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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1791171B1 (en) * 2004-09-17 2014-02-26 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Epitaxial crystal growing method
US8980445B2 (en) * 2006-07-06 2015-03-17 Cree, Inc. One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
CN100514562C (zh) * 2006-09-18 2009-07-15 中国科学院半导体研究所 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
US8445383B2 (en) * 2007-09-05 2013-05-21 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Transparent nanocrystalline diamond contacts to wide bandgap semiconductor devices
JP4978637B2 (ja) 2009-02-12 2012-07-18 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法
DE102009033302B4 (de) * 2009-07-15 2012-01-26 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für ein unipolares Halbleiter-Bauelement und Halbleitervorrichtung
JP4959763B2 (ja) * 2009-08-28 2012-06-27 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
EP2532773A4 (en) * 2010-02-05 2013-12-11 Sumitomo Electric Industries METHOD FOR PRODUCING A SILICON CARBIDE SUBSTRATE
WO2012026089A1 (ja) * 2010-08-27 2012-03-01 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 ＳｉＣ半導体素子
JP2012109348A (ja) * 2010-11-16 2012-06-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体装置
CN102686787B (zh) * 2010-12-27 2017-12-15 住友电气工业株式会社 碳化硅衬底、半导体器件、制造碳化硅衬底的方法和制造半导体器件的方法
JP2014013850A (ja) * 2012-07-05 2014-01-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素基板および半導体装置の製造方法、ならびに炭化珪素基板および半導体装置
US8860040B2 (en) 2012-09-11 2014-10-14 Dow Corning Corporation High voltage power semiconductor devices on SiC
US9018639B2 (en) 2012-10-26 2015-04-28 Dow Corning Corporation Flat SiC semiconductor substrate
US9017804B2 (en) 2013-02-05 2015-04-28 Dow Corning Corporation Method to reduce dislocations in SiC crystal growth
US9797064B2 (en) 2013-02-05 2017-10-24 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion
US9738991B2 (en) 2013-02-05 2017-08-22 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion
US8940614B2 (en) 2013-03-15 2015-01-27 Dow Corning Corporation SiC substrate with SiC epitaxial film
JP6149931B2 (ja) * 2013-07-09 2017-06-21 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置
JP5854013B2 (ja) * 2013-09-13 2016-02-09 トヨタ自動車株式会社 ＳｉＣ単結晶の製造方法
JP5884804B2 (ja) * 2013-09-26 2016-03-15 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶基板および炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ
JP6052465B2 (ja) * 2014-02-28 2016-12-27 新日鐵住金株式会社 エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法
WO2015159949A1 (ja) 2014-04-18 2015-10-22 国立研究開発法人産業技術総合研究所 炭化珪素エピタキシャルウエハおよびその製造方法
US9279192B2 (en) 2014-07-29 2016-03-08 Dow Corning Corporation Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology
DE112016004679T8 (de) 2015-10-13 2018-07-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Halbleiterstapel
JP7002932B2 (ja) * 2017-12-22 2022-01-20 昭和電工株式会社 ＳｉＣインゴットの製造方法
JP2018067736A (ja) * 2018-01-16 2018-04-26 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
JP7167881B2 (ja) * 2019-08-27 2022-11-09 株式会社デンソー 半導体装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958132A (en) 1991-04-18 1999-09-28 Nippon Steel Corporation SiC single crystal and method for growth thereof
JPH1017399A (ja) 1996-07-04 1998-01-20 Nippon Steel Corp ６Ｈ−ＳｉＣ単結晶の成長方法
DE60033829T2 (de) * 1999-09-07 2007-10-11 Sixon Inc. SiC-HALBLEITERSCHEIBE, SiC-HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE SiC-HALBLEITERSCHEIBE
JP4253974B2 (ja) * 1999-12-22 2009-04-15 住友電気工業株式会社 ＳｉＣ単結晶およびその成長方法
JP3750622B2 (ja) * 2002-03-22 2006-03-01 株式会社デンソー エピタキシャル膜付きＳｉＣウエハ及びその製造方法並びにＳｉＣ電子デバイス
EP1306890A2 (en) * 2001-10-25 2003-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor substrate and device comprising SiC and method for fabricating the same
JP4160769B2 (ja) 2002-04-04 2008-10-08 新日本製鐵株式会社 炭化珪素単結晶インゴット及びウエハ
JP4160770B2 (ja) 2002-04-04 2008-10-08 新日本製鐵株式会社 ４ｈ型炭化珪素単結晶エピタキシャル基板
JP4157326B2 (ja) 2002-05-27 2008-10-01 新日本製鐵株式会社 ４ｈ型炭化珪素単結晶インゴット及びウエハ
EP1493848B1 (en) * 2002-04-04 2010-12-08 Nippon Steel Corporation Seed crystal of silicon carbide single crystal and method for producing ingot using same
JP2004099340A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
JP2005029459A (ja) * 2003-06-16 2005-02-03 Showa Denko Kk 炭化珪素単結晶の成長方法、炭化珪素種結晶および炭化珪素単結晶

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