JP2005175436A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005175436A5
JP2005175436A5 JP2004292650A JP2004292650A JP2005175436A5 JP 2005175436 A5 JP2005175436 A5 JP 2005175436A5 JP 2004292650 A JP2004292650 A JP 2004292650A JP 2004292650 A JP2004292650 A JP 2004292650A JP 2005175436 A5 JP2005175436 A5 JP 2005175436A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
connection terminal
semiconductor device
adhesive member
anisotropic conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004292650A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4679106B2 (ja
JP2005175436A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004292650A priority Critical patent/JP4679106B2/ja
Priority claimed from JP2004292650A external-priority patent/JP4679106B2/ja
Publication of JP2005175436A publication Critical patent/JP2005175436A/ja
Publication of JP2005175436A5 publication Critical patent/JP2005175436A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4679106B2 publication Critical patent/JP4679106B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (9)

  1. 半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続される第１の接続端子とが形成された第１の基板と、
    側面から表面及び裏面に延在するように第２の接続端子が形成された第２の基板と、
    第３の接続端子が形成された第３の基板とを有し、
    前記半導体素子と前記第２の基板が第１の接着部材で接着され、前記第１の接着部材によって前記第１の接続端子と前記第２の接続端子が電気的に接続され、
    前記第２の基板は第２の接着部材で接着され、前記第２の接着部材によって前記第２の接続端子と前記第３の接続端子が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１の接着部材は、異方性導電接着剤または異方性導電膜であることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記第２の接着部材は、導電性ペーストであることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１又は請求項２において、
    前記第２の接着部材は、異方性導電接着剤または異方性導電膜であることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記第１の基板は、フィルム状の基板、又はシート状の基板であることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    前記第１の基板は、絶縁性を有する基板であることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記第１の基板は、ガラス基板、プラスチック基板、又は有機樹脂で形成される基板であることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記半導体素子は、薄膜トランジスタ、又はダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
    前記半導体装置は、光センサ、光電変換装置、又は太陽電池であることを特徴とする半導体装置。
JP2004292650A 2003-10-06 2004-10-05 半導体装置 Expired - Fee Related JP4679106B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004292650A JP4679106B2 (ja) 2003-10-06 2004-10-05 半導体装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003347678 2003-10-06
JP2004292650A JP4679106B2 (ja) 2003-10-06 2004-10-05 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005175436A JP2005175436A (ja) 2005-06-30
JP2005175436A5 true JP2005175436A5 (ja) 2007-10-11
JP4679106B2 JP4679106B2 (ja) 2011-04-27

Family

ID=34509704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004292650A Expired - Fee Related JP4679106B2 (ja) 2003-10-06 2004-10-05 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7180197B2 (ja)
EP (1) EP1542272B1 (ja)
JP (1) JP4679106B2 (ja)
KR (2) KR20050033434A (ja)
CN (1) CN100499175C (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340647A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd インターポーザ基板、半導体パッケージ及び半導体装置並びにそれらの製造方法
JP2006202938A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Kojiro Kobayashi 半導体装置及びその製造方法
US7754529B2 (en) * 2005-02-03 2010-07-13 Panasonic Corporation Flip chip mounting body and method for mounting such flip chip mounting body and bump forming method
US7994021B2 (en) 2006-07-28 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US7943287B2 (en) * 2006-07-28 2011-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR101346246B1 (ko) 2006-08-24 2013-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 제작방법
US8563431B2 (en) * 2006-08-25 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7795154B2 (en) 2006-08-25 2010-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device that uses laser ablation, to selectively remove one or more material layers
US7651896B2 (en) 2006-08-30 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5110830B2 (ja) * 2006-08-31 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7960261B2 (en) * 2007-03-23 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor
JP5355915B2 (ja) * 2007-04-18 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101441346B1 (ko) * 2007-04-27 2014-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP4989549B2 (ja) * 2007-08-24 2012-08-01 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
KR100898503B1 (ko) 2007-09-04 2009-05-20 주식회사 아이에스시테크놀러지 고주파 인터포저
JP5252472B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
CN101855730A (zh) 2007-11-09 2010-10-06 夏普株式会社 太阳能电池模块以及太阳能电池模块的制造方法
DE102007055017B4 (de) * 2007-11-14 2010-11-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Verbinden zweier Fügeflächen und Bauteil mit zwei verbundenen Fügeflächen
WO2009079279A2 (en) * 2007-12-17 2009-06-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaics with interferometric back side masks
US20090278213A1 (en) 2008-05-08 2009-11-12 International Business Machines Corporation Electrode arrays and methods of fabricating the same using printing plates to arrange particles in an array
US8207487B2 (en) * 2008-06-25 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device including charge/discharge circuit
US9048360B2 (en) 2009-06-22 2015-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell, solar cell with interconnection sheet attached and solar cell module
KR101313012B1 (ko) 2009-06-29 2013-10-01 샤프 가부시키가이샤 배선 시트, 배선 시트가 부착된 태양 전지 셀, 태양 전지 모듈 및 배선 시트 롤
JPWO2011024534A1 (ja) * 2009-08-27 2013-01-24 独立行政法人産業技術総合研究所 多接合光電変換装置、集積型多接合光電変換装置、並びにその製造方法
WO2011108156A1 (ja) * 2010-03-02 2011-09-09 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法
DE102010027953A1 (de) * 2010-04-20 2011-12-01 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen und Photovoltaik-Modul
JP2012080085A (ja) 2010-09-10 2012-04-19 Nichia Chem Ind Ltd 支持体及びそれを用いた発光装置
CN102810574A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 联景光电股份有限公司 太阳能电池的电极
CN102569247A (zh) * 2012-01-17 2012-07-11 华为终端有限公司 集成模块、集成系统板和电子设备
TWI669835B (zh) 2012-07-05 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
KR102173801B1 (ko) 2012-07-12 2020-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법
US11074025B2 (en) 2012-09-03 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US11581446B2 (en) * 2015-10-08 2023-02-14 The Boeing Company Semiconductor device including an electrically conductive adhesive layer and a bypass diode in a carrier
US10879211B2 (en) 2016-06-30 2020-12-29 R.S.M. Electron Power, Inc. Method of joining a surface-mount component to a substrate with solder that has been temporarily secured
JP2018098487A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 株式会社村田製作所 半導体モジュール
KR102423292B1 (ko) * 2021-09-07 2022-07-20 한국기계연구원 식각 장치 및 이를 포함하는 인터포저 제조 시스템

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4423435A (en) * 1980-10-27 1983-12-27 Texas Instruments Incorporated Assembly of an electronic device on an insulative substrate
JPS63122133A (ja) * 1986-11-11 1988-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チツプの電気的接続方法
JPH0287558A (ja) * 1988-09-24 1990-03-28 Murata Mfg Co Ltd Ｉｃチップ
US5065006A (en) * 1988-10-14 1991-11-12 Matsushita Electric Industrial Co., Inc. Image sensors with simplified chip mounting
US5272376A (en) * 1990-06-01 1993-12-21 Clarion Co., Ltd. Electrode structure for a semiconductor device
JPH04107955A (ja) * 1990-08-28 1992-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子回路素子の封止方法
JP3329512B2 (ja) 1993-03-22 2002-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路およびその作製方法
US5501989A (en) 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
JP3164182B2 (ja) * 1993-08-27 2001-05-08 株式会社村田製作所 複合電子部品
US6700133B1 (en) * 1994-03-11 2004-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JP3150840B2 (ja) 1994-03-11 2001-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5672545A (en) * 1994-08-08 1997-09-30 Santa Barbara Research Center Thermally matched flip-chip detector assembly and method
JP2900229B2 (ja) 1994-12-27 1999-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
JPH08201540A (ja) * 1995-01-31 1996-08-09 Citizen Watch Co Ltd 太陽電池付き時計の構造
EP0840369A4 (en) * 1995-06-30 2001-12-19 Toshiba Kk ELECTRONIC COMPONENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
JPH0945805A (ja) * 1995-07-31 1997-02-14 Fujitsu Ltd 配線基板、半導体装置及び半導体装置を配線基板から取り外す方法並びに半導体装置の製造方法
JP3183390B2 (ja) * 1995-09-05 2001-07-09 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像装置
JPH1022329A (ja) * 1996-07-01 1998-01-23 Mitsui High Tec Inc 半導体装置
US6461890B1 (en) * 1996-12-27 2002-10-08 Rohm Co., Ltd. Structure of semiconductor chip suitable for chip-on-board system and methods of fabricating and mounting the same
US5783465A (en) * 1997-04-03 1998-07-21 Lucent Technologies Inc. Compliant bump technology
JP3856250B2 (ja) * 1997-04-23 2006-12-13 シチズン電子株式会社 Ｓｍｄ型ｌｅｄ
KR100539060B1 (ko) * 1997-10-28 2007-04-25 소니 케미카루 가부시키가이샤 이방도전성접착제및접착용막
SG71734A1 (en) * 1997-11-21 2000-04-18 Inst Materials Research & Eng Area array stud bump flip chip and assembly process
JP4085459B2 (ja) * 1998-03-02 2008-05-14 セイコーエプソン株式会社 ３次元デバイスの製造方法
JP3561166B2 (ja) * 1999-01-21 2004-09-02 株式会社リコー 異方性導電ペーストを用いた電子部品の接続方法
JP2000323472A (ja) * 1999-05-06 2000-11-24 Canon Inc 半導体装置、光電変換装置、及びこれらの製造方法
US6879014B2 (en) 2000-03-20 2005-04-12 Aegis Semiconductor, Inc. Semitransparent optical detector including a polycrystalline layer and method of making
JP3597754B2 (ja) * 2000-04-24 2004-12-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2001358437A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Seiko Epson Corp 半導体装置の実装方法
JP2002094082A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Seiko Epson Corp 光素子及びその製造方法並びに電子機器
US6624921B1 (en) * 2001-03-12 2003-09-23 Amkor Technology, Inc. Micromirror device package fabrication method
JP2002313979A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Sony Corp インタポーザおよび電子回路装置
JP2003045236A (ja) 2001-08-03 2003-02-14 Nec Kagoshima Ltd 異方性導電フイルムおよびこれを用いた集積回路デバイスの接続方法
JP2003060744A (ja) 2001-08-21 2003-02-28 Sanyo Electric Co Ltd 携帯機器
JP4000507B2 (ja) 2001-10-04 2007-10-31 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
US6555917B1 (en) * 2001-10-09 2003-04-29 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having stacked semiconductor chips and method of making the same
JP5030360B2 (ja) * 2002-12-25 2012-09-19 オリンパス株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP3972825B2 (ja) 2003-01-28 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置の製造方法
JP2004266271A (ja) * 2003-02-12 2004-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装体及びその製造方法
US20040156177A1 (en) 2003-02-12 2004-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Package of electronic components and method for producing the same
JP3693060B2 (ja) * 2003-09-24 2005-09-07 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005175436A5 (ja)
JP2019528480A5 (ja)
WO2007130795A3 (en) Laminated solar concentrating photovoltaic device
JP2010165673A5 (ja) 発光装置
JP2005285109A5 (ja)
TW200727446A (en) Stack type semiconductor device manufacturing method and stack type electronic component manufacturing method
EP2264785A3 (en) Receiver for photovoltaic concentrator system comprising III-V semiconductor solar cells
EP1918995A3 (en) Semiconductor device
JP2010040520A5 (ja)
JP2007533142A5 (ja)
WO2008156521A3 (en) Textured rear electrode structure for use in photovoltaic device such as cigs/cis solar cell
EP1786042A4 (en) LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT EMISSION SYSTEM
TW200742102A (en) Photovoltaic module
WO2009059738A3 (de) Solarzelle auf einem substrat mit haftverschlusselementen
WO2008152865A1 (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
WO2009069551A1 (ja) 光電変換素子用電極基板
JP2011243969A5 (ja) 光電変換装置
WO2010013470A1 (ja) 半導体モジュールおよび半導体モジュールを備える携帯機器
EP1898465A3 (en) Power semiconductor module
WO2009008106A1 (ja) 受光装置および受光装置の製造方法
CN103560164A (zh) 一种含氟散热型太阳能电池背板
JP2007005774A5 (ja)
EP1835545A3 (en) Photovoltaic element, photovoltaic module comprising photovoltaic element, and method of fabricating photovoltaic element
WO2009069544A1 (ja) シリコン系薄膜光電変換装置
JP2012054493A5 (ja)