JP2005197334A - 部材の接合構造及び接合方法 - Google Patents
部材の接合構造及び接合方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005197334A JP2005197334A JP2004000112A JP2004000112A JP2005197334A JP 2005197334 A JP2005197334 A JP 2005197334A JP 2004000112 A JP2004000112 A JP 2004000112A JP 2004000112 A JP2004000112 A JP 2004000112A JP 2005197334 A JP2005197334 A JP 2005197334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- members
- nanoparticles
- joining
- joined
- receiving layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 136
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000033444 hydroxylation Effects 0.000 description 1
- 238000005805 hydroxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
- B81C3/001—Bonding of two components
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D21—PAPER-MAKING; PRODUCTION OF CELLULOSE
- D21D—TREATMENT OF THE MATERIALS BEFORE PASSING TO THE PAPER-MAKING MACHINE
- D21D5/00—Purification of the pulp suspension by mechanical means; Apparatus therefor
- D21D5/28—Tanks for storing or agitating pulp
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
- B01F35/30—Driving arrangements; Transmissions; Couplings; Brakes
- B01F2035/35—Use of other general mechanical engineering elements in mixing devices
- B01F2035/351—Sealings
- B01F2035/3513—Sealings comprising a stationary member in frontal contact with a movable member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/8121—Applying energy for connecting using a reflow oven
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
- H01L2224/81815—Reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83193—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01056—Barium [Ba]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】 複数の部材1がナノ粒子3によって接合された接合構造であって、接合された部材のうち少なくとも1以上の部材1にナノ粒子3が保持される受理層2が設けられているものである。または、複数の部材1がナノ粒子3によって接合された接合構造であって、接合された部材1のうち少なくとも1以上の部材1の表面に、ナノ粒子3が保持される受理構造が形成されているものである。
【選択図】 図1
Description
複数の部材を溶融温度の低いナノ粒子で接合するため、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、接合された部材のうち少なくとも1以上の部材にナノ粒子が保持される受理層が設けられているため、接合強度が高くなり、従来接合が困難であった部材同士の接合も可能となる。
2個の部材の両方に受理層が設けられているため、例えば両方の受理層にナノ粒子を塗布して接合するようにすれば、更に部材同士の接合信頼性が向上する。
接合された部材のうち少なくとも1以上の部材自体が、ナノ粒子が保持される受理層となっているため、この部材に直接ナノ粒子を塗布して部材を接合することができ、また接合信頼性も向上する。
接合された部材のうち少なくとも1以上の部材の表面に、ナノ粒子が保持される受理構造が形成されているため、上記の受理層が設けられた部材の接合構造と同様に、接合強度が高くなる。
例えば、部材の表面を化学的に改質して親水基を導入するようにすれば、ナノ粒子の保持力が向上し、部材の接合強度も向上する。
複数の部材を溶融温度の低いナノ粒子で接合するため、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、接合された部材のうち少なくとも1以上の部材にナノ粒子が混練されている受理層が設けられているため、接合強度が高くなり、従来接合が困難であった部材同士の接合も可能となる。
例えば、ナノ粒子の一部又は全部を加熱によって互いに融着するようにすれば、接合強度の高い接合構造を実現することができる。
金属物質を含むナノ粒子を使用して部材の接合を行うようにすれば、接合強度が高くなり、また低コストで部材の接合を行うことができる。
ナノ粒子として、金、銀又は銅を使用して部材の接合を行うようにすれば、接合強度が高くなる。また、金、銀又は銅からなるナノ粒子は入手が容易であり、低コスト化を実現することができる。
複数の部材を溶融温度の低いナノ粒子で接合するため、比較的低温の加熱で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、接合される部材のうち少なくとも1つの受理層の表面にナノ粒子を塗布するため、接合強度が高くなり、従来接合が困難であった部材同士の接合も可能となる。
2個の部材の両方に受理層を設けるため、例えば両方の受理層にナノ粒子を塗布して接合するようにすれば、更に部材同士の接合信頼性が向上する。
接合された部材のうち少なくとも1以上の部材自体が、ナノ粒子が保持される受理層となっているため、この部材に直接ナノ粒子を塗布して部材を接合することができ、また接合信頼性も向上する。
接合された部材のうち少なくとも1以上の部材の表面に、ナノ粒子が保持される受理構造を形成するため、上記の受理層が設けられた部材の接合構造と同様に、接合強度が高くなる。
例えば、部材の表面を化学的に改質して親水基を導入するようにすれば、ナノ粒子の保持力が向上し、部材の接合強度も向上する。
複数の部材を溶融温度の低いナノ粒子で接合するため、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、接合された部材のうち少なくとも1以上の部材にナノ粒子が混練されている受理層を設けるため、接合強度が高くなり、従来接合が困難であった部材同士の接合も可能となる。
例えば、ナノ粒子の一部又は全部を加熱によって互いに融着するようにすれば、接合強度の高い接合構造を実現することができる。
金属物質を含むナノ粒子を使用して部材の接合を行うようにすれば、接合強度が高くなり、また低コストで部材の接合を行うことができる。
ナノ粒子として、金、銀又は銅を使用して部材の接合を行うようにすれば、接合強度が高くなる。また、金、銀又は銅からなるナノ粒子は入手が容易であり、低コスト化を実現することができる。
上記のナノ粒子が、加熱する前において分散材でコーティングされているため、安定した状態でナノ粒子を受理層等に塗布することができる。
受理層の表面に、ナノ粒子をインクジェット方式で塗布するため、ナノ粒子を均一にかつ正確に塗布することができる。
例えば、受理層の表面に、ナノ粒子をスクリーン印刷で塗布すれば、ナノ粒子を均一かつ正確に塗布することができる。
例えば、平板状のものにナノ粒子を載置して転写するようにすれば、インクジェット方式等と同様に、ナノ粒子を均一かつ正確に塗布することができる。
受理層の表面に、ナノ粒子を滴下方式で塗布するようにすれば、インクジェット方式等に比べて短時間で広い範囲にナノ粒子を塗布することができる。
加熱と同時に加圧を行うようにすれば、更に部材の接合信頼性を向上させることができる。
図1は、本発明の実施形態1に係る部材の接合方法により、複数の部材を接合するときの接合工程を示す縦断面模式図である。なお図1では、2個の部材を接合する場合を示しているが、例えば、1つの基板に複数の半導体素子を接合する場合など、3個以上の部材を接合する場合にも適応できる。
まず、2個の部材1の両方に受理層2を形成する(図1(a))。この部材1としては、金属、ガラス、合成樹脂、半導体などのほぼあらゆる固体状のものが考えられ、本実施形態1の部材の接合構造及び接合方法の対象となる。なお図1では、部材1が平板状のものとなっているが、異なる形状のものであってもよい。また2個の部材1はそれぞれ異種の材料のものでもよく、それぞれに配線等が形成されていてもよい。
受理層2としては、主に、ポリアミク酸、アクリル樹脂、アルミナ水和物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、合成微粒子シリカ、タルク、カオリン、硫酸カルシウム、硫酸バリウム等が使用され、機械による塗布や噴霧等により形成される。なお部材1に受理層2を形成する前に、部材1と受理層2の密着力が高まるように、部材1の表面を粗くしておいてもよい。
分散材4でコーティングされたナノ粒子3は、例えば、溶剤に混ぜられてペースト状又はインク状にされて受理層2に塗布される。このようにペースト状又はインク状になっているナノ粒子3は、例えば、インクジェット方式、印刷方式、転写方式、滴下方式等によって塗布することができる。ここでインクジェット方式とは、インクジェットヘッドを用いて溶剤に混ぜられたナノ粒子3を飛ばして塗布するものであり、印刷方式とは、スクリーン印刷等で溶剤に混ぜられたナノ粒子3を印刷して塗布するものである。また転写方式とは、平板状のものにナノ粒子3を載置して転写することにより塗布するものである。なお転写方式では、必ずしもナノ粒子3を溶剤等に混ぜてペースト状又はインク状にする必要はない。さらに滴下方式とは、ディスペンサ等によって溶剤に混ぜられたナノ粒子3を飛ばして塗布するものである。
その後、図1(c)で互いに接触させる形で対向させた2個の部材1を加熱する(図1(d))。2個の部材1を加熱することにより、受理層2に塗布されているナノ粒子3の一部又は全部が互いに融着する。またナノ粒子3と受理層2も、ナノ粒子3が一部融解して密着することにより、2個の部材1が接合されることとなる。このときの加熱温度は、ナノ粒子3が体積に対して表面積が大きく、反応性が高いため、例えば、150〜200℃程度の低温でよい。なお図1(d)では、ナノ粒子3がそのままの形で残った状態を示しているが、実際にはナノ粒子3の一部又は全部が互いに融着して繋がった状態となる。
この図1(d)の工程で部材1が加熱されると、一般的に、ナノ粒子3をコーティングしている分散材4の大半が蒸発して無くなる場合が多い。
なお部材1の接合強度を高めるために、図1(d)の加熱と同時に加圧をするようにしてもよい。また図1では、2個の部材1の両方に設けられた受理層2の両方にナノ粒子3を塗布するようにしているが、片側の受理層2のみにナノ粒子3を塗布するようにしてもよい。
また、接合される複数の部材1のうち、少なくとも1以上の部材1自体が受理層2になっていてもよい。これは、例えば接合される部材1がポリアミク酸からなる場合であり、この場合は、接合される部材1に別材料の受理層2を形成する必要はない。
さらに、接合される部材1のうち少なくとも1以上の部材に、ナノ粒子3が混練されている受理層2が設けられるようにしてもよい。このナノ粒子3が混練された受理層2は、例えば、粉末のポリアミク酸とナノ粒子を混練し、塗布や噴霧により形成すればよい。この場合は、例えば受理層2同士を接触させて加熱することにより部材1を接合すればよく、受理層2の表面に改めてナノ粒子を塗布する必要はない。
また、2個の部材1の両方に受理層2を設けるようにして、両方の受理層2にナノ粒子3を塗布して接合するようにすれば、更に部材1同士の接合信頼性が向上する。
さらに、接合される複数の部材1のうち、少なくとも1以上の部材1自体を受理層2にしたり、接合される部材1のうち少なくとも1以上の部材に、ナノ粒子3が混練されている受理層2が設けられるようにすれば、上記の接合構造と同様の効果が得られる。
図2は、本発明の実施形態2に係る部材の接合方法により、複数の部材を接合するときの接合工程を示す縦断面模式図である。なお本実施形態2では、実施形態1の受理層2の代わりに、部材1の表面にナノ粒子3が保持される受理構造5が形成される。本実施形態2では、実施形態1の図1(a)及び図1(b)の接合工程が、図2(a)及び図2(b)に置き換わり、その後の接合工程は図1(c)及び図1(d)と同様である。またその他の点は、実施形態1と同様であり、同一の部分は実施形態1と同一の符号を付して説明する。
まず、2個の部材1の両方に受理構造5を形成する(図2(a))。この部材1としては、実施形態1と同様に、金属、ガラス、合成樹脂、半導体などのほぼあらゆる固体状のものが考えらる。なお図2では、部材1が平板状のものとなっているが、異なる形状のものであってもよい。また2個の部材1はそれぞれ異種の材料のものでもよく、それぞれに配線等が形成されていてもよい。また実施形態1と同様に、接合される複数の部材1のうち、少なくとも1以上の部材1に受理構造5を形成するようにしてもよい。
また、部材1の表面に有機物や、無機物を蒸着、スパッタ等の方法で付着させることで受理構造5としてもよく、無電解法や電解法によるメッキによって受理構造5を形成してもよい。これらの、受理構造5に用いる物質は、前述した溶剤等の濡れ性が向上するものであれば何でもよい。
そして、実施形態1と同様に部材1に形成された受理構造5の両方に、分散材4でコーティングされたナノ粒子3を塗布する(図2(b))。その後の接合工程は、実施形態1の図1(c)及び図1(d)と同様である。
図3は、本発明の実施形態3に係る部材の接合構造を適用した製品の例を示した図である。図3では、実施形態1に示される接合方法により部材を接合した液晶パネルを示している。図3に示すように、本発明の実施形態1及び実施形態2に示される接合構造は、液晶パネル6の液晶7を封止するための機密封止構造等にも適用することができる。
Claims (24)
- 複数の部材がナノ粒子によって接合された接合構造であって、接合された部材のうち少なくとも1以上の部材にナノ粒子が保持される受理層が設けられていることを特徴とする部材の接合構造。
- 前記部材が2個であって、該2個の部材の両方に前記受理層が設けられていることを特徴とする請求項1記載の部材の接合構造。
- 複数の部材がナノ粒子によって接合された接合構造であって、接合された部材のうち少なくとも1以上の部材自体が、ナノ粒子が保持される受理層となっていることを特徴とする部材の接合構造。
- 複数の部材がナノ粒子によって接合された接合構造であって、接合された部材のうち少なくとも1以上の部材の表面に、ナノ粒子が保持される受理構造が形成されていることを特徴とする部材の接合構造。
- 前記受理構造が、前記部材の表面を化学的又は物理的に改質して形成されていることを特徴とする請求項4記載の部材の接合構造。
- 複数の部材がナノ粒子によって接合された接合構造であって、接合された部材のうち少なくとも1以上の部材にナノ粒子が混練されている受理層が設けられていることを特徴とする部材の接合構造。
- 前記ナノ粒子の一部又は全部が、互いに融着していることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の部材の接合構造。
- 前記ナノ粒子が、金属物質を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の部材の接合構造。
- 前記ナノ粒子が、金、銀又は銅であることを特徴とする請求項8記載の部材の接合構造。
- 複数の部材をナノ粒子によって接合する接合方法であって、接合する部材のうち少なくとも1以上の部材に受理層を設け、少なくとも1つの前記受理層の表面に前記ナノ粒子を塗布した後に、前記複数の部材同士を対向させて加熱することを特徴とする部材の接合方法。
- 前記部材が2個であって、該2個の部材の両方に前記受理層を設けることを特徴とする請求項10記載の部材の接合方法。
- 複数の部材をナノ粒子によって接合する接合方法であって、接合する部材のうち少なくとも1以上の部材自体が受理層となっており、少なくとも1つの前記部材の表面に前記ナノ粒子を塗布した後に、前記複数の部材同士を対向させて加熱することを特徴とする部材の接合方法。
- 複数の部材をナノ粒子によって接合する接合方法であって、接合する部材のうち少なくとも1以上の部材の表面に受理構造を形成し、少なくとも1つの前記受理構造に前記ナノ粒子を塗布した後に、前記複数の部材同士を対向させて加熱することを特徴とする部材の接合方法。
- 前記受理構造を、前記部材の表面を化学的又は物理的に改質して形成することを特徴とする請求項13記載の部材の接合方法。
- 複数の部材をナノ粒子によって接合する接合方法であって、接合する部材のうち少なくとも1以上の部材に受理層を設け、少なくとも1つの前記受理層に前記ナノ粒子が混練されており、前記複数の部材同士を対向させて加熱することを特徴とする部材の接合方法。
- 前記ナノ粒子の一部又は全部を、互いに融着させることを特徴とする請求項10〜15のいずれかに記載の部材の接合方法。
- 前記ナノ粒子が、金属物質を含むことを特徴とする請求項10〜16のいずれかに記載の部材の接合方法。
- 前記ナノ粒子が、金、銀又は銅であることを特徴とする請求項17記載の部材の接合方法。
- 前記ナノ粒子は、加熱する前において分散材でコーティングされていることを特徴とする請求項10〜18のいずれかに記載の部材の接合方法。
- 前記受理層の表面に、前記ナノ粒子をインクジェット方式で塗布することを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の部材の接合方法。
- 前記受理層の表面に、前記ナノ粒子を印刷方式で塗布することを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の部材の接合方法。
- 前記受理層の表面に、前記ナノ粒子を転写方式で塗布することを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の部材の接合方法。
- 前記受理層の表面に、前記ナノ粒子を滴下方式で塗布することを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の部材の接合方法。
- 前記加熱の際に、加圧を行うことを特徴とする請求項10〜23のいずれかに記載の部材の接合方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004000112A JP4069867B2 (ja) | 2004-01-05 | 2004-01-05 | 部材の接合方法 |
US10/996,356 US20050230042A1 (en) | 2004-01-05 | 2004-11-23 | Bonding structure and method for bonding members |
TW093136916A TWI252167B (en) | 2004-01-05 | 2004-11-30 | Bonding structure and method for bonding members |
CNB2004101046244A CN1287977C (zh) | 2004-01-05 | 2004-12-31 | 构件的接合结构及接合方法 |
KR1020050000497A KR100610988B1 (ko) | 2004-01-05 | 2005-01-04 | 부재의 접합 구조 및 접합 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004000112A JP4069867B2 (ja) | 2004-01-05 | 2004-01-05 | 部材の接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005197334A true JP2005197334A (ja) | 2005-07-21 |
JP4069867B2 JP4069867B2 (ja) | 2008-04-02 |
Family
ID=34816047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004000112A Expired - Fee Related JP4069867B2 (ja) | 2004-01-05 | 2004-01-05 | 部材の接合方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050230042A1 (ja) |
JP (1) | JP4069867B2 (ja) |
KR (1) | KR100610988B1 (ja) |
CN (1) | CN1287977C (ja) |
TW (1) | TWI252167B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073550A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 接合部材およびその製造方法 |
JP2008153470A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008311371A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Denso Corp | 接合方法及び接合体 |
KR100878447B1 (ko) | 2007-05-30 | 2009-01-13 | 연세대학교 산학협력단 | 용접시 변형을 억제하기 위해 나노입자를 이용하여용접하는 방법 |
US10510753B2 (en) | 2015-10-05 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10231344B2 (en) | 2007-05-18 | 2019-03-12 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Metallic ink |
US8404160B2 (en) | 2007-05-18 | 2013-03-26 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Metallic ink |
US8506849B2 (en) | 2008-03-05 | 2013-08-13 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks |
US9730333B2 (en) | 2008-05-15 | 2017-08-08 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Photo-curing process for metallic inks |
EP2412007B1 (en) | 2009-03-27 | 2020-07-22 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Buffer layer to enhance photo and/or laser sintering |
WO2010138184A2 (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Synageva Biopharma Corp. | Avian derived antibodies |
US8422197B2 (en) | 2009-07-15 | 2013-04-16 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure |
NL2005112C2 (en) | 2010-07-19 | 2012-01-23 | Univ Leiden | Process to prepare metal nanoparticles or metal oxide nanoparticles. |
CN102069295B (zh) * | 2010-12-09 | 2012-12-12 | 上海工程技术大学 | 强化层扩散连接制备Fe3Al/Al复合结构的方法 |
US8426964B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-04-23 | Industrial Technology Research Institute | Micro bump and method for forming the same |
US9328170B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-05-03 | Merck Sharp & Dohme Corp. | Method for preparing Fc containing polypeptides having improved properties |
CN104203457B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-04-13 | 应用纳米粒子研究所株式会社 | 含铜填料复合纳米金属软膏剂及其接合方法 |
TW201419315A (zh) | 2012-07-09 | 2014-05-16 | Applied Nanotech Holdings Inc | 微米尺寸銅粒子的光燒結法 |
JP5345239B1 (ja) * | 2012-11-13 | 2013-11-20 | オリジン電気株式会社 | 接合部材製造方法及び装置 |
JP5357348B1 (ja) * | 2013-02-28 | 2013-12-04 | 日新製鋼株式会社 | 塗装材、印刷材およびコート材 |
US11031364B2 (en) | 2018-03-07 | 2021-06-08 | Texas Instruments Incorporated | Nanoparticle backside die adhesion layer |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59184778A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-20 | 三井造船株式会社 | セラミツク部材と金属部材との圧接方法 |
JPS6224855A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-02 | Hitachi Ltd | 接合方法 |
JPH0524942A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-02-02 | Hitachi Maxell Ltd | 接着方法及び接着剤 |
JP2000129158A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-09 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体 |
JP2000261144A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
JP2001131655A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-15 | Kawatetsu Mining Co Ltd | 導電ペースト用銅合金粉 |
JP2001225180A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-21 | Ebara Corp | 金属の接合方法 |
JP2002043491A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Hitachi Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP2002126869A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-08 | Harima Chem Inc | 金属間のロウ付け接合方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07114218B2 (ja) * | 1991-01-09 | 1995-12-06 | 株式会社東芝 | 微小箇所の電気接続方法及び該方法により形成された半導体装置 |
JPH10505538A (ja) * | 1994-08-25 | 1998-06-02 | キューキューシー,インコーポレイテッド | ナノ規模の粒子およびその用途 |
US6468362B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers |
TW476073B (en) * | 1999-12-09 | 2002-02-11 | Ebara Corp | Solution containing metal component, method of and apparatus for forming thin metal film |
US6519842B2 (en) * | 1999-12-10 | 2003-02-18 | Ebara Corporation | Method for mounting semiconductor device |
US6735008B2 (en) * | 2000-07-31 | 2004-05-11 | Corning Incorporated | MEMS mirror and method of fabrication |
CN1262337C (zh) * | 2000-11-16 | 2006-07-05 | 赛弗根生物系统股份有限公司 | 质谱分析方法 |
DE10153562A1 (de) * | 2001-10-30 | 2003-05-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verringerung des elektrischen Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekt-Transistoren durch Einbetten von Nanopartikeln zur Erzeugung von Feldüberhöhungen an der Grenzfläche zwischen dem Kontaktmaterial und dem organischen Halbleitermaterial |
JP2003205568A (ja) | 2002-01-11 | 2003-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノ粒子層積層体 |
JP4042497B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | 導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体 |
JP2004079104A (ja) | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Fujitsu Ltd | 高密度磁気記録媒体、その製造方法、及び、磁気記録再生装置 |
JP2004085872A (ja) | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Nitto Denko Corp | 半透過反射板及び半透過反射型偏光板 |
JP2004107728A (ja) | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Ebara Corp | 接合材料及び接合方法 |
TWI284581B (en) * | 2002-09-18 | 2007-08-01 | Ebara Corp | Bonding material and bonding method |
JP2004130371A (ja) | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Ebara Corp | 接合体 |
US7056409B2 (en) * | 2003-04-17 | 2006-06-06 | Nanosys, Inc. | Structures, systems and methods for joining articles and materials and uses therefor |
US20050064183A1 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Adhesive articles including a nanoparticle primer and methods for preparing same |
US7064027B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-06-20 | International Business Machines Corporation | Method and structure to use an etch resistant liner on transistor gate structure to achieve high device performance |
JP2005183904A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電子部品にはんだ領域を形成する方法及びはんだ領域を有する電子部品 |
JP3997991B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置 |
-
2004
- 2004-01-05 JP JP2004000112A patent/JP4069867B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-23 US US10/996,356 patent/US20050230042A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-30 TW TW093136916A patent/TWI252167B/zh active
- 2004-12-31 CN CNB2004101046244A patent/CN1287977C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-04 KR KR1020050000497A patent/KR100610988B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59184778A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-20 | 三井造船株式会社 | セラミツク部材と金属部材との圧接方法 |
JPS6224855A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-02 | Hitachi Ltd | 接合方法 |
JPH0524942A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-02-02 | Hitachi Maxell Ltd | 接着方法及び接着剤 |
JP2000129158A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-09 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体 |
JP2000261144A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
JP2001131655A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-15 | Kawatetsu Mining Co Ltd | 導電ペースト用銅合金粉 |
JP2001225180A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-21 | Ebara Corp | 金属の接合方法 |
JP2002043491A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Hitachi Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP2002126869A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-08 | Harima Chem Inc | 金属間のロウ付け接合方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073550A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 接合部材およびその製造方法 |
JP2008153470A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR100878447B1 (ko) | 2007-05-30 | 2009-01-13 | 연세대학교 산학협력단 | 용접시 변형을 억제하기 위해 나노입자를 이용하여용접하는 방법 |
JP2008311371A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Denso Corp | 接合方法及び接合体 |
US10510753B2 (en) | 2015-10-05 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit and manufacturing method thereof |
US11276692B2 (en) | 2015-10-05 | 2022-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method of integrated circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100610988B1 (ko) | 2006-08-10 |
CN1287977C (zh) | 2006-12-06 |
CN1636704A (zh) | 2005-07-13 |
TW200530041A (en) | 2005-09-16 |
KR20050072062A (ko) | 2005-07-08 |
JP4069867B2 (ja) | 2008-04-02 |
TWI252167B (en) | 2006-04-01 |
US20050230042A1 (en) | 2005-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4069867B2 (ja) | 部材の接合方法 | |
JP3997991B2 (ja) | 電子装置 | |
CN101517831B (zh) | 各向异性导电性粘接剂组合物、各向异性导电性薄膜、电路构件的连接结构、以及被覆粒子的制造方法 | |
TWI425582B (zh) | 形成自組裝之電氣接觸結構的方法 | |
KR20060132708A (ko) | 소형-피쳐-크기 및 대형-피쳐-크기 부품들이 통합된 장치및 그의 제조 방법 | |
JP2006287019A (ja) | 貫通電極付基板およびその製造方法 | |
Perinchery et al. | Investigation of the effects of LIFT printing with a KrF-excimer laser on thermally sensitive electrically conductive adhesives | |
JP2008120990A (ja) | 異方導電性接着剤組成物、異方導電性フィルム、回路部材の接続構造、及び、被覆粒子の製造方法 | |
JP2005322834A (ja) | パターン形状体及びその製造方法 | |
JP2004006417A (ja) | 接続部材及びこれを用いた電極の接続構造 | |
KR20190060287A (ko) | 마이크로 소자 어레이 전사방법 | |
JP2008270639A (ja) | 導電接続構造およびその製造方法 | |
JP2015196724A (ja) | 異方導電性接着剤及びその製造方法 | |
JP2005340279A (ja) | 多層配線板およびその製造方法 | |
JP2005209454A (ja) | 異方導電フィルムの製造方法 | |
JP2008112732A (ja) | 電極の接続方法 | |
JP4670859B2 (ja) | 接続部材及びこれを用いた電極の接続構造 | |
JP4572929B2 (ja) | 接続部材及びこれを用いた電極の接続構造 | |
JP2010050238A (ja) | 接合方法および接合体 | |
JP2007251009A (ja) | 半導体素子実装基板の製造方法および半導体素子実装基板 | |
JP4872706B2 (ja) | はんだ接着材料及びはんだ供給方法 | |
JP4670858B2 (ja) | リペア性の付与方法及び接続部材 | |
JP2004164957A (ja) | コネクタ | |
JP2010013703A (ja) | 構造体、パターニング方法および接合方法 | |
JP2002217524A (ja) | 電子部品の固定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140125 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |