JP2004363085A - 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
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Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278027A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Ebara Corp | 電子線装置 |
| JP2007003212A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡用撮像レシピ作成装置及びその方法並びに半導体パターンの形状評価装置 |
| JP2007035386A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Ebara Corp | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2007051902A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 写像投影型電子線式検査装置及びその方法 |
| JP2007157575A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法及びそのシステム、並びに写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置 |
| JP2008311351A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| US7501625B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-03-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron microscope application apparatus and sample inspection method |
| WO2010079608A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 株式会社島津製作所 | 液晶アレイ検査装置および液晶アレイ検査装置の信号処理方法 |
| WO2010079607A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 株式会社島津製作所 | 液晶アレイ検査装置および液晶アレイ検査装置の信号処理方法 |
| JP2010170712A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| JP2010237200A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-10-21 | Ebara Corp | 試料観察方法及び装置、並びにそれらを用いた試料検査方法及び装置 |
| JP2010276901A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光装置のチャック位置検出方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| JPWO2009125603A1 (ja) * | 2008-04-11 | 2011-08-04 | 株式会社荏原製作所 | 試料観察方法及び装置、並びにそれらを用いた検査方法及び装置 |
| JP2013012497A (ja) * | 2005-08-12 | 2013-01-17 | Ebara Corp | 検出装置及び検査装置 |
| JP2013080722A (ja) * | 2006-01-25 | 2013-05-02 | Ebara Corp | 試料表面検査方法及び検査装置 |
| JP2014060001A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Ebara Corp | 検査装置 |
| KR20140123342A (ko) * | 2013-04-12 | 2014-10-22 | 삼성전자주식회사 | 기판의 결함 검출 방법 |
| JP2015017899A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 電子線後方散乱回折装置 |
| JP2015035358A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置および検査用画像データの生成方法 |
| JP2015111143A (ja) * | 2008-10-24 | 2015-06-18 | ライカ バイオシステムズ イメージング インコーポレイテッドAperio Technologies, Inc. | スライド全体蛍光スキャナ |
| JP2016157695A (ja) * | 2003-05-09 | 2016-09-01 | 株式会社荏原製作所 | 電子線装置 |
| TWI574022B (zh) * | 2016-01-21 | 2017-03-11 | 旺矽科技股份有限公司 | 晶粒檢測裝置及晶粒傳送方法 |
| TWI582428B (zh) * | 2015-10-05 | 2017-05-11 | Pre - scan based track correction focusing leveling device and method | |
| KR101798473B1 (ko) | 2016-05-30 | 2017-11-17 | (주)코셈 | 고분해능 주사전자현미경 |
| JP2018004957A (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 合焦装置、合焦方法、及びパターン検査方法 |
| JP2018060614A (ja) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | 株式会社メルビル | 試料ホルダー |
| US10074510B2 (en) | 2013-08-09 | 2018-09-11 | Ebara Corporation | Inspection system and inspection image data generation method |
| KR20190008140A (ko) * | 2017-07-13 | 2019-01-23 | 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 | 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 영향 디바이스, 및 하전 입자 빔 디바이스를 동작시키는 방법 |
| JPWO2018025849A1 (ja) * | 2016-08-02 | 2019-06-13 | 松定プレシジョン株式会社 | 荷電粒子線装置及び走査電子顕微鏡 |
| KR20190133095A (ko) * | 2018-05-22 | 2019-12-02 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 주사형 전자 현미경 |
| US10504686B2 (en) | 2017-05-23 | 2019-12-10 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus |
| WO2020166076A1 (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 株式会社日立ハイテク | 構造推定システム、構造推定プログラム |
| KR20220091730A (ko) * | 2020-12-24 | 2022-07-01 | 큐알티 주식회사 | 반도체 소자 테스트용 빔 검사 장치, 및 빔 검사 방법 |
| WO2023074942A1 (ko) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 한국생산기술연구원 | 멀티 프로버용 카트리지 이송장치 |
| JP2023549777A (ja) * | 2020-11-23 | 2023-11-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ウェハ検査および検証 |
Families Citing this family (106)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006093268A1 (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | Ebara Corporation | 写像投影型電子線装置及び該装置を用いた欠陥検査システム |
| KR100759952B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2007-09-19 | 주식회사 이디디 | 히터부가 분리가능한 정전척 |
| CN101461026B (zh) | 2006-06-07 | 2012-01-18 | Fei公司 | 与包含真空室的装置一起使用的滑动轴承 |
| KR100782373B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 중성빔을 이용한 플라즈마 처리설비 |
| EP2058646A1 (en) * | 2006-08-28 | 2009-05-13 | I-Pulse Kabushiki Kaisha | Substrate inspecting apparatus |
| TWI485742B (zh) * | 2006-09-12 | 2015-05-21 | 荏原製作所股份有限公司 | 荷電粒子束裝置及使用該裝置之半導體元件製造方法 |
| KR100833647B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2008-05-30 | 한국표준과학연구원 | 고에너지 하전입자 스펙트로미터 |
| KR100807254B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2008-02-28 | 삼성전자주식회사 | 결함 검사 장치 |
| CN101493425B (zh) * | 2008-10-31 | 2011-07-20 | 东莞康视达自动化科技有限公司 | 微观表面缺陷全自动紫外光学检测方法及其系统 |
| US7919760B2 (en) * | 2008-12-09 | 2011-04-05 | Hermes-Microvision, Inc. | Operation stage for wafer edge inspection and review |
| KR101105658B1 (ko) * | 2010-03-23 | 2012-01-18 | (주)로고스바이오시스템스 | 현미경 모듈 |
| EP2402976A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-04 | Fei Company | Method of electron diffraction tomography |
| KR101176742B1 (ko) | 2010-11-12 | 2012-08-23 | 연세대학교 산학협력단 | 광학 신호 또는 분석 기체의 오염 방지 장치 |
| US9025143B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-05-05 | Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsei University | Device for preventing intensity reduction of optical signal, optical emission spectrometer, optical instrument, and mass spectrometer including the same |
| KR101151588B1 (ko) * | 2010-12-22 | 2012-05-31 | 세종대학교산학협력단 | 플라즈마 입자 촬영을 위한 디지털 홀로그램 센서 시스템 |
| TWI447385B (zh) * | 2011-09-16 | 2014-08-01 | Inotera Memories Inc | 一種使用聚焦離子束系統進行晶片平面成像的方法 |
| JP5929139B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2016-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエーター、ロボットハンド、ロボット、電子部品搬送装置、電子部品検査装置およびプリンター |
| JP6031238B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置 |
| JP2013200182A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
| JP5967538B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2016-08-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡および電子線検出器 |
| TW201432253A (zh) | 2012-12-28 | 2014-08-16 | Hitachi High Tech Corp | 帶電粒子束裝置及其缺陷分析方法 |
| JP6137536B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-05-31 | 日本電産リード株式会社 | 基板検査装置、及び基板検査方法 |
| TW201517192A (zh) * | 2013-10-23 | 2015-05-01 | Macronix Int Co Ltd | 晶片對資料庫的影像檢測方法 |
| JP6490938B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2019-03-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工方法、断面加工装置 |
| KR102279765B1 (ko) * | 2014-08-04 | 2021-07-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US20160110859A1 (en) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Macronix International Co., Ltd. | Inspection method for contact by die to database |
| CN105588844A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-18 | 旺宏电子股份有限公司 | 芯片对数据库的接触窗检测方法 |
| KR102526842B1 (ko) * | 2015-03-06 | 2023-05-03 | 한국전자통신연구원 | 전자 빔 생성기, 그를 포함하는 이미지 장치, 및 광학 장치 |
| JP2016207925A (ja) | 2015-04-27 | 2016-12-08 | 株式会社アドバンテスト | 素子、製造方法、および露光装置 |
| JP6555002B2 (ja) * | 2015-08-19 | 2019-08-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライブラインの検査方法 |
| JP6640497B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2020-02-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料ホルダ及び試料ホルダ群 |
| EP3360153A4 (en) | 2015-10-05 | 2019-10-02 | Shenzhen Genorivision Technology Co. Ltd. | PHOTOVERVIEWER TUBES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| JP6690216B2 (ja) | 2015-12-10 | 2020-04-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ処理方法、データ処理プログラム、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| CN109073568B (zh) * | 2016-04-29 | 2022-01-11 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定结构的特性的方法和装置、器件制造方法 |
| JP2018518005A (ja) * | 2016-05-20 | 2018-07-05 | 韓国標準科学研究院Korea Reserch Institute Of Standards And Science | モノクロメーターを備えた電子線装置 |
| JP6689539B2 (ja) * | 2016-08-12 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | 判定装置 |
| US10528898B2 (en) * | 2016-08-18 | 2020-01-07 | i Smart Technologies Corporation | Production management system, production management apparatus and production management method for manufacturing line |
| CN106404022B (zh) * | 2016-08-20 | 2019-01-04 | 南京理工大学 | 一种用于大面积mcp清刷测试的接电装置 |
| TWI747871B (zh) * | 2016-09-06 | 2021-12-01 | 日商愛宕股份有限公司 | 非破壞測量裝置 |
| JP7111695B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2022-08-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 画像センサ、および伝送システム |
| CN111164725B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-08-29 | Asml荷兰有限公司 | 用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备 |
| JP6884082B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2021-06-09 | 株式会社Screenホールディングス | 膜厚測定装置、基板検査装置、膜厚測定方法および基板検査方法 |
| JP6955955B2 (ja) * | 2017-10-12 | 2021-10-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP6413006B1 (ja) * | 2017-11-28 | 2018-10-24 | リオン株式会社 | パーティクルカウンタ |
| JP6969348B2 (ja) * | 2017-12-15 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| JP7023121B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2022-02-21 | 倉敷化工株式会社 | アクティブ除振装置 |
| JP7046621B2 (ja) * | 2018-01-29 | 2022-04-04 | 株式会社荏原製作所 | 偏向感度算出方法および偏向感度算出システム |
| IL277172B2 (en) | 2018-03-09 | 2024-07-01 | Asml Netherlands Bv | Multi-beam inspection apparatus with improved detection performance of signal electrons |
| JP6738363B2 (ja) | 2018-03-09 | 2020-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 画像取得システムおよび画像取得方法 |
| US10840055B2 (en) * | 2018-03-20 | 2020-11-17 | Kla Corporation | System and method for photocathode illumination inspection |
| CN112165996B (zh) * | 2018-05-22 | 2022-07-29 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 产业成套设备监视控制系统 |
| US11087950B2 (en) * | 2018-05-29 | 2021-08-10 | Kla-Tencor Corporation | Charge control device for a system with multiple electron beams |
| DE102018115012A1 (de) * | 2018-06-21 | 2019-12-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem |
| JP6922860B2 (ja) * | 2018-07-09 | 2021-08-18 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの検査方法、検査装置、製造方法 |
| IL282349B2 (en) * | 2018-10-23 | 2025-04-01 | Asml Netherlands Bv | Device and method for adaptive alignment |
| US20210407074A1 (en) * | 2018-11-01 | 2021-12-30 | Tokyo Electron Limited | Image processing method and image processing device |
| US12001521B2 (en) * | 2018-11-08 | 2024-06-04 | Hitachi High-Tech Corporation | Adjusting method of charged particle beam device and charged particle beam device system |
| CN113056806A (zh) | 2018-11-16 | 2021-06-29 | Asml荷兰有限公司 | 电磁复合透镜和具有这样的透镜的带电粒子光学系统 |
| CN113242989A (zh) * | 2018-12-17 | 2021-08-10 | 应用材料公司 | 使用离子束源的光学设备制造方法 |
| SG11202106369RA (en) * | 2018-12-31 | 2021-07-29 | Asml Netherlands Bv | Multi-beam inspection apparatus |
| DE112019006807B4 (de) | 2019-03-27 | 2025-07-17 | Hitachi High-Tech Corporation | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung |
| WO2020212170A1 (en) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Current source apparatus and method |
| CN110213512B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-09-07 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种多抽头电子倍增电荷耦合器件倍增区的弧形设计结构 |
| CN118226177A (zh) * | 2019-06-19 | 2024-06-21 | 泰克元有限公司 | 测试腔室 |
| JP7303052B2 (ja) * | 2019-07-16 | 2023-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 多極子収差補正器の導通検査方法及び多極子収差補正器の導通検査装置 |
| KR102147170B1 (ko) * | 2019-07-17 | 2020-08-25 | 한국과학기술연구원 | 극소각 중성자 산란 장치를 이용한 선형 패턴 측정 방법 |
| JP7216212B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-01-31 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子ビーム装置 |
| KR102901274B1 (ko) * | 2019-08-08 | 2025-12-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 시스템 내 ACC(advanced charge controller) 모듈의 빔 조정 |
| US11476084B2 (en) * | 2019-09-10 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and techniques for ion energy measurement in pulsed ion beams |
| TWI712788B (zh) * | 2019-11-14 | 2020-12-11 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構的缺陷檢測方法 |
| JP2021131985A (ja) * | 2020-02-20 | 2021-09-09 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の試料アライメント方法 |
| TWI791197B (zh) * | 2020-03-12 | 2023-02-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 帶電粒子系統中之高產能缺陷檢測之系統和方法 |
| TWI734413B (zh) * | 2020-03-13 | 2021-07-21 | 國立成功大學 | 試片檢測設備 |
| WO2021213870A1 (en) * | 2020-04-20 | 2021-10-28 | Asml Netherlands B.V. | An inspection tool, inspection tool operating method |
| JP7547082B2 (ja) * | 2020-05-22 | 2024-09-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
| EP4176467A1 (en) * | 2020-07-06 | 2023-05-10 | ASML Netherlands B.V. | A detector substrate for use in a charged particle multi-beam assessment tool |
| DE102020208992A1 (de) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 | TechnoTeam Holding GmbH | Verfahren zur räumlichen Charakterisierung des optischen Abstrahlverhaltens von Licht- und Strahlungsquellen |
| JP7502108B2 (ja) * | 2020-07-31 | 2024-06-18 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
| JP7542366B2 (ja) * | 2020-09-01 | 2024-08-30 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP7377375B2 (ja) * | 2020-10-26 | 2023-11-09 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| US11328914B1 (en) | 2020-11-10 | 2022-05-10 | Baker Hughes Oilfield Operations Llc | Discharge reduction in sealed components |
| TWI808357B (zh) * | 2020-11-19 | 2023-07-11 | 鏵友益科技股份有限公司 | 半導體元件的檢測方法 |
| CN114678246B (zh) * | 2020-12-24 | 2025-10-14 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 用于电容耦合等离子处理器阻抗特性测量的测量装置和方法 |
| KR102778907B1 (ko) * | 2020-12-30 | 2025-03-11 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 |
| WO2022175061A2 (en) | 2021-02-18 | 2022-08-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | System to inspect, modify or analyze a region of interest of a sample by charged particles, set of systems to inspect, modify or analyze a region of interest of a sample and method to inspect, modify or analyze a region of interest of a sample by charged particles |
| US12044638B2 (en) * | 2021-02-18 | 2024-07-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | System to inspect, modify or analyze a region of interest of a sample by charged particles, set of systems to inspect, modify or analyze a region of interest of a sample and method to inspect, modify or analyze a region of interest of a sample by charged particles |
| US12254644B2 (en) | 2021-03-31 | 2025-03-18 | Leica Camera Ag | Imaging system and method |
| US11893668B2 (en) | 2021-03-31 | 2024-02-06 | Leica Camera Ag | Imaging system and method for generating a final digital image via applying a profile to image information |
| US12339241B2 (en) * | 2021-05-11 | 2025-06-24 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple secondary electron beam alignment method, multiple secondary electron beam alignment apparatus, and electron beam inspection apparatus |
| TWI771105B (zh) * | 2021-07-15 | 2022-07-11 | 大陸商集創北方(珠海)科技有限公司 | Oled顯示面板之檢測方法及電路 |
| US11823939B2 (en) | 2021-09-21 | 2023-11-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for processing chamber lid concentricity alignment |
| EP4413410A4 (en) * | 2021-10-04 | 2025-09-03 | Ultima Genomics Inc | ENHANCED RESOLUTION IMAGING |
| CN114062322B (zh) * | 2021-10-19 | 2024-06-25 | 天津大学 | 一种提高THz-ATR成像分辨率及性能的装置及方法 |
| RU210024U1 (ru) * | 2021-11-22 | 2022-03-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Диодный узел для исследования прочностных свойств материалов облицовки плазменных установок при мощном импульсном энерговыделении |
| JP7667100B2 (ja) * | 2022-01-17 | 2025-04-22 | 株式会社日立ハイテク | ステージ装置、荷電粒子線装置及び真空装置 |
| CN114994073B (zh) * | 2022-05-24 | 2025-05-27 | 上海华力集成电路制造有限公司 | Die的缺陷扫描检测分析方法 |
| KR102748108B1 (ko) * | 2022-06-21 | 2024-12-31 | 덕우세미텍 주식회사 | 열전달 방지기능을 구비한 전기적 포텐셜 배리어 모듈 및 이를 포함하는 리소그래피 장치 |
| KR102709001B1 (ko) * | 2022-11-04 | 2024-09-24 | 주식회사 티에스이 | 이미지센서 패키지의 테스트 장치 |
| JP7560899B2 (ja) * | 2023-01-13 | 2024-10-03 | 株式会社新川 | ボンディング装置、ボンディング方法及びボンディングプログラム |
| CN116718485B (zh) * | 2023-04-27 | 2025-08-19 | 四川大学 | 一种原位测量组装件及测量方法 |
| JP2024172889A (ja) * | 2023-06-01 | 2024-12-12 | 株式会社Sumco | 外観検査装置および外観検査方法 |
| DE102023134499A1 (de) * | 2023-09-18 | 2025-03-20 | Raith Gmbh | Untersuchungsverfahren für eine Halbleiterprobe mittels eines Sekundärionen-Massenspektrometers mit einem fokussierten Ionenstrahl und Analysevorrichtung dafür |
| US11993495B1 (en) * | 2023-10-16 | 2024-05-28 | Altec Industries, Inc. | Aerial device |
| TWI870081B (zh) * | 2023-10-31 | 2025-01-11 | 崑山科技大學 | 提高電阻尺量測精度之方法 |
| TWI883675B (zh) * | 2023-11-30 | 2025-05-11 | 國立成功大學 | 晶圓製程檢測方法及其系統 |
| TWI882877B (zh) * | 2024-08-06 | 2025-05-01 | 財團法人精密機械研究發展中心 | 加工材料與加工刀具之顫振分析暨提示系統 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06188294A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-07-08 | Kla Instr Corp | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
| JPH10134757A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Nikon Corp | マルチビーム検査装置 |
| JP2000003142A (ja) * | 1998-02-04 | 2000-01-07 | Shimadzu Corp | 電子線によるフラットパネルディスプレイのピクセル検査方法及び検査装置 |
| JP2000100362A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 荷電粒子ビーム走査式自動検査装置 |
| JP2001141677A (ja) * | 1991-05-30 | 2001-05-25 | Kla Instr Corp | 基板の自動検査システムと方法 |
| WO2002045153A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Ebara Corporation | Procede et appareil d'inspection utilisant un faisceau d'electrons, et procede de production de dispositif utilisant celui-ci |
| JP2002203506A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | 基板検査装置およびその制御方法 |
| JP2002208369A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 表面状態観察装置 |
| JP2002237270A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Ebara Corp | 荷電粒子ビーム偏向装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム欠陥検査装置及び方法 |
| JP2002289130A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Ebara Corp | パターン検査装置、パターン検査方法及びデバイス製造方法 |
| JP2003031173A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Ebara Corp | 荷電粒子ビーム制御装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム光学装置、ならびに荷電粒子ビーム欠陥検査装置 |
| WO2003038858A2 (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Ebara Corporation | A semiconductor manufacturing apparatus having a built-in inspection apparatus and method therefor |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2901627A (en) * | 1953-02-19 | 1959-08-25 | Leitz Ernst Gmbh | Method of and apparatus for the electronic magnification of objects |
| NL7100609A (enExample) * | 1970-02-07 | 1971-08-10 | ||
| JP3187827B2 (ja) * | 1989-12-20 | 2001-07-16 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法および装置 |
| JPH06215714A (ja) * | 1992-06-05 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | 電界放出型透過電子顕微鏡 |
| JPH07297266A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Fujitsu Ltd | 静電チャックとウェハ吸着方法 |
| JPH10223512A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 電子ビーム投影露光装置 |
| WO1999009582A1 (en) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Nikon Corporation | Object observation device and object observation method |
| JP4042185B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2008-02-06 | 株式会社ニコン | パターン検査装置 |
| JP3534582B2 (ja) * | 1997-10-02 | 2004-06-07 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検査方法および検査装置 |
| JPH11144667A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | ミラー型電子顕微鏡 |
| JPH11242943A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-09-07 | Nikon Corp | 検査装置 |
| JP4002655B2 (ja) * | 1998-01-06 | 2007-11-07 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法およびその装置 |
| JP4106755B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2008-06-25 | 株式会社ニコン | 写像型観察方法及び写像型荷電粒子線顕微鏡 |
| JP4041630B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2008-01-30 | 株式会社日立製作所 | 回路パターンの検査装置および検査方法 |
| JP2000314710A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
| JP3524819B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2004-05-10 | 株式会社日立製作所 | 画像比較によるパターン検査方法およびその装置 |
| JP4175748B2 (ja) * | 1999-09-20 | 2008-11-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | パターン検査装置 |
| JP4370657B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2009-11-25 | 株式会社ニコン | 荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP4239350B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 荷電粒子ビーム装置 |
| JP2002015992A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | リソグラフィ・プロセス及びリソグラフィ・システムの評価方法、基板処理装置の調整方法、リソグラフィ・システム、露光方法及び装置、並びに感光材料の状態の測定方法 |
| TWI294632B (en) * | 2000-06-27 | 2008-03-11 | Ebara Corp | Inspecting device using an electron ebam and method for making semiconductor devices with such inspection device |
| EP1304717A4 (en) * | 2000-07-27 | 2009-12-09 | Ebara Corp | FLOOR BEAM ANALYSIS APPARATUS |
| US6593152B2 (en) * | 2000-11-02 | 2003-07-15 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the apparatus |
| JP2002139465A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Nikon Corp | 欠陥検査装置および該欠陥検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| US7109483B2 (en) * | 2000-11-17 | 2006-09-19 | Ebara Corporation | Method for inspecting substrate, substrate inspecting system and electron beam apparatus |
| EP1261016A4 (en) * | 2000-12-12 | 2007-06-27 | Ebara Corp | ELECTRON BEAM DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE ELECTRON BEAM DEVICE |
| JP2002184674A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画装置 |
| JPWO2002056332A1 (ja) * | 2001-01-10 | 2004-05-20 | 株式会社荏原製作所 | 電子線による検査装置、検査方法、及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2002208370A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 電子線装置及びデバイス製造方法 |
| DE60111496T2 (de) * | 2001-04-24 | 2005-12-15 | Advantest Corp. | Rasterteilchenspiegelmikroskop |
| JP2003115274A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料保持機と試料の保持方法、並びに、それを用いた半導体製造装置 |
-
2004
- 2004-02-09 JP JP2004031749A patent/JP2004363085A/ja active Pending
- 2004-04-26 EP EP12005826.8A patent/EP2522992A3/en not_active Withdrawn
- 2004-04-26 TW TW093111676A patent/TWI349775B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-26 EP EP04729530A patent/EP1635374A4/en not_active Withdrawn
- 2004-04-26 KR KR1020057021353A patent/KR101052335B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-26 TW TW099123749A patent/TWI417928B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-26 WO PCT/JP2004/006010 patent/WO2004100206A1/ja not_active Ceased
- 2004-04-26 TW TW099123751A patent/TWI491873B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001141677A (ja) * | 1991-05-30 | 2001-05-25 | Kla Instr Corp | 基板の自動検査システムと方法 |
| JPH06188294A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-07-08 | Kla Instr Corp | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
| JPH10134757A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Nikon Corp | マルチビーム検査装置 |
| JP2000003142A (ja) * | 1998-02-04 | 2000-01-07 | Shimadzu Corp | 電子線によるフラットパネルディスプレイのピクセル検査方法及び検査装置 |
| JP2000100362A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 荷電粒子ビーム走査式自動検査装置 |
| WO2002045153A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Ebara Corporation | Procede et appareil d'inspection utilisant un faisceau d'electrons, et procede de production de dispositif utilisant celui-ci |
| JP2002203506A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | 基板検査装置およびその制御方法 |
| JP2002208369A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 表面状態観察装置 |
| JP2002237270A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Ebara Corp | 荷電粒子ビーム偏向装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム欠陥検査装置及び方法 |
| JP2002289130A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Ebara Corp | パターン検査装置、パターン検査方法及びデバイス製造方法 |
| JP2003031173A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Ebara Corp | 荷電粒子ビーム制御装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム光学装置、ならびに荷電粒子ビーム欠陥検査装置 |
| WO2003038858A2 (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Ebara Corporation | A semiconductor manufacturing apparatus having a built-in inspection apparatus and method therefor |
Cited By (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016157695A (ja) * | 2003-05-09 | 2016-09-01 | 株式会社荏原製作所 | 電子線装置 |
| JP2006278027A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Ebara Corp | 電子線装置 |
| US7501625B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-03-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron microscope application apparatus and sample inspection method |
| JP2007003212A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡用撮像レシピ作成装置及びその方法並びに半導体パターンの形状評価装置 |
| JP2007035386A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Ebara Corp | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2013012497A (ja) * | 2005-08-12 | 2013-01-17 | Ebara Corp | 検出装置及び検査装置 |
| JP2007051902A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 写像投影型電子線式検査装置及びその方法 |
| US7420167B2 (en) | 2005-08-17 | 2008-09-02 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus and method for electron beam inspection with projection electron microscopy |
| US7521676B2 (en) | 2005-12-07 | 2009-04-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for inspecting pattern defects and mirror electron projection type or multi-beam scanning type electron beam apparatus |
| JP2007157575A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法及びそのシステム、並びに写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置 |
| US8859984B2 (en) | 2006-01-25 | 2014-10-14 | Ebara Corporation | Method and apparatus for inspecting sample surface |
| JP2013080722A (ja) * | 2006-01-25 | 2013-05-02 | Ebara Corp | 試料表面検査方法及び検査装置 |
| JP2008311351A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| US8158955B2 (en) | 2007-06-13 | 2012-04-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam application apparatus |
| JP2016028248A (ja) * | 2008-04-11 | 2016-02-25 | 株式会社荏原製作所 | 試料観察方法及び装置 |
| JPWO2009125603A1 (ja) * | 2008-04-11 | 2011-08-04 | 株式会社荏原製作所 | 試料観察方法及び装置、並びにそれらを用いた検査方法及び装置 |
| US9966227B2 (en) | 2008-04-11 | 2018-05-08 | Ebara Corporation | Specimen observation method and device using secondary emission electron and mirror electron detection |
| US8937283B2 (en) | 2008-04-11 | 2015-01-20 | Ebara Corporation | Specimen observation method and device using secondary emission electron and mirror electron detection |
| JP2015111143A (ja) * | 2008-10-24 | 2015-06-18 | ライカ バイオシステムズ イメージング インコーポレイテッドAperio Technologies, Inc. | スライド全体蛍光スキャナ |
| US9523844B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-12-20 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Whole slide fluorescence scanner |
| WO2010079608A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 株式会社島津製作所 | 液晶アレイ検査装置および液晶アレイ検査装置の信号処理方法 |
| JP5093539B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2012-12-12 | 株式会社島津製作所 | 液晶アレイ検査装置および液晶アレイ検査装置の信号処理方法 |
| JP5152606B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2013-02-27 | 株式会社島津製作所 | 液晶アレイ検査装置および液晶アレイ検査装置の信号処理方法 |
| CN102272587B (zh) * | 2009-01-09 | 2013-07-31 | 株式会社岛津制作所 | 液晶阵列检查装置以及液晶阵列检查装置的信号处理方法 |
| CN102272586B (zh) * | 2009-01-09 | 2013-07-31 | 株式会社岛津制作所 | 液晶阵列检查装置以及液晶阵列检查装置的信号处理方法 |
| CN102272587A (zh) * | 2009-01-09 | 2011-12-07 | 株式会社岛津制作所 | 液晶阵列检查装置以及液晶阵列检查装置的信号处理方法 |
| WO2010079607A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 株式会社島津製作所 | 液晶アレイ検査装置および液晶アレイ検査装置の信号処理方法 |
| JP2010170712A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| JP2010237200A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-10-21 | Ebara Corp | 試料観察方法及び装置、並びにそれらを用いた試料検査方法及び装置 |
| JP2010276901A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光装置のチャック位置検出方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| JP2014060001A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Ebara Corp | 検査装置 |
| KR102009173B1 (ko) | 2013-04-12 | 2019-08-09 | 삼성전자 주식회사 | 기판의 결함 검출 방법 |
| KR20140123342A (ko) * | 2013-04-12 | 2014-10-22 | 삼성전자주식회사 | 기판의 결함 검출 방법 |
| JP2015017899A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 電子線後方散乱回折装置 |
| JP2015035358A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置および検査用画像データの生成方法 |
| US10074510B2 (en) | 2013-08-09 | 2018-09-11 | Ebara Corporation | Inspection system and inspection image data generation method |
| TWI582428B (zh) * | 2015-10-05 | 2017-05-11 | Pre - scan based track correction focusing leveling device and method | |
| TWI574022B (zh) * | 2016-01-21 | 2017-03-11 | 旺矽科技股份有限公司 | 晶粒檢測裝置及晶粒傳送方法 |
| KR101798473B1 (ko) | 2016-05-30 | 2017-11-17 | (주)코셈 | 고분해능 주사전자현미경 |
| JP2018004957A (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 合焦装置、合焦方法、及びパターン検査方法 |
| JPWO2018025849A1 (ja) * | 2016-08-02 | 2019-06-13 | 松定プレシジョン株式会社 | 荷電粒子線装置及び走査電子顕微鏡 |
| JP2018060614A (ja) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | 株式会社メルビル | 試料ホルダー |
| US10242841B2 (en) | 2016-10-03 | 2019-03-26 | Mel-Build Corporation | Specimen holder |
| US10504686B2 (en) | 2017-05-23 | 2019-12-10 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus |
| JP2019053976A (ja) * | 2017-07-13 | 2019-04-04 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム影響装置、および荷電粒子ビーム装置を動作させる方法 |
| KR20190008140A (ko) * | 2017-07-13 | 2019-01-23 | 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 | 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 영향 디바이스, 및 하전 입자 빔 디바이스를 동작시키는 방법 |
| KR102194561B1 (ko) * | 2017-07-13 | 2020-12-24 | 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 | 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 영향 디바이스, 및 하전 입자 빔 디바이스를 동작시키는 방법 |
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| KR20190133095A (ko) * | 2018-05-22 | 2019-12-02 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 주사형 전자 현미경 |
| WO2020166076A1 (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 株式会社日立ハイテク | 構造推定システム、構造推定プログラム |
| KR20210053326A (ko) * | 2019-02-15 | 2021-05-11 | 주식회사 히타치하이테크 | 구조 추정 시스템, 구조 추정 프로그램 |
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