技术有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
CN107665896B (zh) * | 2017-10-27 | 2021-02-23 | 北京京东方显示技术有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
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