JP2004535676A - ＧａＮベースのキャップセグメント上にゲートコンタクトを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタおよびその製作方法 - Google Patents

ＧａＮベースのキャップセグメント上にゲートコンタクトを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタおよびその製作方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004535676A
JP2004535676A JP2003513045A JP2003513045A JP2004535676A JP 2004535676 A JP2004535676 A JP 2004535676A JP 2003513045 A JP2003513045 A JP 2003513045A JP 2003513045 A JP2003513045 A JP 2003513045A JP 2004535676 A JP2004535676 A JP 2004535676A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gan
segment
layer
ohmic contact
algan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003513045A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4445257B2 (ja
Inventor
ピーター スミス リチャード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of JP2004535676A publication Critical patent/JP2004535676A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4445257B2 publication Critical patent/JP4445257B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
    • H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）とＨＥＭＴを製作する方法を提供する。本発明の実施形態によるデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）チャネル層と、そのチャネル層上の窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）障壁層を含む。障壁層（１６）上には第１のオーム接触を設けてソース電極（１８）を形成し、障壁層（１６）上にはソース電極（１８）から間隔を空けて第２のオーム接触を設けることによりドレイン電極（２０）を形成する。障壁層（１６）上には、ソース電極（１８）とドレイン電極（２０）との間にＧａＮベースのキャップセグメント（３０）を設ける。ＧａＮベースのキャップセグメント（３０）は、ソース電極（１８）の隣にソース電極（１８）から間隔を空けて第１の側壁（３１）を有し、ドレイン電極（２０）の隣にドレイン電極（２０）から間隔を空けて第２の側壁（３２）を有してもよい。ＧａＮベースのキャップセグメント（３０）上には非オーム接触を設けてゲートコンタクト（２２）を形成する。ゲートコンタクト（２２）は、ＧａＮベースのキャップセグメント（３０）の第１の側壁（３１）と実質的に一直線に並んだ第１の側壁（２７）を有する。ゲートコンタクト（２２）は、ＧａＮベースのキャップセグメント（３０）の第１の側壁（３１）と第２の側壁（３２）との間の一部にのみ拡張する。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）に関し、より詳細には、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）／窒化ガリウム（ＧａＮ）ＨＥＭＴに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の分野では、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴデバイスが周知である。例えば、特許文献１および２には、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ構造およびその製造方法が記載されている。また、同一出願人による米国特許出願第０９／０９６，９６７号明細書、1998年6月12日出願、発明の名称「NITRIDE BASED TRANSISTORS ON SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE SUBSTRATES」には、改良型のＨＥＭＴ構造が開示されている。
【０００３】
図１に、典型的なＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ構造１１０を示す。ＧａＮチャネル層１１４は、基板１１２上のバッファ層１１３上に形成されている。ＡｌＧａＮ障壁層１１６は、ＧａＮチャネル層１１４上に形成されている。ソース電極１１８とドレイン電極１２０は、ＡｌＧａＮ層１１６の表面を通して、ＧａＮチャネル層１１４の最上部に存在する電子層へのオーム接触を形成する。従来のＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴでは、ゲート電極１２２が、ＡｌＧａＮ層１１６の表面への非オーム接触を形成する。
【０００４】
結晶格子中にアルミニウムが存在するので、ＡｌＧａＮは、ＧａＮよりも広いバンドギャップを有する。従って、1ＧａＮチャネル層１１４とＡｌＧａＮ障壁層１１６との界面は、ヘテロ構造を形成する。図２は、図１の断面Ａ−Ａ’の一部に沿った、デバイスのエネルギーレベルを示すバンド図である。図２に示すように、ＡｌＧａＮ障壁層１１６の伝導帯Ｅｃおよび価電子帯Ｅｖは、分極効果が原因で歪んでいる。その結果、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）のシート状電荷領域１１５が、ＧａＮチャネル層１１４とＡｌＧａＮ障壁層１１６とのヘテロ接合部に誘起される。一方、ＡｌＧａＮ障壁層１１６は、伝導帯の形状が原因で移動キャリアが失われる。図２に示すように、伝導帯Ｅｃは、ＡｌＧａＮ障壁層１１６のすぐ隣に接するＧａＮチャネル層１１４の領域で、フェルミ準位（Ｅｆ）よりも下に沈む。
【０００５】
２ＤＥＧシート状電荷領域１１５内の電子は、キャリア移動度が高いことを示す。この領域の伝導度は、ゲート電極１２２に電圧を印加することによって変化する。逆電圧を印加すると、シート状電荷領域１１５付近の伝導帯がフェルミ準位よりも高くなり、シート状電荷領域１１５の一部からキャリアが失われ、それによって、ソース１１８からドレイン１２０への電流の流れが妨げられる。
【０００６】
【特許文献１】
米国特許第５，１９２，９８７号明細書
【特許文献２】
米国特許第５，２９６，３９５号明細書
【非特許文献１】
E.T.Yu, et al “Shottky barrier engineering in III-V nitrides via the piezoelectric effect”, Appl. Phys. Lett. 73、1880（1998）
【非特許文献２】
S.T.Sheppard, W.L.Pribble, D.T.Emerson, Z.Ring, R.P.Smith, S.T.Allen, J.W.Palmour, “High Power Demonstration at 10 GHz with GaN/AlGaN HEMT Hybrid Amplifiers”, 58th Device Research Conference, Denver, CO, June 2000
【非特許文献３】
S.T.Sheppard, K.Doverspike, M.Leonard, W.L.Pribble, S.T.Allen, J.W.Palmour, “Improved 10-GHz Operation of GaN/AlGaN HEMTs on Silicon Carbide”, Mat. Sci. Forum, Vols.338-342（2000）, pp.1643-1646
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図１に示すように、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴは、典型的には、同一平面の金属接触と共に製作されている。すなわち、ソース１１８電極およびドレイン１２０電極に対するオーム接触は、ゲート電極１２２と同じエピタキシャル層（すなわち、ＡｌＧａＮ層１１６）上にある。オーム接触が低抵抗の非整流接触を材料にもたらすものであり、ゲートコンタクトが、大きい逆電圧で電流を阻止する非オーム接触であるとすると、同じエピタキシャル層上に３個の接触全てを形成することにより、これら特性を妥協させたものが得られる。言い換えれば、従来のＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴデバイスでは、ＡｌＧａＮ障壁層１１６のドーピングおよび組成を選択するにあたり、デバイスの設計に関して、一方ではソースとドレインのオーム接触の最適化、他方では非オーム・ゲートコンタクトの最適化という相反する事項がある。
【０００８】
さらに、ゲート電極１２２の下ではシート状電荷領域１１５にできる限り高い電流容量が得られるようにし、また一方ではゲートができる限り高い電圧で阻止できるように、考慮すべきである。従って、バンドの曲がりの量、すなわち電荷の量を変化させるために、ソースとゲートの間の領域、ゲートの下の領域、ゲートとドレインの間の領域には、差があることが有利と考えられる。バンドの曲がりを変化させることによって、シート状電荷領域１１５の電荷の量ならびにこのデバイス内に存在する電場が変化することになる。
【０００９】
従来のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）およびインジウムリン（ＩｎＰ）ベースのＨＥＭＴデバイスでは、追加のＧａＡｓまたはインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）層を、障壁層の表面に形成する。ソースおよびドレインコンタクトを、この追加の層に作製し、一方、ゲート電極を、障壁層の窪みに形成する。しかし、ＧａＮの最上面は一般に導電性ではなく、ゲートを障壁層の窪みに形成する利点がないので、この方法は、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ構造に適していない。
【００１０】
従って、当技術分野では、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ構造およびＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ構造の製作方法を改良することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の実施形態は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）およびＨＥＭＴを製作する方法を提供する。本発明の実施形態によるデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）チャネル層と、このチャネル層の上の窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）障壁層を含む。第１のオーム接触を、障壁層の上に設けてソース電極を形成し、第２のオーム接触を、この障壁層に設け、ソース電極とは間隔を空けた状態でドレイン電極を形成する。キャップセグメントを、障壁層の上のソース電極とドレイン電極との間に設ける。キャップセグメントは、ソース電極の隣にかつソース電極から離した状態で、第１の側壁を有する。またキャップセグメントは、ドレイン電極の隣にかつドレイン電極から離した状態で、第２の側壁を有することができる。非オーム接触を、キャップセグメント上に設けてゲートコンタクトを形成する。ゲートコンタクトは、キャップセグメントの第１の側壁と実質的に一直線に並んだ第１の側壁を有する。ゲートコンタクトは、キャップセグメントの第１の側壁と第２の側壁との間の一部にのみ拡張する。特定の実施形態では、キャップセグメントはＧａＮキャップセグメントである。
【００１２】
本発明の別の実施形態では、非オーム接触がＧａＮキャップセグメントの第１の側壁まで、その第１の側壁を越えないように拡張する。ＧａＮキャップセグメントは、その厚さが約１０Åから約６０Åとすることかできる。ＧａＮキャップセグメントは、非ドープ型のＧａＮでもよい。
【００１３】
本発明の特定の実施形態では、ソース電極とドレイン電極とは、約２μｍから約４μｍの距離だけ間隔を空けて配置されている。さらに、ＧａＮキャップセグメントの第１の側壁は、ソース電極のできる限り近くにあることが好ましく、例えばソース電極から約０μｍから約２μｍとすることかできる。ＧａＮキャップセグメントの第２の側壁は、ゲート電極から約０．５μｍから約１μｍとすることかできる。
【００１４】
本発明の追加の実施形態で、ＡｌＧａＮ障壁層は、アルミニウムが約１５％から約４０％の間である。ＡｌＧａＮ障壁層は、最高約４×１０18ｃｍ-3またはそれ以上の濃度でケイ素をドープしてもよく、全体のシート濃度が最高約５×１０12ｃｍ-2であることが好ましく、厚さは約１５ｎｍから約４０ｎｍとし、好ましくは約２５ｎｍである。
【００１５】
本発明のさらに別の実施形態では、ＧａＮチャネル層を基板上に設ける。基板は、炭化ケイ素やサファイアなどでよい。特定の実施形態では、基板は４Ｈ炭化ケイ素または６Ｈ炭化ケイ素である。さらに、ＧａＮバッファ層を、ＧａＮチャネル層と基板との間に配置することができる。
【００１６】
本発明のさらに別の実施形態では、ゲート電極は、Ｔ字形のゲート電極である。
【００１７】
本発明の方法の実施形態において、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を製作する方法は、基板上に第１の窒化ガリウム（ＧａＮ）層を形成し、第１のＧａＮ層上に窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層を形成することによって提供される。第２のＧａＮ層を、ＡｌＧａＮ層上にパターニングして、ＡｌＧａＮ層上にＧａＮセグメントを設け、ＡｌＧａＮ層の一部を露出させる。第１のオーム接触を、ＧａＮセグメントの隣にＧａＮセグメントから離した状態で、ＡｌＧａＮ層に形成して、ソース電極を設ける。第２のオーム接触を、ＧａＮセグメントの隣にＧａＮセグメントから離した状態で、かつ第１のオーム接触の反対側の、ＡｌＧａＮ層に形成する。このようにして、ＧａＮセグメントが第１のオーム接触と第２のオーム接触の間に配置されて、ドレイン電極が設けられるようにする。非オーム接触を、ＧａＮセグメント上にパターニングして、ゲートコンタクトを設ける。ゲートコンタクトは、ソースコンタクトに隣接するＧａＮセグメントの第１の側壁と実質的に一直線に並んだ第１の側壁を有する。ゲートコンタクトは、ＧａＮセグメントの第１の側壁と、ドレインコンタクトに隣接する側のＧａＮセグメントの第２の側壁との間の一部にのみ拡張する。
【００１８】
本発明の別の実施形態で、第２のＧａＮ層のパターニングおよび非オーム接触のパターニングは、第２のＧａＮ層をＡｌＧａＮ層上に形成し、非オーム接触を第２のＧａＮ層上に形成し、非オーム接触と第２のＧａＮ層をパターニングしてＧａＮセグメントおよびゲートコンタクトを設けることにより提供される。このようなパターニングは、ソースコンタクトに隣接する側の非オーム接触およびＧａＮセグメントの側壁と、ドレインコンタクトに隣接する側のＧａＮセグメントの側壁とが画定されるように、非オーム接触および第２のＧａＮ層の一部を覆うマスクを形成し、非オーム接触および第２のＧａＮ層をエッチングしてＡｌＧａＮ層の一部を露出させることにより、提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に本発明について、本発明の好ましい実施形態が示されている添付図面を参照しながら、より十分に以下に述べる。しかしながら本発明は、多くの種々の形に具体化することができ、本明細書に示す実施形態に限定されると解釈すべきではない。むしろこれらの実施形態は、この開示が徹底して完全になるように、また本発明の範囲が当業者に十分伝えられるように、提供される。図に示すように、層または領域のサイズは例示を目的として誇張されており、従って一般的な構造または本発明を例示するために提供される。全体を通して同様の符号は同様の要素を指す。層や領域、基板などの要素が別の要素の「上」にあると言う場合、層や領域、基板などの要素は他の要素の直上にあるかまたは他の要素との間に介在する要素を存在させてもよいことが理解されよう。逆に、要素が別の要素の「直上」にあると言う場合は、その間に介在する要素が存在しない。
【００２０】
上述のように、平衡条件下では、高い電子濃度が、埋め込まれたＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面に現れることが周知である。このように高い電子濃度は、高キャリア移動度の２次元電子ガス（２ＤＥＧ）を形成することができ、これをＨＥＭＴデバイス構造で有利に活用することができる。さらに、このような構造のＡｌＧａＮ障壁層上にＧａＮキャップを付加すると、この構造の最上面へのまたは最上面からの電子伝導に対する障壁のサイズを増大させることができる。しかし、表面電位が両方の場合（すなわちキャップがある場合とない場合）で同じであると考えると、ＧａＮキャップの存在は、２ＤＥＧ伝導層中の電子濃度を低下させる可能性がある。
【００２１】
ＧａＮ／ＡｌＧａＮ／ＧａＮ構造上にＨＥＭＴを製作できることがＹｕ他によって提示されているが、そのような構造のゲート性能に関する改善点は、ＧａＮキャップの下にある伝導層の低キャリア濃度に起因したチャネル抵抗の増加によって、相殺されると考えられる（例えば、非特許文献１参照）。
【００２２】
本発明の実施形態は、改善されたＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴデバイスおよびそのようなデバイスを製作する方法を提供する。本発明の特定の実施形態では、低抵抗のソースコンタクトおよびドレインコンタクト、デバイスを流れる電流、ゲートコンタクトの阻止能力のトレードオフを、ＡｌＧａＮ障壁層上にＧａＮキャップセグメントを設け、キャップセグメント上に非オーム接触を設けてゲートコンタクトを形成することにより、少なくすることができまたは回避することができる。別の実施形態では、ゲートコンタクトおよびキャップセグメントを、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ構造に低い内部電場が得られるように配置し、それによって、より高い動作電圧および電力レベルを得ることができる。従って本発明の実施形態は、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ／ＧａＮ構造に関するゲート性能の改善点と共にＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ構造に見られる低い接触抵抗という利益をもたらすことができる。
【００２３】
図３は、本発明の実施形態にかかるデバイス１１を示す。デバイス１１は、基板１２と、基板１２上の任意選択のバッファ層１３を含む。基板１２は、炭化ケイ素、サファイア、シリコン、バルク窒化ガリウム、または窒化物ベースの電子デバイスを支持するのに適した任意のその他の基板でよい。好ましくは、基板は、半絶縁性の４Ｈ炭化ケイ素（０００１）または６Ｈ−ＳｉＣ（０００１）である。バルクＧａＮ以外の基板では、任意選択のバッファ層１３は、高品質の窒化ガリウムを成長させることができる表面が得られる。バッファ層１３の組成および製作は、使用した基板の種類によって異なる。適切なバッファ層は、当技術分野で周知であり、さらに述べる必要はない。ＧａＮチャネル層１４を、バッファ層１３が存在する場合にはバッファ層１３上に設け、バッファ層１３が存在しない場合には基板１２上に設ける。チャネル層１４およびその後に設けられるＧａＮベース層は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、および／または任意のその他の適切な成長技法によって形成することができる。チャネル層１４は、非ドープ型であることが好ましいが、シート状電荷領域１５内の電子濃度、またはシート状電荷領域の下の領域における伝導帯Ｅｃおよび価電子帯Ｅｖの振舞いを変化させるために、様々な物質をドープしてもよい。
【００２４】
ＡｌＧａＮ障壁層１６を、ＧａＮチャネル層１４上に設け、それにより、チャネル層１４と障壁層１６との間にヘテロ接合１５を形成する。ＡｌＧａＮ障壁層１６は、好ましくはそのアルミニウム組成が１５％から６０％の間であり、最高約４×１０18ｃｍ-3のドーピング濃度でケイ素をドープして、全体のシート濃度を最高約５×１０12ｃｍ-2またはそれ以上にする。障壁層１６は、その厚さが約１５ｎｍから４０ｎｍの間でよく、好ましくは約２５ｎｍの厚さである。
【００２５】
上述のように、接合部１５はＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ障壁であるので、２次元電子ガスが接合部１５付近に形成される。オーム性のソース１８電極およびドレイン２０電極を、ＡｌＧａＮ障壁層１６の表面に設ける。ソース１８電極およびドレイン２０電極は、Ｔｉ／Ｓｉ／Ｎｉ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ、またはｎ型ＡｌＧａＮへのオーム接触を形成する任意のその他の適切な材料でよい。ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴデバイスに適したオーム接触は、例えば、非特許文献２および３参照に記載されている。ソース電極１８とドレイン電極２０の間の距離は、典型的には、約２〜４μｍでよい。
【００２６】
図３にさらに示すように、薄いＧａＮベースのキャップセグメント３０好ましくはＧａＮを、ＡｌＧａＮ層１６の表面の、ソース電極１８とドレイン電極２０との間に設ける。キャップセグメント３０は、好ましくは、その厚さが約１０〜６０Åの間であり、非ドープ型であることが好ましい。キャップセグメント３０は、窒化ガリウムで形成することが好ましいが、その他の適切な材料を利用してもよい。例えば、チャネル層からの距離に伴ってアルミニウムのパーセンテージが減少するように、アルミニウムの含量が徐々に変化しまたは減少したＡｌＧａＮ層を利用してよい。このようなＡｌＧａＮ層は、キャップセグメント３０が得られるように、例えばエッチングによって形成することができる。本明細書で使用するＧａＮベースという用語は、ガリウムおよび窒素を有する材料を指し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮが含まれる。
【００２７】
ゲート電極２２を、キャップセグメント３０上に設ける。ゲート電極２２は、白金、ニッケル、あるいはｎ型または「真性」ＧａＮへの非オーム接触を形成する任意のその他の適切な金属で形成することが好ましい。ゲート電極２２は、Ｔ字形のゲート構成に追加の金属層でキャップすることができ、または特定の実施形態では、Ｔ字形のゲートを１プロセスステップで形成することもできる。Ｔ字形のゲート構成は、ＲＦおよびマイクロ波デバイスに特に適している。
【００２８】
ＡｌＧａＮまたはＧａＮのガリウムまたはアルミニウム面に成長させたＧａＮ／ＡｌＧａＮ構造での分極効果により、ゲート電極２２の下の伝導に対する障壁は、大幅に高められる。従って、ゲート漏れを低減させ、または最小限に抑えることができる。
【００２９】
好ましくは、キャップセグメント３０のソース側の側壁３１は、ゲート電極２２のソース側の側壁２７と実質的に一直線に並ぶ。キャップセグメント３０が存在すると、その下の２ＤＥＧ領域１５のキャリア濃度が低下するので、ソース電極１８とゲート電極２２の間に十分に拡張されたキャップセグメント３０を有することは望ましくないと考えられる。その結果として抵抗が増す可能性があるからである。従って、キャップセグメント３０は、製造上の制約に照らして妥当であるように短い距離だけソース電極１８から離して設けることが好ましい。従って、約０μｍから約２μｍの距離が適しており、従来のマスキングおよび製作技法では、例えば約０．３μｍから約１．５μｍの距離が可能である。逆に言えば、キャップセグメント３０のドレイン側の側壁３２は、ゲート電極２２のドレイン側の側壁２８から所定の距離だけ、好ましくは約０．５から約１μｍだけ延ばして設けることが有利と考えられる。従って、キャップセグメント３０のドレイン側の側壁３２は、ドレイン電極２０から約０μｍから約３μｍの距離まで拡張することができる。ドレイン側の側壁３２からドレイン電極２０までの距離が０μｍである場合、ドレイン側の側壁３２はないが、キャップセグメント３０は、ドレイン電極２０の下まで拡張させることができる。しかし、このような構造は好ましくないと考えられる。従って、本発明の好ましい実施形態では、ドレイン側壁３２からドレイン電極２０までの距離が約０．５μｍ以上である。
【００３０】
ゲート電極２２の下にキャップセグメント３０が存在する場合、ゲート下の２ＤＥＧ領域１５のキャリア濃度に対してキャップセグメント３０が及ぼす影響を埋め合わせるようにゲートバイアスを調節することができるので、デバイスの動作に悪影響を与えないですむ。動作中、電子は、ソース電極１８から２ＤＥＧ領域１５を通ってドレイン電極２０に流れる。特定のいかなる論理にも拘泥するものではないが、ゲート電極２２とドレイン電極２０の間の２ＤＥＧ領域上にキャップセグメント３０を存在させた場合、デバイスの伝導度は、ゲート電極２２とドレイン電極２０の間の２ＤＥＧ領域１５の一部の平衡電子濃度に支配されないので、デバイスの動作に悪影響を及ぼさないと考えられる。実際、ゲート電極２６のドレイン側の側壁２８から所定の距離だけ延ばしてキャップセグメント３０を設けると、デバイスの内部電場を低減させることによってデバイス性能を改善することができ、従って、より高い電圧および電力レベルでの動作が可能になる。ＦＥＴ内の降伏電圧は、通常、ゲートコンタクトのドレイン側に生じて電子なだれおよびその他の望ましくないゲートを通る電流を誘発する可能性のある最大内部電場によって制限される。キャップセグメントをドレイン方向に拡張することにより、分極効果から生ずるキャップ下の電荷の総量が減少する。このようなトランジスタに関するポアソン方程式を解くと、ゲートの下にありドレイン方向に向かう領域内の電荷が少ないトランジスタは、所与の想定される最大許容電場においてより高いバイアスで動作できることが示される。
【００３１】
図３は、本発明の実施形態を個別デバイスとして示すが、当業者に理解されるように、図３は、複数のセルを有するデバイスのユニットセルと考えることができる。従って、例えば図３に示すデバイスの周辺の垂直軸（図３に示すデバイスの垂直縁）を中心として鏡映させることによって、図３に示すデバイスに追加のユニットセルを組み込むことができる。従って、本発明の実施形態は、図３に示すようなデバイス、ならびに図３に示すキャップセグメントおよびゲートコンタクトを組み込んだ複数のユニットセルを有するデバイスを含む。
【００３２】
ＧａＮキャップセグメントを利用する本発明にかかるＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴの製造方法を図４Ａから４Ｃに示し、これらは任意選択で、基板１２上にバッファ層１３を形成することを含む。ＧａＮチャネル層１４を、バッファ層１３上に形成し、ＡｌＧａＮ障壁層１６を、このチャネル層に形成する。薄いＧａＮキャップ層３０’を、障壁層１６上に形成する。これらの層は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、および／または当業者に知られている任意のその他の適切な方法によって形成することができる。
【００３３】
ＧａＮキャップ層３０’をパターニングして、ゲート電極用のＧａＮキャップセグメント３０を設ける。例えば図４Ａに示すように、エッチングマスク４０をＧａＮキャップ層３０’上に形成し、例えば従来のエッチングプロセスを使用することによってＧａＮキャップ層３０’の一部を障壁層１６まで除去し、図４Ｂに示すようにＧａＮキャップセグメント３０を残す。また、選択エピタキシャル成長などのその他の技法を使用してもよい。
【００３４】
図４Ｃに示すように、従来の技法を使用して、ソース電極１８およびドレイン電極２０を、障壁層１６の露出部分に形成する。ゲート電極２２を、ＧａＮセグメント３０上に形成する。図４Ａから４Ｃに示す実施形態では、従来のフォトリソグラフィ技法およびマスクアライメントツールを使用して、ゲートコンタクトのソース側の側壁を、ＧａＮキャップセグメント３０のソース側の側壁と一直線に並べる。図４Ａから４Ｃに示す実施形態では、ゲート電極２２は、ＧａＮキャップセグメント３０のソース側の側壁に自己整合しない。従ってゲート電極２２は、図５Ａおよび５Ｂにそれぞれ示されるように、ソース側またはドレイン側がアライメント不良になる可能性がある。アライメント不良がわずかであればデバイスの動作に悪影響を及ぼさないが、アライメント不良が深刻なものであると、デバイスに害を及ぼす可能性がある。従って、ゲート電極２２のソース側の側壁は、図４Ｃに示すようにＧａＮキャップセグメント３０のソース側と一直線に並べることが好ましい。しかしながら、ゲート電極２２のソース側の側壁は、図５Ａおよび５Ｂに示すようにＧａＮキャップセグメント３０のソース側の側壁と実質的に一直線に並べてよく、それでも本発明の教示によって利益を得ることができる。従って、本明細書で使用する実質的なアライメントまたは実質的に一直線に並べるという文言は、アライメント不良を含んでよいアライメントの範囲を指す。
【００３５】
本発明の実施形態によるデバイスの別の製造方法を、図６Ａから６Ｃに示す。これらの実施形態では、ＧａＮキャップセグメント３０のソース側の側壁が、ゲート電極２２のソース側の側壁に自己整合する。
【００３６】
図６Ａを参照すると、バッファ層１３を、任意選択で基板１２上に形成する。ＧａＮチャネル層１４を、ＧａＮバッファ層１３または基板１２上に形成し、ＡｌＧａＮ障壁層１６を、ＧａＮチャネル層１４上に形成する。上述のように、薄いＧａＮキャップ層３０’を、ＡｌＧａＮ障壁層１６上に形成する。ゲート金属２２’を、ＧａＮキャップ層３０’上に形成し、ゲート金属２２’を、部分的にパターニングして、ゲート電極２２のドレイン側の側壁が得られるように、かつゲート電極２２のソース側の側壁を越えて拡張するゲート金属２２’の一部が得られるようにする。エッチングマスク４４を、ＧａＮキャップ層３０’上に配置し、このマスクは、ゲート電極２２およびＧａＮキャップセグメント３０のソース側の側壁とＧａＮキャップセグメント３０のドレイン側の側壁とが画定されるように、ゲート金属２２’に部分的に重なっている。
【００３７】
図６Ｂに示すように、ＧａＮキャップ層３０’の露出部分をエッチング除去し、ゲート電極２２の側壁に自己整合したＧａＮキャップセグメント３０の一方の側壁を残して、ＡｌＧａＮ障壁層１６の一部を露出させる。その後、マスク４４を除去する。図６Ｃに示すように、ソース電極１８およびドレイン電極２０を、ＡｌＧａＮ障壁層１６の露出部分に形成し、このデバイスの残りの部分を従来の手法で加工する。
【００３８】
本発明の実施形態について、特定の作業順序を参照しながら述べてきたが、当業者に理解されるように、本発明の教示による利益を依然として受けながら、この順序におけるある特定の操作を再度繰り返すことができる。さらに、本発明の教示による利益を依然として受けながら、ある特定の操作を単一の操作と組み合わせることができ、または複数の操作に分けることができる。従って、本発明は、本明細書で述べた作業順序そのものに厳密に限定するものと解釈すべきではない。
【００３９】
図面および明細書では、本発明の典型的な好ましい実施形態を開示しており、特定の用語を使用しているが、それらは一般的かつ記述的な意味合いでのみ使用しており、添付の特許請求の範囲で述べた本発明の範囲を限定することを目的とするものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来のＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴデバイスを示す断面図である。
【図２】従来のＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴデバイス中に存在するバンドエネルギーを示す概略図である。
【図３】本発明の実施形態にかかるＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴデバイスを示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態にかかるデバイスの製作方法の態様を示す図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態にかかるデバイスの製作方法の態様を示す図である。
【図４Ｃ】本発明の実施形態にかかるデバイスの製作方法の態様を示す図である。
【図５Ａ】可能性あるゲート電極のアライメント不良を示す図である。
【図５Ｂ】可能性あるゲート電極のアライメント不良を示す図である。
【図６Ａ】本発明の追加の実施形態にかかるデバイスの製作方法の態様を示す図である。
【図６Ｂ】本発明の追加の実施形態にかかるデバイスの製作方法の態様を示す図である。
【図６Ｃ】本発明の追加の実施形態にかかるデバイスの製作方法の態様を示す図である。

Claims (44)

  1. 窒化ガリウム（ＧａＮ）チャネル層と、
    該チャネル層上の窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）障壁層と、
    前記障壁層上に設けられ、ソース電極を提供する第１のオーム接触と、
    前記障壁層上の前記ソース電極から間隔を空けて設けられ、ドレイン電極を提供する第２のオーム接触と、
    前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記障壁層上のＧａＮベースのキャップセグメントであって、アルミニウムの濃度が前記障壁層よりも低く、前記ソース電極の隣にかつ前記ソース電極から間隔を空けて設けられた第１の側壁を有するＧａＮベースのキャップセグメントと、
    ゲートコンタクトを提供する前記ＧａＮキャップセグメント上の非オーム接触であって、前記ゲートコンタクトは、前記ＧａＮキャップセグメントの第１の側壁と実質的に一直線に並ぶ第１の側壁を有し、前記ゲートコンタクトは、前記ＧａＮキャップセグメントの第１の側壁と第２の側壁との間の一部にのみ拡張されている非オーム接触と
    を備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。
  2. 前記ＧａＮベースのキャップセグメントは、前記ドレイン電極の隣にかつ前記ドレイン電極から間隔を空けて設けられた第２の側壁を有することを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
  3. 前記ＧａＮベースのキャップセグメントは、ＧａＮキャップセグメントを含むことを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
  4. 前記非オーム接触は、前記ＧａＮキャップセグメントの前記第１の側壁まで拡張されるが、前記ＧａＮキャップセグメントの前記第１の側壁を越えないことを特徴とする請求項３に記載のＨＥＭＴ。
  5. 前記ＧａＮキャップセグメントは、厚さ約１０Åから約６０Åであることを特徴とする請求項３に記載のＨＥＭＴ。
  6. 前記ＧａＮキャップセグメントは、非ドープ型のＧａＮを含むことを特徴とする請求項５に記載のＨＥＭＴ。
  7. 前記ソース電極と前記ドレイン電極は、約２μｍから約４μｍの距離だけ間隔を空けて設けられていることを特徴とする請求項２に記載のＨＥＭＴ。
  8. 前記ＧａＮキャップセグメントの前記第１の側壁は、前記ソース電極から約２μｍ未満にあることを特徴とする請求項３に記載のＨＥＭＴ。
  9. 前記ＧａＮキャップセグメントの前記第１の側壁は、前記ソース電極から約０．３μｍから約１．５μｍにあることを特徴とする請求項８に記載のＨＥＭＴ。
  10. 前記ＧａＮキャップセグメントの前記第２の側壁は、前記ゲート電極から約０．５μｍから約１μｍにあることを特徴とする請求項２に記載のＨＥＭＴ。
  11. 前記ＡｌＧａＮ障壁層は、アルミニウムを約１５％から約６０％含むことを特徴とする請求項３に記載のＨＥＭＴ。
  12. 前記ＡｌＧａＮ障壁層は、全体のシート濃度が最高約５×１０12ｃｍ-2になるように、ケイ素がドープされていることを特徴とする請求項１１に記載のＨＥＭＴ。
  13. 前記ＡｌＧａＮ障壁層は、厚さ約１５ｎｍから約４０ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載のＨＥＭＴ。
  14. 前記ＡｌＧａＮ障壁層は、厚さ約２５ｎｍであることを特徴とする請求項１３に記載のＨＥＭＴ。
  15. 基板をさらに含み、前記ＧａＮチャネル層が前記基板上にあることを特徴とする請求項３に記載のＨＥＭＴ。
  16. 前記基板は、炭化ケイ素を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＨＥＭＴ。
  17. 前記基板は、サファイアを含むことを特徴とする請求項１５に記載のＨＥＭＴ。
  18. 前記基板は、４Ｈ炭化ケイ素および６Ｈ炭化ケイ素の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＨＥＭＴ。
  19. 前記ＧａＮチャネル層と前記基板との間に配置されたＧａＮバッファ層をさらに備えたことを特徴とする請求項１５に記載のＨＥＭＴ。
  20. 前記ゲート電極は、Ｔ字形のゲート電極を含むことを特徴とする請求項１に記載のＨＥＭＴ。
  21. 基板上に第１の窒化ガリウム（ＧａＮ）層を形成すること、
    該第１のＧａＮ層上に窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層を形成すること、
    該ＡｌＧａＮ層上にＧａＮベースのセグメントを形成し、前記ＧａＮベースのセグメントは、アルミニウム濃度が前記ＡｌＧａＮ層よりも低いこと、
    前記ＧａＮセグメントの隣にかつ前記ＧａＮセグメントから間隔を空けて、前記ＡｌＧａＮ層への第１のオーム接触を形成し、ソース電極を提供すること、
    前記ＧａＮセグメントの隣にかつ前記ＧａＮセグメントから間隔を空けて、前記第１のオーム接触の反対側に、前記ＡｌＧａＮ層への第２のオーム接触を形成し、前記ＧａＮセグメントは、前記第１のオーム接触と前記第２のオーム接触の間に配置され、ドレイン電極を提供すること、および、
    前記ＧａＮセグメント上に非オーム接触を形成してゲートコンタクトを提供し、前記ゲートコンタクトは、前記ソースコンタクトの隣に前記ＧａＮセグメントの第１の側壁と実質的に一直線に並んだ第１の側壁を有し、前記ゲートコンタクトは、前記第１の側壁と前記第２のオーム接触との間の一部にのみ拡張されていること
    を備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を製作する方法。
  22. 前記非オーム接触は、前記ＧａＮセグメントの前記第１の側壁と、前記ドレインコンタクトの隣の前記ＧａＮセグメントの第２の側壁との間の一部にのみ拡張されていることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
  23. 前記ＧａＮベースのセグメントを形成することは、前記ＡｌＧａＮ層上にＧａＮセグメントを形成することを含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
  24. 前記ＧａＮセグメントを形成し非オーム接触を形成することは、
    前記ＡｌＧａＮ層上に第２のＧａＮ層を形成すること、
    該第２のＧａＮ層上に非オーム接触を形成すること、および、
    前記非オーム接触および前記第２のＧａＮ層をパターニングして、前記ＧａＮセグメントおよび前記ゲートコンタクトを提供すること
    を含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  25. 前記非オーム接触および前記第２のＧａＮ層をパターニングすることは、
    前記非オーム接触および前記第２のＧａＮ層上にマスクを形成し、前記ソースコンタクトの隣に前記非オーム接触および前記ＧａＮセグメントの側壁を画定し、かつ前記ドレインコンタクトの隣に前記ＧａＮセグメントの側壁を画定するように、前記マスクは、前記非オーム接触および前記第２のＧａＮ層の一部を覆うこと、および、
    前記非オーム接触および前記第２のＧａＮ層をエッチングして、前記ＡｌＧａＮ層の一部を露出させること
    を含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
  26. 前記ＧａＮセグメントは、約１０Åから約６０Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  27. 前記ＧａＮセグメントは、非ドープ型のＧａＮを含むことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
  28. 前記第１のオーム接触を形成しおよび前記第２のオーム接触を形成することは、約２μｍから約４μｍの距離だけ間隔を空けた第１のオーム接触および第２のオーム接触を形成することを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  29. 前記第１のオーム接触は、前記ＧａＮセグメントから約２μｍ未満の距離で形成されることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  30. 前記第１のオーム接触は、前記ＧａＮセグメントから約０．３μｍから約１．５μｍの距離で形成されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
  31. 前記非オーム接触は、前記非オーム接触の側壁が前記ＧａＮセグメントの前記第２の側壁から約０．５μｍから約１μｍになるように、パターニングされることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  32. 前記ＡｌＧａＮ層を形成することは、アルミニウムが約１５％から約６０％の間であるＡｌＧａＮ層を形成することを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  33. 前記ＡｌＧａＮ層を形成することは、全体のシート濃度が最高約５×１０12ｃｍ-2になるようにケイ素がドープされたＡｌＧａＮ層を形成することを含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
  34. 前記ＡｌＧａＮ層を形成することは、ＡｌＧａＮ層を約１５ｎｍから約４０ｎｍの厚さに形成することをさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
  35. 前記ＡｌＧａＮ層を形成することは、ＡｌＧａＮ層を約２５ｎｍの厚さに形成することを含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
  36. 前記基板は、炭化ケイ素を含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  37. 前記基板は、サファイアを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  38. 前記基板は、４Ｈ炭化ケイ素と６Ｈ炭化ケイ素の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  39. 前記第１のＧａＮ層と前記基板との間に配置された第３のＧａＮ層を形成することをさらに備えたことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  40. 前記非オーム接触上に金属層を形成してＴ字形のゲートを設けることをさらに備えたことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
  41. 窒化ガリウム（ＧａＮ）チャネル層と、
    窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）障壁層と、
    ソースコンタクトおよびドレインコンタクトを提供する前記ＡｌＧａＮ障壁層上のオーム接触と、
    前記ソースコンタクトと前記ドレインコンタクトの間に配置された非オーム・ゲートコンタクトと、
    前記非オーム接触および前記ＡｌＧａＮ障壁層に動作可能に関連付けられ、前記オーム接触の抵抗を低下させかつ前記ゲートコンタクトのブロッキング電圧を上昇させるための手段を持たないデバイスと比較して、前記オーム接触の抵抗を低下させかつ前記ゲートコンタクトのブロッキング電圧を上昇させる手段と
    を備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）。
  42. 前記オーム接触の抵抗を低下させかつ前記ゲートコンタクトのブロッキング電圧を上昇させるための手段は、前記ゲートコンタクトと前記ＡｌＧａＮ障壁層との間にＧａＮのセグメントを含み、前記ＧａＮのセグメントは、前記ソースコンタクトの隣の前記ＧａＮのセグメントの一部の上に前記ゲートコンタクトを有し、前記ＧａＮのセグメントは、前記ゲートコンタクトを越えて前記ドレインコンタクトに向かって拡張されていることを特徴とする請求項４１に記載のＨＥＭＴ。
  43. 前記ゲートコンタクトは、前記ソース電極の隣にあり、前記ソース電極から間隔を空けて配置された前記ＧａＮのセグメントの側壁まで拡張されるが、前記ＧａＮのセグメントの側壁を越えないことを特徴とする請求項４２に記載のＨＥＭＴ。
  44. 前記ＧａＮのセグメントは、約０．５μｍから約１μｍの距離に拡張されることを特徴とする請求項４２に記載のＨＥＭＴ。
JP2003513045A 2001-07-12 2002-03-26 ＧａＮベースのキャップセグメント上にゲートコンタクトを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタおよびその製作方法 Expired - Lifetime JP4445257B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/904,333 US6548333B2 (en) 2000-12-01 2001-07-12 Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment
PCT/US2002/009398 WO2003007383A2 (en) 2001-07-12 2002-03-26 Algan/gan hemts having a gate contact on a gan based cap segment and methods of fabricating same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004535676A true JP2004535676A (ja) 2004-11-25
JP4445257B2 JP4445257B2 (ja) 2010-04-07

Family

ID=25418958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003513045A Expired - Lifetime JP4445257B2 (ja) 2001-07-12 2002-03-26 ＧａＮベースのキャップセグメント上にゲートコンタクトを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタおよびその製作方法

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6548333B2 (ja)
EP (1) EP1405349B1 (ja)
JP (1) JP4445257B2 (ja)
KR (1) KR100933277B1 (ja)
CN (1) CN100429786C (ja)
AU (1) AU2002255935A1 (ja)
CA (1) CA2453318C (ja)
TW (1) TW577127B (ja)
WO (1) WO2003007383A2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005136001A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置及びその製造方法
KR100808344B1 (ko) * 2005-04-26 2008-02-27 샤프 가부시키가이샤 전계 효과 트랜지스터
JP2008227501A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Cree Inc 窒化物ベースのトランジスタのための窒化アルミニウムを含むキャップ層およびその作製方法
JP2011097102A (ja) * 2011-01-31 2011-05-12 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置
JP2013032287A (ja) * 2005-12-02 2013-02-14 Crystal Is Inc ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
JP2014515562A (ja) * 2011-06-03 2014-06-30 レイセオン カンパニー 金フリー・オーミックコンタクト

Families Citing this family (265)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6639255B2 (en) * 1999-12-08 2003-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. GaN-based HFET having a surface-leakage reducing cap layer
ATE359602T1 (de) * 2000-06-02 2007-05-15 Microgan Gmbh Heterostruktur mit rückseitiger donatordotierung
AU2001279163A1 (en) * 2000-08-04 2002-02-18 The Regents Of The University Of California Method of controlling stress in gallium nitride films deposited on substrates
US6649287B2 (en) * 2000-12-14 2003-11-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods
KR100450740B1 (ko) * 2001-10-26 2004-10-01 학교법인 포항공과대학교 헤테로접합형 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
US7030428B2 (en) * 2001-12-03 2006-04-18 Cree, Inc. Strain balanced nitride heterojunction transistors
US7638346B2 (en) 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US20060005763A1 (en) 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
CA2483403A1 (en) * 2002-04-30 2003-11-13 Jeffrey S. Flynn High voltage switching devices and process for forming same
US6982204B2 (en) * 2002-07-16 2006-01-03 Cree, Inc. Nitride-based transistors and methods of fabrication thereof using non-etched contact recesses
US6933181B2 (en) * 2002-07-17 2005-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
DE10256911B4 (de) * 2002-11-30 2008-02-07 Azzurro Semiconductors Ag Gruppe-III-Nitrid Transistorbauelement auf Siliziumsubstrat
US8089097B2 (en) * 2002-12-27 2012-01-03 Momentive Performance Materials Inc. Homoepitaxial gallium-nitride-based electronic devices and method for producing same
TWI230978B (en) * 2003-01-17 2005-04-11 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor device and the manufacturing method thereof
US7112860B2 (en) * 2003-03-03 2006-09-26 Cree, Inc. Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices
US7898047B2 (en) 2003-03-03 2011-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices
JP3940699B2 (ja) * 2003-05-16 2007-07-04 株式会社東芝 電力用半導体素子
WO2005060007A1 (en) * 2003-08-05 2005-06-30 Nitronex Corporation Gallium nitride material transistors and methods associated with the same
EP2592655B1 (en) * 2003-09-09 2019-11-06 The Regents of The University of California Fabrication of single or multiple gate field plates
US7501669B2 (en) 2003-09-09 2009-03-10 Cree, Inc. Wide bandgap transistor devices with field plates
US7071498B2 (en) * 2003-12-17 2006-07-04 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same
US20050145851A1 (en) * 2003-12-17 2005-07-07 Nitronex Corporation Gallium nitride material structures including isolation regions and methods
US7045404B2 (en) * 2004-01-16 2006-05-16 Cree, Inc. Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof
US7901994B2 (en) 2004-01-16 2011-03-08 Cree, Inc. Methods of manufacturing group III nitride semiconductor devices with silicon nitride layers
US7033912B2 (en) 2004-01-22 2006-04-25 Cree, Inc. Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods
US7612390B2 (en) * 2004-02-05 2009-11-03 Cree, Inc. Heterojunction transistors including energy barriers
US7170111B2 (en) * 2004-02-05 2007-01-30 Cree, Inc. Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same
JP4041075B2 (ja) * 2004-02-27 2008-01-30 株式会社東芝 半導体装置
US7550783B2 (en) 2004-05-11 2009-06-23 Cree, Inc. Wide bandgap HEMTs with source connected field plates
US7573078B2 (en) 2004-05-11 2009-08-11 Cree, Inc. Wide bandgap transistors with multiple field plates
US9773877B2 (en) 2004-05-13 2017-09-26 Cree, Inc. Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates
US7432142B2 (en) * 2004-05-20 2008-10-07 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions
US7084441B2 (en) * 2004-05-20 2006-08-01 Cree, Inc. Semiconductor devices having a hybrid channel layer, current aperture transistors and methods of fabricating same
US7332795B2 (en) * 2004-05-22 2008-02-19 Cree, Inc. Dielectric passivation for semiconductor devices
US7361946B2 (en) * 2004-06-28 2008-04-22 Nitronex Corporation Semiconductor device-based sensors
US7339205B2 (en) * 2004-06-28 2008-03-04 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods associated with the same
US7687827B2 (en) * 2004-07-07 2010-03-30 Nitronex Corporation III-nitride materials including low dislocation densities and methods associated with the same
JP4744109B2 (ja) 2004-07-20 2011-08-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
US7238560B2 (en) * 2004-07-23 2007-07-03 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors with a cap layer and a recessed gate
US20060017064A1 (en) * 2004-07-26 2006-01-26 Saxler Adam W Nitride-based transistors having laterally grown active region and methods of fabricating same
JP2006086354A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Toshiba Corp 窒化物系半導体装置
US7294324B2 (en) * 2004-09-21 2007-11-13 Cree, Inc. Low basal plane dislocation bulk grown SiC wafers
JP2008519441A (ja) * 2004-10-28 2008-06-05 ニトロネックス コーポレイション 窒化ガリウム材料を用いるモノリシックマイクロ波集積回路
US7456443B2 (en) 2004-11-23 2008-11-25 Cree, Inc. Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region
US7247889B2 (en) 2004-12-03 2007-07-24 Nitronex Corporation III-nitride material structures including silicon substrates
US7161194B2 (en) * 2004-12-06 2007-01-09 Cree, Inc. High power density and/or linearity transistors
US7355215B2 (en) * 2004-12-06 2008-04-08 Cree, Inc. Field effect transistors (FETs) having multi-watt output power at millimeter-wave frequencies
US9640649B2 (en) * 2004-12-30 2017-05-02 Infineon Technologies Americas Corp. III-nitride power semiconductor with a field relaxation feature
US7236053B2 (en) 2004-12-31 2007-06-26 Cree, Inc. High efficiency switch-mode power amplifier
US11791385B2 (en) * 2005-03-11 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Wide bandgap transistors with gate-source field plates
US7465967B2 (en) 2005-03-15 2008-12-16 Cree, Inc. Group III nitride field effect transistors (FETS) capable of withstanding high temperature reverse bias test conditions
US7459718B2 (en) * 2005-03-23 2008-12-02 Nichia Corporation Field effect transistor
JP2006269862A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置形成用ウエハ、その製造方法、および電界効果型トランジスタ
US7422634B2 (en) * 2005-04-07 2008-09-09 Cree, Inc. Three inch silicon carbide wafer with low warp, bow, and TTV
US8575651B2 (en) * 2005-04-11 2013-11-05 Cree, Inc. Devices having thick semi-insulating epitaxial gallium nitride layer
US7626217B2 (en) * 2005-04-11 2009-12-01 Cree, Inc. Composite substrates of conductive and insulating or semi-insulating group III-nitrides for group III-nitride devices
US7544963B2 (en) * 2005-04-29 2009-06-09 Cree, Inc. Binary group III-nitride based high electron mobility transistors
US7615774B2 (en) * 2005-04-29 2009-11-10 Cree.Inc. Aluminum free group III-nitride based high electron mobility transistors
US7365374B2 (en) 2005-05-03 2008-04-29 Nitronex Corporation Gallium nitride material structures including substrates and methods associated with the same
JP4792814B2 (ja) * 2005-05-26 2011-10-12 住友電気工業株式会社 高電子移動度トランジスタ、電界効果トランジスタ、エピタキシャル基板、エピタキシャル基板を作製する方法およびｉｉｉ族窒化物系トランジスタを作製する方法
JP4705412B2 (ja) * 2005-06-06 2011-06-22 パナソニック株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US7405430B2 (en) * 2005-06-10 2008-07-29 Cree, Inc. Highly uniform group III nitride epitaxial layers on 100 millimeter diameter silicon carbide substrates
US9331192B2 (en) * 2005-06-29 2016-05-03 Cree, Inc. Low dislocation density group III nitride layers on silicon carbide substrates and methods of making the same
US20070018198A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Brandes George R High electron mobility electronic device structures comprising native substrates and methods for making the same
US20070018199A1 (en) 2005-07-20 2007-01-25 Cree, Inc. Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer
WO2008027027A2 (en) 2005-09-07 2008-03-06 Cree, Inc Transistor with fluorine treatment
CN101326642A (zh) * 2005-10-04 2008-12-17 尼特罗奈克斯公司 用于宽带应用的氮化镓材料晶体管及方法
US20090233414A1 (en) * 2005-10-20 2009-09-17 Shah Pankaj B Method for fabricating group III-nitride high electron mobility transistors (HEMTs)
CN101415864B (zh) 2005-11-28 2014-01-08 晶体公司 具有减少缺陷的大的氮化铝晶体及其制造方法
EP1969635B1 (en) * 2005-12-02 2017-07-19 Infineon Technologies Americas Corp. Gallium nitride material devices and associated methods
US7566913B2 (en) 2005-12-02 2009-07-28 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices including conductive regions and methods associated with the same
US7368971B2 (en) * 2005-12-06 2008-05-06 Cree, Inc. High power, high frequency switch circuits using strings of power transistors
US7419892B2 (en) 2005-12-13 2008-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions and protective layers and methods of forming the same
JP2009522812A (ja) * 2006-01-09 2009-06-11 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション 電界緩和機能を有するｉｉｉ族窒化物電力半導体
US7592211B2 (en) * 2006-01-17 2009-09-22 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including supported gate electrodes
US7709269B2 (en) * 2006-01-17 2010-05-04 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including dielectrically-supported gate electrodes
JP4705482B2 (ja) * 2006-01-27 2011-06-22 パナソニック株式会社 トランジスタ
US7566918B2 (en) * 2006-02-23 2009-07-28 Cree, Inc. Nitride based transistors for millimeter wave operation
US7388236B2 (en) * 2006-03-29 2008-06-17 Cree, Inc. High efficiency and/or high power density wide bandgap transistors
US9034103B2 (en) 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
JP5362187B2 (ja) * 2006-03-30 2013-12-11 日本碍子株式会社 半導体素子
JP2007294769A (ja) 2006-04-26 2007-11-08 Toshiba Corp 窒化物半導体素子
US9040398B2 (en) * 2006-05-16 2015-05-26 Cree, Inc. Method of fabricating seminconductor devices including self aligned refractory contacts
US7728402B2 (en) * 2006-08-01 2010-06-01 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown
US8432012B2 (en) 2006-08-01 2013-04-30 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same
US20080035143A1 (en) * 2006-08-14 2008-02-14 Sievers Robert E Human-powered dry powder inhaler and dry powder inhaler compositions
EP2052414B1 (en) 2006-08-17 2016-03-30 Cree, Inc. High power insulated gate bipolar transistors
US8823057B2 (en) 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
US7662698B2 (en) * 2006-11-07 2010-02-16 Raytheon Company Transistor having field plate
JP5105160B2 (ja) 2006-11-13 2012-12-19 クリー インコーポレイテッド トランジスタ
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
CN107059116B (zh) 2007-01-17 2019-12-31 晶体公司 引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少
JP5730484B2 (ja) 2007-01-26 2015-06-10 クリスタル アイエス インコーポレイテッド 厚みのある擬似格子整合型の窒化物エピタキシャル層
US8080833B2 (en) 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8835987B2 (en) 2007-02-27 2014-09-16 Cree, Inc. Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers
US8174051B2 (en) * 2007-06-26 2012-05-08 International Rectifier Corporation III-nitride power device
US7745848B1 (en) 2007-08-15 2010-06-29 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and thermal designs thereof
US20090072269A1 (en) * 2007-09-17 2009-03-19 Chang Soo Suh Gallium nitride diodes and integrated components
US7800132B2 (en) * 2007-10-25 2010-09-21 Northrop Grumman Systems Corporation High electron mobility transistor semiconductor device having field mitigating plate and fabrication method thereof
US9024327B2 (en) * 2007-12-14 2015-05-05 Cree, Inc. Metallization structure for high power microelectronic devices
US8026581B2 (en) * 2008-02-05 2011-09-27 International Rectifier Corporation Gallium nitride material devices including diamond regions and methods associated with the same
US8519438B2 (en) 2008-04-23 2013-08-27 Transphorm Inc. Enhancement mode III-N HEMTs
US8343824B2 (en) * 2008-04-29 2013-01-01 International Rectifier Corporation Gallium nitride material processing and related device structures
US7936212B2 (en) * 2008-05-09 2011-05-03 Cree, Inc. Progressive power generating amplifiers
US8232558B2 (en) 2008-05-21 2012-07-31 Cree, Inc. Junction barrier Schottky diodes with current surge capability
US7764120B2 (en) * 2008-08-19 2010-07-27 Cree, Inc. Integrated circuit with parallel sets of transistor amplifiers having different turn on power levels
US8289065B2 (en) 2008-09-23 2012-10-16 Transphorm Inc. Inductive load power switching circuits
US8759876B2 (en) * 2008-10-06 2014-06-24 Massachusetts Institute Of Technology Enhancement-mode nitride transistor
KR101046144B1 (ko) * 2008-10-21 2011-07-01 삼성엘이디 주식회사 질화갈륨막 제조방법 및 질화계 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
WO2010064706A1 (ja) * 2008-12-04 2010-06-10 日本電気株式会社 半導体装置
US7898004B2 (en) 2008-12-10 2011-03-01 Transphorm Inc. Semiconductor heterostructure diodes
US20100219452A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Brierley Steven K GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) STRUCTURES
KR101666910B1 (ko) * 2009-04-08 2016-10-17 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 증가형 ＧａＮ ＨＥＭＴ 장치 및 그 제조 방법
US8294507B2 (en) 2009-05-08 2012-10-23 Cree, Inc. Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits
US8742459B2 (en) * 2009-05-14 2014-06-03 Transphorm Inc. High voltage III-nitride semiconductor devices
US8629509B2 (en) * 2009-06-02 2014-01-14 Cree, Inc. High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter
US8193848B2 (en) 2009-06-02 2012-06-05 Cree, Inc. Power switching devices having controllable surge current capabilities
US8541787B2 (en) * 2009-07-15 2013-09-24 Cree, Inc. High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability
US8105889B2 (en) 2009-07-27 2012-01-31 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including self-aligned gate electrodes and source/drain regions
CA2769940C (en) 2009-08-04 2016-04-26 Gan Systems Inc. Island matrixed gallium nitride microwave and power switching transistors
US9818857B2 (en) 2009-08-04 2017-11-14 Gan Systems Inc. Fault tolerant design for large area nitride semiconductor devices
US9029866B2 (en) 2009-08-04 2015-05-12 Gan Systems Inc. Gallium nitride power devices using island topography
EP2464760A4 (en) * 2009-08-12 2013-08-28 Univ Georgia State Res Found HIGH PRESSURE CVP DEVICES, METHODS AND COMPOSITIONS MANUFACTURED THEREWITH
US8390000B2 (en) 2009-08-28 2013-03-05 Transphorm Inc. Semiconductor devices with field plates
US8354690B2 (en) 2009-08-31 2013-01-15 Cree, Inc. Solid-state pinch off thyristor circuits
US9312343B2 (en) * 2009-10-13 2016-04-12 Cree, Inc. Transistors with semiconductor interconnection layers and semiconductor channel layers of different semiconductor materials
US8216924B2 (en) * 2009-10-16 2012-07-10 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors using laser annealing of source/drain regions
US8389977B2 (en) 2009-12-10 2013-03-05 Transphorm Inc. Reverse side engineered III-nitride devices
US9548206B2 (en) 2010-02-11 2017-01-17 Cree, Inc. Ohmic contact structure for group III nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features
US9214352B2 (en) 2010-02-11 2015-12-15 Cree, Inc. Ohmic contact to semiconductor device
US8563372B2 (en) * 2010-02-11 2013-10-22 Cree, Inc. Methods of forming contact structures including alternating metal and silicon layers and related devices
US20110210377A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Infineon Technologies Austria Ag Nitride semiconductor device
KR101774933B1 (ko) * 2010-03-02 2017-09-06 삼성전자 주식회사 듀얼 디플리션을 나타내는 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
US9117739B2 (en) 2010-03-08 2015-08-25 Cree, Inc. Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same
US8791508B2 (en) 2010-04-13 2014-07-29 Gan Systems Inc. High density gallium nitride devices using island topology
US8415671B2 (en) 2010-04-16 2013-04-09 Cree, Inc. Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices
KR20110122525A (ko) * 2010-05-04 2011-11-10 삼성전자주식회사 Ｌｄｄ 영역을 갖는 고 전자 이동도 트랜지스터(ｈｅｍｔ) 및 그 제조방법
US8829999B2 (en) 2010-05-20 2014-09-09 Cree, Inc. Low noise amplifiers including group III nitride based high electron mobility transistors
JP5806734B2 (ja) 2010-06-30 2015-11-10 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 熱勾配制御による窒化アルミニウム大単結晶成長
JP5857212B2 (ja) * 2010-09-15 2016-02-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｄｃ／ｄｃコンバータ
JP5781292B2 (ja) * 2010-11-16 2015-09-16 ローム株式会社 窒化物半導体素子および窒化物半導体パッケージ
KR101204580B1 (ko) * 2010-12-09 2012-11-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
US8742460B2 (en) 2010-12-15 2014-06-03 Transphorm Inc. Transistors with isolation regions
JP5758132B2 (ja) * 2011-01-26 2015-08-05 株式会社東芝 半導体素子
US8643062B2 (en) 2011-02-02 2014-02-04 Transphorm Inc. III-N device structures and methods
US8946780B2 (en) * 2011-03-01 2015-02-03 National Semiconductor Corporation Ohmic contact schemes for group III-V devices having a two-dimensional electron gas layer
US8772842B2 (en) 2011-03-04 2014-07-08 Transphorm, Inc. Semiconductor diodes with low reverse bias currents
US8716141B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Transphorm Inc. Electrode configurations for semiconductor devices
US9142662B2 (en) 2011-05-06 2015-09-22 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9029945B2 (en) 2011-05-06 2015-05-12 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
US8901604B2 (en) 2011-09-06 2014-12-02 Transphorm Inc. Semiconductor devices with guard rings
US9640617B2 (en) 2011-09-11 2017-05-02 Cree, Inc. High performance power module
US8618582B2 (en) 2011-09-11 2013-12-31 Cree, Inc. Edge termination structure employing recesses for edge termination elements
US9373617B2 (en) 2011-09-11 2016-06-21 Cree, Inc. High current, low switching loss SiC power module
US8680587B2 (en) 2011-09-11 2014-03-25 Cree, Inc. Schottky diode
EP2754177A1 (en) 2011-09-11 2014-07-16 Cree, Inc. High current density power module comprising transistors with improved layout
US8664665B2 (en) 2011-09-11 2014-03-04 Cree, Inc. Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array
US9257547B2 (en) 2011-09-13 2016-02-09 Transphorm Inc. III-N device structures having a non-insulating substrate
JP6017125B2 (ja) * 2011-09-16 2016-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013074070A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR101843192B1 (ko) 2011-09-30 2018-03-29 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
US8598937B2 (en) 2011-10-07 2013-12-03 Transphorm Inc. High power semiconductor electronic components with increased reliability
US20130099284A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Triquint Semiconductor, Inc. Group iii-nitride metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors
KR101890749B1 (ko) 2011-10-27 2018-08-23 삼성전자주식회사 전극구조체, 이를 포함하는 질화갈륨계 반도체소자 및 이들의 제조방법
US9165766B2 (en) 2012-02-03 2015-10-20 Transphorm Inc. Buffer layer structures suited for III-nitride devices with foreign substrates
US9093366B2 (en) 2012-04-09 2015-07-28 Transphorm Inc. N-polar III-nitride transistors
US9184275B2 (en) 2012-06-27 2015-11-10 Transphorm Inc. Semiconductor devices with integrated hole collectors
CN103681830B (zh) * 2012-09-11 2019-01-29 中国科学院微电子研究所 双沟道晶体管及其制备方法
KR101922122B1 (ko) 2012-09-28 2018-11-26 삼성전자주식회사 노멀리 오프 고전자이동도 트랜지스터
CN102856373B (zh) * 2012-09-29 2015-04-01 电子科技大学 高电子迁移率晶体管
US9425276B2 (en) * 2013-01-21 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High electron mobility transistors
CN105164811B (zh) 2013-02-15 2018-08-31 创世舫电子有限公司 半导体器件的电极及其形成方法
US9087718B2 (en) 2013-03-13 2015-07-21 Transphorm Inc. Enhancement-mode III-nitride devices
US9245993B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Transphorm Inc. Carbon doping semiconductor devices
EP2973664B1 (en) 2013-03-15 2020-10-14 Crystal Is, Inc. Ultraviolet light-emitting device and method of forming a contact to an ultraviolet light-emitting device
US9847411B2 (en) 2013-06-09 2017-12-19 Cree, Inc. Recessed field plate transistor structures
US9755059B2 (en) 2013-06-09 2017-09-05 Cree, Inc. Cascode structures with GaN cap layers
US9679981B2 (en) 2013-06-09 2017-06-13 Cree, Inc. Cascode structures for GaN HEMTs
US9407214B2 (en) 2013-06-28 2016-08-02 Cree, Inc. MMIC power amplifier
TWI503969B (zh) * 2013-07-11 2015-10-11 Univ Asia 高電子遷移率電晶體及其製造方法
US9443938B2 (en) 2013-07-19 2016-09-13 Transphorm Inc. III-nitride transistor including a p-type depleting layer
TWI500916B (zh) * 2014-03-07 2015-09-21 Nat Univ Tsing Hua 黏度感測系統、黏度感測方法以及電晶體式黏度感測器
US9318593B2 (en) 2014-07-21 2016-04-19 Transphorm Inc. Forming enhancement mode III-nitride devices
US9536967B2 (en) 2014-12-16 2017-01-03 Transphorm Inc. Recessed ohmic contacts in a III-N device
US9536966B2 (en) 2014-12-16 2017-01-03 Transphorm Inc. Gate structures for III-N devices
CN104900529B (zh) * 2015-04-23 2018-02-06 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构
US10283631B2 (en) 2015-05-12 2019-05-07 Delta Electronics, Inc. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9583607B2 (en) 2015-07-17 2017-02-28 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Semiconductor device with multiple-functional barrier layer
US9876102B2 (en) 2015-07-17 2018-01-23 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Semiconductor device with multiple carrier channels
US9704705B2 (en) 2015-09-08 2017-07-11 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation via reaction with active species
US9627473B2 (en) 2015-09-08 2017-04-18 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation in III-nitride material semiconductor structures
US9773898B2 (en) 2015-09-08 2017-09-26 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. III-nitride semiconductor structures comprising spatially patterned implanted species
US9806182B2 (en) 2015-09-08 2017-10-31 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation using elemental diboride diffusion barrier regions
US9799520B2 (en) 2015-09-08 2017-10-24 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation via back side implantation
US20170069721A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation using silicon carbide diffusion barrier regions
US9673281B2 (en) 2015-09-08 2017-06-06 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation using rare-earth oxide and/or rare-earth nitride diffusion barrier regions
US10211294B2 (en) 2015-09-08 2019-02-19 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. III-nitride semiconductor structures comprising low atomic mass species
US10520193B2 (en) 2015-10-28 2019-12-31 General Electric Company Cooling patch for hot gas path components
CN108604597B (zh) 2016-01-15 2021-09-17 创世舫电子有限公司 具有al(1-x)sixo栅极绝缘体的增强模式iii-氮化物器件
US9947616B2 (en) 2016-03-17 2018-04-17 Cree, Inc. High power MMIC devices having bypassed gate transistors
US9786660B1 (en) 2016-03-17 2017-10-10 Cree, Inc. Transistor with bypassed gate structure field
US10128365B2 (en) 2016-03-17 2018-11-13 Cree, Inc. Bypassed gate transistors having improved stability
WO2017210323A1 (en) 2016-05-31 2017-12-07 Transphorm Inc. Iii-nitride devices including a graded depleting layer
US10354879B2 (en) 2016-06-24 2019-07-16 Cree, Inc. Depletion mode semiconductor devices including current dependent resistance
DE102017210711A1 (de) * 2016-06-27 2017-12-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterbauelement
CN106783962A (zh) * 2017-01-11 2017-05-31 西安电子科技大学 一种p‑GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
CN106876457B (zh) * 2017-01-11 2020-08-21 西安电子科技大学 一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
CN106783961A (zh) * 2017-01-11 2017-05-31 西安电子科技大学 一种具有部分P型GaN帽层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
CN106876458B (zh) * 2017-01-11 2020-08-21 西安电子科技大学 一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
CN106783960A (zh) * 2017-01-11 2017-05-31 西安电子科技大学 一种阶梯p‑GaN增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
CN106783963A (zh) * 2017-01-11 2017-05-31 西安电子科技大学 一种具有部分本征GaN帽层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
US10854718B2 (en) 2017-02-21 2020-12-01 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming a semiconductor device
US10615273B2 (en) 2017-06-21 2020-04-07 Cree, Inc. Semiconductor devices having a plurality of unit cell transistors that have smoothed turn-on behavior and improved linearity
US10268789B1 (en) 2017-10-03 2019-04-23 Cree, Inc. Transistor amplifiers having node splitting for loop stability and related methods
WO2019160598A1 (en) * 2018-02-14 2019-08-22 Hrl Laboratories, Llc HIGHLY SCALED LINEAR GaN HEMT STRUCTURES
TWI676237B (zh) * 2018-05-02 2019-11-01 世界先進積體電路股份有限公司 半導體結構、高電子遷移率電晶體及半導體結構製造方法
US10453947B1 (en) 2018-06-12 2019-10-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Semiconductor structure and high electron mobility transistor with a substrate having a pit, and methods for fabricating semiconductor structure
CN108899367A (zh) * 2018-06-29 2018-11-27 江苏能华微电子科技发展有限公司 一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基hemt器件
US10763334B2 (en) 2018-07-11 2020-09-01 Cree, Inc. Drain and/or gate interconnect and finger structure
US10483352B1 (en) * 2018-07-11 2019-11-19 Cree, Inc. High power transistor with interior-fed gate fingers
US11038023B2 (en) 2018-07-19 2021-06-15 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. III-nitride material semiconductor structures on conductive silicon substrates
US10600746B2 (en) 2018-07-19 2020-03-24 Cree, Inc. Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having gaps and/or isolation structures between groups of unit cell transistors
JP7021034B2 (ja) * 2018-09-18 2022-02-16 株式会社東芝 半導体装置
TWI692867B (zh) 2018-10-04 2020-05-01 新唐科技股份有限公司 高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
WO2020106537A1 (en) 2018-11-19 2020-05-28 Cree, Inc. Semiconductor devices having a plurality of unit cell transistors that have smoothed turn-on behavior and improved linearity
US10770415B2 (en) 2018-12-04 2020-09-08 Cree, Inc. Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation
US11476359B2 (en) 2019-03-18 2022-10-18 Wolfspeed, Inc. Structures for reducing electron concentration and process for reducing electron concentration
US11417746B2 (en) 2019-04-24 2022-08-16 Wolfspeed, Inc. High power transistor with interior-fed fingers
US10923585B2 (en) 2019-06-13 2021-02-16 Cree, Inc. High electron mobility transistors having improved contact spacing and/or improved contact vias
US10971612B2 (en) 2019-06-13 2021-04-06 Cree, Inc. High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability
US11075271B2 (en) 2019-10-14 2021-07-27 Cree, Inc. Stepped field plates with proximity to conduction channel and related fabrication methods
US11569182B2 (en) 2019-10-22 2023-01-31 Analog Devices, Inc. Aluminum-based gallium nitride integrated circuits
US11356070B2 (en) 2020-06-01 2022-06-07 Wolfspeed, Inc. RF amplifiers having shielded transmission line structures
US11837457B2 (en) 2020-09-11 2023-12-05 Wolfspeed, Inc. Packaging for RF transistor amplifiers
US20210313293A1 (en) 2020-04-03 2021-10-07 Cree, Inc. Rf amplifier devices and methods of manufacturing
US11670605B2 (en) 2020-04-03 2023-06-06 Wolfspeed, Inc. RF amplifier devices including interconnect structures and methods of manufacturing
KR20220158261A (ko) 2020-04-03 2022-11-30 울프스피드, 인크. 소스, 게이트 및/또는 드레인 도전성 비아들을 갖는 iii족 질화물계 라디오 주파수 트랜지스터 증폭기들
US11837559B2 (en) 2020-04-03 2023-12-05 Wolfspeed, Inc. Group III nitride-based radio frequency amplifiers having back side source, gate and/or drain terminals
US11769768B2 (en) 2020-06-01 2023-09-26 Wolfspeed, Inc. Methods for pillar connection on frontside and passive device integration on backside of die
US11228287B2 (en) 2020-06-17 2022-01-18 Cree, Inc. Multi-stage decoupling networks integrated with on-package impedance matching networks for RF power amplifiers
US11533025B2 (en) 2020-06-18 2022-12-20 Wolfspeed, Inc. Integrated doherty amplifier with added isolation between the carrier and the peaking transistors
CN111682065B (zh) 2020-06-19 2023-04-18 英诺赛科（珠海）科技有限公司 具有非对称栅极结构的半导体器件
US11533024B2 (en) 2020-06-25 2022-12-20 Wolfspeed, Inc. Multi-zone radio frequency transistor amplifiers
US11581859B2 (en) 2020-06-26 2023-02-14 Wolfspeed, Inc. Radio frequency (RF) transistor amplifier packages with improved isolation and lead configurations
US11887945B2 (en) 2020-09-30 2024-01-30 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device with isolation and/or protection structures
US11742302B2 (en) 2020-10-23 2023-08-29 Wolfspeed, Inc. Electronic device packages with internal moisture barriers
CN112470289B (zh) * 2020-10-28 2023-07-21 英诺赛科(苏州)科技有限公司 半导体装置和其制造方法
US20220139852A1 (en) 2020-10-30 2022-05-05 Cree, Inc. Transistor packages with improved die attach
US20220157671A1 (en) 2020-11-13 2022-05-19 Cree, Inc. Packaged rf power device with pcb routing
US11978790B2 (en) 2020-12-01 2024-05-07 Texas Instruments Incorporated Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate
US11791389B2 (en) 2021-01-08 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Radio frequency transistor amplifiers having widened and/or asymmetric source/drain regions for improved on-resistance performance
US20220376104A1 (en) 2021-05-20 2022-11-24 Cree, Inc. Transistors including semiconductor surface modification and related fabrication methods
US20220376085A1 (en) 2021-05-20 2022-11-24 Cree, Inc. Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance
US11842937B2 (en) 2021-07-30 2023-12-12 Wolfspeed, Inc. Encapsulation stack for improved humidity performance and related fabrication methods
US20230075505A1 (en) 2021-09-03 2023-03-09 Wolfspeed, Inc. Metal pillar connection topologies for heterogeneous packaging
US20230078017A1 (en) 2021-09-16 2023-03-16 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device incorporating a substrate recess
WO2023056145A1 (en) 2021-10-01 2023-04-06 Wolfspeed, Inc. Bypassed gate transistors having improved stability
US20230291367A1 (en) 2022-03-08 2023-09-14 Wolfspeed, Inc. Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits having multi-layer metal-insulator-metal capacitors
US20230395695A1 (en) 2022-06-07 2023-12-07 Wolfspeed, Inc. Method for reducing parasitic capacitance and increasing peak transconductance while maintaining on-state resistance and related devices
US20240106397A1 (en) 2022-09-23 2024-03-28 Wolfspeed, Inc. Transistor amplifier with pcb routing and surface mounted transistor die
US20240105824A1 (en) 2022-09-23 2024-03-28 Wolfspeed, Inc. Barrier Structure for Sub-100 Nanometer Gate Length Devices
US20240105823A1 (en) 2022-09-23 2024-03-28 Wolfspeed, Inc. Barrier Structure for Dispersion Reduction in Transistor Devices

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2465317A2 (fr) 1979-03-28 1981-03-20 Thomson Csf Transistor a effet de champ a frequence de coupure elevee
CA1145482A (en) * 1979-12-28 1983-04-26 Takashi Mimura High electron mobility single heterojunction semiconductor device
JPH088350B2 (ja) * 1985-04-08 1996-01-29 日本電気株式会社 半導体装置
US4788156A (en) * 1986-09-24 1988-11-29 Microwave Technology, Inc. Subchannel doping to reduce short-gate effects in field effect transistors
US5411914A (en) 1988-02-19 1995-05-02 Massachusetts Institute Of Technology III-V based integrated circuits having low temperature growth buffer or passivation layers
US5192987A (en) 1991-05-17 1993-03-09 Apa Optics, Inc. High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions
DE69202554T2 (de) * 1991-12-25 1995-10-19 Nec Corp Tunneltransistor und dessen Herstellungsverfahren.
JPH05275463A (ja) 1992-03-30 1993-10-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH06267991A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
EP0710984B1 (en) * 1994-11-02 2001-08-08 Trw Inc. Method of fabricating monolithic multifunction integrated circuit devices
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US6002148A (en) * 1995-06-30 1999-12-14 Motorola, Inc. Silicon carbide transistor and method
DE19600116C2 (de) * 1996-01-03 2001-03-15 Siemens Ag Doppelheterostruktur-HEMT
JPH1050982A (ja) 1996-07-31 1998-02-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置
US6448648B1 (en) * 1997-03-27 2002-09-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Metalization of electronic semiconductor devices
JPH10335637A (ja) 1997-05-30 1998-12-18 Sony Corp ヘテロ接合電界効果トランジスタ
JP3372470B2 (ja) 1998-01-20 2003-02-04 シャープ株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置
US6316793B1 (en) * 1998-06-12 2001-11-13 Cree, Inc. Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates
JP3209270B2 (ja) * 1999-01-29 2001-09-17 日本電気株式会社 ヘテロ接合電界効果トランジスタ
US6639255B2 (en) 1999-12-08 2003-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. GaN-based HFET having a surface-leakage reducing cap layer
JP4592938B2 (ja) * 1999-12-08 2010-12-08 パナソニック株式会社 半導体装置
JP3393602B2 (ja) 2000-01-13 2003-04-07 松下電器産業株式会社 半導体装置
US6586781B2 (en) 2000-02-04 2003-07-01 Cree Lighting Company Group III nitride based FETs and HEMTs with reduced trapping and method for producing the same
JP4022708B2 (ja) * 2000-06-29 2007-12-19 日本電気株式会社 半導体装置
US6515316B1 (en) * 2000-07-14 2003-02-04 Trw Inc. Partially relaxed channel HEMT device
US7030428B2 (en) 2001-12-03 2006-04-18 Cree, Inc. Strain balanced nitride heterojunction transistors
US9696798B2 (en) 2014-04-09 2017-07-04 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Eye gaze direction indicator

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005136001A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置及びその製造方法
KR100808344B1 (ko) * 2005-04-26 2008-02-27 샤프 가부시키가이샤 전계 효과 트랜지스터
JP2013032287A (ja) * 2005-12-02 2013-02-14 Crystal Is Inc ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
JP2013155112A (ja) * 2005-12-02 2013-08-15 Crystal Is Inc ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
JP2008227501A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Cree Inc 窒化物ベースのトランジスタのための窒化アルミニウムを含むキャップ層およびその作製方法
JP2011097102A (ja) * 2011-01-31 2011-05-12 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置
JP2014515562A (ja) * 2011-06-03 2014-06-30 レイセオン カンパニー 金フリー・オーミックコンタクト

Also Published As

Publication number Publication date
KR100933277B1 (ko) 2009-12-22
WO2003007383A2 (en) 2003-01-23
CN1554121A (zh) 2004-12-08
CN100429786C (zh) 2008-10-29
EP1405349B1 (en) 2012-08-08
KR20040013136A (ko) 2004-02-11
WO2003007383A3 (en) 2003-04-17
US6548333B2 (en) 2003-04-15
US20020066908A1 (en) 2002-06-06
CA2453318C (en) 2014-06-10
AU2002255935A1 (en) 2003-01-29
EP1405349A2 (en) 2004-04-07
US6777278B2 (en) 2004-08-17
CA2453318A1 (en) 2003-01-23
JP4445257B2 (ja) 2010-04-07
US20030157776A1 (en) 2003-08-21
TW577127B (en) 2004-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4445257B2 (ja) ＧａＮベースのキャップセグメント上にゲートコンタクトを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタおよびその製作方法
US9837518B2 (en) Semiconductor device
US9035354B2 (en) Heterojunction transistors having barrier layer bandgaps greater than channel layer bandgaps and related methods
TWI798689B (zh) 半導體裝置
JP5084262B2 (ja) 半導体装置
EP2339634B1 (en) GaN based FET and method for producing the same
JP6732131B2 (ja) 半導体デバイス及び半導体デバイスを設計する方法
US20120292665A1 (en) High performance multigate transistor
US8759876B2 (en) Enhancement-mode nitride transistor
WO2009110254A1 (ja) 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US20130032860A1 (en) HFET with low access resistance
KR20070032701A (ko) 재성장된 오믹 콘택 영역을 갖는 질화물계 트랜지스터의제조방법 및 재성장된 오믹 콘택 영역을 갖는 질화물계트랜지스터
JP2013172152A (ja) セグメント化ゲートを有するパワートランジスタ
CN108352408B (zh) 半导体装置、电子部件、电子设备以及半导体装置的制造方法
KR102568798B1 (ko) 고전자 이동도 트랜지스터
US12002879B2 (en) High electron mobility transistor and method of manufacturing the same
US20210005741A1 (en) Nitride semiconductor apparatus and manufacturing method thereof
JP6047998B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081010

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090501

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090729

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091225

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100115

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4445257

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term