DE102010027953A1 - Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen und Photovoltaik-Modul - Google Patents

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Martin Zippel
Patrick Stihler
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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen (1) mit jeweils auf einer Kontaktseite (2) vorgesehenen Kontaktbereichen (3) für ein Photovoltaik-Modul, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte Bereitstellen eines nichtleitenden Trägers (4) in Form der Folie oder des Laminates mit einer mindestens einseitigen, mindestens abschnittsweisen leitfähigen Trägerbeschichtung (5), Auftragen eines anisotrop-leitfähigen Klebstoffs (6) auf die Trägerbeschichtung, Aufsetzen der Halbleiterzellen (1) auf die mit dem Klebstoff versehene Trägerbeschichtung, Fixieren jeder Halbleiterzelle durch eine Druck- und/oder Wärmeeinwirkung zum Ausbilden von Leitpfaden (7) innerhalb des anisotrop-leitfähigen Klebstoffs zwischen der Trägerbeschichtung und der jeweiligen Kontaktseite (2) der Halbleiterzelle.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen und ein Photovoitaik-Modul.
  • Stand der Technik
  • Aus dem Stand der Technik bekannte Photovoltaik-Module auf der Basis von Halbleitern bestehen aus einer Vielzahl von Halbleiterzellen. In diesen wird unter der Wirkung eines äußeren Lichteinfalls eine elektrische Spannung erzeugt. Die Halbleiterzellen sind zweckmäßig miteinander verschaltet, um von dem Photovoltaik-Modul möglichst hohe Ströme abgreifen zu können. Damit ist eine Kontaktierung der Halbleiterzellen und eine zweckmäßige Leitungsführung innerhalb des Photovoltaik-Moduls notwendig.
  • Bei bekannten Photovoltaik-Modulen werden zur Leitungsführung sogenannte Bändchen verwendet. Dabei handelt es sich in der Regel um bandförmig ausgebildete Leiterabschnitte aus Metall, insbesondere aus Kupfer. Die Kontaktierung zwischen einem Bändchen und den damit verschalteten Halbleiterzellen erfolgt üblicherweise mittels einer Weichlotverbindung. Dabei sind die Kontakte von einer oberen lichtaktiven Seite einer Halbleiterzelle auf eine lichtabgewandte rückwärtige Seite einer nächst benachbarten Halbleiterzelle geführt. An den Kontaktstellen zwischen dem Bändchen und der Halbleiterzelle befinden sich auf den Halbleiterzellen metallisierte Kontaktbereiche, auf denen die Lotverbindung vorgenommen wird.
  • Zum Erhöhen der Lichtausbeute derartiger Photovoltaik-Module wurden Versuche unternommen, die beschriebenen Kontaktierungen vollständig auf die lichtabgewandte rückwärtige Seite der Halbleiterzellen zu verlegen.
  • Diese lichtabgewandte Seite bildet dann eine Kontaktseite der jeweiligen Halbleiterzellen. Dabei müssen die auf der Kontaktseite angeordneten Kontaktbereiche jeweils zweckmäßig kontaktiert werden. Bei einer Vielzahl von Halbleiterzellen in einer zu realisierenden Verschaltung und einer gegebenen geometrischen Anordnung werden durch dieses Erfordernis erhebliche Ansprüche an die Genauigkeit der Kontaktierungen gestellt, um Fehlschaltungen und Kurzschlussverbindungen sicher zu vermeiden. Die damit verbundenen Schwierigkeiten im Hinblick auf die genaue Positionierung der Halbleiterzellen in einer gegebenen Zellenanordnung führen dazu, dass die hinsichtlich der Energieausbeute des Photovoltaik-Moduls vorteilhafte Rückseitenkontaktierung einen komplizierteren Fertigungsprozess mit sich bringt, der vor allem eine rationelle Produktion derartiger Module im Großserienmaßstab behindert.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen mit jeweils auf einer Kontaktseite vorgesehenen Kontaktbereichen für ein Photovoltaik-Modul beinhaltet folgende Verfahrensschritte:
    Es wird ein nichtleitender Träger in Form der Folie oder des Laminates mit einer mindestens einseitigen, mindestens abschnittsweisen elektrisch leitfähigen Trägerbeschichtung bereitgestellt. Anschließend wird die mindestens abschnittsweise Trägerbeschichtung mit einer anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht bedeckt. Die Kontaktseiten der Halbleiterzellen werden auf die mit der Klebstoffschicht bedeckte Trägerbeschichtung abgesetzt. Es erfolgt ein Fixieren jeder Halbleiterzelle durch eine Druck- und/oder Wärmeeinwirkung zum Erzeugen von Leitpfaden zwischen der Trägerbeschichtung und den Kontaktbereichen innerhalb der anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht. Bei diesem Prozess wird der Klebstoff gehärtet und ebenso die mechanische Verbindung realisiert.
  • Grundgedanke des Verfahrens ist es, die Anisotropie derartiger anisotropleitfähiger Klebstoffe dazu zu nutzen, um die Fertigungstoleranzen für die Herstellung des Photovoltaikmoduls zu vergrößern. Dies gelingt dadurch, indem bei dem Herausbilden der Klebeverbindung die Klebstoffschicht nur an den Stellen elektrisch leitfähig wird, an denen die Klebstoffschicht zwischen den Kontaktbereichen der Halbleiterzellen einerseits und der leitfähigen Trägerbeschichtung andererseits eingeschlossen ist. An allen anderen Stellen verbleibt die Klebstoffschicht in einem elektrisch isolierenden Zustand. Daher kann die Klebstoffschicht vergleichsweise großzügig und ohne große Positionsgenauigkeit auf den Träger aufgebracht werden. Andererseits muss die Lage der aufgesetzten Halbleiterzellen gegenüber dem Stand der Technik weitaus weniger genau sein.
  • Das Bedeckender Trägerbeschichtung kann auf verschiedene Weise erfolgen. Bei einer ersten Ausführungsform wird die Trägerbeschichtung mit der anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht durch ein Aufdrucken überdeckt. Bei einer weiteren Ausführungsform erfolgt das Bedecken der Trägerbeschichtung mit der anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht durch ein Auflaminieren eines Klebefilms.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung wird bei dem Bedecken der Trägerbeschichtung vorab eine Bilderkennung der Trägerbeschichtung ausgeführt. Bei der Bilderkennung wird eine Positionsbestimmung von Bedeckungsabschnitten ausgeführt. Nachfolgend wird die anisotrop-leitfähige Klebstoffschicht auf die Bedeckungsabschnitte aufgebracht. Mit einem derartigen Vorgehen können Lageabweichungen in der Trägerbeschichtung erfasst und im Einzelfall ausgeglichen werden. Gleichzeitig wird die Menge des eingesetzten Klebstoffs reduziert, wobei der Klebstoff nur auf ausgewählte oder vorbestimmte Punkte oder Bereiche abgesetzt wird.
  • Besonders zweckmäßig ist ein nach dem Bedecken der Trägerbeschichtung erfolgendes Vorvernetzen der anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht im Rahmen eines b-staging-Prozesses. Dadurch wird das Auftragender Klebstoffschicht zeitlich von dem Fügeschritt des Aufsetzens der Halbleiterzellen getrennt. Der mit der Klebstoffschicht bedeckte Träger kann zwischengelagert und für die nachfolgenden Herstellungsschritte auf Vorrat bereitgehalten werden.
  • Zweckmäßigerweise kann nach dem Aufsetzen der Halbleiterzellen auf den Träger ein Laminierschritt zum Verkapseln der Halbleiterzellen ausgeführt werden. Dadurch sind die Halbleiterzellen mit dem Träger fest verbunden. Zudem bildet die Gesamtheit aus dem Träger und den einlaminierten Halbleiterzellen ein Zwischenerzeugnis, das für nachfolgende Fertigungsschritte, beispielsweise ein Verbinden mit einer Glasfront, auf Vorrat gehalten werden kann.
  • Bei diesem Verkapselungsprozess ist es natürlich auch möglich, die Glasfront oder einen Glasträger für das Photovoltaikmodul mit zu laminieren oder auf andere Weise mit dem laminierten Verbund zu verbinden. Dies kann insbesondere durch ein Verkleben erfolgen.
  • Vorrichtungsseitig ist ein Photovoltaikmodul mit einer Vielzahl von Halbleiterzellen mit einer Rückseitenkontaktierung und einen Träger vorgesehen, wobei der Träger als eine Folie ausgebildet ist. Der Träger weist eine mindestens einseitige und mindestens abschnittsweise elektrisch leitfähige Trägerbeschichtung auf und die Halbleiterzellen sind mit der Trägerbeschichtung über eine anisotrop-leitfähige Klebstoffschicht punktweise verbunden und kontaktiert.
  • Bei einer Ausführungsform ist die Trägerbeschichtung auf den Träger auflaminiert.
  • Bei einer weiteren zweckmäßigen Ausführungsform ist die anisotrop-leitfähige Klebstoffschicht als ein Klebefilm ausgebildet.
  • Zweckmäßigerweise bilden die Halbleiterzellen, der Träger, die Trägerbeschichtung und die anisotrop-leitfähige Klebstoffschicht bei einer weiteren Ausführungsform einen durch eine Laminierung verkapselten Verbund.
  • Zeichnungen
  • Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäßen Photovoltaik-Module sollen nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Zur Verdeutlichung dienen die beigefügten 1 bis 5. Es werden für gleiche oder gleichwirkende Teile die selben Bezugszeichen verwendet. Es zeigen:
  • 1 eine Darstellung einer Halbleiterzelle mit einer Kontaktseite und Kontaktbereichen,
  • 2 eine Ausgangsform für einen Träger zum Ausführen einer anisotrop leitfähigen Verklebung,
  • 3 eine auf den Träger aus 2 aufgebrachte anisotrop leitfähige Klebeschicht,
  • 4 eine aufgesetzte Halbleiterzelle mit einer Herausbildung der leitenden Verbindung innerhalb der Klebeschicht,
  • 5 einen laminierten Verbund aus Halbleiterzelle, Träger und Klebeschicht.
  • Bei den nachfolgenden Ausführungsbeispielen wird aus Gründen einer übersichtlichen Darstellung jeweils die Befestigung nur einer Halbleiterzelle auf einem Träger dargestellt. Es ist einsichtig, dass weitere gleichartige Halbleiterzellen in einer vergleichbaren Weise auf dem Träger angeordnet werden können.
  • 1 zeigt eine Darstellung einer beispielhaften Halbleiterzelle 1 im Querschnitt. Die Halbleiterzelle ist beispielsweise aus Silizium ausgebildet und weist die für derartige Einheiten üblichen, hier nicht näher dargestellten Dotierungen und Übergangsbereiche auf. Zur Kontaktierung der Halbleiterzelle ist eine Kontaktseite 2 vorgesehen. Diese befindet sich auf der dem späteren Lichteinfall abgewandten Seite der Halbleiterzelle. Auf der Kontaktseite sind eine Reihe von Kontaktbereichen 3 angeordnet. Diese sind insbesondere galvanisch metallisiert und sind gegenüber ihrer Umgebung leicht erhaben.
  • Die 2, 3 und 4 zeigen ein Kontaktierverfahren am Beispiel einer einzelnen Halbleiterzelle unter der Anwendung eines anisotrop leitenden Klebstoffs.
  • Der dazu benutzte Träger 4 besteht aus einer elektrisch nicht leitenden Folie. Diese weist mindestens abschnittsweise und mindestens einseitig eine leitfähige Trägerbeschichtung 5 auf. Die Trägerbeschichtung besteht beispielweise aus einer Metallfolie, die auf den Träger 4 auflaminiert ist. Alternativ können auch aufgedampfte Metallisierungen, leitfähige Polymermaterialien oder andere Verbindungen, beispielsweise Indium-Zink-Oxid (ITO) verwendet werden. Die Trägerbeschichtung ist gegenüber dem Umgebung ebenfalls leicht erhaben.
  • Gemäß der Darstellung aus 3 wird die leitfähige Trägerbeschichtung mit einer anisotrop leitenden Klebstoffschicht 6 bedeckt. Für einen derartigen Klebstoff ist auch die Bezeichnung anisotropic conductive adhesive ACA bekannt. Ein solcher enthält neben dem eigentlichen klebfähigen und elektrisch nicht leitfähigen Grundstoff darin eingebettete leitfähige Körper 6a, die insbesondere als Metallpartikel ausgebildet sind. Diese sind im Klebstoff hinreichend dünn verteilt, so dass der Klebstoff als solcher auch nach dem Auftragen nicht leitfähig ist. Der leitfähige Kontakt wird erst dann hergestellt, wenn die Halbleiterzelle aufgesetzt wird. Dabei wird der Grundstoff des Klebstoffs aus den Kontaktbereichen verdrängt, während die leitfähigen Partikel zwischen den Kontaktbereichen der Halbleiterzellen und der leitfähigen Trägerbeschichtung eingeklemmt werden und zwischen beiden Flächen eine leitfähige Verbindung herstellen. Diese leitfähige Verbindung stellt sich somit ausschließlich an den Kontaktbereichen ein. Der Klebstoff kann somit großzügig bis flächendeckend aufgetragen werden.
  • Es können verschiedene Arten anisotrop-leitfähiger Klebstoffe verwendet werden. So ist insbesondere die Verwendung eines mikroverkapselten anisotrop leitfähigen Harzes möglich. Derartige Klebstoffe enthalten meist sphärische Silberpartikel, während das Harz hinreichend feuchtigkeitsbeständig ist und stabile dielektrische Materialparameter aufweist. Derartige Klebstoffe härten bei einer Fügetemperatur von ca. 200 bis 250°C aus. Die Fügetemperatur ist aber weitaus geringer als die üblicherweise notwendige Temperatur bei einem herkömmlichen Lötvorgang.
  • Besonders vorteilhaft ist die Verwendung eines siebdruckfähigen anisotropleitfähigen Klebstoffs. Dieser lässt sich leicht verarbeiten und konturgenau auch bei besonders dichten Verschaltungen auftragen, wobei die Fügetemperaturen bei ca. 110 bis 170°C liegen und somit deutlich niedriger sind.
  • Anstelle eines thermisch aushärtenden anisotrop-leitfähigen Klebstoffs kann auch ein Klebstoff verwendet werden, dessen Grundstoff unter einer Strahlungseinwirkung, insbesondere unter der Einwirkung von UV- oder IR-Strahlung, aushärtet. Dadurch lässt sich die Wärmebelastung beim Fügen des Solarmoduls weiter senken oder sogar ganz beseitigen. Derartige Klebstoffe zeichnen sich durch kurze Aushärtezeiten aus und können somit besonders gut bei Großserienfertigungen eingesetzt werden.
  • Weiterhin können auch so genannte b-staging-fähige anisotrop-leitfähige Klebstoffe eingesetzt werden. Bei derartigen Klebstoffen handelt es sich um Materialien, deren Grundstoffe ein zwei- oder mehrstufiges Vernetzen bzw. Aushärten ermöglichen. Der Klebstoff wird dabei zunächst auf den vorgesehenen Stellen abgesetzt und anschließend vorverhärtet oder vorvernetzt, ohne das zu verfügende Teil aufzusetzen. Bei diesem, beispielsweise unter Strahlungseinwirkung und/oder Wärmeeinwirkung ausgeführten Prozess wird der Klebstoff auf dem Träger fixiert und homogenisiert, behält aber seine klebende Wirkung. Das zu verfügende Teil, im hier vorliegenden Fall die Halbleiterzelle, wird erst zu einem späteren Zeitpunkt aufgesetzt und in einem zweiten Aushärte- oder Vernetzungsvorgang endgültig und dauerhaft mit dem Träger leitfähig verbunden.
  • Vorteilhaft anwendbar sind auch Klebstoffe in Form eines Klebefilms oder einer laminierbaren Klebeschicht. Diese lassen sich auf den Träger aufwalzen und verbleiben dort als eine über eine längere Zeit klebefähige Schicht. Beim Fügevorgang und einem dabei erfolgenden Wärmeeintrag nimmt der Klebeschicht einen fluiden Zustand an, wodurch das Aufdrücken und Kontaktieren der Halbleiterzellen ermöglicht wird. Anschließend verfestigt sich der Klebefilm bzw. die Klebeschicht wieder, wobei die kontaktierende Anbindung der Halbleiterzelle erfolgt und der Klebstoff an den übrigen Stellen endgültig aushärtet.
  • Bei dem in 3 vorliegenden Beispiel wird die gesamte Oberfläche des Trägers überdeckt. Natürlich ist auch eine nur abschnittsweise ausgeführte Klebstoffbedeckung möglich. Bei einer solchen Bedeckung kann zusätzlich eine Bilderkennung der Trägerbeschichtung ausgeführt werden, wobei in Verbindung damit die Bedeckung nur an eindeutig identifizierten und lokalisierten Punkten der Trägerbeschichtung erfolgt.
  • Zum Auftragen des Klebstoffs kann wie erwähnt auf ein Druckverfahren oder ein Laminierverfahren unter Verwendung eines Klebefilms zurückgegriffen werden. Das Druckverfahren eignet sich vor allem dann, wenn die Klebstoffschicht teilweise aufzubringen ist. Hierzu können Siebdruckverfahren mit entsprechenden Schablonen verwendet werden.
  • Im Gegensatz dazu ist das Laminierverfahren dann vorteilhaft, wenn die gesamte Trägeroberfläche unterschiedslos bedeckt werden soll. In einem solchen Fall wird beispielsweise der Träger zusammen mit der aufzulaminierenden Klebeschicht in eine Walzvorrichtung gegeben, die beide Komponenten miteinander unter Druck verbindet.
  • Dabei kann der anisotrop leitende Klebstoff auf den Träger aufgebracht und wie bereits erwähnt in einem als b-staging bezeichneten Prozess vorbehandelt werden. Das b-staging zielt darauf ab, überflüssige Lösungsmittelanteile aus dem Bereich des Klebstoffs zu entfernen und ein Vorvernetzen und Homogenisieren des Klebstoffs zu erreichen. Hierzu können Wärmebehandlungsverfahren oder Behandlungen mit elektromagnetischer Strahlung im UV-Bereich eingesetzt werden. Dies bringt den Vorteil mit sich, dass bei der eigentlichen Fertigung des Photovoltaik-Moduls kein Klebstoff für die Kontaktierung aufgetragen werden muss. Die Prozessschritte des Beschichtens des Trägers einerseits und des Verfügens zwischen Träger und Halbleiterzellen andererseits können dadurch an verschiedenen Orten und mit einem grundsätzlich beliebig planbaren zeitlichen Abstand zueinander ausgeführt werden.
  • Nach dem Auftragen des Klebstoffs und dem optionalen b-staging-Prozess werden gemäß 4 jeweils die Halbleiterzellen 1 mit ihren Kontaktseiten auf den mit dem Klebstoff bedeckten Bereich aufgesetzt und anschließend unter Druck und/oder Wärmeanwendung mit dem Träger verfügt. Dabei treten die in dem Klebstoff enthaltenen leitfähigen Partikel in elektrisch leitenden Kontakt sowohl mit der leitfähigen Trägerbeschichtung 5 als auch mit den Kontaktbereichen 3 der Halbleiterzelle. Diese schließen bei dem Fügevorgang die in dem Klebstoff enthaltenen leitfähigen Partikel 6a in sich ein und bilden damit an dieser Stelle selektive Leitpfade 7 aus, während an den übrigen Stellen die Partikel voneinander getrennt sind, sodass dort der Klebstoff elektrisch nichtleitend bleibt. Dabei ist die Wärmebelastung der Halbleiterzelle weitaus geringer als bei einem sonst verwendeten Lötverfahren.
  • Die Fügegenauigkeit für die Position der Halbleiterzellen liegt dabei im Bereich der lateralen Abmessungen der Trägerbeschichtung 5. Der Klebstoff selbst muss demnach nicht mit einer hohen Genauigkeit aufgetragen werden.
  • Wie 5 zeigt, kann die Anordnung aus Halbleiterzelle, Träger und Klebstoffschicht anschließend mit einer Laminierung 8 überdeckt werden. Der dabei entstehende Verbund kann als Ganze mit einem hier nicht gezeigten Glasträger verbunden werden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren und der dabei erzeugte Aufbau des Photovoltaik-Moduls wurden anhand von Ausführungsbeispielen erläutert. Im Rahmen fachmännischen Handelns sind weitere Ausführungsformen und Abwandlungen möglich. Diese ergeben sich insbesondere aus den Unteransprüchen.

Claims (10)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen (1) mit jeweils auf einer Kontaktseite (2) vorgesehenen Kontaktbereichen (3), mit den Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines nichtleitenden Trägers (4) in Form der Folie oder des Laminates mit einer mindestens einseitigen, mindestens abschnittsweisen elektrisch leitfähigen Trägerbeschichtung (5), – Bedecken der mindestens abschnittsweisen Trägerbeschichtung mit einer anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht (6) – Absetzen der Kontaktseiten der Halbleiterzellen auf die mit der Klebstoffschicht bedeckte Trägerbeschichtung und Fixieren jeder Halbleiterzelle durch eine Druck- und/oder Wärmeeinwirkung zum Erzeugen von Leitpfaden (7) zwischen der Trägerbeschichtung und den Kontaktbereichen innerhalb der anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, das das Bedecken der Trägerbeschichtung (5) mit der anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht (6) durch ein Aufdrucken erfolgt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bedecken der Trägerbeschichtung (5) mit der anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht (6) durch ein Aufbringen eines Klebefilms erfolgt.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Bedecken der Trägerbeschichtung (5) eine Bilderkennung der Trägerbeschichtung vorab ausgeführt wird, wobei bei der Bilderkennung eine Positionsbestimmung von Bedeckungsabschnitten ausgeführt wird und die anisotrop-leitfähige Klebstoffschicht nachfolgend nur auf die Bedeckungsabschnitte aufgebracht wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Bedecken der Trägerbeschichtung (5) ein Vorvernetzen der anisotrop-leitfähigen Klebstoffschicht (6) im Rahmen eines b-staging-Prozesses erfolgt.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufsetzen der Halbleiterzellen (1) ein Laminierschritt zum Verkapseln der Halbleiterzellen auf dem Träger (4) ausgeführt wird.
  7. Photovoltaikmodul, umfassend eine Vielzahl von Halbleiterzellen (1) mit einer Rückseitenkontaktierung und einen Träger (4), wobei der Träger als eine Folie ausgebildet ist, eine mindestens einseitige und mindestens abschnittsweise elektrisch leitfähige Trägerbeschichtung (5) aufweist und die Halbleiterzellen mit der Trägerbeschichtung über eine anisotrop-leitfähige Klebstoffschicht (6) abschnittsweise verbunden und kontaktiert sind.
  8. Photovoltaikmodul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerbeschichtung (5) auf den Träger auflaminiert ist.
  9. Photovoltaikmodul nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die anisotrop-leitfähige Klebstoffschicht (6) als ein Klebefilm ausgebildet ist.
  10. Photovoltaikmodul nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterzellen (1), der Träger (4), die Trägerbeschichtung (5) und die anisotrop-leitfähige Klebstoffschicht (6) einen durch eine Laminierung (8) verkapselten Verbund bilden.
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