KR20040013136A - ＧａＮ계 캡 세그먼트 상에 게이트 콘택을 구비한ＡｌＧａＮ/ＧａＮ ＨＥＭＴ 및 그 제조방법 - Google Patents

ＧａＮ계 캡 세그먼트 상에 게이트 콘택을 구비한ＡｌＧａＮ/ＧａＮ ＨＥＭＴ 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040013136A
KR20040013136A KR10-2004-7000318A KR20047000318A KR20040013136A KR 20040013136 A KR20040013136 A KR 20040013136A KR 20047000318 A KR20047000318 A KR 20047000318A KR 20040013136 A KR20040013136 A KR 20040013136A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gan
layer
segment
algan
hemt
Prior art date
Application number
KR10-2004-7000318A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100933277B1 (ko
Inventor
스미쓰리차드피터
Original Assignee
크리 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 크리 인코포레이티드 filed Critical 크리 인코포레이티드
Publication of KR20040013136A publication Critical patent/KR20040013136A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100933277B1 publication Critical patent/KR100933277B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
    • H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

고 전자이동도 트랜지스터(HEMT) 및 제조방법이 제공된다. 본 발명의 실시예들에 따른 소자들은 갈륨 나이트라이드(GaN) 채널층과 채널층 상의 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) 배리어층을 포함한다. 배리어층(16) 상에 제1 오믹 콘택이 제공되어 소스 전극(18)이 형성되고, 제2 오믹 콘택도 소스 전극(18)과 이격되게 제공되어 드레인 전극(20)이 형성된다. 소스 전극(18)과 드레인 전극(20) 사이의 배리어층(16) 상에 GaN계 캡 세그먼트(30)가 제공된다. GaN계 캡 세그먼트(30)는 소스 전극(18)과 이격되어 인접한 제1 측벽(31)을 가지고 드레인 전극(20)과 이격되어 인접한 제2 측벽(32)을 가질 수 있다. GaN계 캡 세그먼트(30) 상에 비-오믹 콘택이 제공되어 게이트 콘택(22)이 형성된다. 게이트 콘택(22)은 GaN계 캡 세그먼트(30)의 제1 측벽(31)과 실질적으로 정렬된 제1 측벽(27)을 가진다. 게이트 콘택(22)은 GaN계 캡 세그먼트(30)의 제1 측벽(31)과 제2 측벽(32) 사이의 거리 중 일부에만 신장되어 있다.

Description

ＧａＮ계 캡 세그먼트 상에 게이트 콘택을 구비한 ＡｌＧａＮ/ＧａＮ ＨＥＭＴ 및 그 제조방법{AlGaN/GaN HEMTs having a gate contact on a GaN based cap segment and methods of fabricating same}
(관련 출원)
본 출원은 2000년 12월 1일에 출원된 "AlGaN/GaN HEMT with Improved Gate Barrier Layer and Low Access Resistance"란 제목의 미국 임시출원 제60/250,755호와 관련이 있고 그로부터의 우선권을 주장하며, 그 개시 내용은 본 명세서에 충분히 개시된 것처럼 원용되어 통합된다.
(정부 권리에 대한 진술)
본 발명은 적어도 부분적으로는 Office of Naval Research Contract No. N00014-99-C-0657 하에서 개발되었다. 정부는 본 발명에서 일정한 권리를 가진다.
AlGaN/GaN HEMT(고 전자이동도 트랜지스터) 소자는 반도체 분야에 잘 알려져 있다. 미국 특허 제5,192,987호와 제5,296,395호는 AlGaN/GaN HEMT 구조 및 그 제조방법에 관해 기술한다. 개선된 HEMT 구조는 1998년 6월 12일에 출원되고 "Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates"로 명명된 공동 양도의 미국 출원 제09/096,967호에 개시되어 있으며, 이 출원은 본 명세서에 원용되어 통합된다.
일반적인 AlGaN/GaN HEMT 구조(110)가 도 1에 도시되어 있다. 기판(112) 상의 버퍼층(113) 위에 GaN 채널층(114)이 형성되어 있다. AlGaN 배리어층(116)이 GaN 채널층(114) 상에 형성되어 있다. 소스 전극(118)과 드레인 전극(120)이 AlGaN층(116)의 표면을 통해 GaN 채널층(114) 최상층 표면에 위치하는 전자층과 오믹 접촉하고 있다. 종래 AlGaN/GaN HEMT에서, 게이트 전극(122)은 AlGaN층(116)의 표면과 비-오믹 접촉을 형성한다.
결정 격자 안에 알루미늄이 존재하기 때문에, AlGaN은 GaN보다 넓은 밴드갭을 가진다. 따라서, GaN 채널층(114)과 AlGaN 배리어층(116) 사이의 계면은 이종 구조(heterostructure)를 형성한다. 도 2는 도 1의 A-A' 단면을 따라 소자 안의 에너지 레벨을 보여주는 밴드 다이어그램이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 분극 효과 때문에 AlGaN 배리어층(116) 안의 전도대 Ec와 가전자대 Ev가 왜곡되어 있다. 그 결과, 이차원 전자 가스(two dimensional electron gas : 2DEG) 면전하 영역(115)이 GaN 채널층(114)과 AlGaN 배리어층(116) 사이의 이종 접합에 유도되고, AlGaN 배리어층(116)은 전도대 모양 때문에 움직일 수 있는 캐리어가 공핍된다. 도 2에 도시한 바와 같이, AlGaN 배리어층(116)에 바로 인접한 GaN 채널층(114) 영역에서 전도대 Ec가 페르미 레벨(Ef)보다 낮다.
2DEG 면전하 영역(115)의 전자는 높은 캐리어 이동도를 보인다. 이 영역의 전도도는 게이트 전극(122)에 전압을 가하여 조절한다. 역방향 전압이 인가되면 면전하 영역(115) 부근의 전도대가 페르미 레벨보다 높아지고 면전하 영역(115)의 일부는 캐리어가 공핍되어, 소스(118)에서 드레인(120)으로 전류가 흐르는 것을 방지한다.
도 1에 도시한 바와 같이, AlGaN/GaN HEMT는 일반적으로 동일 평면에 위치하는(coplanar) 금속 전극을 구비하도록 제조되고 있다. 즉, 소스 전극(118) 및 드레인 전극(120)을 위한 오믹 콘택이 게이트 전극(122)과 동일 에피택셜층(다시 말해, AlGaN층(116)) 상에 위치한다. 오믹 콘택이 저저항과 물질에 대한 비정류 접촉을 제공하기 위한 것이고 게이트 전극이 높은 역방향 전압에서 전류를 차단하는 비-오믹 콘택을 위한 것일 때, 모든 콘택을 동일 에피택셜층 상에 형성하는 것은 이러한 특성간의 절충을 초래할 수 있다. 다르게 말하면, 종래 AlGaN/GaN HEMT 소자에서는 한편으로 소스 및 드레인 오믹 콘택을 최적화하는 것과 다른 한편으로 비-오믹 게이트 콘택을 최적화하는 것 사이에서 AlGaN 배리어층(116)의 도핑과 조성을 선택할 때에, 소자 디자인에 있어서 양자의 타협을 위한 균형(trade-off)이 있다.
뿐만 아니라, 게이트가 가능한 한 높은 전압에서 차단하는 것을 허용하는 한편으로, 게이트 전극(122) 아래의 면전하 영역(115)으로 가능한 한 큰 전류를 운반하는 능력을 제공하도록 주의를 기울여야 한다. 따라서, 밴드가 휘는 정도 그리고 전하의 양을 조절하기 위하여, 소스와 게이트 사이, 게이트 아래, 그리고 게이트와 드레인 사이의 영역 안에 차이를 갖게 하는 것이 유리할 수 있다. 밴드가 휘는 정도를 조절하면 면전하 영역(115) 안의 전하 양뿐만 아니라 소자 내부에 존재하는 전기장도 변화시킬 것이다.
종래 갈륨 아세나이드(GaAs)와 인듐 포스포러스(InP계) HEMT 소자에서, 추가적인 GaAs 또는 인듐 갈륨 아세나이드(InGaAs)층이 배리어층의 표면 상에 형성된다. 소스 콘택과 드레인 콘택은 추가적인 층에 형성되고, 게이트 전극은 배리어층으로 리세스(recess)된다. 그러나 이러한 접근은, AlGaN/GaN HEMT 구조에는 적당하지 않을 수 있는데, 이는 GaN의 최상층 표면이 일반적으로 비전도성이고, 배리어층으로 게이트를 리세스시킴에 따른 어떠한 이득도 없기 때문이다.
따라서, 기술 분야에서는 AlGaN/GaN HEMT 구조와 AlGaN/GaN HEMT 제조방법에 있어서의 개선이 필요하다.
본 발명은 고 전자이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor : HEMT)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN)/갈륨 나이트라이드(GaN) HEMT에 관한 것이다.
도 1은 종래 AlGaN/GaN HEMT 소자의 단면도이다.
도 2는 종래 AlGaN/GaN HEMT 소자 안에 존재하는 밴드 에너지를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 AlGaN/GaN HEMT 소자의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예들에 따라 소자를 제조하는 방법을 도시한다.
도 5a와 도 5b는 잠재적인 게이트 전극 오정렬(misalignment)을 도시한다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 추가적인 실시예들에 따라 소자를 제조하는 방법을 도시한다.
본 발명의 실시예들은 고 전자이동도 트랜지스터(HEMT)와 HEMT를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예들에 따른 소자들은 갈륨 나이트라이드(GaN) 채널층과 상기 채널층 상의 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) 배리어층을 포함한다. 상기 배리어층 상에 제1 오믹 콘택이 제공되어 소스 전극을 형성하고, 상기 배리어층 상에 제2 오믹 콘택도 상기 소스 전극과 이격되게 제공되어 드레인 전극을 형성한다. 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이의 배리어층 상에 캡 세그먼트가 제공된다. 상기 캡 세그먼트는 상기 소스 전극과 이격되어 인접한 제1 측벽을 가진다. 상기 캡 세그먼트는 상기 드레인 전극과 이격되어 인접한 제2 측벽도 가질 수 있다. 상기 캡 세그먼트 상에 비-오믹 콘택이 제공되어 게이트 콘택을 형성한다.상기 게이트 콘택은 상기 캡 세그먼트의 제1 측벽과 실질적으로 정렬된 제1 측벽을 가진다. 상기 게이트 콘택은 상기 캡 세그먼트의 제1 측벽과 제2 측벽 사이의 거리 중 일부에만 신장되어 있다. 특정한 실시예들에서, 상기 캡 세그먼트는 GaN 캡 세그먼트이다.
본 발명의 실시예들에서, 상기 비-오믹 콘택은 상기 GaN 캡 세그먼트의 제1 측벽 쪽으로 신장하지만 이것을 지나치지는 않는다. 상기 GaN 캡 세그먼트는 약 10 내지 약 60Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 GaN 캡 세그먼트는 언도프트 GaN일 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들에서, 상기 소스 전극과 드레인 전극은 약 2 내지 약 4㎛ 거리로 이격되어 있다. 뿐만 아니라, 상기 GaN 캡 세그먼트의 제1 측벽은 상기 소스 전극에 가까울수록 바람직하며, 예를 들어 상기 소스 전극으로부터 약 0 내지 약 2㎛일 수 있다. 상기 GaN 캡 세그먼트의 제2 측벽은 상기 게이트 전극으로부터 약 0.5 내지 약 1㎛일 수 있다.
본 발명의 추가적인 실시예들에 있어서, 상기 AlGaN 배리어층은 약 15% 내지 약 40%의 알루미늄을 포함한다. 상기 AlGaN 배리어층은 농도가 약 4×1018cm-3이상인 실리콘으로 도핑되어, 바람직하게는 약 5×1012cm-2에 이르는 총 면농도를 보일 수도 있고, 약 15 내지 약 40nm의 두께, 바람직하게는 약 25nm의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 GaN 채널층은 기판 상에 제공된다. 상기기판은 실리콘 카바이드, 사파이어 등일 수 있다. 특정 실시예들에서, 상기 기판은 4H 실리콘 카바이드 또는 6H 실리콘 카바이드이다. 뿐만 아니라, 상기 GaN 채널층과 기판 사이에 GaN 버퍼층이 더 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예들에 있어서, 상기 게이트 전극은 T-형 게이트 전극이다.
본 발명의 방법 실시예들에서는, 기판 상에 제1 갈륨 나이트라이드(GaN)층을 형성하고, 상기 제1 GaN층 상에 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN)층을 형성하여 고 전자이동도 트랜지스터(HEMT)를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 AlGaN층 상에 제2 GaN층을 패터닝하여 상기 AlGaN층 상에 GaN 세그먼트를 제공하고 상기 AlGaN층의 일부를 노출시킨다. 상기 AlGaN층에 상기 GaN 세그먼트와 이격되어 인접한 제1 오믹 콘택을 형성하여 소스 전극을 형성하고, 상기 AlGaN층 상에 상기 제1 오믹 콘택 반대편으로 상기 GaN 세그먼트와 이격되어 인접한 제2 오믹 콘택을 형성하여 상기 GaN 세그먼트가 상기 제1 오믹 콘택과 제2 오믹 콘택 사이에 배치되게 함으로써 드레인 전극을 형성한다. 상기 GaN 세그먼트 상에 비-오믹 콘택을 패터닝하여 게이트 콘택을 형성한다. 상기 게이트 콘택은 상기 소스 콘택에 인접하여 상기 GaN 캡 세그먼트의 제1 측벽과 실질적으로 정렬된 제1 측벽을 가진다. 상기 게이트 콘택은 상기 GaN 세그먼트의 제1 측벽과 상기 드레인 콘택에 인접한 제2 측벽 사이의 거리 중 일부에만 신장되어 있다.
본 발명의 다른 실시예들에서, 상기 제2 GaN층을 패터닝하는 단계와 상기 비-오믹 콘택을 패터닝하는 단계는 상기 AlGaN층 상에 제2 GaN층을 형성하는 단계,상기 제2 GaN층 상에 비-오믹 콘택을 형성하는 단계와, 상기 비-오믹 콘택과 제2 GaN층을 패터닝하여 상기 GaN 세그먼트와 상기 게이트 콘택을 제공하는 단계에 의해 제공될 수 있다. 이러한 패터닝은 나아가 상기 비-오믹 콘택과 제2 GaN층 상에 마스크층을 형성하여 상기 소스 콘택에 인접한 상기 비-오믹 콘택과 상기 GaN 세그먼트의 측벽과 상기 드레인 콘택에 인접한 상기 GaN 세그먼트의 측벽이 정의되도록 상기 마스크층으로 상기 비-오믹 콘택과 제2 GaN층의 일부를 덮는 단계와, 상기 비-오믹 콘택과 제2 GaN층을 식각하여 상기 AlGaN층의 일부를 노출시키는 단계에 의해 더 제공될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 첨부도면을 참조하여 본 발명을상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 층 또는 영역들의 크기는 설명을 위한 목적으로 과장되어진 것이다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 층, 영역 또는 기판과 같은 어떤 요소가 다른 요소의 "위(상)"에 있다라고 기재된 경우, 상기 요소가 상기 다른 요소의 위에 직접 존재하거나 그 사이에 제3의 다른 요소들이 개재된 경우로 이해될 수 있다. 반면에, 어떤 요소가 다른 요소의 "직접 위(상)"에 있다라고 기재된 경우, 그 사이에 개입되는 다른 요소는 없다.
상술한 바와 같이, 평형 조건 하에서는 매립된 AlGaN/GaN 계면에 높은 농도의 전자가 나타날 수 있다는 것이 잘 알려져 있다. 이러한 높은 농도의 전자는 HEMT 소자 구조에서 유리하게 이용될 수 있는 높은 캐리어 이동도 이차원 전자 가스(2DEG)를 형성할 수 있다. 뿐만 아니라, 그러한 구조의 AlGaN 배리어층 상에 GaN 캡을 추가하면 이 구조의 표면으로의 전자 전도 또는 표면으로부터의 전자 전도에 대한 배리어의 크기를 증가시킬 수 있다. 그러나, 캡이 있든 없든 표면 전위가 동일하다고 가정할 때에, GaN 캡의 존재는 2DEG 전도층 안의 전자 농도를 감소시킬 수 있다.
GaN/AlGaN/GaN 구조 위에 HEMT가 제조될 수 있다는 것이 Yu 등에 의해 제안되었지만, 이러한 구조에서 게이트 성능의 개선은 GaN 캡 하부의 전도층 안의 낮은 캐리어 농도에 기인한 채널 저항 증가에 의해 상쇄되는 것처럼 보여진다. E. T. Yu등의 "Shottky barrier engineering in Ⅲ-V nitrides via the piezoelectric effect" (Appl. Phys. Lett. 73, 1880 (1998)) 참조.
본 발명의 실시예들은 개선된 AlGaN/GaN HEMT 소자와 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 특정 실시예들에 있어서, 저저항 소스 및 드레인 콘택, 소자를 통한 전류 흐름 및 게이트 콘택의 차단 능력 사이의 타협을 위한 균형(trade-off)은 AlGaN 배리어층 상에 GaN 캡을 제공하고 캡 세그먼트 상에 비-오믹 콘택을 제공하여 게이트 콘택을 형성함으로써 감소되거나 피할 수 있다. 다른 실시예들에서, 게이트 콘택과 캡 세그먼트는 감소된 내부 전기장을 가진 AlGaN/GaN HEMT 구조를 제공하도록 배열되는데, 이것은 높은 구동 전압 및 전력 레벨을 초래할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 GaN/AlGaN/GaN 구조에 관련된 게이트 성능 개선과 함께 AlGaN/GaN HEMT 구조에서 발견된 낮은 콘택 저항의 이익을 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 소자(11)를 도시한다. 소자(11)는 기판(12)과 기판(12) 상에 선택적으로 형성할 수도 있는 버퍼층(13)을 포함한다. 기판(12)은 실리콘 카바이드, 사파이어, 실리콘, 벌크 갈륨 나이트라이드 혹은 나이트라이드계 전자 소자를 지지하기에 적합한 다른 적당한 기판일 수 있다. 바람직하게, 기판은 반-절연성 4H 실리콘 카바이드(0001) 또는 6H SiC(0001)이다. 벌크 GaN 이외의 기판의 경우, 선택적인 버퍼층(13)이 고품질 갈륨 나이트라이드를 성장시킬 수 있는 표면을 제공한다. 버퍼층(13)의 조성과 형성 방법은 사용되는 기판의 종류에 따라 달라진다. 적당한 버퍼층은 기술 분야에 잘 알려져 있어 더 설명할 필요가 없다. GaN 채널층(14)은 버퍼층(13)이 있으면 버퍼층(13) 상에 제공되고 버퍼층(13)이 없으면 기판(12) 상에 제공된다. 채널층(14)과 후속 GaN계 층들은 MOCVD, MBE 및/또는 다른 적당한 성장 기술에 의해 형성될 수 있다. 채널층(14)은 바람직하게는 언도프트이나, 면전하 영역(15)의 전자 농도, 면전하 영역 하부의 전도대 Ec 및 가전자대 Ev의 거동을 조정하기 위해 다양한 물질로 도핑될 수 있다.
GaN 채널층(14) 상에 AlGaN 배리어층(16)이 형성되어 채널층(14) 및 배리어층(16) 사이의 이종 접합을 형성한다. AlGaN 배리어층(16)은 바람직하게는 15% 내지 60%의 알루미늄 조성을 가지며, 약 4×1018cm-3의 실리콘으로 도핑되어 바람직하게는 약 5×1012cm-2이상의 총 면농도를 제공할 수 있다. 배리어층(16)은 약 15 내지 약 40nm의 두께일 수 있고, 바람직하게는 약 25nm 두께이다.
상술한 바와 같이, 접합(15)에서의 AlGaN/GaN 이종 배리어 때문에, 이차원 전자 가스가 접합(15) 근처에 형성된다. 오믹 소스 전극(18)과 드레인 전극(20)이 AlGaN 배리어층(16)의 표면 상에 형성된다. 소스 전극(18)과 드레인 전극(20)은 Ti/Si/Ni, Ti/Al/Ni 또는 n-형 AlGaN과 오믹 콘택을 형성하는 다른 적당한 물질일 수 있다. AlGaN/GaN HEMT 소자에 적당한 오믹 콘택은 S. T. Sheppard, W. L. Pribble, D. T. Emerson, Z. Ring, R. P. Smith, S. T. Allen 및 J. W. Palmour의 "High Power Demonstration at 10 GHz with GaN/AlGaN HEMT Hybrid Amplifiers" (58회 Device Research Conference, Denver, CO June 2000에서 발표) 및 S. T. Sheppard, K. Doverspike, M. Leonard, W. L. Pribble, S. T. Allen 및 J. W. Palmour의 "Improved 10-GHz Operation of GaN/AlGaN HEMTs on Silicon Carbide"(Mat. Sci. Forum, Vols. 338-342 (2000), pp. 1643-1646)에 개시되어 있으며, 그 개시 내용은 여기에 충분히 설명된 것처럼 원용되어 통합된다. 소스 전극(18)과 드레인 전극(20)간의 거리는, 전형적으로, 약 2 내지 약 4㎛일 수 있다.
도 3에 더 도시되어 있는 바와 같이, 얇은 GaN계 캡 세그먼트(30), 바람직하게는 GaN 캡 세그먼트가 소스 전극(18)과 드레인 전극(20) 사이의 AlGaN층(16) 상에 형성되어 있다. 캡 세그먼트(30)는 바람직하게는 약 10-60Å의 두께이고, 바람직하게는 도핑되지 않은 것이다. 캡 세그먼트(30)는 갈륨 나이트라이드로 형성되는 것이 바람직하지만, 다른 적당한 물질도 이용될 수 있다. 예를 들어, 채널층으로부터 알루미늄의 비율이 감소되도록, 경사지거나 감소된 알루미늄 양을 가진 AlGaN층이 사용될 수 있다. 이러한 AlGaN층은, 예를 들어 식각으로, 캡 세그먼트(30)를 제공하도록 형성될 수 있다. 여기에 사용된 바와 같이, GaN계라는 용어는 갈륨 및 질소를 가진 물질을 가리키는 것으로 GaN과 AlGaN이 포함된다.
게이트 전극(26)이 캡 세그먼트(30) 상에 형성되어 있다. 게이트 전극(26)은 바람직하게 백금, 니켈 혹은 n형 또는 "진성" GaN과 비-오믹 콘택을 형성하는 다른 적당한 금속으로 형성된다. 게이트 전극(26)은 T-형 게이트 구조의 추가적인 금속층으로 피복될 수 있다. 또는 특정 실시예에서, T-형 게이트가 한번의 공정 단계로 형성될 수 있다. T-형 게이트 구조는 RF 및 마이크로파 소자에 특히 적당하다.
AlGaN 또는 GaN의 갈륨 또는 알루미늄 면 상에 성장된 GaN/AlGaN 구조 안의 분극 효과 때문에, 게이트 전극(22) 하부의 전도에 대한 배리어는 크게 향상된다. 따라서, 게이트 누설이 감소되거나 심지어는 최소화된다.
바람직하기로는, 캡 세그먼트(30)의 소스측 측벽(31)이 게이트 전극(26)의 소스측 측벽(27)과 실질적으로 정렬된다. 캡 세그먼트(30) 때문에 그 하부에 있는 2DEG 영역(15) 안의 캐리어 농도가 감소될 수 있으므로, 캡 세그먼트(30)가 소스 전극(18)과 게이트 전극(26) 사이에서 신장하는 것은 증가된 저항을 초래할 수 있기 때문에 바람직하지 않을 수 있다. 따라서, 공정 한계의 관점에서 가능한 한 합리적으로 작은 거리만큼 캡 세그먼트(30)가 소스 전극(18)으로부터 이격되도록 하는 것이 바람직하다. 따라서, 약 0 내지 약 2㎛ 미만의 거리가 적당할 수 있고, 종래의 마스킹 및 제조 기술로는 예컨대, 약 0.3 내지 약 1.5㎛의 거리가 가능할 것이다. 반대로, 캡 세그먼트(30)의 드레인측 측벽(32)은 게이트 전극(26)의 드레인측 측벽(28)으로부터 소정 거리, 바람직하게는 약 0.5 내지 약 1㎛를 지나 신장하는 것이 유리할 수 있다. 따라서, 캡 세그먼트(30)의 드레인측 측벽(32)은 드레인 전극(20)으로부터 약 0 내지 약 3㎛ 미만의 거리로 신장할 수 있다. 드레인측 측벽(32)과 드레인 전극(20)간 거리가 0㎛인 경우에는 드레인측 측벽(32)이 없을 수 있으나 캡 세그먼트(30)가 드레인 전극(20) 하부로 신장할 수 있다. 그러나, 이것은 바람직하지 않을 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 드레인측 측벽(32)과 드레인 전극(20)간 거리는 약 0.5㎛ 이상이다.
게이트 전극(26) 하부의 캡 세그먼트(30)가 있다고 하여 소자의 동작에 악영향을 끼치는 것은 아닌데, 이는 캡 세그먼트(30)가 게이트 아래의 2DEG 영역(15) 안의 캐리어 농도에 미치는 영향을 보상하도록 게이트 바이어스를 조절할 수 있기 때문이다. 동작에 있어서, 전자는 2DEG 영역(15)을 통해 소스 전극(18)으로부터 드레인 전극(20)으로 흐른다. 동작의 특정 이론에 한정되는 것은 아니지만, 게이트 전극(22)과 드레인 전극(20) 사이의 2DEG 영역 위로 캡 세그먼트(30)가 존재하는 것은 소자의 동작에 악영향을 주지 않는 것으로 여겨지며, 이것은 소자의 전도도가 게이트 전극(22)과 드레인 전극(20) 사이의 2DEG 영역(15) 일부 안의 평형 전자 농도에 의해 지배되지 않기 때문이다. 사실, 게이트 전극(26)의 드레인측 측벽(28)을 소정 거리 지나게 캡 세그먼트(30)를 신장시키는 것은 소자 안의 내부 전기장을 감소시켜 소자 성능을 개선할 수 있으며, 이로써 보다 높은 전압 및 전력 레벨에서의 동작을 허용한다. FET 안의 항복 전압은 보통 게이트 콘택의 드레인측 상에 발생되는 최대 내부 전기장에 의해 제한되어 아발란치 및 게이트를 통한 원치 않는 전류를 유도할 수 있다. 캡 세그먼트를 드레인 쪽으로 신장시키는 것은 분극 효과에 의한 캡 하부의 총 전하 양을 감소시킨다. 이러한 트랜지스터에 대한 푸아송 방정식의 해는, 최대 통과할 수 있는 전기장을 가정할 경우 게이트 아래 드레인 쪽의 영역에 더 적은 전하를 갖는 트랜지스터가 더 높은 바이어스에서 동작할 수 있다는 것을 보여준다.
도 3은 본 발명의 개별 소자 실시예를 도시하지만, 기술 분야의 숙련된 자에게 이해될 수 있는 것과 같이, 도 3은 복수개의 셀을 가진 소자의 단위 셀로 여겨질 수 있다. 따라서, 예를 들어, 도 3에 도시된 소자의 주변에 수직인 축(도 3에 도시한 소자의 수직 모서리)에 거울대칭된 추가의 단위 셀이 도 3에 도시된 소자 안으로 포함될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도 3에 도시된 소자뿐만 아니라 도 3에 도시된 캡 세그먼트와 게이트 콘택이 포함된 단위 셀을 여러 개 가지는 소자를 포함한다.
GaN 캡 세그먼트를 이용하는 본 발명에 따른 AlGaN/GaN HEMT 제조방법이 도 4a 내지 도 4c에 도시되어 있고, 기판(12) 상에 버퍼층(13)을 형성하는 단계를 선택적으로 포함한다. 버퍼층(13) 상에 GaN 채널층(14)을 형성하고 채널층 상에 AlGaN 배리어층(16)을 형성한다. 배리어층(16) 상에 얇은 GaN 캡층(30')을 형성한다. 층들은 MOCVD, MBE 및/또는 기술 분야에 알려진 다른 적당한 방법으로 형성할 수 있다.
GaN 캡층(30')을 패터닝하여 게이트 전극을 위한 GaN 캡 세그먼트(30)를 제공한다. 예를 들어, 도 4a에 도시한 바와 같이 GaN 캡층(30') 상에 식각 마스크(40)를 형성하고, GaN 캡층(30')의 일부를 예를 들어, 전형적인 식각 기술에 의해, 배리어층(16)이 보이게 제거하여, 도 4b에 도시한 것과 같은 GaN 캡 세그먼트(30)를 남길 수 있다. 그러나, 선택적 에피택셜 성장과 같은 다른 기술도 이용될 수 있다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 소스 전극(18)과 드레인 전극(20)을 일반적인 기술을 사용하여 배리어층(16)의 노출된 위치 상에 형성한다. 게이트 전극(22)을 GaN 세그먼트(30) 상에 형성한다. 도 4a 내지 도 4c에 보인 실시예들에서, 게이트 콘택의 소스측 측벽은 일반적인 포토리소그라피 기술 및 마스크 정렬 기구를 이용해 GaN 캡 세그먼트(30)의 소스측 측벽과 정렬시킨다. 도 4a 내지 도 4c에 보인 실시예들에서, 게이트 전극(22)은 GaN 캡 세그먼트(30)의 소스측 측벽에 자기정렬되지는 않는다. 따라서, 게이트 전극(22)이 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이 각각소스측 또는 드레인측으로 오정렬될 수 있다. 정도가 약한 오정렬은 소자의 동작에 악영향을 끼치지 않을 수 있지만 심한 오정렬은 소자에 치명적일 수 있다. 따라서, 도 4c에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(22)의 소스측 측벽이 GaN 캡 세그먼트(30)의 소스측 측벽에 정렬되는 것이 바람직하나, 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(22)의 소스측 측벽이 GaN 캡 세그먼트(30)의 소스측 측벽에 단지 실질적으로 정렬되어도 본 발명의 교시로부터의 이익을 가질 수 있다. 따라서, 여기에 사용된 바와 같이, 실질적인 정렬 또는 실질적으로 정렬된다라는 용어는 오정렬을 포함할 수 있는 정렬 정도를 가리킨다.
도 6a 내지 도 6c에 본 발명에 따른 실시예들에 의한 다른 소자 제조방법이 도시되어 있다. 이러한 실시예들에서, GaN 캡 세그먼트(30)의 소스측 측벽은 게이트 전극(22)의 소스측 측벽에 자기정렬된다.
도 6a를 참조하면, 선택적으로 기판(12) 상에 버퍼층(13)을 형성한다. 버퍼층(13) 또는 기판(12) 상에 GaN 채널층(14)을 형성하고 GaN 채널층(14) 상에 AlGaN 배리어층(16)을 형성한다. 상술한 바와 같이, 배리어층(16) 상에 얇은 GaN 캡층(30')을 형성한다. GaN 캡층(30') 상에 게이트 금속(22')을 형성하고 게이트 금속(22')을 일부 패터닝하여 게이트 전극(22)의 드레인측 측벽을 제공하고 게이트 전극(22)의 소스측 측벽을 지나 신장하는 게이트 금속(22') 부분을 제공한다. GaN 캡층(30') 상에 게이트 금속(22')과 일부 중첩되는 식각 마스크(44)를 증착하여 GaN 캡 세그먼트(30)와 게이트 전극(22)의 소스측 측벽, GaN 캡 세그먼트(30)의 드레인측 측벽을 정의한다.
도 6b에 도시한 바와 같이, GaN 캡층(30')이 노출된 부분을 식각으로 제거하여 한 측벽이 게이트 전극(22)의 측벽과 자기정렬된 GaN 캡 세그먼트(30)를 형성하고 AlGaN 배리어층(16)의 일부를 노출시킨다. 그런 다음, 마스크(44)를 제거한다. 도 6c에 도시한 바와 같이, 소스 전극(18)과 드레인 전극(20)을 노출된 부분의 AlGaN 배리어층(16) 상에 형성하고 소자의 나머지 부분은 일반적인 방식에 따라 처리한다.
이상 본 발명의 실시예들이 특정 순서를 따르는 경우에 대해 설명되었지만, 기술 분야의 숙련자에게 이해될 수 있는 것처럼, 순서 안의 단계들은 본 발명의 교시로부터의 이익을 누리면서 재정렬될 수 있다. 뿐만 아니라, 특정 단계는 본 발명의 교시로부터의 이익을 누리면서 단일 단계로 결합되거나 여러 개의 단계로 분리될 수 있다. 따라서, 본 발명이 여기에 설명된 단계 그대로의 순서에 국한되는 것으로 해석되어서는 안된다.
도면들과 명세서에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 설명하였고, 비록 특정 용어가 사용되었지만 그들은 일반적이고 설명을 위한 의미로만 사용된 것이고, 한정을 위한 목적으로 사용된 것은 아니며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 기재되어 있다.
본 발명에 따르면, GaN/AlGaN/GaN 구조에 관련된 게이트 성능 개선과 함께 AlGaN/GaN HEMT 구조에서 발견된 낮은 콘택 저항의 장점을 제공할 수 있다.

Claims (44)

  1. 갈륨 나이트라이드(GaN) 채널층;
    상기 채널층 상의 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) 배리어층;
    상기 배리어층 상에 위치하여 소스 전극을 제공하는 제1 오믹 콘택;
    상기 배리어층 상에 상기 소스 전극과 이격되어 위치하고 드레인 전극을 제공하는 제2 오믹 콘택;
    상기 소스 전극과 드레인 전극 사이의 상기 배리어층 상에 위치하고, 상기 배리어층보다 낮은 농도의 알루미늄을 가지며, 상기 소스 전극과 이격되어 인접한 제1 측벽을 가진 GaN계 캡 세그먼트; 및
    상기 GaN 캡 세그먼트 상에 위치하고, 상기 GaN 캡 세그먼트의 상기 제1 측벽과 실질적으로 정렬된 제1 측벽을 가지며 상기 GaN 캡 세그먼트의 제1 측벽과 제2 측벽 사이의 거리 중 일부에만 신장되어 있는 게이트 콘택을 제공하는 비-오믹 콘택을 포함하는 고 전자이동도 트랜지스터(HEMT).
  2. 제1항에 있어서, 상기 GaN계 캡 세그먼트는 상기 드레인 전극과 이격되어 인접한 제2 측벽을 가진 것을 특징으로 하는 HEMT.
  3. 제1항에 있어서, 상기 GaN계 캡 세그먼트는 GaN 캡 세그먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  4. 제3항에 있어서, 상기 비-오믹 콘택은 상기 GaN 캡 세그먼트의 상기 제1 측벽으로 신장하지만 지나치지는 않는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  5. 제3항에 있어서, 상기 GaN 캡 세그먼트는 약 10 내지 약 60Å의 두께를 가진 것을 특징으로 하는 HEMT.
  6. 제5항에 있어서, 상기 GaN 캡 세그먼트는 언도프트 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  7. 제2항에 있어서, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 약 2 내지 약 4㎛ 거리로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  8. 제3항에 있어서, 상기 GaN 캡 세그먼트의 상기 제1 측벽은 상기 소스 전극으로부터 약 2㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 HEMT.
  9. 제8항에 있어서, 상기 GaN 캡 세그먼트의 상기 제1 측벽은 상기 소스 전극으로부터 약 0.3 내지 약 1.5㎛인 것을 특징으로 하는 HEMT.
  10. 제2항에 있어서, 상기 GaN 캡 세그먼트의 상기 제2 측벽은 상기 게이트 전극으로부터 약 0.5 내지 약 1㎛인 것을 특징으로 하는 HEMT.
  11. 제3항에 있어서, 상기 AlGaN 배리어층은 약 15% 내지 약 60%의 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  12. 제11항에 있어서, 상기 AlGaN 배리어층은 실리콘으로 도핑되어 약 5×1012cm-2에 이르는 총 면농도를 제공하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  13. 제11항에 있어서, 상기 AlGaN 배리어층은 약 15 내지 약 40nm의 두께를 가진 것을 특징으로 하는 HEMT.
  14. 제13항에 있어서, 상기 AlGaN 배리어층은 약 25nm의 두께를 가진 것을 특징으로 하는 HEMT.
  15. 제3항에 있어서, 기판을 더 포함하고, 상기 GaN 채널층이 상기 기판 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 카바이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  17. 제15항에 있어서, 상기 기판은 사파이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  18. 제15항에 있어서, 상기 기판은 4H 실리콘 카바이드와 6H 실리콘 카바이드 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  19. 제15항에 있어서, 상기 GaN 채널층과 상기 기판 사이에 배치된 GaN 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  20. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 T-형 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  21. 기판 상에 제1 갈륨 나이트라이드(GaN)층을 형성하는 단계;
    상기 제1 GaN층 상에 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN)층을 형성하는 단계;
    상기 AlGaN층 상에 상기 AlGaN층보다 낮은 알루미늄 농도를 가진 GaN계 세그먼트를 형성하는 단계;
    상기 AlGaN층에 상기 GaN 세그먼트와 이격되어 인접한 제1 오믹 콘택을 형성하여 소스 전극을 제공하는 단계;
    상기 AlGaN층 상에 상기 제1 오믹 콘택 반대편으로 상기 GaN 세그먼트와 이격되어 인접한 제2 오믹 콘택을 형성하여 상기 GaN 세그먼트가 상기 제1 오믹 콘택과 제2 오믹 콘택 사이에 배치되도록 함으로써 드레인 전극을 제공하는 단계; 및
    상기 GaN 세그먼트 상에 비-오믹 콘택을 형성하여, 상기 소스 콘택에 인접하여 상기 GaN 캡 세그먼트의 제1 측벽과 실질적으로 정렬된 제1 측벽을 가지며 상기 제1 측벽과 제2 오믹 콘택 사이의 거리 중 일부에만 신장되어 있는 게이트 콘택을 제공하는 단계를 포함하는 고 전자이동도 트랜지스터(HEMT) 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 비-오믹 콘택은 상기 GaN 세그먼트의 상기 제1 측벽과 상기 드레인 콘택에 인접한 제2 측벽 사이의 거리 중 일부에만 신장되어 있는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 GaN계 세그먼트를 형성하는 단계는 상기 AlGaN층 상에 GaN 세그먼트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 GaN 세그먼트를 형성하는 단계와 비-오믹 콘택을 형성하는 단계는
    상기 AlGaN층 상에 제2 GaN층을 형성하는 단계;
    상기 제2 GaN층 상에 비-오믹 콘택을 형성하는 단계;
    상기 비-오믹 콘택과 제2 GaN층을 패터닝하여 상기 GaN 세그먼트와 상기 게이트 콘택을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  25. 제24에 있어서, 상기 비-오믹 콘택과 제2 GaN층을 패터닝하는 단계는
    상기 비-오믹 콘택과 제2 GaN층 상에 마스크층을 형성하여 상기 비-오믹 콘택의 측벽과 상기 소스 콘택에 인접한 상기 GaN 세그먼트와 상기 드레인 콘택에 인접한 상기 GaN 세그먼트의 측벽이 정의되도록 상기 마스크층으로 상기 비-오믹 콘택과 제2 GaN층의 일부를 덮는 단계;
    상기 비-오믹 콘택과 제2 GaN층을 식각하여 상기 AlGaN층의 일부를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  26. 제23항에 있어서, 상기 GaN 세그먼트는 약 10 내지 약 60Å의 두께를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 GaN 캡 세그먼트는 언도프트 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  28. 제23항에 있어서, 상기 제1 오믹 콘택을 형성하는 단계와 상기 제2 오믹 콘택을 형성하는 단계는 약 2 내지 약 4㎛ 거리로 이격된 제1 오믹 콘택과 제2 오믹 콘택을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  29. 제23항에 있어서, 상기 제1 오믹 콘택은 상기 GaN 세그먼트로부터 약 2㎛ 미만의 거리에 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 제1 오믹 콘택은 상기 GaN 세그먼트로부터 약 0.3 내지 약 1.5㎛의 거리에 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  31. 제23항에 있어서, 상기 비-오믹 콘택의 측벽이 상기 GaN 세그먼트의 상기 제2 측벽으로부터 약 0.5 내지 약 1㎛에 위치하도록 상기 비-오믹 콘택을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  32. 제23항에 있어서, 상기 AlGaN층을 형성하는 단계는 약 15% 내지 약 60%의 알루미늄을 가지는 AlGaN층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 AlGaN층을 형성하는 단계는 실리콘으로 도핑되어 약 5×1012cm-2에 이르는 총 면농도를 보이는 AlGaN층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  34. 제32항에 있어서, 상기 AlGaN층을 형성하는 단계는 약 15 내지 약 40nm의 두께로 AlGaN층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 AlGaN층을 형성하는 단계는 약 25nm의 두께로 AlGaN층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  36. 제23항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 카바이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  37. 제23항에 있어서, 상기 기판은 사파이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  38. 제23항에 있어서, 상기 기판은 4H 실리콘 카바이드와 6H 실리콘 카바이드 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  39. 제23항에 있어서, 상기 제1 GaN층과 상기 기판 사이에 배치된 제3 GaN층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  40. 제23항에 있어서, T-형 게이트를 제공하기 위하여 상기 비-오믹 콘택 상에 금속화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
  41. 갈륨 나이트라이드(GaN) 채널층;
    상기 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN) 배리어층;
    상기 AlGaN 배리어층 상에 위치하고 소스 콘택 및 드레인 콘택을 제공하기 위한 오믹 콘택들;
    상기 소스 콘택 및 드레인 콘택 사이에 배치된 비-오믹 게이트 콘택; 및
    상기 비-오믹 게이트 콘택 및 상기 AlGaN 배리어층과 연동된 수단으로서, 상기 수단이 없을 때보다 상기 오믹 콘택들의 저항을 줄이고 상기 게이트 콘택의 차단 전압을 증가시키는, 상기 오믹 콘택들의 저항을 감소시키고 상기 게이트 콘택의 차단 전압을 증가시키기 위한 수단을 포함하는 고 전자이동도 트랜지스터(HEMT).
  42. 제41항에 있어서, 상기 오믹 콘택들의 저항을 감소시키고 상기 게이트 콘택의 차단 전압을 증가시키기 위한 수단은 상기 게이트 콘택과 상기 AlGaN 배리어층 사이의 GaN 세그먼트를 포함하고, 상기 GaN 세그먼트는 상기 소스 콘택에 인접한 상기 GaN 세그먼트의 부분 상에 상기 게이트 콘택을 구비하며, 상기 GaN 세그먼트는 상기 게이트 콘택을 지나 상기 드레인 콘택으로 신장하여 있는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  43. 제42항에 있어서, 상기 게이트 콘택은 상기 GaN 세그먼트의 측벽으로 신장하지만 지나치지는 않고, 상기 소스 전극과 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 HEMT.
  44. 제42항에 있어서, 상기 GaN 세그먼트는 약 0.5 내지 약 1㎛ 신장하는 것을 특징으로 하는 HEMT.
KR1020047000318A 2001-07-12 2002-03-26 ＧａＮ계 캡 세그먼트 상에 게이트 콘택을 구비한ＡｌＧａＮ/ＧａＮ ＨＥＭＴ 및 그 제조방법 KR100933277B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/904,333 2001-07-12
US09/904,333 US6548333B2 (en) 2000-12-01 2001-07-12 Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment
PCT/US2002/009398 WO2003007383A2 (en) 2001-07-12 2002-03-26 Algan/gan hemts having a gate contact on a gan based cap segment and methods of fabricating same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040013136A true KR20040013136A (ko) 2004-02-11
KR100933277B1 KR100933277B1 (ko) 2009-12-22

Family

ID=25418958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047000318A KR100933277B1 (ko) 2001-07-12 2002-03-26 ＧａＮ계 캡 세그먼트 상에 게이트 콘택을 구비한ＡｌＧａＮ/ＧａＮ ＨＥＭＴ 및 그 제조방법

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6548333B2 (ko)
EP (1) EP1405349B1 (ko)
JP (1) JP4445257B2 (ko)
KR (1) KR100933277B1 (ko)
CN (1) CN100429786C (ko)
AU (1) AU2002255935A1 (ko)
CA (1) CA2453318C (ko)
TW (1) TW577127B (ko)
WO (1) WO2003007383A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101046144B1 (ko) * 2008-10-21 2011-07-01 삼성엘이디 주식회사 질화갈륨막 제조방법 및 질화계 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
US8860087B2 (en) 2011-09-30 2014-10-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Families Citing this family (269)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6639255B2 (en) * 1999-12-08 2003-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. GaN-based HFET having a surface-leakage reducing cap layer
ATE359602T1 (de) * 2000-06-02 2007-05-15 Microgan Gmbh Heterostruktur mit rückseitiger donatordotierung
AU2001279163A1 (en) * 2000-08-04 2002-02-18 The Regents Of The University Of California Method of controlling stress in gallium nitride films deposited on substrates
US6649287B2 (en) * 2000-12-14 2003-11-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods
KR100450740B1 (ko) * 2001-10-26 2004-10-01 학교법인 포항공과대학교 헤테로접합형 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법
US7030428B2 (en) * 2001-12-03 2006-04-18 Cree, Inc. Strain balanced nitride heterojunction transistors
US7638346B2 (en) 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US20060005763A1 (en) 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
CA2483403A1 (en) * 2002-04-30 2003-11-13 Jeffrey S. Flynn High voltage switching devices and process for forming same
US6982204B2 (en) * 2002-07-16 2006-01-03 Cree, Inc. Nitride-based transistors and methods of fabrication thereof using non-etched contact recesses
US6933181B2 (en) * 2002-07-17 2005-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
DE10256911B4 (de) * 2002-11-30 2008-02-07 Azzurro Semiconductors Ag Gruppe-III-Nitrid Transistorbauelement auf Siliziumsubstrat
US8089097B2 (en) * 2002-12-27 2012-01-03 Momentive Performance Materials Inc. Homoepitaxial gallium-nitride-based electronic devices and method for producing same
TWI230978B (en) * 2003-01-17 2005-04-11 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor device and the manufacturing method thereof
US7112860B2 (en) * 2003-03-03 2006-09-26 Cree, Inc. Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices
US7898047B2 (en) 2003-03-03 2011-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices
JP3940699B2 (ja) * 2003-05-16 2007-07-04 株式会社東芝 電力用半導体素子
WO2005060007A1 (en) * 2003-08-05 2005-06-30 Nitronex Corporation Gallium nitride material transistors and methods associated with the same
EP2592655B1 (en) * 2003-09-09 2019-11-06 The Regents of The University of California Fabrication of single or multiple gate field plates
US7501669B2 (en) 2003-09-09 2009-03-10 Cree, Inc. Wide bandgap transistor devices with field plates
JP4847677B2 (ja) * 2003-10-28 2011-12-28 富士通株式会社 化合物半導体装置の製造方法
US7071498B2 (en) * 2003-12-17 2006-07-04 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same
US20050145851A1 (en) * 2003-12-17 2005-07-07 Nitronex Corporation Gallium nitride material structures including isolation regions and methods
US7045404B2 (en) * 2004-01-16 2006-05-16 Cree, Inc. Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof
US7901994B2 (en) 2004-01-16 2011-03-08 Cree, Inc. Methods of manufacturing group III nitride semiconductor devices with silicon nitride layers
US7033912B2 (en) 2004-01-22 2006-04-25 Cree, Inc. Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods
US7612390B2 (en) * 2004-02-05 2009-11-03 Cree, Inc. Heterojunction transistors including energy barriers
US7170111B2 (en) * 2004-02-05 2007-01-30 Cree, Inc. Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same
JP4041075B2 (ja) * 2004-02-27 2008-01-30 株式会社東芝 半導体装置
US7550783B2 (en) 2004-05-11 2009-06-23 Cree, Inc. Wide bandgap HEMTs with source connected field plates
US7573078B2 (en) 2004-05-11 2009-08-11 Cree, Inc. Wide bandgap transistors with multiple field plates
US9773877B2 (en) 2004-05-13 2017-09-26 Cree, Inc. Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates
US7432142B2 (en) * 2004-05-20 2008-10-07 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions
US7084441B2 (en) * 2004-05-20 2006-08-01 Cree, Inc. Semiconductor devices having a hybrid channel layer, current aperture transistors and methods of fabricating same
US7332795B2 (en) * 2004-05-22 2008-02-19 Cree, Inc. Dielectric passivation for semiconductor devices
US7361946B2 (en) * 2004-06-28 2008-04-22 Nitronex Corporation Semiconductor device-based sensors
US7339205B2 (en) * 2004-06-28 2008-03-04 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods associated with the same
US7687827B2 (en) * 2004-07-07 2010-03-30 Nitronex Corporation III-nitride materials including low dislocation densities and methods associated with the same
JP4744109B2 (ja) 2004-07-20 2011-08-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
US7238560B2 (en) * 2004-07-23 2007-07-03 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors with a cap layer and a recessed gate
US20060017064A1 (en) * 2004-07-26 2006-01-26 Saxler Adam W Nitride-based transistors having laterally grown active region and methods of fabricating same
JP2006086354A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Toshiba Corp 窒化物系半導体装置
US7294324B2 (en) * 2004-09-21 2007-11-13 Cree, Inc. Low basal plane dislocation bulk grown SiC wafers
JP2008519441A (ja) * 2004-10-28 2008-06-05 ニトロネックス コーポレイション 窒化ガリウム材料を用いるモノリシックマイクロ波集積回路
US7709859B2 (en) 2004-11-23 2010-05-04 Cree, Inc. Cap layers including aluminum nitride for nitride-based transistors
US7456443B2 (en) 2004-11-23 2008-11-25 Cree, Inc. Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region
US7247889B2 (en) 2004-12-03 2007-07-24 Nitronex Corporation III-nitride material structures including silicon substrates
US7161194B2 (en) * 2004-12-06 2007-01-09 Cree, Inc. High power density and/or linearity transistors
US7355215B2 (en) * 2004-12-06 2008-04-08 Cree, Inc. Field effect transistors (FETs) having multi-watt output power at millimeter-wave frequencies
US9640649B2 (en) * 2004-12-30 2017-05-02 Infineon Technologies Americas Corp. III-nitride power semiconductor with a field relaxation feature
US7236053B2 (en) 2004-12-31 2007-06-26 Cree, Inc. High efficiency switch-mode power amplifier
US11791385B2 (en) * 2005-03-11 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Wide bandgap transistors with gate-source field plates
US7465967B2 (en) 2005-03-15 2008-12-16 Cree, Inc. Group III nitride field effect transistors (FETS) capable of withstanding high temperature reverse bias test conditions
US7459718B2 (en) * 2005-03-23 2008-12-02 Nichia Corporation Field effect transistor
JP2006269862A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置形成用ウエハ、その製造方法、および電界効果型トランジスタ
US7422634B2 (en) * 2005-04-07 2008-09-09 Cree, Inc. Three inch silicon carbide wafer with low warp, bow, and TTV
US8575651B2 (en) * 2005-04-11 2013-11-05 Cree, Inc. Devices having thick semi-insulating epitaxial gallium nitride layer
US7626217B2 (en) * 2005-04-11 2009-12-01 Cree, Inc. Composite substrates of conductive and insulating or semi-insulating group III-nitrides for group III-nitride devices
JP4369438B2 (ja) * 2005-04-26 2009-11-18 シャープ株式会社 電界効果型トランジスタ
US7544963B2 (en) * 2005-04-29 2009-06-09 Cree, Inc. Binary group III-nitride based high electron mobility transistors
US7615774B2 (en) * 2005-04-29 2009-11-10 Cree.Inc. Aluminum free group III-nitride based high electron mobility transistors
US7365374B2 (en) 2005-05-03 2008-04-29 Nitronex Corporation Gallium nitride material structures including substrates and methods associated with the same
JP4792814B2 (ja) * 2005-05-26 2011-10-12 住友電気工業株式会社 高電子移動度トランジスタ、電界効果トランジスタ、エピタキシャル基板、エピタキシャル基板を作製する方法およびｉｉｉ族窒化物系トランジスタを作製する方法
JP4705412B2 (ja) * 2005-06-06 2011-06-22 パナソニック株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US7405430B2 (en) * 2005-06-10 2008-07-29 Cree, Inc. Highly uniform group III nitride epitaxial layers on 100 millimeter diameter silicon carbide substrates
US9331192B2 (en) * 2005-06-29 2016-05-03 Cree, Inc. Low dislocation density group III nitride layers on silicon carbide substrates and methods of making the same
US20070018198A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Brandes George R High electron mobility electronic device structures comprising native substrates and methods for making the same
US20070018199A1 (en) 2005-07-20 2007-01-25 Cree, Inc. Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer
WO2008027027A2 (en) 2005-09-07 2008-03-06 Cree, Inc Transistor with fluorine treatment
CN101326642A (zh) * 2005-10-04 2008-12-17 尼特罗奈克斯公司 用于宽带应用的氮化镓材料晶体管及方法
US20090233414A1 (en) * 2005-10-20 2009-09-17 Shah Pankaj B Method for fabricating group III-nitride high electron mobility transistors (HEMTs)
CN101415864B (zh) 2005-11-28 2014-01-08 晶体公司 具有减少缺陷的大的氮化铝晶体及其制造方法
EP1969635B1 (en) * 2005-12-02 2017-07-19 Infineon Technologies Americas Corp. Gallium nitride material devices and associated methods
US7566913B2 (en) 2005-12-02 2009-07-28 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices including conductive regions and methods associated with the same
US7641735B2 (en) * 2005-12-02 2010-01-05 Crystal Is, Inc. Doped aluminum nitride crystals and methods of making them
US7368971B2 (en) * 2005-12-06 2008-05-06 Cree, Inc. High power, high frequency switch circuits using strings of power transistors
US7419892B2 (en) 2005-12-13 2008-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions and protective layers and methods of forming the same
JP2009522812A (ja) * 2006-01-09 2009-06-11 インターナショナル レクティファイアー コーポレイション 電界緩和機能を有するｉｉｉ族窒化物電力半導体
US7592211B2 (en) * 2006-01-17 2009-09-22 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including supported gate electrodes
US7709269B2 (en) * 2006-01-17 2010-05-04 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including dielectrically-supported gate electrodes
JP4705482B2 (ja) * 2006-01-27 2011-06-22 パナソニック株式会社 トランジスタ
US7566918B2 (en) * 2006-02-23 2009-07-28 Cree, Inc. Nitride based transistors for millimeter wave operation
US7388236B2 (en) * 2006-03-29 2008-06-17 Cree, Inc. High efficiency and/or high power density wide bandgap transistors
US9034103B2 (en) 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
JP5362187B2 (ja) * 2006-03-30 2013-12-11 日本碍子株式会社 半導体素子
JP2007294769A (ja) 2006-04-26 2007-11-08 Toshiba Corp 窒化物半導体素子
US9040398B2 (en) * 2006-05-16 2015-05-26 Cree, Inc. Method of fabricating seminconductor devices including self aligned refractory contacts
US7728402B2 (en) * 2006-08-01 2010-06-01 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown
US8432012B2 (en) 2006-08-01 2013-04-30 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same
US20080035143A1 (en) * 2006-08-14 2008-02-14 Sievers Robert E Human-powered dry powder inhaler and dry powder inhaler compositions
EP2052414B1 (en) 2006-08-17 2016-03-30 Cree, Inc. High power insulated gate bipolar transistors
US8823057B2 (en) 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
US7662698B2 (en) * 2006-11-07 2010-02-16 Raytheon Company Transistor having field plate
JP5105160B2 (ja) 2006-11-13 2012-12-19 クリー インコーポレイテッド トランジスタ
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
CN107059116B (zh) 2007-01-17 2019-12-31 晶体公司 引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少
JP5730484B2 (ja) 2007-01-26 2015-06-10 クリスタル アイエス インコーポレイテッド 厚みのある擬似格子整合型の窒化物エピタキシャル層
US8080833B2 (en) 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8835987B2 (en) 2007-02-27 2014-09-16 Cree, Inc. Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers
US8174051B2 (en) * 2007-06-26 2012-05-08 International Rectifier Corporation III-nitride power device
US7745848B1 (en) 2007-08-15 2010-06-29 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and thermal designs thereof
US20090072269A1 (en) * 2007-09-17 2009-03-19 Chang Soo Suh Gallium nitride diodes and integrated components
US7800132B2 (en) * 2007-10-25 2010-09-21 Northrop Grumman Systems Corporation High electron mobility transistor semiconductor device having field mitigating plate and fabrication method thereof
US9024327B2 (en) * 2007-12-14 2015-05-05 Cree, Inc. Metallization structure for high power microelectronic devices
US8026581B2 (en) * 2008-02-05 2011-09-27 International Rectifier Corporation Gallium nitride material devices including diamond regions and methods associated with the same
US8519438B2 (en) 2008-04-23 2013-08-27 Transphorm Inc. Enhancement mode III-N HEMTs
US8343824B2 (en) * 2008-04-29 2013-01-01 International Rectifier Corporation Gallium nitride material processing and related device structures
US7936212B2 (en) * 2008-05-09 2011-05-03 Cree, Inc. Progressive power generating amplifiers
US8232558B2 (en) 2008-05-21 2012-07-31 Cree, Inc. Junction barrier Schottky diodes with current surge capability
US7764120B2 (en) * 2008-08-19 2010-07-27 Cree, Inc. Integrated circuit with parallel sets of transistor amplifiers having different turn on power levels
US8289065B2 (en) 2008-09-23 2012-10-16 Transphorm Inc. Inductive load power switching circuits
US8759876B2 (en) * 2008-10-06 2014-06-24 Massachusetts Institute Of Technology Enhancement-mode nitride transistor
WO2010064706A1 (ja) * 2008-12-04 2010-06-10 日本電気株式会社 半導体装置
US7898004B2 (en) 2008-12-10 2011-03-01 Transphorm Inc. Semiconductor heterostructure diodes
US20100219452A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Brierley Steven K GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) STRUCTURES
KR101666910B1 (ko) * 2009-04-08 2016-10-17 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 증가형 ＧａＮ ＨＥＭＴ 장치 및 그 제조 방법
US8294507B2 (en) 2009-05-08 2012-10-23 Cree, Inc. Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits
US8742459B2 (en) * 2009-05-14 2014-06-03 Transphorm Inc. High voltage III-nitride semiconductor devices
US8629509B2 (en) * 2009-06-02 2014-01-14 Cree, Inc. High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter
US8193848B2 (en) 2009-06-02 2012-06-05 Cree, Inc. Power switching devices having controllable surge current capabilities
US8541787B2 (en) * 2009-07-15 2013-09-24 Cree, Inc. High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability
US8105889B2 (en) 2009-07-27 2012-01-31 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors including self-aligned gate electrodes and source/drain regions
CA2769940C (en) 2009-08-04 2016-04-26 Gan Systems Inc. Island matrixed gallium nitride microwave and power switching transistors
US9818857B2 (en) 2009-08-04 2017-11-14 Gan Systems Inc. Fault tolerant design for large area nitride semiconductor devices
US9029866B2 (en) 2009-08-04 2015-05-12 Gan Systems Inc. Gallium nitride power devices using island topography
EP2464760A4 (en) * 2009-08-12 2013-08-28 Univ Georgia State Res Found HIGH PRESSURE CVP DEVICES, METHODS AND COMPOSITIONS MANUFACTURED THEREWITH
US8390000B2 (en) 2009-08-28 2013-03-05 Transphorm Inc. Semiconductor devices with field plates
US8354690B2 (en) 2009-08-31 2013-01-15 Cree, Inc. Solid-state pinch off thyristor circuits
US9312343B2 (en) * 2009-10-13 2016-04-12 Cree, Inc. Transistors with semiconductor interconnection layers and semiconductor channel layers of different semiconductor materials
US8216924B2 (en) * 2009-10-16 2012-07-10 Cree, Inc. Methods of fabricating transistors using laser annealing of source/drain regions
US8389977B2 (en) 2009-12-10 2013-03-05 Transphorm Inc. Reverse side engineered III-nitride devices
US9548206B2 (en) 2010-02-11 2017-01-17 Cree, Inc. Ohmic contact structure for group III nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features
US9214352B2 (en) 2010-02-11 2015-12-15 Cree, Inc. Ohmic contact to semiconductor device
US8563372B2 (en) * 2010-02-11 2013-10-22 Cree, Inc. Methods of forming contact structures including alternating metal and silicon layers and related devices
US20110210377A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Infineon Technologies Austria Ag Nitride semiconductor device
KR101774933B1 (ko) * 2010-03-02 2017-09-06 삼성전자 주식회사 듀얼 디플리션을 나타내는 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
US9117739B2 (en) 2010-03-08 2015-08-25 Cree, Inc. Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same
US8791508B2 (en) 2010-04-13 2014-07-29 Gan Systems Inc. High density gallium nitride devices using island topology
US8415671B2 (en) 2010-04-16 2013-04-09 Cree, Inc. Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices
KR20110122525A (ko) * 2010-05-04 2011-11-10 삼성전자주식회사 Ｌｄｄ 영역을 갖는 고 전자 이동도 트랜지스터(ｈｅｍｔ) 및 그 제조방법
US8829999B2 (en) 2010-05-20 2014-09-09 Cree, Inc. Low noise amplifiers including group III nitride based high electron mobility transistors
JP5806734B2 (ja) 2010-06-30 2015-11-10 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 熱勾配制御による窒化アルミニウム大単結晶成長
JP5857212B2 (ja) * 2010-09-15 2016-02-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｄｃ／ｄｃコンバータ
JP5781292B2 (ja) * 2010-11-16 2015-09-16 ローム株式会社 窒化物半導体素子および窒化物半導体パッケージ
KR101204580B1 (ko) * 2010-12-09 2012-11-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
US8742460B2 (en) 2010-12-15 2014-06-03 Transphorm Inc. Transistors with isolation regions
JP5758132B2 (ja) * 2011-01-26 2015-08-05 株式会社東芝 半導体素子
JP2011097102A (ja) * 2011-01-31 2011-05-12 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置
US8643062B2 (en) 2011-02-02 2014-02-04 Transphorm Inc. III-N device structures and methods
US8946780B2 (en) * 2011-03-01 2015-02-03 National Semiconductor Corporation Ohmic contact schemes for group III-V devices having a two-dimensional electron gas layer
US8772842B2 (en) 2011-03-04 2014-07-08 Transphorm, Inc. Semiconductor diodes with low reverse bias currents
US8716141B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Transphorm Inc. Electrode configurations for semiconductor devices
US9142662B2 (en) 2011-05-06 2015-09-22 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9029945B2 (en) 2011-05-06 2015-05-12 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US8466555B2 (en) * 2011-06-03 2013-06-18 Raytheon Company Gold-free ohmic contacts
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
US8901604B2 (en) 2011-09-06 2014-12-02 Transphorm Inc. Semiconductor devices with guard rings
US9640617B2 (en) 2011-09-11 2017-05-02 Cree, Inc. High performance power module
US8618582B2 (en) 2011-09-11 2013-12-31 Cree, Inc. Edge termination structure employing recesses for edge termination elements
US9373617B2 (en) 2011-09-11 2016-06-21 Cree, Inc. High current, low switching loss SiC power module
US8680587B2 (en) 2011-09-11 2014-03-25 Cree, Inc. Schottky diode
EP2754177A1 (en) 2011-09-11 2014-07-16 Cree, Inc. High current density power module comprising transistors with improved layout
US8664665B2 (en) 2011-09-11 2014-03-04 Cree, Inc. Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array
US9257547B2 (en) 2011-09-13 2016-02-09 Transphorm Inc. III-N device structures having a non-insulating substrate
JP6017125B2 (ja) * 2011-09-16 2016-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013074070A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8598937B2 (en) 2011-10-07 2013-12-03 Transphorm Inc. High power semiconductor electronic components with increased reliability
US20130099284A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Triquint Semiconductor, Inc. Group iii-nitride metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors
KR101890749B1 (ko) 2011-10-27 2018-08-23 삼성전자주식회사 전극구조체, 이를 포함하는 질화갈륨계 반도체소자 및 이들의 제조방법
US9165766B2 (en) 2012-02-03 2015-10-20 Transphorm Inc. Buffer layer structures suited for III-nitride devices with foreign substrates
US9093366B2 (en) 2012-04-09 2015-07-28 Transphorm Inc. N-polar III-nitride transistors
US9184275B2 (en) 2012-06-27 2015-11-10 Transphorm Inc. Semiconductor devices with integrated hole collectors
CN103681830B (zh) * 2012-09-11 2019-01-29 中国科学院微电子研究所 双沟道晶体管及其制备方法
KR101922122B1 (ko) 2012-09-28 2018-11-26 삼성전자주식회사 노멀리 오프 고전자이동도 트랜지스터
CN102856373B (zh) * 2012-09-29 2015-04-01 电子科技大学 高电子迁移率晶体管
US9425276B2 (en) * 2013-01-21 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High electron mobility transistors
CN105164811B (zh) 2013-02-15 2018-08-31 创世舫电子有限公司 半导体器件的电极及其形成方法
US9087718B2 (en) 2013-03-13 2015-07-21 Transphorm Inc. Enhancement-mode III-nitride devices
US9245993B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Transphorm Inc. Carbon doping semiconductor devices
EP2973664B1 (en) 2013-03-15 2020-10-14 Crystal Is, Inc. Ultraviolet light-emitting device and method of forming a contact to an ultraviolet light-emitting device
US9847411B2 (en) 2013-06-09 2017-12-19 Cree, Inc. Recessed field plate transistor structures
US9755059B2 (en) 2013-06-09 2017-09-05 Cree, Inc. Cascode structures with GaN cap layers
US9679981B2 (en) 2013-06-09 2017-06-13 Cree, Inc. Cascode structures for GaN HEMTs
US9407214B2 (en) 2013-06-28 2016-08-02 Cree, Inc. MMIC power amplifier
TWI503969B (zh) * 2013-07-11 2015-10-11 Univ Asia 高電子遷移率電晶體及其製造方法
US9443938B2 (en) 2013-07-19 2016-09-13 Transphorm Inc. III-nitride transistor including a p-type depleting layer
TWI500916B (zh) * 2014-03-07 2015-09-21 Nat Univ Tsing Hua 黏度感測系統、黏度感測方法以及電晶體式黏度感測器
US9318593B2 (en) 2014-07-21 2016-04-19 Transphorm Inc. Forming enhancement mode III-nitride devices
US9536967B2 (en) 2014-12-16 2017-01-03 Transphorm Inc. Recessed ohmic contacts in a III-N device
US9536966B2 (en) 2014-12-16 2017-01-03 Transphorm Inc. Gate structures for III-N devices
CN104900529B (zh) * 2015-04-23 2018-02-06 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种提高栅控晶体管线性度的方法及其结构
US10283631B2 (en) 2015-05-12 2019-05-07 Delta Electronics, Inc. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9583607B2 (en) 2015-07-17 2017-02-28 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Semiconductor device with multiple-functional barrier layer
US9876102B2 (en) 2015-07-17 2018-01-23 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Semiconductor device with multiple carrier channels
US9704705B2 (en) 2015-09-08 2017-07-11 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation via reaction with active species
US9627473B2 (en) 2015-09-08 2017-04-18 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation in III-nitride material semiconductor structures
US9773898B2 (en) 2015-09-08 2017-09-26 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. III-nitride semiconductor structures comprising spatially patterned implanted species
US9806182B2 (en) 2015-09-08 2017-10-31 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation using elemental diboride diffusion barrier regions
US9799520B2 (en) 2015-09-08 2017-10-24 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation via back side implantation
US20170069721A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation using silicon carbide diffusion barrier regions
US9673281B2 (en) 2015-09-08 2017-06-06 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Parasitic channel mitigation using rare-earth oxide and/or rare-earth nitride diffusion barrier regions
US10211294B2 (en) 2015-09-08 2019-02-19 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. III-nitride semiconductor structures comprising low atomic mass species
US10520193B2 (en) 2015-10-28 2019-12-31 General Electric Company Cooling patch for hot gas path components
CN108604597B (zh) 2016-01-15 2021-09-17 创世舫电子有限公司 具有al(1-x)sixo栅极绝缘体的增强模式iii-氮化物器件
US9947616B2 (en) 2016-03-17 2018-04-17 Cree, Inc. High power MMIC devices having bypassed gate transistors
US9786660B1 (en) 2016-03-17 2017-10-10 Cree, Inc. Transistor with bypassed gate structure field
US10128365B2 (en) 2016-03-17 2018-11-13 Cree, Inc. Bypassed gate transistors having improved stability
WO2017210323A1 (en) 2016-05-31 2017-12-07 Transphorm Inc. Iii-nitride devices including a graded depleting layer
US10354879B2 (en) 2016-06-24 2019-07-16 Cree, Inc. Depletion mode semiconductor devices including current dependent resistance
DE102017210711A1 (de) * 2016-06-27 2017-12-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterbauelement
CN106783962A (zh) * 2017-01-11 2017-05-31 西安电子科技大学 一种p‑GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
CN106876457B (zh) * 2017-01-11 2020-08-21 西安电子科技大学 一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
CN106783961A (zh) * 2017-01-11 2017-05-31 西安电子科技大学 一种具有部分P型GaN帽层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
CN106876458B (zh) * 2017-01-11 2020-08-21 西安电子科技大学 一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
CN106783960A (zh) * 2017-01-11 2017-05-31 西安电子科技大学 一种阶梯p‑GaN增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
CN106783963A (zh) * 2017-01-11 2017-05-31 西安电子科技大学 一种具有部分本征GaN帽层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
US10854718B2 (en) 2017-02-21 2020-12-01 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming a semiconductor device
US10615273B2 (en) 2017-06-21 2020-04-07 Cree, Inc. Semiconductor devices having a plurality of unit cell transistors that have smoothed turn-on behavior and improved linearity
US10268789B1 (en) 2017-10-03 2019-04-23 Cree, Inc. Transistor amplifiers having node splitting for loop stability and related methods
WO2019160598A1 (en) * 2018-02-14 2019-08-22 Hrl Laboratories, Llc HIGHLY SCALED LINEAR GaN HEMT STRUCTURES
TWI676237B (zh) * 2018-05-02 2019-11-01 世界先進積體電路股份有限公司 半導體結構、高電子遷移率電晶體及半導體結構製造方法
US10453947B1 (en) 2018-06-12 2019-10-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Semiconductor structure and high electron mobility transistor with a substrate having a pit, and methods for fabricating semiconductor structure
CN108899367A (zh) * 2018-06-29 2018-11-27 江苏能华微电子科技发展有限公司 一种常闭型氮化镓/氮化铝镓基hemt器件
US10763334B2 (en) 2018-07-11 2020-09-01 Cree, Inc. Drain and/or gate interconnect and finger structure
US10483352B1 (en) * 2018-07-11 2019-11-19 Cree, Inc. High power transistor with interior-fed gate fingers
US11038023B2 (en) 2018-07-19 2021-06-15 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. III-nitride material semiconductor structures on conductive silicon substrates
US10600746B2 (en) 2018-07-19 2020-03-24 Cree, Inc. Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having gaps and/or isolation structures between groups of unit cell transistors
JP7021034B2 (ja) * 2018-09-18 2022-02-16 株式会社東芝 半導体装置
TWI692867B (zh) 2018-10-04 2020-05-01 新唐科技股份有限公司 高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
WO2020106537A1 (en) 2018-11-19 2020-05-28 Cree, Inc. Semiconductor devices having a plurality of unit cell transistors that have smoothed turn-on behavior and improved linearity
US10770415B2 (en) 2018-12-04 2020-09-08 Cree, Inc. Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation
US11476359B2 (en) 2019-03-18 2022-10-18 Wolfspeed, Inc. Structures for reducing electron concentration and process for reducing electron concentration
US11417746B2 (en) 2019-04-24 2022-08-16 Wolfspeed, Inc. High power transistor with interior-fed fingers
US10923585B2 (en) 2019-06-13 2021-02-16 Cree, Inc. High electron mobility transistors having improved contact spacing and/or improved contact vias
US10971612B2 (en) 2019-06-13 2021-04-06 Cree, Inc. High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability
US11075271B2 (en) 2019-10-14 2021-07-27 Cree, Inc. Stepped field plates with proximity to conduction channel and related fabrication methods
US11569182B2 (en) 2019-10-22 2023-01-31 Analog Devices, Inc. Aluminum-based gallium nitride integrated circuits
US11356070B2 (en) 2020-06-01 2022-06-07 Wolfspeed, Inc. RF amplifiers having shielded transmission line structures
US11837457B2 (en) 2020-09-11 2023-12-05 Wolfspeed, Inc. Packaging for RF transistor amplifiers
US20210313293A1 (en) 2020-04-03 2021-10-07 Cree, Inc. Rf amplifier devices and methods of manufacturing
US11670605B2 (en) 2020-04-03 2023-06-06 Wolfspeed, Inc. RF amplifier devices including interconnect structures and methods of manufacturing
KR20220158261A (ko) 2020-04-03 2022-11-30 울프스피드, 인크. 소스, 게이트 및/또는 드레인 도전성 비아들을 갖는 iii족 질화물계 라디오 주파수 트랜지스터 증폭기들
US11837559B2 (en) 2020-04-03 2023-12-05 Wolfspeed, Inc. Group III nitride-based radio frequency amplifiers having back side source, gate and/or drain terminals
US11769768B2 (en) 2020-06-01 2023-09-26 Wolfspeed, Inc. Methods for pillar connection on frontside and passive device integration on backside of die
US11228287B2 (en) 2020-06-17 2022-01-18 Cree, Inc. Multi-stage decoupling networks integrated with on-package impedance matching networks for RF power amplifiers
US11533025B2 (en) 2020-06-18 2022-12-20 Wolfspeed, Inc. Integrated doherty amplifier with added isolation between the carrier and the peaking transistors
CN111682065B (zh) 2020-06-19 2023-04-18 英诺赛科（珠海）科技有限公司 具有非对称栅极结构的半导体器件
US11533024B2 (en) 2020-06-25 2022-12-20 Wolfspeed, Inc. Multi-zone radio frequency transistor amplifiers
US11581859B2 (en) 2020-06-26 2023-02-14 Wolfspeed, Inc. Radio frequency (RF) transistor amplifier packages with improved isolation and lead configurations
US11887945B2 (en) 2020-09-30 2024-01-30 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device with isolation and/or protection structures
US11742302B2 (en) 2020-10-23 2023-08-29 Wolfspeed, Inc. Electronic device packages with internal moisture barriers
CN112470289B (zh) * 2020-10-28 2023-07-21 英诺赛科(苏州)科技有限公司 半导体装置和其制造方法
US20220139852A1 (en) 2020-10-30 2022-05-05 Cree, Inc. Transistor packages with improved die attach
US20220157671A1 (en) 2020-11-13 2022-05-19 Cree, Inc. Packaged rf power device with pcb routing
US11978790B2 (en) 2020-12-01 2024-05-07 Texas Instruments Incorporated Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate
US11791389B2 (en) 2021-01-08 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Radio frequency transistor amplifiers having widened and/or asymmetric source/drain regions for improved on-resistance performance
US20220376104A1 (en) 2021-05-20 2022-11-24 Cree, Inc. Transistors including semiconductor surface modification and related fabrication methods
US20220376085A1 (en) 2021-05-20 2022-11-24 Cree, Inc. Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance
US11842937B2 (en) 2021-07-30 2023-12-12 Wolfspeed, Inc. Encapsulation stack for improved humidity performance and related fabrication methods
US20230075505A1 (en) 2021-09-03 2023-03-09 Wolfspeed, Inc. Metal pillar connection topologies for heterogeneous packaging
US20230078017A1 (en) 2021-09-16 2023-03-16 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device incorporating a substrate recess
WO2023056145A1 (en) 2021-10-01 2023-04-06 Wolfspeed, Inc. Bypassed gate transistors having improved stability
US20230291367A1 (en) 2022-03-08 2023-09-14 Wolfspeed, Inc. Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits having multi-layer metal-insulator-metal capacitors
US20230395695A1 (en) 2022-06-07 2023-12-07 Wolfspeed, Inc. Method for reducing parasitic capacitance and increasing peak transconductance while maintaining on-state resistance and related devices
US20240106397A1 (en) 2022-09-23 2024-03-28 Wolfspeed, Inc. Transistor amplifier with pcb routing and surface mounted transistor die
US20240105824A1 (en) 2022-09-23 2024-03-28 Wolfspeed, Inc. Barrier Structure for Sub-100 Nanometer Gate Length Devices
US20240105823A1 (en) 2022-09-23 2024-03-28 Wolfspeed, Inc. Barrier Structure for Dispersion Reduction in Transistor Devices

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2465317A2 (fr) 1979-03-28 1981-03-20 Thomson Csf Transistor a effet de champ a frequence de coupure elevee
CA1145482A (en) * 1979-12-28 1983-04-26 Takashi Mimura High electron mobility single heterojunction semiconductor device
JPH088350B2 (ja) * 1985-04-08 1996-01-29 日本電気株式会社 半導体装置
US4788156A (en) * 1986-09-24 1988-11-29 Microwave Technology, Inc. Subchannel doping to reduce short-gate effects in field effect transistors
US5411914A (en) 1988-02-19 1995-05-02 Massachusetts Institute Of Technology III-V based integrated circuits having low temperature growth buffer or passivation layers
US5192987A (en) 1991-05-17 1993-03-09 Apa Optics, Inc. High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions
DE69202554T2 (de) * 1991-12-25 1995-10-19 Nec Corp Tunneltransistor und dessen Herstellungsverfahren.
JPH05275463A (ja) 1992-03-30 1993-10-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH06267991A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
EP0710984B1 (en) * 1994-11-02 2001-08-08 Trw Inc. Method of fabricating monolithic multifunction integrated circuit devices
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US6002148A (en) * 1995-06-30 1999-12-14 Motorola, Inc. Silicon carbide transistor and method
DE19600116C2 (de) * 1996-01-03 2001-03-15 Siemens Ag Doppelheterostruktur-HEMT
JPH1050982A (ja) 1996-07-31 1998-02-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置
US6448648B1 (en) * 1997-03-27 2002-09-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Metalization of electronic semiconductor devices
JPH10335637A (ja) 1997-05-30 1998-12-18 Sony Corp ヘテロ接合電界効果トランジスタ
JP3372470B2 (ja) 1998-01-20 2003-02-04 シャープ株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置
US6316793B1 (en) * 1998-06-12 2001-11-13 Cree, Inc. Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates
JP3209270B2 (ja) * 1999-01-29 2001-09-17 日本電気株式会社 ヘテロ接合電界効果トランジスタ
US6639255B2 (en) 1999-12-08 2003-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. GaN-based HFET having a surface-leakage reducing cap layer
JP4592938B2 (ja) * 1999-12-08 2010-12-08 パナソニック株式会社 半導体装置
JP3393602B2 (ja) 2000-01-13 2003-04-07 松下電器産業株式会社 半導体装置
US6586781B2 (en) 2000-02-04 2003-07-01 Cree Lighting Company Group III nitride based FETs and HEMTs with reduced trapping and method for producing the same
JP4022708B2 (ja) * 2000-06-29 2007-12-19 日本電気株式会社 半導体装置
US6515316B1 (en) * 2000-07-14 2003-02-04 Trw Inc. Partially relaxed channel HEMT device
US7030428B2 (en) 2001-12-03 2006-04-18 Cree, Inc. Strain balanced nitride heterojunction transistors
US9696798B2 (en) 2014-04-09 2017-07-04 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Eye gaze direction indicator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101046144B1 (ko) * 2008-10-21 2011-07-01 삼성엘이디 주식회사 질화갈륨막 제조방법 및 질화계 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
US8860087B2 (en) 2011-09-30 2014-10-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR100933277B1 (ko) 2009-12-22
WO2003007383A2 (en) 2003-01-23
CN1554121A (zh) 2004-12-08
CN100429786C (zh) 2008-10-29
EP1405349B1 (en) 2012-08-08
JP2004535676A (ja) 2004-11-25
WO2003007383A3 (en) 2003-04-17
US6548333B2 (en) 2003-04-15
US20020066908A1 (en) 2002-06-06
CA2453318C (en) 2014-06-10
AU2002255935A1 (en) 2003-01-29
EP1405349A2 (en) 2004-04-07
US6777278B2 (en) 2004-08-17
CA2453318A1 (en) 2003-01-23
JP4445257B2 (ja) 2010-04-07
US20030157776A1 (en) 2003-08-21
TW577127B (en) 2004-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100933277B1 (ko) ＧａＮ계 캡 세그먼트 상에 게이트 콘택을 구비한ＡｌＧａＮ/ＧａＮ ＨＥＭＴ 및 그 제조방법
US9214538B2 (en) High performance multigate transistor
US7750369B2 (en) Nitride semiconductor device
US11355600B2 (en) High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance
JP5383652B2 (ja) 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US11289593B2 (en) Breakdown resistant HEMT substrate and device
US20110227132A1 (en) Field-effect transistor
EP2339634B1 (en) GaN based FET and method for producing the same
US20130032860A1 (en) HFET with low access resistance
US7465968B2 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
TW202213770A (zh) 半導體裝置
US11908927B2 (en) Nitride semiconductor device
US10840353B2 (en) High electron mobility transistor with dual thickness barrier layer
WO2014050740A1 (ja) スイッチング素子
WO2017126428A1 (en) Semiconductor device, electronic part, electronic apparatus, and method for fabricating semiconductor device
US11437473B2 (en) Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same
US12002879B2 (en) High electron mobility transistor and method of manufacturing the same
CN117650175B (zh) 一种垂直型GaN HEMT半导体器件及其制造方法
US11600721B2 (en) Nitride semiconductor apparatus and manufacturing method thereof
US20240088260A1 (en) Power semiconductor device and manufacturing method thereof
US20210399120A1 (en) High electron mobility transistor and method of manufacturing the same
WO2024030127A1 (en) P-gan high electron mobility transistor field plating

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121122

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131119

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141124

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161123

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171117

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 10