JP4370657B2 - 荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4370657B2 JP4370657B2 JP2000049305A JP2000049305A JP4370657B2 JP 4370657 B2 JP4370657 B2 JP 4370657B2 JP 2000049305 A JP2000049305 A JP 2000049305A JP 2000049305 A JP2000049305 A JP 2000049305A JP 4370657 B2 JP4370657 B2 JP 4370657B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- primary
- charged particle
- defect inspection
- illumination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 51
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 4
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 6
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子ビームを用いた観察装置、半導体基板の欠陥検査装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体デバイスの検査等、物体表面の微小物の観察には、主として走査型電子顕微鏡(SEM)が用いられてきた。しかしながら、SEMは電子ビーム観察面上の一点に照射し、照射点から発生する2次電子、反射電子や後方散乱電子を検出し、照射点を走査することにより画像を形成するものであり、観察に多大に時間がかかるという問題を有していた。これを解決する装置として、電子線を観察面に面状に照射し、その結果反射する電子及び後方散乱電子を加速して収束させ、電子光学系によりその像を拡大投影して撮像面に結像させ、電子強度分布を光強度分布変換し、光写像光学系を介して観察する装置が、特開平10−197462号公報、特開平11−64256号公報に記載されている。
このうち、特開平10−197462号公報に記載される装置においては、試料ステージを一方向に移動させながら撮像を行い、前記撮像面から得られてた二次元画像をTDIアレイCCDで検出することにより、高速・高感度でパターンの検査を行うようになっている。
【0003】
また、特開平11−64256号公報に記載される装置においては、ウィーンフィルター(E×B)を用いることにより、斜め方向から発生させた一次電子ビームにより試料を垂直照明(落射照明)し、かつ、試料から発生する2次電子、反射電子等を、結像系(二次光学系)によって垂直上方に設けられた撮像面に結像させることができるようになっている。すなわち、E×Bをビームスプリッターとして使用している。
【0004】
前述の特開平11−64256号公報に記載されるようなE×Bを用いた装置においては、照明用荷電粒子線を試料面に垂直に入射させ、かつ試料面の観察を垂直方向から行うことができるという特徴を有している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなシステムにおいて、前記E×Bは結像系(二次光学系)に対して収差が少なくなるように設計されるので、照明系(一次光学系)に対しては大きな収差を持つことが避けられず、その中でも特に非点収差が大きい。
【0006】
一般に、一次光学系は、E×Bの後に設けられている開口絞り(NA)の中心位置に電子銃のクロスオーバー像を結像し、その後の光学系は、開口絞りの位置に結像された像を光源とするケーラー照明を構成するように設計されている。
【0007】
しかしながら、一次光学系が荷電粒子源を開口絞りの位置に結像しようとしても、前記E×Bの非点収差のため結像特性が変更され、物体面で所定の照明視野、照度強度が得られないという問題点があった。
【0008】
また、二次光学系の倍率を変化させた場合の照明サイズと、検出器として2次元CCD及びTDICCDを切り換えて使用する際の各CCDのアスペクト比に対応した照明視野のアスペクト比とを適切にすることができなかった。
【0009】
即ち、照明視野のアスペクト比を変化させることができても、三重四極子では、
照明視野サイズは、所定の飛び々の値のみに設定できるだけであり、照明視野サイズに無駄が生じ、照明効率が適切ではなかった。
【0010】
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、照明視野のアスペクト比及び照明視野サイズを連続的に変化させることが可能な荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第一の手段は、少なくとも四極子からなる多極子レンズを複数段有する一次光学系を有し、荷電粒子源からの1次ビームをウィーンフィルター(E×B)を介して試料面(物体面)に所定の照明視野で照明する照明光学系と、前記照明された試料面(物体面)から発生する電子を、前記ウィーンフィルターを介して像面へ結像する写像投影光学系(二次光学系)と、前記複数段の多極子レンズのそれぞれに対する印加電圧を制御する一次コラム制御ユニットと、を備え、前記照明視野のアスペクト比及び視野サイズは、Xfocus、Yfocus、X倍率、Y倍率の4つのパラメータによって決定され、
前記一次光学系の前記多極子レンズは、少なくとも四段配置され、前記一次コラム制御ユニットは、前記4つのパラメータを所望の値にするために、各パラメータに対応して前記少なくとも四段の前記多極子レンズのそれぞれを制御することを特徴とする荷電粒子ビーム顕微鏡(請求項1)である。
【0012】
四重四極子レンズの各四極子レンズの印加電圧を制御し、Xfocus、YfocusをE×Bの非点収差にあわせつつ、X倍率、Y倍率を変化させれば所望のアスペクト比の所望の照明サイズが得られる。
【0013】
前記課題を解決するための第二の手段は、請求項1記載の荷電粒子ビーム顕微鏡を有してなることを特徴とする欠陥検査装置(請求項2)である。
【0014】
前記課題を解決するための第三の手段は、請求項2記載の欠陥検査装置により中間製品又は完成品の検査を行う工程を有してなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法(請求項3)である。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態の例を図面を用いて説明する。
【0016】
図1は、実施形態の一例である電子ビーム顕微鏡を使用した欠陥検査装置の例を示す全体構成図である。
【0017】
欠陥検査装置は、一次コラム20、二次コラム30およびチャンバー40を有している。
【0018】
一次コラム20の内部には、電子銃21が設けられており、電子銃21から照射される電子ビーム(一次ビーム)50の経路に沿って、視野絞りFS1、四重四極子レンズ22〜25よりなる一次光学系が配置される。
【0019】
また、チャンバー40の内部には、XY方向に沿って移動可能なステージ41が設置され、ステージ41上には試料11が載置される。
【0020】
一方、二次コラム30の内部には、試料11から発生する二次ビーム60の経路に沿って、カソードレンズCL、開口絞りAS、電磁プリズムとしてのウィーンフィルター(E×B(イー・クロス・ビー))31、レンズ32、33,視野絞りFS2、および検出器42が配置される。このとき、カソードレンズCLから検出器42までの間に配置される要素が二次光学系を構成している。
一方、検出器42は電子を光に変換し、リレー光学系55を通り、第二の検出器56からの出力は、コントロールユニット43に入力され、コントロールユニット43の出力は、CPU45に入力される。
【0021】
CPU45の制御信号は、一次光学系のレンズの電圧制御を行う一次コラム制御ユニット46、二次光学系33中の各レンズのレンズ電圧制御を行うと共に、E×Bに印加する電磁界制御を行う二次コラム制御ユニット47およびステージ駆動機構44に入力される。
【0022】
また、ステージ駆動機構44は、ステージの位置情報をCPU45に伝達する。さらに、一次コラム20、二次コラム30、チャンバー40は、真空排気系(不図示)につながれている。これより、一次コラム20、二次コラム30、チャンバー40の内部は、真空排気系のターボポンプにより排気されて、真空状態が維持される。
【0023】
電子銃21からの電子ビーム(一次ビーム50)は、一次光学系によるレンズ作用を受けて収束し、E×B31へ向かう。26、27は偏向器である。
【0024】
一次光学系22〜25を通過した一次ビーム50は、E×B31の偏向作用によりその軌道が曲げられる。E×B31は、磁界と電界とを直交させ、電界をE、磁界をB、荷電粒子の速度をvとした場合、E=vBのウィーン条件を満たす方向に移動する荷電粒子のみを直進させ、ウィーン条件を満たさない方向へ移動する荷電粒子の軌道を曲げるものである。図2に示すように、磁界をかける磁極31(B)と電界をかける電極31(E)を90°ずらして配置すると、一次ビーム50に対しては、磁界による力FBと電界による力FEとが同一方向に発生し、ビーム軌道は曲げられる。一方、二次ビーム60に対しては、力FBと力FEとが逆方向に働いて、互いに相殺されるので二次ビーム60はそのまま直進する。この構成自体は電子ビームをその加速電圧により偏向させるウィーンフィルタと同じであるが、本実施形態では電磁プリズム(ビームスプリッタ)として機能させている。
【0025】
E×B31を通過した一次ビームは開口絞りASに達し、この開口絞りASの位置で、電子銃のクロスオーバーの像を形成する。開口絞りASを通過した一次ビームは、カソードレンズCLによるレンズ作用を受けて、試料11上に達し、ケーラー照明条件が満たされた状態で試料11を照明する。
【0026】
二次光学系について説明する。図1において、一次ビームが照射された試料11からは、二次ビーム60として、試料11の表面形状、試料11の材質分布、電位の変化などに応じた分布の2次電子および反射電子が発生する。
【0027】
この二次ビームは、カソードレンズCLによるレンズ作用を受けて、カソードレンズの焦点位置に配置される開口絞りASを通過し、E×B31に達する。前述したように、E×B31によって形成される互いに直交した磁界Bと電界Eとは、試料11からの二次ビームがウィーン条件を満たすように設定される。これにより、開口絞りASを通過した二次ビームは、このE×B31により偏向されずに複数の電子レンズ32、33へ向かう。なお、本実施形態では、一次ビームの軌道を曲げて、二次ビームを直進させるものを用いたが、それに限定されず、一次ビームの軌道を直進させ、二次ビームの軌道を曲げる電磁プリズムを用いても良い。
【0028】
二次光学系34の中には、視野絞りFS2が設けられており、この視野絞りFS2は、カソードレンズCL及び電子レンズ32の一部に関して試料11と共役となっている。この視野絞りFS2を介した二次ビーム60は、さらに複数の電子レンズ32を経て検出器42へ到達する。35〜38は偏向器である。
【0029】
このとき、検出器42の検出面には、二次光学系により拡大された試料11の像が形成される。なお、二次光学系中の電子レンズとしては、円形の電子レンズや四重極や八重極など種々のものを用いることができる。また、前記2次電子は、初期エネルギーが数eVと小さいため、前記ステージ41、前記試料11に電圧を印可し、前記CL第1電極との電位差により、該2次電子を加速することができる。一次ビームは減速される。
【0030】
検出器42は、電子を増幅するMCPと、電子を光に変換する蛍光板と、真空系と外部とを隔てる真空窓から構成され、MCP表面に結像した2次電子の像を二次元の光の像に変換する。この二次元光学像は、光学像を伝達させるためのレンズやその他の光学素子からなるリレー光学系55を通り、第2の検出器56(二次元CCD等)で電気信号に変換されて、コントロールユニット43に入力される。
【0031】
コントロールユニット43は、撮像素子56から試料の画像信号を読み出し、CPU45に伝達する。
【0032】
CPU45は、画像信号からテンプレートマッチング等によってパターンの欠陥検査を実施する。
【0033】
また、ステージ駆動機構44によりXY方向に移動可能となっているステージ41の位置は、CPU45により読み取られる。そして、CPU45は、ステージ駆動機構44に駆動制御信号を出力し、ステージ41を駆動させ、順次画像の検出、検査を行う。
【0034】
なお、コントロールユニット43が読み出した試料11の画像信号をそのままディスプレイ48に表示すれば、電子ビームに基づいて試料を観察するための観察装置となる。
【0035】
一般的に、E×Bは、電極方向に凸のパワーをもち、磁極方向には収差の影響のパワーが発生する。もちろん、高次の収差があり、レンズの作用だけではない。しかし、支配的なのは、レンズ作用で、トーリック・レンズのように働く。レンズ作用に加えて非点収差があると考えてもよい。
【0036】
図1に示す実施形態において、照明光学系(一次光学系)に四重四極子レンズ22〜25を用いているので、この四重四極子レンズ22〜25の各四極子レンズの印加電圧を変更することにより、特にスティグメータ等を用いることなしに、E×B31の電極方向、磁極方向の結像位置を前記E×B31のパワー及び非点収差に合わせることができる。よって、電子銃のクロスオーバーを前記開口絞りAS上に結像し、カソードレンズ(CL)を介して試料をケーラー照明することができる。
【0037】
また、照明光学系(一次光学系)に四重四極子レンズ22〜25を用いているので、 照明視野のアスペクト比及び照明視野サイズを連続的に変化させることができる。その理由は次の通りである。
【0038】
二次光学系の倍率を変化させると、最適な照明視野サイズが変わる。
【0039】
また、ケーラー照明では、図3に示すように開き角θを変化させれば、照明視野が変化する。即ち、開き角θを変化させるためには、一次光学系の倍率を変化させればよい。
【0040】
従って、二次光学系の倍率変化に対応して、一次光学系の倍率変化を行えばよい。
【0041】
四極子レンズは、図4に示すように相対する電極に同一の電圧を、隣合う電極に極性が逆で絶対値が同一の電圧を印加することによってレンズ作用を持たせている。四極子レンズは、X方向、Y方向のレンズパワーが異なるため、1つの四極子レンズは、1つのパタメータしかもたない。
【0042】
照明視野のアスペクト比及び視野サイズは、Xfocus、Yfocus、X倍率、Y倍率の4つのパラメータによって決定される。
【0043】
前記4つのパラメータを所望の値にするために、各パラメータに対応して制御可能な四極子レンズを少なくとも4段備えることが必要となる。
【0044】
前記四重四極子レンズの各四極子レンズの印加電圧を制御し、Xfocus、Yfocusを前記E×Bの非点収差にあわせつつ、X倍率、Y倍率を変化させれば所望のアスペクト比の所望の照明サイズが得られる。
【0045】
また、視野絞りFS1が円又は楕円のときは、円形ビーム、楕円ビーム、FS1が正方形、または長方形のときは矩形ビーム、長方形ビームでウエハ11を照明できる。
【0046】
また、四重四極子レンズのかわりに四段以上の四極子、又は四段以上の八極子等の多極子でも良い。
【0047】
さらに、荷電粒子ビームはイオンビームでも良い。また、検査装置でなく、半導体露光装置や、すべての荷電粒子源からのビームにより試料面(物体面)を照明し、像面へ結像する荷電粒子ビーム写像投影光学系に適用できる。
【0048】
次に、本発明にかかる欠陥検査装置を用いて検査を行う工程を備える半導体チップ(所定の回路パターンを有するデバイス)を製造する方法について説明する。
【0049】
図5は、半導体デバイズの製造工程を示す概略工程図である。
まず、シリコンウエハを用意し、シリコンウエハ上にシリコン酸化膜を形成する(成膜工程)。
【0050】
シリコン酸化膜の形成方法としては、直接シリコンウエハを酸化する熱酸化法、
CVD法、スパッタ法等の周知技術が用いられる。
【0051】
なお、成膜工程で成膜する薄膜は後述するそれぞれ基本パターンによって異なり、アルミニウム等の導電膜、シリコン酸化膜等の絶縁膜、タングステン等の高融点金属膜等である。
【0052】
次に、シリコン酸化膜が形成されたシリコンウエハ上にレジストを塗布し(感光基板)、投影露光装置のウエハステージに設置するとともに、マスクをマスクステージに設置する。
【0053】
照明光学系から射出した光はマスクに入射し、投影結像光学系を介して、感光基板上にマスクに形成されたパターンの像を結像する(リソグラフィー工程)。
【0054】
次に、所定のパターンが転写されたレジストを現像し、エッチング用マスクを形成する。エッチング用マスクに形成された開口に合わせてシリコン酸化膜をエッチングした後、エッチング用マスクを除去する(エッチング工程)。
【0055】
また、シリコンウエハ中に不純物層を形成する場合があり、まず前述したリソグラフィー工程で不純物を導入する部分を開口したレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてイオン注入法によって下地に不純物(例えばB、P、As)を導入する(ドーピング工程)。
【0056】
このような方法(成膜工程、リソグラフィー工程、エッチング工程、ドーピング工程)を繰り返して、各基本パターン(例えば、MOSトランジスタの場合、素子分離領域(活性領域)を規定するパターン、ゲート電極のパターン、ソース/ドレイン領域を規定するパターン、素子間の電気的接続を行う配線の接続口(コンタクトホール)を形成するためのパターン、素子間の電気的接続のための配線パターン等)をウエハ上に順次積み重ねて半導体素子、集積回路を製造する。
【0057】
成膜工程、リソグラフィー工程、エッチング工程、ドーピング工程の一連の工程後、実施形態にかかる欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行う。
【0058】
欠陥検査により不良品と判断された場合は、廃棄され、良品と判断された場合は、成膜工程、リソグラフィー工程、エッチング工程、ドーピング工程を経て次層パターンを形成する。
【0059】
このようにして一連の各層のパターン形成後、実施形態にかかる欠陥検査装置を用いて検査を行う。
【0060】
シリコンウエハ上の素子を電気的に接続する配線を形成する(メタライズ工程)。
【0061】
シリコンウエハを個々のチップ(ダイス)に分割することを目的としてダイシングライン(チップとチップの間の隙間)に切り込みをいれる(ダイシング工程)。
【0062】
最後に、半導体チップをパッケージに封入する(アセンブリ工程)。
【0063】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明にかかる荷電粒子ビーム顕微鏡及び欠陥検査装置によれば、1次光学系(照明光学系)に対する電磁プリズム(E×B)の収差の影響をほぼ取り除くとともに、照明視野のアスペクト比及び照明サイズを連続的に変化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を荷電粒子ビーム写像投影光学系に適用した図である。
【図2】電磁プリズム(E×B)の作用を表す図である。
【図3】ケーラー照明時の電子線の開き角と、照明視野との関係を表す図である。
【図4】四極子レンズへの印加電圧を示す図である。
【図5】半導体デバイズの製造工程を示す概略工程図である。
【符号の説明】
11・・・試料(ウエハ)
20・・・一次コラム
21・・・電子銃
22〜25・・・1次光学系(四重四極子レンズ)
26、27、35、36、37、38・・・偏向器
30・・・二次コラム
31・・・電磁プリズム(E×B)
32、33・・・二次光学系のレンズ
40・・・チャンバー
41・・・ステージ
42・・・検出器
43・・・コントロールユニット
44・・・ステージ駆動機構
45・・・CPU
46・・・一次コラム制御ユニット
47・・・二次コラム制御ユニット
48・・・ディスプレイ
50・・・電子ビーム(一次ビーム)
55・・・リレー光学系
56・・・第2の検出器
60・・・二次ビーム
FS1、FS2・・・視野絞り
AS・・・開口絞り
CL・・・カソードレンズ
Claims (3)
- 少なくとも四極子からなる多極子レンズを複数段有する一次光学系を有し、荷電粒子源からの1次ビームをウィーンフィルター(E×B)を介して試料面(物体面)に所定の照明視野で照明する照明光学系と、
前記照明された試料面(物体面)から発生する電子を像面へ結像する写像投影光学系(二次光学系)と、
前記複数段の多極子レンズのそれぞれに対する印加電圧を制御する一次コラム制御ユニットと、を備え、
前記照明視野のアスペクト比及び視野サイズは、Xfocus、Yfocus、X倍率、Y倍率の4つのパラメータによって決定され、
前記一次光学系の前記多極子レンズは、少なくとも四段配置され、
前記一次コラム制御ユニットは、前記4つのパラメータを所望の値にするために、前記4つのパラメータに対応して、前記少なくとも四段の前記多極子レンズのそれぞれを制御することを特徴とする荷電粒子ビーム顕微鏡。 - 請求項1記載の荷電粒子ビーム顕微鏡を有してなることを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項2記載の欠陥検査装置により中間製品又は完成品の検査を行う工程を有してなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000049305A JP4370657B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000049305A JP4370657B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001242104A JP2001242104A (ja) | 2001-09-07 |
JP4370657B2 true JP4370657B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=18571269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000049305A Expired - Lifetime JP4370657B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4370657B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281492A (ja) * | 2001-11-02 | 2007-10-25 | Ebara Corp | 半導体製造装置 |
JP2003209149A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-07-25 | Ebara Corp | 検査装置を内蔵する半導体製造装置および該製造装置を用いるデバイス製造方法 |
US7157703B2 (en) | 2002-08-30 | 2007-01-02 | Ebara Corporation | Electron beam system |
JP2006004953A (ja) * | 2005-08-24 | 2006-01-05 | Ebara Corp | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
KR101293016B1 (ko) * | 2011-10-27 | 2013-08-05 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 주사전자현미경용 빈필터 제어방법 및 전자빔 정렬 기능을 구비한 주사전자현미경 |
WO2016129026A1 (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-18 | 株式会社日立製作所 | ミラーイオン顕微鏡およびイオンビーム制御方法 |
-
2000
- 2000-02-25 JP JP2000049305A patent/JP4370657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001242104A (ja) | 2001-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7351969B2 (en) | Electron beam inspection system and inspection method and method of manufacturing devices using the system | |
JP4738723B2 (ja) | マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法 | |
US7157703B2 (en) | Electron beam system | |
EP1253619A2 (en) | Charged particle beam exposure apparatus and device manufacturing method using same | |
US7095023B2 (en) | Charged particle beam apparatus, charged particle detection method, and method of manufacturing semiconductor device | |
EP1744348A2 (en) | A semiconductor manufacturing apparatus having a built-in inspection apparatus and method therefor | |
CN113471041B (zh) | 扫描电子显微镜装置和电子束检测设备 | |
JP4370657B2 (ja) | 荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2001283759A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
US7456401B2 (en) | Projection electron microscope, electron microscope, specimen surface observing method and micro device producing method | |
JP3782692B2 (ja) | 電子線装置及び該装置を用いた半導体デバイス製造方法 | |
JP2003036808A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
JP4387262B2 (ja) | 荷電粒子線装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
JP4110041B2 (ja) | 基板検査方法および半導体装置の製造方法 | |
JP4219823B2 (ja) | 写像型電子顕微鏡及びマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2001076659A (ja) | 荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2006032278A (ja) | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP2006066181A (ja) | 電子線装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
JP2004335193A (ja) | 電子線を用いた試料評価方法及び電子線装置 | |
JP3723106B2 (ja) | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP3995479B2 (ja) | 電子線装置及びその電子線装置を用いたデバイスの製造方法 | |
JP2006278028A (ja) | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP4092257B2 (ja) | 電子線装置及び該電子線装置を用いたパターン評価方法 | |
JP2007281492A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2005339960A (ja) | 対物レンズ、電子線装置及び欠陥検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060928 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090811 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090824 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4370657 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150911 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150911 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |