JP2006049835A - トレンチ構造の素子分離膜を有する半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板の所定領域に形成されて第1活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチ内にギャップフィルされている第1素子分離膜と、前記第1素子分離膜の上に形成されている第2素子分離膜と、隣接する前記第2素子分離膜との間の空間に埋め込まれた前記第1活性領域上の第2活性領域とを含む。
【選択図】 図2
Description
半導体基板を所定の深さにエッチングして第1活性領域を画定するトレンチを形成するステップと、前記トレンチの内部に第1素子分離膜を形成するステップと、前記第1素子分離膜の上に前記第1活性領域の上部をオープンさせる空間を持って互いに離隔される第2素子分離膜を形成するステップと、前記第2素子分離膜の間の空間に前記第1活性領域と連結される第2活性領域を形成するステップとを含むことを特徴とする。
101A 第1活性領域
101B 第2活性領域
200 トレンチ
201 第1素子分離膜
202 第2素子分離膜
Claims (15)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の所定領域に形成されて第1活性領域を画定するトレンチと、
前記トレンチ内にギャップフィルされている第1素子分離膜と、
前記第1素子分離膜の上に形成されている第2素子分離膜と、
隣接する前記第2素子分離膜との間の空間に埋め込まれた前記第1活性領域上の第2活性領域と
を含むことを特徴とする半導体素子。 - 前記第1素子分離膜の幅は、前記第2素子分離膜の幅よりも相対的に大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1素子分離膜の深さは、前記第2素子分離膜の深さよりも相対的に大きいことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子。
- 前記第1素子分離膜と前記第2素子分離膜とは、高密度プラズマ方式の酸化膜であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体素子。
- 前記第2活性領域の幅は、前記第1活性領域の幅よりも相対的に大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第2活性領域は、エピタキシャルシリコン層であることを特徴とする請求項1または請求項5に記載の半導体素子。
- 前記第1素子分離膜と前記第2素子分離膜とは、高密度プラズマ方式の酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 半導体基板を所定の深さにエッチングして第1活性領域を画定するトレンチを形成するステップと、
前記トレンチの内部に第1素子分離膜を形成するステップと、
前記第1素子分離膜の上に前記第1活性領域の上部をオープンさせる空間を持って互いに離隔される第2素子分離膜を形成するステップと、
前記第2素子分離膜の間の空間に前記第1活性領域と連結される第2活性領域を形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の素子分離方法。 - 前記トレンチは、
前記第1素子分離膜がギャップフィルされる縦横比を減少させるように、予定されたトレンチよりも大きい幅と小さい深さに形成することを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の素子分離方法。 - 前記トレンチの深さは、前記予定されたトレンチの深さよりも100Å〜2000Å程小さく形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の素子分離方法。
- 前記第2素子分離膜は、前記トレンチにより減少した、予定されたトレンチの深さを満足させるように100Å〜2000Åの厚さに形成することを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の素子分離方法。
- 前記第2素子分離膜を形成するステップは、
前記第1素子分離膜を含む前記半導体基板の全面に素子分離絶縁膜を形成するステップと、
前記素子分離絶縁膜の上にフォトレジストを塗布するステップと、
露光及び現像によりパターニングして前記第1素子分離膜の上部を覆う形のフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングバリアとして前記素子分離絶縁膜をエッチングして前記第2素子分離膜を形成するステップと、
前記フォトレジストパターンを除去するステップと
を含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の素子分離方法。 - 前記第1素子分離膜の幅は、前記第2素子分離膜の幅よりも大きく形成し、前記第1素子分離膜の深さは、前記第2素子分離膜の深さよりも相対的に大きく形成することを特徴とする請求項8または請求項12に記載の半導体素子の素子分離方法。
- 前記第1素子分離膜と第2素子分離膜とは、高密度プラズマ方式の酸化膜で形成することを特徴とする請求項8または請求項12に記載の半導体素子の素子分離方法。
- 前記第2活性領域は、
前記第2素子分離膜の間の空間に露出された前記第1活性領域の表面上に選択的エピタキシャル成長によりエピタキシャルシリコン層で形成することを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の素子分離方法。
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