JP2002203506A - 基板検査装置およびその制御方法 - Google Patents
基板検査装置およびその制御方法Info
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- JP2002203506A JP2002203506A JP2000400814A JP2000400814A JP2002203506A JP 2002203506 A JP2002203506 A JP 2002203506A JP 2000400814 A JP2000400814 A JP 2000400814A JP 2000400814 A JP2000400814 A JP 2000400814A JP 2002203506 A JP2002203506 A JP 2002203506A
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- G01N22/04—Investigating moisture content
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学特性に優れ、かつ、構造が簡略化された
基板検査装置およびその制御方法を提供する。 【解決手段】 電子ビーム照射部１〜６とその制御部７
〜１０、ステージ１２とその制御部４５、写像投影光学
部１６，１８，２０とその制御部１７，１９，２１、電
子ビーム偏向部２７とその制御部４３と、ＭＣＰ２２、
蛍光体７２、ＣＣＤ素子１０６、ＣＣＤカメラ２５を含
む電子像検出部とその制御部２６，２７と、を備える基
板検査装置において、蛍光体７２の蛍光面をグランドに
接地し、ＭＣＰ２２ａの二次電子ビーム３２の入射面に
負電圧（Ｖｓｎｔ＋ＶＭＣＰ）を印加し、蛍光体７２の
蛍光面とＭＣＰ２２ａの入射面との間に加速電界を形成
して、蛍光体７２とＣＣＤ素子１０６とを一体化させ
る。
基板検査装置およびその制御方法を提供する。 【解決手段】 電子ビーム照射部１〜６とその制御部７
〜１０、ステージ１２とその制御部４５、写像投影光学
部１６，１８，２０とその制御部１７，１９，２１、電
子ビーム偏向部２７とその制御部４３と、ＭＣＰ２２、
蛍光体７２、ＣＣＤ素子１０６、ＣＣＤカメラ２５を含
む電子像検出部とその制御部２６，２７と、を備える基
板検査装置において、蛍光体７２の蛍光面をグランドに
接地し、ＭＣＰ２２ａの二次電子ビーム３２の入射面に
負電圧（Ｖｓｎｔ＋ＶＭＣＰ）を印加し、蛍光体７２の
蛍光面とＭＣＰ２２ａの入射面との間に加速電界を形成
して、蛍光体７２とＣＣＤ素子１０６とを一体化させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板検査装置およ
びその制御方法に関し、特に、荷電ビームを用いて半導
体ウェーハ上の集積回路パターンを観察する検査装置お
よびその制御方法に関するものである。
びその制御方法に関し、特に、荷電ビームを用いて半導
体ウェーハ上の集積回路パターンを観察する検査装置お
よびその制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化に伴い、ウェーハおよ
びマスク上の欠陥、異物の検出に要求される検出感度は
高くなってきている。一般に、致命的な不良を発生させ
るパターン欠陥および異物を検査するためには、パター
ン配線幅の１／２以下の検出感度が必要といわれてい
る。このため、０．１３μｍ以下のデザインルールの半
導体ウェーハの欠陥検査において、光学式によるパター
ン欠陥検査の限界が見えてきている。このような背景の
もと、荷電ビームを用いたパターン欠陥検査装置の開発
が行われてきた（特開平５−２５８７０３号公報、特開
平６−１８８２９４号公報、特開平７−２４９３９３号
公報など）。荷電ビームによる半導体ウェーハのパター
ン欠陥検査において高速処理を達成させるためには、特
開平７−２４９３９３号公報に提案の電子光学系の構成
が最も有力な手段と予想される。その実現のために、特
開平１１−１３２９７５に提案される光学系の提案もな
されている。
びマスク上の欠陥、異物の検出に要求される検出感度は
高くなってきている。一般に、致命的な不良を発生させ
るパターン欠陥および異物を検査するためには、パター
ン配線幅の１／２以下の検出感度が必要といわれてい
る。このため、０．１３μｍ以下のデザインルールの半
導体ウェーハの欠陥検査において、光学式によるパター
ン欠陥検査の限界が見えてきている。このような背景の
もと、荷電ビームを用いたパターン欠陥検査装置の開発
が行われてきた（特開平５−２５８７０３号公報、特開
平６−１８８２９４号公報、特開平７−２４９３９３号
公報など）。荷電ビームによる半導体ウェーハのパター
ン欠陥検査において高速処理を達成させるためには、特
開平７−２４９３９３号公報に提案の電子光学系の構成
が最も有力な手段と予想される。その実現のために、特
開平１１−１３２９７５に提案される光学系の提案もな
されている。
【０００３】従来技術の一例として、特開平１１−１３
２９７５に記載の手法を図３を参照しながら説明する。
なお、以下の各図において同一の部分には同一の参照番
号を付してその詳細な説明は省略する。
２９７５に記載の手法を図３を参照しながら説明する。
なお、以下の各図において同一の部分には同一の参照番
号を付してその詳細な説明は省略する。
【０００４】図３に示す基板検査装置は、荷電ビームと
して電子ビームを用いるものであり、その概略構成とし
て、電子ビーム照射部とその制御部、試料である基板１
１を装着するステージ１２とその制御部、二次、反射お
よび後方散乱電子ビーム写像投影光学部（以下、単に写
像投影光学部という）とその制御部、電子像検出部とそ
の制御部、電子ビーム偏向部とその制御部とを備えてい
る。
して電子ビームを用いるものであり、その概略構成とし
て、電子ビーム照射部とその制御部、試料である基板１
１を装着するステージ１２とその制御部、二次、反射お
よび後方散乱電子ビーム写像投影光学部（以下、単に写
像投影光学部という）とその制御部、電子像検出部とそ
の制御部、電子ビーム偏向部とその制御部とを備えてい
る。
【０００５】電子ビーム照射部は、基板１１の表面に対
して機械的に斜めに配置されており、この一方、写像投
影光学部の光軸は、基板１１の表面に対して垂直方向に
配置されている。このような構成により、電子銃から照
射された電子ビーム（以下、照射電子ビームという）３
１は、試料面に対して所定角度をなすように斜めから電
子ビーム偏向部に入射し、電子ビーム偏向部により、照
射電子ビーム３１は基板１１の表面に対して垂直な方向
に偏向された後に基板１１に入射する。また、基板１１
の表面で発生した二次電子、反射電子および後方散乱電
子（以下、二次電子等という）は、基板１１表面の電界
によって基板１１表面に対して垂直な方向に加速されて
写像投影光学系へ入射する。
して機械的に斜めに配置されており、この一方、写像投
影光学部の光軸は、基板１１の表面に対して垂直方向に
配置されている。このような構成により、電子銃から照
射された電子ビーム（以下、照射電子ビームという）３
１は、試料面に対して所定角度をなすように斜めから電
子ビーム偏向部に入射し、電子ビーム偏向部により、照
射電子ビーム３１は基板１１の表面に対して垂直な方向
に偏向された後に基板１１に入射する。また、基板１１
の表面で発生した二次電子、反射電子および後方散乱電
子（以下、二次電子等という）は、基板１１表面の電界
によって基板１１表面に対して垂直な方向に加速されて
写像投影光学系へ入射する。
【０００６】電子ビーム照射部は、電子銃と２段構成の
四極子レンズとを備えている。電子銃は、１００μｍ×
１０μｍの矩形の電子放出面を有するランタンヘキサボ
ライド（以下、ＬａＢ６という）陰極１、矩形開口を有
するウエーネルト電極２、矩形開口部を有する陽極３、
および光軸調整用の偏向器４とを含み、それぞれ制御部
７、８、９により照射電子ビーム３１の加速電圧、エミ
ッション電流、光軸が制御される。基板１１表面上で１
００μｍ×２５μｍ程度の矩形ビームを形成するため
に、２段の静電型四極子レンズ５、６とその制御部１０
が設けられている。照射電子ビーム３１の加速電圧は、
写像投影光学部の解像度、基板１１への入射電圧の関係
から決定される。
四極子レンズとを備えている。電子銃は、１００μｍ×
１０μｍの矩形の電子放出面を有するランタンヘキサボ
ライド（以下、ＬａＢ６という）陰極１、矩形開口を有
するウエーネルト電極２、矩形開口部を有する陽極３、
および光軸調整用の偏向器４とを含み、それぞれ制御部
７、８、９により照射電子ビーム３１の加速電圧、エミ
ッション電流、光軸が制御される。基板１１表面上で１
００μｍ×２５μｍ程度の矩形ビームを形成するため
に、２段の静電型四極子レンズ５、６とその制御部１０
が設けられている。照射電子ビーム３１の加速電圧は、
写像投影光学部の解像度、基板１１への入射電圧の関係
から決定される。
【０００７】照射電子ビーム３１は、ＬａＢ６陰極１よ
り放出され四極子レンズ５、６により収束されながら電
子ビーム照射部を出射し、電子ビーム偏向部２７に入射
する。電子ビーム偏向部２７は、図示しないウィーンフ
ィルタ（Wien filter）を有し、このウィーンフィルタ
により、照射電子ビーム３１は基板１１表面に対して垂
直となるようにその軌道が偏向されて電子ビーム偏向部
２７を出射する。その後、照射電子ビーム３１は、回転
対称静電レンズ１４によって縮小され、基板１１上に垂
直に照射する。静電レンズ１４は電源１５によって電圧
が印加される。
り放出され四極子レンズ５、６により収束されながら電
子ビーム照射部を出射し、電子ビーム偏向部２７に入射
する。電子ビーム偏向部２７は、図示しないウィーンフ
ィルタ（Wien filter）を有し、このウィーンフィルタ
により、照射電子ビーム３１は基板１１表面に対して垂
直となるようにその軌道が偏向されて電子ビーム偏向部
２７を出射する。その後、照射電子ビーム３１は、回転
対称静電レンズ１４によって縮小され、基板１１上に垂
直に照射する。静電レンズ１４は電源１５によって電圧
が印加される。
【０００８】ステージ１２は、電源１３により負電圧が
印加され、これにより基板１１に負電圧が印加される。
ステージ１２はまた、制御部１３によりその移動が制御
される。基板１１への印加電圧値は、写像投影光学部の
解像性能から決定される。０．１μｍ以下の解像度を得
るためには、二次電子等でなる電子ビーム（以下、二次
電子ビームという）３２の電圧は５ｋｅＶ程度のエネル
ギーが必要なため、試料印加電圧は５ｋＶが好ましい。
この一方、照射電子ビーム３１のエネルギーは、基板印
加電圧と基板への入射電圧との差によって決定される。
基板１１が半導体ウェーハである場合、基板１１への入
射電圧としては、照射ダメージおよび帯電防止の点から
８００Ｖ程度が一般に用いられている。この結果、照射
電子ビームの電圧は５．８ｋＶとなる。
印加され、これにより基板１１に負電圧が印加される。
ステージ１２はまた、制御部１３によりその移動が制御
される。基板１１への印加電圧値は、写像投影光学部の
解像性能から決定される。０．１μｍ以下の解像度を得
るためには、二次電子等でなる電子ビーム（以下、二次
電子ビームという）３２の電圧は５ｋｅＶ程度のエネル
ギーが必要なため、試料印加電圧は５ｋＶが好ましい。
この一方、照射電子ビーム３１のエネルギーは、基板印
加電圧と基板への入射電圧との差によって決定される。
基板１１が半導体ウェーハである場合、基板１１への入
射電圧としては、照射ダメージおよび帯電防止の点から
８００Ｖ程度が一般に用いられている。この結果、照射
電子ビームの電圧は５．８ｋＶとなる。
【０００９】照射電子ビーム３１がウェーハに照射され
ると、基板１１の表面からは、基板１１表面の形状／材
料／電位等の物性を表わす電子像をなす二次電子等が放
出される。これらの電子は、静電レンズ１４間に発生す
る加速電界によって加速され、静電レンズ１４によって
無限遠に焦点を有する軌道を描きながら、電子ビーム偏
向部２７に入る。ここで、電子ビーム偏向部２７は、基
板１１側から入射された二次電子ビーム３２を直進させ
る条件で制御されており、二次電子ビームは、偏向部２
７の中を直進して、分光手段に入射される。ここでは、
基板１１から発生した二次電子ビーム３２のエネルギー
の中で、所定値以上のエネルギーを有する二次電子ビー
ムのみが写像投影光学部に入射することになる。
ると、基板１１の表面からは、基板１１表面の形状／材
料／電位等の物性を表わす電子像をなす二次電子等が放
出される。これらの電子は、静電レンズ１４間に発生す
る加速電界によって加速され、静電レンズ１４によって
無限遠に焦点を有する軌道を描きながら、電子ビーム偏
向部２７に入る。ここで、電子ビーム偏向部２７は、基
板１１側から入射された二次電子ビーム３２を直進させ
る条件で制御されており、二次電子ビームは、偏向部２
７の中を直進して、分光手段に入射される。ここでは、
基板１１から発生した二次電子ビーム３２のエネルギー
の中で、所定値以上のエネルギーを有する二次電子ビー
ムのみが写像投影光学部に入射することになる。
【００１０】写像投影光学部は、それぞれ３段の回転対
称型静電レンズ１６、１８、２０を含む。二次電子ビー
ム３２は、静電レンズ１６、１８、２０によって拡大投
影されて、電子像検出部上で結像される。制御部１７、
１９、２１は、それぞれ静電レンズ１６、１８、２０の
電圧を制御する。
称型静電レンズ１６、１８、２０を含む。二次電子ビー
ム３２は、静電レンズ１６、１８、２０によって拡大投
影されて、電子像検出部上で結像される。制御部１７、
１９、２１は、それぞれ静電レンズ１６、１８、２０の
電圧を制御する。
【００１１】電子像検出部は、ＭＣＰ（Micro Channel
Plate）検出器２２、蛍光板２３、ＦＯＰ（Fiber Optic
al Plate）２４、ＣＣＤ素子１０６およびＣＣＤカメラ
２５を含む。本例においてＣＣＤ素子１０６は、ＣＣＤ
エリアセンサである。ＭＣＰ検出器２２に入射した二次
電子ビーム３２は、ＭＣＰにより１万倍から１０万倍に
増倍され蛍光板２３を照射し、この蛍光面で蛍光像が発
生する。これにより、電子ビームによる基板１１表面の
電子像が光学画像に変換される。この蛍光像は、ＦＯＰ
２４を介してＣＣＤエリアセンサで検出され、ＣＣＤカ
メラ２５から画像信号として出力される。画像信号は、
信号制御部２８を介してホストコンピュータ２９に送ら
れ、画像処理、画像データ保存が行なわれ、また、表示
器３０上に画像データが二次元画像の形態で表示され
る。本例では、２次元のＣＣＤエリアセンサによる画像
取り込みを取り上げて説明したが、ステージ１２の移動
と同期させて蛍光像をＴＤＩ（Time Delay Integrato
r）型のＣＣＤセンサを用いて光学画像を取り込むこと
もできる。この手法は、半導体ウェーハの欠陥検査な
ど、高速での検査が要求される場合に非常に有効な手段
である。
Plate）検出器２２、蛍光板２３、ＦＯＰ（Fiber Optic
al Plate）２４、ＣＣＤ素子１０６およびＣＣＤカメラ
２５を含む。本例においてＣＣＤ素子１０６は、ＣＣＤ
エリアセンサである。ＭＣＰ検出器２２に入射した二次
電子ビーム３２は、ＭＣＰにより１万倍から１０万倍に
増倍され蛍光板２３を照射し、この蛍光面で蛍光像が発
生する。これにより、電子ビームによる基板１１表面の
電子像が光学画像に変換される。この蛍光像は、ＦＯＰ
２４を介してＣＣＤエリアセンサで検出され、ＣＣＤカ
メラ２５から画像信号として出力される。画像信号は、
信号制御部２８を介してホストコンピュータ２９に送ら
れ、画像処理、画像データ保存が行なわれ、また、表示
器３０上に画像データが二次元画像の形態で表示され
る。本例では、２次元のＣＣＤエリアセンサによる画像
取り込みを取り上げて説明したが、ステージ１２の移動
と同期させて蛍光像をＴＤＩ（Time Delay Integrato
r）型のＣＣＤセンサを用いて光学画像を取り込むこと
もできる。この手法は、半導体ウェーハの欠陥検査な
ど、高速での検査が要求される場合に非常に有効な手段
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板検査装置では、電子像を取り込む過程で画像が劣化
する、という問題があった。この点を、図４および図５
を用いて説明する。図４は、上述した特開平１１−１３
２９７５に記載の基板検査装置における画像取り込み手
法の説明図である。二次電子ビーム３２によって形成さ
れる電子像は、写像投影光学部の最終段に位置する静電
レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｃによってＭＣＰ２２の入
射面上に結像される。電子像検出部は、詳述すると、Ｍ
ＣＰ２２ａ，２２ｂ、蛍光板２３、ＦＯＰ２４、ＣＣＤ
素子１０６、ＣＣＤカメラ２５を含む。ＭＣＰ２２と蛍
光板２３を真空の電子ビーム鏡筒内へ設置するために、
ここでは、ＦＯＰ２４を真空容器壁１１２で挟持するこ
とにより、真空と大気の分離を実現している。ＭＣＰ２
２は、より高い利得（ｇａｉｎ）を得るために、２段の
ＭＣＰ２２ａ，２２ｂを組み合わせることにより構成し
ている。ＭＣＰ２２は、内径１０μｍ以下、長さ方向を
空芯としたガラスチューブを束状に接着されて形成した
ものであり、チューブの内面には二次電子放出効率の高
い材質が塗布されている。ＭＣＰ２２の電子入射面（２
２ａ側）は、グランドに接地される一方、その出射面
（ＭＣＰ２２ｂ側）は電源５４によって正の電位に保た
れ、これによりチューブ内には入射面から出射面に向け
た加速電界が存在する。ＭＣＰ２２に入射した電子は、
１段目のＭＣＰ２２ａの各チューブ内で散乱を繰り返し
ながら増倍されてＭＣＰ２２ａの出射面から出射し、２
段目のＭＣＰ２２ｂに入射し、さらに増倍される。２段
目のＭＣＰ２２ｂの出射面から放出した電子は、電源５
２によって形成される加速電界によりＦＯＰ２４の蛍光
面に向けて加速され、蛍光面を照射して発光させる。こ
のようにして、ＭＣＰ２２の入射面に結像された電子像
をＭＣＰ２２で増倍させながら、ＦＯＰ２４の蛍光面を
発光させることにより、光学画像に変換させることがで
きる。ＭＣＰ２２は、空間分解能を維持したままで電子
を増倍できることから、電子像のＳ／Ｎ向上のために非
常に有効な手段である。蛍光板２３の蛍光面で発生した
光学画像は、ＦＯＰ２４を介して、ラインセンサ、ＴＤ
Ｉセンサ、エリアセンサ等のＣＣＤ素子１０６にて検出
され、ＣＣＤカメラ２５から画像信号として出力され
る。
基板検査装置では、電子像を取り込む過程で画像が劣化
する、という問題があった。この点を、図４および図５
を用いて説明する。図４は、上述した特開平１１−１３
２９７５に記載の基板検査装置における画像取り込み手
法の説明図である。二次電子ビーム３２によって形成さ
れる電子像は、写像投影光学部の最終段に位置する静電
レンズ２０ａ，２０ｂ，２０ｃによってＭＣＰ２２の入
射面上に結像される。電子像検出部は、詳述すると、Ｍ
ＣＰ２２ａ，２２ｂ、蛍光板２３、ＦＯＰ２４、ＣＣＤ
素子１０６、ＣＣＤカメラ２５を含む。ＭＣＰ２２と蛍
光板２３を真空の電子ビーム鏡筒内へ設置するために、
ここでは、ＦＯＰ２４を真空容器壁１１２で挟持するこ
とにより、真空と大気の分離を実現している。ＭＣＰ２
２は、より高い利得（ｇａｉｎ）を得るために、２段の
ＭＣＰ２２ａ，２２ｂを組み合わせることにより構成し
ている。ＭＣＰ２２は、内径１０μｍ以下、長さ方向を
空芯としたガラスチューブを束状に接着されて形成した
ものであり、チューブの内面には二次電子放出効率の高
い材質が塗布されている。ＭＣＰ２２の電子入射面（２
２ａ側）は、グランドに接地される一方、その出射面
（ＭＣＰ２２ｂ側）は電源５４によって正の電位に保た
れ、これによりチューブ内には入射面から出射面に向け
た加速電界が存在する。ＭＣＰ２２に入射した電子は、
１段目のＭＣＰ２２ａの各チューブ内で散乱を繰り返し
ながら増倍されてＭＣＰ２２ａの出射面から出射し、２
段目のＭＣＰ２２ｂに入射し、さらに増倍される。２段
目のＭＣＰ２２ｂの出射面から放出した電子は、電源５
２によって形成される加速電界によりＦＯＰ２４の蛍光
面に向けて加速され、蛍光面を照射して発光させる。こ
のようにして、ＭＣＰ２２の入射面に結像された電子像
をＭＣＰ２２で増倍させながら、ＦＯＰ２４の蛍光面を
発光させることにより、光学画像に変換させることがで
きる。ＭＣＰ２２は、空間分解能を維持したままで電子
を増倍できることから、電子像のＳ／Ｎ向上のために非
常に有効な手段である。蛍光板２３の蛍光面で発生した
光学画像は、ＦＯＰ２４を介して、ラインセンサ、ＴＤ
Ｉセンサ、エリアセンサ等のＣＣＤ素子１０６にて検出
され、ＣＣＤカメラ２５から画像信号として出力され
る。
【００１３】このような電子像検出系において、蛍光面
で発生した光学画像をＣＣＤ素子１０６に取り込むため
に、ＣＣＤ素子１０６と蛍光面との間に光学レンズによ
るリレーレンズを採用した場合は、歪み防止の目的から
光学系が大きくなり、装置の小型化の要求に対する大き
な支障となっている。また、光学レンズ自身による透過
率の減少も無視できない。上述した基板検査装置では、
この部位にＦＯＰ２４を採用することにより、蛍光板２
３の蛍光面とＣＣＤ素子１０６までの距離を短くすると
ともに、透過率を向上させるという特徴を有するが、Ｆ
ＯＰの製造方法から歪みを低く抑えることは容易でな
い。ＦＯＰ２４には図５に示すような、シアーディスト
ーションＤ１やグロスディストーションＤ２などの歪み
が存在し、これらの歪みを低減させることは非常に困難
である。このような歪みは、ＦＯＰ２４の入射面と出射
面との間の距離に依存しており、距離を短くすることに
比例して歪みも小さくなることは知られている。しか
し、ＦＯＰ２４の役割として、蛍光面に約＋４ｋＶの高
圧を印加することにより、ＣＣＤ素子１０６を受光面か
ら電気的に絶縁させる機能も担っており、この点からＦ
ＯＰ２４を５ｍｍ以下に薄くすることは困難となってい
る。現状のＦＯＰの製造方法では、５ｍｍ厚においてＦ
ＯＰの歪みを１０μｍ以下に抑えることは困難であり、
このことが画像歪みの主な要因となっている。これは、
ＣＣＤ素子の画素サイズを１６μｍとすると、ＦＯＰの
歪みが０．６２５画素となり、ＦＯＰの歪みのある部位
の画像の分解能が大きく劣化することを意味している。
この部分的な分解能劣化が欠陥検査において、疑似欠陥
を発生させる要因となってしまう。また、光学レンズと
ＦＯＰのいずれについても、蛍光面とＣＣＤ素子１０６
との間に光学画像を転送する光学部品が介在するため
に、空間分解能が劣化することは避けられない。図４に
示す方式の光学系では、ＭＣＰ２２、ＦＯＰ２４および
ＣＣＤカメラ２５から画像が転送されるため、画像の空
間分解能の劣化が避けられない。光学特性を表す指標で
あるＭＴＦ(Modulation Transfer Function)値は、０．
２μｍのライン・アンド・スペース（line and space）
パターンの画像を０．１μｍの画素で画像取得した場合
には、ＭＣＰ２２、ＦＯＰ２４およびＣＣＤカメラ２５
のＭＴＦは、それぞれ０．４３、０．８、０．５とな
る。ＭＣＰ２２からＣＣＤカメラ２５までのＭＴＦは、
各ＭＴＦの積（ＭＴＦ検出器＝ＭＴＦMCP×ＭＴＦFOP×
ＭＴＦ CCD）となり、ＭＴＦ検出器＝０．１７２と、大
幅に劣化してしまう。このようなＭＴＦの劣化を抑制す
るためには、ＭＣＰ２２上に電子像が結像してから光学
画像を取り込むまでの構成を簡略化する必要がある。
で発生した光学画像をＣＣＤ素子１０６に取り込むため
に、ＣＣＤ素子１０６と蛍光面との間に光学レンズによ
るリレーレンズを採用した場合は、歪み防止の目的から
光学系が大きくなり、装置の小型化の要求に対する大き
な支障となっている。また、光学レンズ自身による透過
率の減少も無視できない。上述した基板検査装置では、
この部位にＦＯＰ２４を採用することにより、蛍光板２
３の蛍光面とＣＣＤ素子１０６までの距離を短くすると
ともに、透過率を向上させるという特徴を有するが、Ｆ
ＯＰの製造方法から歪みを低く抑えることは容易でな
い。ＦＯＰ２４には図５に示すような、シアーディスト
ーションＤ１やグロスディストーションＤ２などの歪み
が存在し、これらの歪みを低減させることは非常に困難
である。このような歪みは、ＦＯＰ２４の入射面と出射
面との間の距離に依存しており、距離を短くすることに
比例して歪みも小さくなることは知られている。しか
し、ＦＯＰ２４の役割として、蛍光面に約＋４ｋＶの高
圧を印加することにより、ＣＣＤ素子１０６を受光面か
ら電気的に絶縁させる機能も担っており、この点からＦ
ＯＰ２４を５ｍｍ以下に薄くすることは困難となってい
る。現状のＦＯＰの製造方法では、５ｍｍ厚においてＦ
ＯＰの歪みを１０μｍ以下に抑えることは困難であり、
このことが画像歪みの主な要因となっている。これは、
ＣＣＤ素子の画素サイズを１６μｍとすると、ＦＯＰの
歪みが０．６２５画素となり、ＦＯＰの歪みのある部位
の画像の分解能が大きく劣化することを意味している。
この部分的な分解能劣化が欠陥検査において、疑似欠陥
を発生させる要因となってしまう。また、光学レンズと
ＦＯＰのいずれについても、蛍光面とＣＣＤ素子１０６
との間に光学画像を転送する光学部品が介在するため
に、空間分解能が劣化することは避けられない。図４に
示す方式の光学系では、ＭＣＰ２２、ＦＯＰ２４および
ＣＣＤカメラ２５から画像が転送されるため、画像の空
間分解能の劣化が避けられない。光学特性を表す指標で
あるＭＴＦ(Modulation Transfer Function)値は、０．
２μｍのライン・アンド・スペース（line and space）
パターンの画像を０．１μｍの画素で画像取得した場合
には、ＭＣＰ２２、ＦＯＰ２４およびＣＣＤカメラ２５
のＭＴＦは、それぞれ０．４３、０．８、０．５とな
る。ＭＣＰ２２からＣＣＤカメラ２５までのＭＴＦは、
各ＭＴＦの積（ＭＴＦ検出器＝ＭＴＦMCP×ＭＴＦFOP×
ＭＴＦ CCD）となり、ＭＴＦ検出器＝０．１７２と、大
幅に劣化してしまう。このようなＭＴＦの劣化を抑制す
るためには、ＭＣＰ２２上に電子像が結像してから光学
画像を取り込むまでの構成を簡略化する必要がある。
【００１４】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、光学特性に優れ、かつ、構造が簡略
化された基板検査装置およびその制御方法を提供するこ
とにある。
あり、その目的は、光学特性に優れ、かつ、構造が簡略
化された基板検査装置およびその制御方法を提供するこ
とにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の手段に
より上記課題の解決を図る。
より上記課題の解決を図る。
【００１６】即ち、本発明の第１の態様によれば、基板
を装着する基板装着手段と、荷電ビームを生成して上記
基板に照射する荷電ビーム照射手段と、上記荷電ビーム
の照射により上記基板から発生し上記基板の表面の物性
を表わす電子像をなす二次荷電粒子もしくは反射荷電粒
子または上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子を倍
増する荷電粒子倍増器と、倍増された上記二次荷電粒子
もしくは上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子およ
び上記反射荷電粒子の照射を受けて上記電子像を光学画
像に変換する蛍光体を受光面に有し上記光学画像を画像
信号に変換する撮像素子と、を含む電子像検出手段と、
上記基板から発生した上記二次荷電粒子もしくは上記反
射荷電粒子または上記二次荷電粒子および上記反射荷電
粒子を拡大投影して上記電子像を上記電子像検出手段に
結像させる写像投影手段と、上記画像信号に基づいて上
記基板を検査する検査手段と、上記蛍光体の蛍光面をグ
ランドに接地するとともに、上記二次荷電粒子もしくは
上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および上記反
射荷電粒子が上記荷電粒子倍増器に入射する面に第１の
負の電位を印加する制御手段と、を備える基板検査装置
が提供される。
を装着する基板装着手段と、荷電ビームを生成して上記
基板に照射する荷電ビーム照射手段と、上記荷電ビーム
の照射により上記基板から発生し上記基板の表面の物性
を表わす電子像をなす二次荷電粒子もしくは反射荷電粒
子または上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子を倍
増する荷電粒子倍増器と、倍増された上記二次荷電粒子
もしくは上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子およ
び上記反射荷電粒子の照射を受けて上記電子像を光学画
像に変換する蛍光体を受光面に有し上記光学画像を画像
信号に変換する撮像素子と、を含む電子像検出手段と、
上記基板から発生した上記二次荷電粒子もしくは上記反
射荷電粒子または上記二次荷電粒子および上記反射荷電
粒子を拡大投影して上記電子像を上記電子像検出手段に
結像させる写像投影手段と、上記画像信号に基づいて上
記基板を検査する検査手段と、上記蛍光体の蛍光面をグ
ランドに接地するとともに、上記二次荷電粒子もしくは
上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および上記反
射荷電粒子が上記荷電粒子倍増器に入射する面に第１の
負の電位を印加する制御手段と、を備える基板検査装置
が提供される。
【００１７】上記制御手段が上記蛍光体の蛍光面をグラ
ンドに接地するので、上記撮像素子のチャージが防止さ
れる。上記制御手段はまた、上記荷電粒子倍増器におけ
る、上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または
上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子の入射面に第
１の負の電位を印加するので、この入射面と上記蛍光面
との間に上記二次荷電粒子等を加速させる電界が形成さ
れる。これにより、上記蛍光体と上記撮像素子とが一体
化される。これにより、従来技術において蛍光面で発生
する光学画像を撮像素子へ転送するＦＯＰなどの光学部
材を設ける必要がなくなるので、ＦＯＰにて発生してい
た画像歪みを解消できるとともに、ＭＴＦの劣化および
透過率の劣化をも低減することができる。
ンドに接地するので、上記撮像素子のチャージが防止さ
れる。上記制御手段はまた、上記荷電粒子倍増器におけ
る、上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または
上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子の入射面に第
１の負の電位を印加するので、この入射面と上記蛍光面
との間に上記二次荷電粒子等を加速させる電界が形成さ
れる。これにより、上記蛍光体と上記撮像素子とが一体
化される。これにより、従来技術において蛍光面で発生
する光学画像を撮像素子へ転送するＦＯＰなどの光学部
材を設ける必要がなくなるので、ＦＯＰにて発生してい
た画像歪みを解消できるとともに、ＭＴＦの劣化および
透過率の劣化をも低減することができる。
【００１８】上記制御手段は、上記基板装着手段に上記
第１の負の電位よりも絶対値が大きい第２の負の電位を
印加することが望ましい。
第１の負の電位よりも絶対値が大きい第２の負の電位を
印加することが望ましい。
【００１９】上記基板装着手段に上記第２の負の電位を
印加することにより、上記基板の表面と上記荷電粒子倍
増器の入射面との間に加速電界が形成される。
印加することにより、上記基板の表面と上記荷電粒子倍
増器の入射面との間に加速電界が形成される。
【００２０】上記制御手段は、上記写像投影手段におい
て上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または上
記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子が出射する位置
の電位が上記第１の負の電位となるように上記写像投影
手段を制御することが好ましい。
て上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または上
記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子が出射する位置
の電位が上記第１の負の電位となるように上記写像投影
手段を制御することが好ましい。
【００２１】上記結像手段おける、上記二次荷電粒子も
しくは上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および
上記反射荷電粒子の出射位置の電位が、上記荷電粒子倍
増器における上記二次荷電粒子等の入射面の電位と同一
であるので、上記写像投影手段を出射した上記二次荷電
粒子もしくは上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子
および上記反射荷電粒子は、上記荷電粒子倍増器に至る
まで等速で移動する。このため、従来の技術においてこ
の領域で形成していた減速電界の不均一性により収差性
能が劣するという問題を解消することができる。
しくは上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および
上記反射荷電粒子の出射位置の電位が、上記荷電粒子倍
増器における上記二次荷電粒子等の入射面の電位と同一
であるので、上記写像投影手段を出射した上記二次荷電
粒子もしくは上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子
および上記反射荷電粒子は、上記荷電粒子倍増器に至る
まで等速で移動する。このため、従来の技術においてこ
の領域で形成していた減速電界の不均一性により収差性
能が劣するという問題を解消することができる。
【００２２】上述の基板検査装置は、上記基板装着手段
と、上記荷電ビーム照射手段と、上記写像投影手段と、
上記荷電粒子倍増器とを真空状態で収容する真空容器を
さらに備え、上記撮像素子は、上記真空容器内に設置さ
れると良い。これにより、装置の構造が簡略化され、よ
り一層の小型軽量化が実現される。
と、上記荷電ビーム照射手段と、上記写像投影手段と、
上記荷電粒子倍増器とを真空状態で収容する真空容器を
さらに備え、上記撮像素子は、上記真空容器内に設置さ
れると良い。これにより、装置の構造が簡略化され、よ
り一層の小型軽量化が実現される。
【００２３】また、上述した基板検査装置は、上記荷電
ビームの上記基板への入射角度と、上記基板から発生す
る上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または上
記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子の上記写像投影
手段への取り込み角度を変化させる荷電ビーム偏向手段
をさらに備えることが望ましい。これにより、上記電子
ビームが上記基板に入射するときにビーム形状が歪んだ
り収差によりぼけが発生するという問題を解消すること
ができる。
ビームの上記基板への入射角度と、上記基板から発生す
る上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または上
記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子の上記写像投影
手段への取り込み角度を変化させる荷電ビーム偏向手段
をさらに備えることが望ましい。これにより、上記電子
ビームが上記基板に入射するときにビーム形状が歪んだ
り収差によりぼけが発生するという問題を解消すること
ができる。
【００２４】また、上記写像投影手段は、上記写像投影
手段に近接した位置に設けられた３段の静電レンズを含
み、上記制御手段は、上記３段の静電レンズのうち、上
記基板装着手段の側に位置する第１段目の上記静電レン
ズをグランドに接地し、上記荷電粒子倍増器に最も近接
する第３段目の上記静電レンズに上記第１の負の電位を
印加し、第２段目の上記静電レンズに上記第１の負の電
位よりも絶対値が小さい第３の負の電位を印加すること
が望ましい。
手段に近接した位置に設けられた３段の静電レンズを含
み、上記制御手段は、上記３段の静電レンズのうち、上
記基板装着手段の側に位置する第１段目の上記静電レン
ズをグランドに接地し、上記荷電粒子倍増器に最も近接
する第３段目の上記静電レンズに上記第１の負の電位を
印加し、第２段目の上記静電レンズに上記第１の負の電
位よりも絶対値が小さい第３の負の電位を印加すること
が望ましい。
【００２５】上記第１段目の上記静電レンズがグランド
に接地され、上記第２段目の上記静電レンズに上記第１
の負の電位よりも絶対値が小さい第３の負の電位が印加
されるので、上記第２段目の上記静電レンズと上記第３
段目の上記静電レンズとの間で減速電界が形成される。
これにより、上記基板装着手段から上記第１段目の上記
静電レンズに至るまで加速された上記二次荷電粒子等が
上記第２段目の上記静電レンズと上記第３段目の上記静
電レンズとの間で一旦減速される。これにより、収差へ
の寄与を最小限に抑制することができる。
に接地され、上記第２段目の上記静電レンズに上記第１
の負の電位よりも絶対値が小さい第３の負の電位が印加
されるので、上記第２段目の上記静電レンズと上記第３
段目の上記静電レンズとの間で減速電界が形成される。
これにより、上記基板装着手段から上記第１段目の上記
静電レンズに至るまで加速された上記二次荷電粒子等が
上記第２段目の上記静電レンズと上記第３段目の上記静
電レンズとの間で一旦減速される。これにより、収差へ
の寄与を最小限に抑制することができる。
【００２６】本発明の好適な実施態様において、上記撮
像素子は、ガラス材料から形成された保護部材を有し、
上記蛍光体は、上記保護部材の表面に蛍光材料をコーテ
ィングして形成される。
像素子は、ガラス材料から形成された保護部材を有し、
上記蛍光体は、上記保護部材の表面に蛍光材料をコーテ
ィングして形成される。
【００２７】また、上記撮像素子は、ＴＤＩ（Time Del
ay Integrator）型のＣＣＤ素子を含むことが好まし
い。これにより、上記基板検査装置が上記基板装着手段
を移動させながら上記荷電ビームを上記基板上で走査す
る場合は、基板装着手段の移動に同期させて上記信号を
取得することができるので、検査効率を大幅に向上させ
ることが可能になる。
ay Integrator）型のＣＣＤ素子を含むことが好まし
い。これにより、上記基板検査装置が上記基板装着手段
を移動させながら上記荷電ビームを上記基板上で走査す
る場合は、基板装着手段の移動に同期させて上記信号を
取得することができるので、検査効率を大幅に向上させ
ることが可能になる。
【００２８】上記撮像素子は、上記保護部材と上記蛍光
体との間に設けられた電極をさらに有し、上記蛍光体
は、上記電極を介してグランドへ接地されると良い。
体との間に設けられた電極をさらに有し、上記蛍光体
は、上記電極を介してグランドへ接地されると良い。
【００２９】また、上述した基板検査装置は、前記画像
信号に基づいて前記基板の表面の物性を表わす二次元画
像を表示する画像表示手段を備えると良い。
信号に基づいて前記基板の表面の物性を表わす二次元画
像を表示する画像表示手段を備えると良い。
【００３０】また、本発明の第２の態様によれば、基板
を装着する基板装着手段と、荷電ビームを生成して上記
基板に照射する荷電ビーム照射手段と、上記荷電ビーム
の照射により上記基板から発生し上記基板の表面の物性
を表わす電子像をなす二次荷電粒子もしくは反射荷電粒
子または上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子を検
出して画像信号を出力する電子像検出手段と、上記基板
から発生した上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒
子または上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子を拡
大投影して上記電子像を上記電子像検出手段に結像させ
る写像投影手段と、上記画像信号に基づいて上記基板を
検査する検査手段と、を備え、上記電子像検出手段が、
上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または上記
二次荷電粒子および上記反射荷電粒子を倍増する荷電粒
子倍増器と、倍増された上記二次荷電粒子もしくは上記
反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および上記反射荷
電粒子の照射を受けて上記電子像を光学画像に変換する
蛍光体を受光面に有し上記光学画像を画像信号に変換す
る撮像素子と、を含む基板検査装置の制御方法であっ
て、上記蛍光体の蛍光面をグランドに接地する工程と、
上記荷電粒子倍増器における上記二次荷電粒子もしくは
上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および上記反
射荷電粒子の入射面に第１の負の電位を印加する工程
と、を備える基板検査装置の制御方法が提供される。
を装着する基板装着手段と、荷電ビームを生成して上記
基板に照射する荷電ビーム照射手段と、上記荷電ビーム
の照射により上記基板から発生し上記基板の表面の物性
を表わす電子像をなす二次荷電粒子もしくは反射荷電粒
子または上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子を検
出して画像信号を出力する電子像検出手段と、上記基板
から発生した上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒
子または上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子を拡
大投影して上記電子像を上記電子像検出手段に結像させ
る写像投影手段と、上記画像信号に基づいて上記基板を
検査する検査手段と、を備え、上記電子像検出手段が、
上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または上記
二次荷電粒子および上記反射荷電粒子を倍増する荷電粒
子倍増器と、倍増された上記二次荷電粒子もしくは上記
反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および上記反射荷
電粒子の照射を受けて上記電子像を光学画像に変換する
蛍光体を受光面に有し上記光学画像を画像信号に変換す
る撮像素子と、を含む基板検査装置の制御方法であっ
て、上記蛍光体の蛍光面をグランドに接地する工程と、
上記荷電粒子倍増器における上記二次荷電粒子もしくは
上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および上記反
射荷電粒子の入射面に第１の負の電位を印加する工程
と、を備える基板検査装置の制御方法が提供される。
【００３１】上記蛍光体の蛍光面をグランドに接地し、
電子倍増器の入射面に上記第１の負の電位を印加するの
で、この入射面と上記蛍光面との間に上記二次荷電粒子
等を加速させる電界が形成される。これにより、上記電
子倍増器と上記撮像素子との間にＦＯＰなどの光学部材
を設けることなく上記電子像を光学画像に変換して撮像
することができる。これにより、画像歪みがない電子像
を高い分解能で取得することができる。この結果、基板
の欠陥検査において疑似欠陥の発生を防止することがで
きる。
電子倍増器の入射面に上記第１の負の電位を印加するの
で、この入射面と上記蛍光面との間に上記二次荷電粒子
等を加速させる電界が形成される。これにより、上記電
子倍増器と上記撮像素子との間にＦＯＰなどの光学部材
を設けることなく上記電子像を光学画像に変換して撮像
することができる。これにより、画像歪みがない電子像
を高い分解能で取得することができる。この結果、基板
の欠陥検査において疑似欠陥の発生を防止することがで
きる。
【００３２】上述した基板検査装置の制御方法は、上記
基板装着手段に上記第１の負の電位よりも絶対値が大き
い第２の負の電位を印加する工程をさらに備えることが
望ましい。
基板装着手段に上記第１の負の電位よりも絶対値が大き
い第２の負の電位を印加する工程をさらに備えることが
望ましい。
【００３３】また、上記制御方法は、上記写像投影手段
において上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子ま
たは上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子が上記電
子像検出手段に向けて出射する箇所に上記第１の負の電
位を印加する工程をさらに備えることが好ましい。
において上記二次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子ま
たは上記二次荷電粒子および上記反射荷電粒子が上記電
子像検出手段に向けて出射する箇所に上記第１の負の電
位を印加する工程をさらに備えることが好ましい。
【００３４】また、上記制御方法は、上記荷電ビームの
上記基板への入射角度と、上記基板から発生した上記二
次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または上記二次荷
電粒子および上記反射荷電粒子の上記写像投影手段への
取り込み角度を変化させる工程をさらに備えると好適で
ある。
上記基板への入射角度と、上記基板から発生した上記二
次荷電粒子もしくは上記反射荷電粒子または上記二次荷
電粒子および上記反射荷電粒子の上記写像投影手段への
取り込み角度を変化させる工程をさらに備えると好適で
ある。
【００３５】また、上記基板検査装置の上記写像投影手
段は、上記電子像検出手段に近接した位置に設けられた
３段の静電レンズを含み、上記制御方法は、上記３段の
静電レンズのうち、上記基板装着手段の側に位置する第
１段目の上記静電レンズをグランドに接地し、上記荷電
粒子倍増器に最も近接する第３段目の上記静電レンズに
上記第１の負の電位を印加し、第２段目の上記静電レン
ズに上記第１の負の電位よりも絶対値が小さい第３の負
の電位を印加する工程をさらに備えるとよい。
段は、上記電子像検出手段に近接した位置に設けられた
３段の静電レンズを含み、上記制御方法は、上記３段の
静電レンズのうち、上記基板装着手段の側に位置する第
１段目の上記静電レンズをグランドに接地し、上記荷電
粒子倍増器に最も近接する第３段目の上記静電レンズに
上記第１の負の電位を印加し、第２段目の上記静電レン
ズに上記第１の負の電位よりも絶対値が小さい第３の負
の電位を印加する工程をさらに備えるとよい。
【００３６】上述した基板検査装置およびその制御方法
において、上記第１の負の電位は、上記二次荷電粒子も
しくは上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および
上記反射荷電粒子が上記荷電粒子倍増器に入射するとき
のエネルギーを約２ｋｅＶ以下とする値であることが好
ましい。
において、上記第１の負の電位は、上記二次荷電粒子も
しくは上記反射荷電粒子または上記二次荷電粒子および
上記反射荷電粒子が上記荷電粒子倍増器に入射するとき
のエネルギーを約２ｋｅＶ以下とする値であることが好
ましい。
【００３７】上記基板検査装置およびその制御方法にお
いて、上記物性には、上記基板の表面の形状／材質／電
位の変化が含まれる。
いて、上記物性には、上記基板の表面の形状／材質／電
位の変化が含まれる。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる基板検査装
置の実施の一形態について図面を参照しながら説明す
る。本実施形態の基板検査装置の特徴は、電子像検出部
とその制御部の構成にある。本実施形態の基板検査装置
のその他の構成、即ち、電子ビーム照射部とその制御
部、ステージとその制御部、写像投影光学部とその制御
部、電子ビーム偏向部とその制御部は、図３に示す基板
検査装置と実質的に同一であるので、以下では、本実施
形態の要部である電子像検出部とその制御部を中心に説
明する。
置の実施の一形態について図面を参照しながら説明す
る。本実施形態の基板検査装置の特徴は、電子像検出部
とその制御部の構成にある。本実施形態の基板検査装置
のその他の構成、即ち、電子ビーム照射部とその制御
部、ステージとその制御部、写像投影光学部とその制御
部、電子ビーム偏向部とその制御部は、図３に示す基板
検査装置と実質的に同一であるので、以下では、本実施
形態の要部である電子像検出部とその制御部を中心に説
明する。
【００３９】図１は、本実施形態の基板検査装置が備え
る電子像検出部の概略構成を示すブロック図である。同
図に示す電子像検出部は、ＦＯＰを含むことなく、光学
画像の受光面とＣＣＤ素子１０６とが一体化された構成
となっている。また、ＣＣＤカメラ２５は、ソケット部
１０８で真空容器壁１１２で挟持され、ＣＣＤ素子１０
６は真空容器内に設置されている。
る電子像検出部の概略構成を示すブロック図である。同
図に示す電子像検出部は、ＦＯＰを含むことなく、光学
画像の受光面とＣＣＤ素子１０６とが一体化された構成
となっている。また、ＣＣＤカメラ２５は、ソケット部
１０８で真空容器壁１１２で挟持され、ＣＣＤ素子１０
６は真空容器内に設置されている。
【００４０】図２は、図１に示す電子像検出部のうち、
破線で囲む領域Ｃの拡大図である。図２に示すように、
本実施形態の電子像検出部は、保護ガラス７６とＡｌ薄
膜７４とを介してＣＣＤ素子１０６の撮像面側に設けら
れた蛍光体７２を含む。Ａｌ薄膜７４は、保護ガラス７
６上にＡｌを約１０μｍの膜厚を有するように蒸着して
形成し、蛍光体７２は、Ａｌ蒸着膜７４上に沈降法によ
り蛍光物質を塗布したものである。二段のＭＣＰ２２
は、蛍光体７２に近接して配置され、蛍光体７２の表面
は、ＭＣＰ２２により倍増された電子の受光面となる。
２段目のＭＣＰ２２ｂの電子出射面と蛍光体７２の受光
面との距離は、本実施形態において約０．５mmであり、
これにより、電子像のぼけが抑制される。
破線で囲む領域Ｃの拡大図である。図２に示すように、
本実施形態の電子像検出部は、保護ガラス７６とＡｌ薄
膜７４とを介してＣＣＤ素子１０６の撮像面側に設けら
れた蛍光体７２を含む。Ａｌ薄膜７４は、保護ガラス７
６上にＡｌを約１０μｍの膜厚を有するように蒸着して
形成し、蛍光体７２は、Ａｌ蒸着膜７４上に沈降法によ
り蛍光物質を塗布したものである。二段のＭＣＰ２２
は、蛍光体７２に近接して配置され、蛍光体７２の表面
は、ＭＣＰ２２により倍増された電子の受光面となる。
２段目のＭＣＰ２２ｂの電子出射面と蛍光体７２の受光
面との距離は、本実施形態において約０．５mmであり、
これにより、電子像のぼけが抑制される。
【００４１】図１に戻り、Ａｌ薄膜７４は、グランドに
接地され、これにより、電子ビームの照射による帯電を
防止するとともに、蛍光体７２の蛍光面の電位を決定す
る機能を有する。また、ＭＣＰ２２ｂの出射面には電源
５２により負電圧Ｖｓｎｔが印加されて蛍光体７２の蛍
光面がＭＣＰ２２ｂの出射面に対して正電位側になるよ
うに電界が形成される。これにより、ＭＣＰ２２ｂを出
射した電子が加速される。さらに、ＭＣＰ２２ａの入射
面には直列に接続された電源５２，５４により負電圧
（Ｖｓｎｔ＋ＶＭＣＰ）が印加されてＭＣＰ２２ｂの出
射面がＭＣＰ２２ａの入射面に対して正電位側になるよ
うに電界が形成されるので、ＭＣＰ２２ａに入射した電
子がＭＣＰ２２ｂの出射面に向かって加速され、ＭＣＰ
２２のチューブの内壁に衝突しながら倍増される。本実
施形態において、ＭＣＰ２２、蛍光体７４に対する上述
した電圧制御は、制御部２６を介してホストコンピュー
タ２９により行なわれる（図３参照）。
接地され、これにより、電子ビームの照射による帯電を
防止するとともに、蛍光体７２の蛍光面の電位を決定す
る機能を有する。また、ＭＣＰ２２ｂの出射面には電源
５２により負電圧Ｖｓｎｔが印加されて蛍光体７２の蛍
光面がＭＣＰ２２ｂの出射面に対して正電位側になるよ
うに電界が形成される。これにより、ＭＣＰ２２ｂを出
射した電子が加速される。さらに、ＭＣＰ２２ａの入射
面には直列に接続された電源５２，５４により負電圧
（Ｖｓｎｔ＋ＶＭＣＰ）が印加されてＭＣＰ２２ｂの出
射面がＭＣＰ２２ａの入射面に対して正電位側になるよ
うに電界が形成されるので、ＭＣＰ２２ａに入射した電
子がＭＣＰ２２ｂの出射面に向かって加速され、ＭＣＰ
２２のチューブの内壁に衝突しながら倍増される。本実
施形態において、ＭＣＰ２２、蛍光体７４に対する上述
した電圧制御は、制御部２６を介してホストコンピュー
タ２９により行なわれる（図３参照）。
【００４２】図４との対比において明らかなように、従
来の技術による電子像検出部においては、ＭＣＰ２２ａ
の入射面はグランドに接地されていたが、本実施形態に
おいて、ＭＣＰ２２ａの入射面は、グランドに対して負
電圧（Ｖｓｎｔ＋ＶＭＣＰ）が印加されている構造とな
る。基板１１には電源１３によりＶｗａｆｅｒが印加さ
れているので（図３参照）、ＭＣＰ２２ａに入射する二
次電子ビーム３２のエネルギーは、基板１１への印加電
圧（Ｖｗａｆｅｒ）とＭＣＰ２２ａの入射面への印加電
圧（Ｖｓ＋ＶＭＣＰ）との差によって決定される。ＭＣ
Ｐ２２ａへの入射エネルギーＥｉｎ（ｅＶ）は、 Ｅｉｎ（ｅＶ）＝ｅ（Ｖｓｎｔ＋ＶＭＣＰ＋Ｖｗａｆｅ
ｒ） となる。ＭＣＰ２２の構成上、この入射エネルギーＥｉ
ｎ（ｅＶ）は、２ｋｅＶ以下であると好適であることが
判明している。
来の技術による電子像検出部においては、ＭＣＰ２２ａ
の入射面はグランドに接地されていたが、本実施形態に
おいて、ＭＣＰ２２ａの入射面は、グランドに対して負
電圧（Ｖｓｎｔ＋ＶＭＣＰ）が印加されている構造とな
る。基板１１には電源１３によりＶｗａｆｅｒが印加さ
れているので（図３参照）、ＭＣＰ２２ａに入射する二
次電子ビーム３２のエネルギーは、基板１１への印加電
圧（Ｖｗａｆｅｒ）とＭＣＰ２２ａの入射面への印加電
圧（Ｖｓ＋ＶＭＣＰ）との差によって決定される。ＭＣ
Ｐ２２ａへの入射エネルギーＥｉｎ（ｅＶ）は、 Ｅｉｎ（ｅＶ）＝ｅ（Ｖｓｎｔ＋ＶＭＣＰ＋Ｖｗａｆｅ
ｒ） となる。ＭＣＰ２２の構成上、この入射エネルギーＥｉ
ｎ（ｅＶ）は、２ｋｅＶ以下であると好適であることが
判明している。
【００４３】さらに、本実施形態においては、アインツ
ェルレンズをなす静電レンズ２０ａ〜２０ｃのうち、静
電レンズ２０ａの電極をグランドに接地させるととも
に、静電レンズ２０ｂの電極には電源５６により負のレ
ンズ電圧Ｖｌｅｎｓを印加し、かつ、静電レンズ２０ｃ
の電極を電源５２と電源５４の直列接続に接続してＭＣ
Ｐ２２ａの入射面と同一の電圧（Ｖｓ＋ＶＭＣＰ）を印
加する。図４に示す従来例のように、静電レンズ２０ｃ
の電極をグランドに接地した場合には、静電レンズ２０
ｃの電極とＭＣＰ２２ａの入射面との間に形成された減
速電界により二次電子ビーム３２が減速されて、ＭＣＰ
２２ａに入射されていた。この場合、静電レンズ２０ｃ
電極−ＭＣＰ２２ａ間の減速電界の不均一性が収差性能
を劣化させて、電子像のぼけを発生させていた。これに
対して本実施形態では、静電レンズ２０ｃの電極の電位
をＭＣＰ２２ａの入射面の電位と同一にし、静電レンズ
２０ｂの電極にレンズ電圧Ｖｌｅｎｓを印加し、さらに
静電レンズ２０ａの電極をグランドに接地するので、二
次電子ビーム３２の減速は、静電レンズ２０ａ〜２０ｃ
で構成されるアインツェルレンズ内で行われる。本実施
形態において、このようなレンズ電極への電圧制御は、
制御部２１を介してホストコンピュータ２９により行な
われる（図３参照）。これにより、収差への寄与を最小
限に迎えることが可能になる。
ェルレンズをなす静電レンズ２０ａ〜２０ｃのうち、静
電レンズ２０ａの電極をグランドに接地させるととも
に、静電レンズ２０ｂの電極には電源５６により負のレ
ンズ電圧Ｖｌｅｎｓを印加し、かつ、静電レンズ２０ｃ
の電極を電源５２と電源５４の直列接続に接続してＭＣ
Ｐ２２ａの入射面と同一の電圧（Ｖｓ＋ＶＭＣＰ）を印
加する。図４に示す従来例のように、静電レンズ２０ｃ
の電極をグランドに接地した場合には、静電レンズ２０
ｃの電極とＭＣＰ２２ａの入射面との間に形成された減
速電界により二次電子ビーム３２が減速されて、ＭＣＰ
２２ａに入射されていた。この場合、静電レンズ２０ｃ
電極−ＭＣＰ２２ａ間の減速電界の不均一性が収差性能
を劣化させて、電子像のぼけを発生させていた。これに
対して本実施形態では、静電レンズ２０ｃの電極の電位
をＭＣＰ２２ａの入射面の電位と同一にし、静電レンズ
２０ｂの電極にレンズ電圧Ｖｌｅｎｓを印加し、さらに
静電レンズ２０ａの電極をグランドに接地するので、二
次電子ビーム３２の減速は、静電レンズ２０ａ〜２０ｃ
で構成されるアインツェルレンズ内で行われる。本実施
形態において、このようなレンズ電極への電圧制御は、
制御部２１を介してホストコンピュータ２９により行な
われる（図３参照）。これにより、収差への寄与を最小
限に迎えることが可能になる。
【００４４】本実施形態の基板検査装置によれば、従来
の技術において蛍光面で得られた光学画像をＣＣＤ素子
１０６へ転送する光学部材としてのＦＯＰを省略するこ
とが可能になるため、ＦＯＰにて発生していた、画像歪
みやＭＴＦ劣化、透過率劣化の問題を解消することがで
きる。さらに、本実施形態によれば、ＣＣＤ素子１０６
を真空中に設置できる構造となるため、検査装置をさら
に小型軽量化することが可能になる。
の技術において蛍光面で得られた光学画像をＣＣＤ素子
１０６へ転送する光学部材としてのＦＯＰを省略するこ
とが可能になるため、ＦＯＰにて発生していた、画像歪
みやＭＴＦ劣化、透過率劣化の問題を解消することがで
きる。さらに、本実施形態によれば、ＣＣＤ素子１０６
を真空中に設置できる構造となるため、検査装置をさら
に小型軽量化することが可能になる。
【００４５】以上、本発明の実施の一形態について説明
したが、本発明は上記形態に限ることなくその要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して適用することができる。例
えば上述の実施形態では、ウィーンフィルタを含む電子
ビーム偏向部を備える形態について説明したが、これを
備えていない基板検査装置についても適用できることは
勿論である。
したが、本発明は上記形態に限ることなくその要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して適用することができる。例
えば上述の実施形態では、ウィーンフィルタを含む電子
ビーム偏向部を備える形態について説明したが、これを
備えていない基板検査装置についても適用できることは
勿論である。
【００４６】
【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明は、以下の
効果を奏する。
効果を奏する。
【００４７】即ち、本発明にかかる基板検査装置によれ
ば、電子像を光学画像に変換する蛍光体と上記光学画像
を画像信号に変換する撮像素子とが一体化されるので、
蛍光面での光学画像を撮像素子へ転送するＦＯＰなどの
光学部材を省略することが可能となる。これにより、こ
のような光学部材にて従来発生していた画像歪みを解消
することができ、また、ＭＴＦ劣化、透過率劣化を低減
することが可能となり、検査装置の性能が大幅に向上す
る。さらに、撮像素子を真空容器内に設置することが可
能となり、構造が簡略化されるので、装置の小型軽量化
を実現できる。
ば、電子像を光学画像に変換する蛍光体と上記光学画像
を画像信号に変換する撮像素子とが一体化されるので、
蛍光面での光学画像を撮像素子へ転送するＦＯＰなどの
光学部材を省略することが可能となる。これにより、こ
のような光学部材にて従来発生していた画像歪みを解消
することができ、また、ＭＴＦ劣化、透過率劣化を低減
することが可能となり、検査装置の性能が大幅に向上す
る。さらに、撮像素子を真空容器内に設置することが可
能となり、構造が簡略化されるので、装置の小型軽量化
を実現できる。
【００４８】また、本発明にかかる基板検査装置の制御
方法によれば、蛍光体の蛍光面をグランドに接地し、電
子倍増器の入射面に第１の負の電位を印加するので、上
記蛍光体と撮像素子との間にＦＯＰなどの光学部材を介
在させる必要がなくなる。これにより、画像歪みが解消
され、ＭＴＦや透過率等の基板検査装置の性能を大幅に
向上させることができる。
方法によれば、蛍光体の蛍光面をグランドに接地し、電
子倍増器の入射面に第１の負の電位を印加するので、上
記蛍光体と撮像素子との間にＦＯＰなどの光学部材を介
在させる必要がなくなる。これにより、画像歪みが解消
され、ＭＴＦや透過率等の基板検査装置の性能を大幅に
向上させることができる。
【図１】本発明にかかる基板検査装置が備える電子像検
出部の概略構成を示すブロック図である。
出部の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す電子像検出部の要部を示す拡大図で
ある
ある
【図３】従来の技術による基板検査装置の一例の概略構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図４】図３に示す基板検査装置の問題を説明する図で
ある。
ある。
【図５】図３に示す基板検査装置が備えるＦＯＰの問題
を説明する図である。
を説明する図である。
１ ＬａＢ６陰極 ２ ウエーネルト電極 ３ 陽極 ４ 偏向器 ５，６ 静電型四極子レンズ ７〜１０，１７，１９，２１，２６，２７，４３，４５
制御部 １１ 基板 １２ ステージ １３，１５，５２，５４，５６ 電源 ２９ ホストコンピュータ ３０ 表示器 １４ 回転対称静電レンズ １６，１８，２０，２０ａ〜２０ｃ 静電レンズ ２２，２２ａ，２２ｂ ＭＣＰ ２５ ＣＣＤカメラ ２７ 電子ビーム偏向部 ３１ 照射電子ビーム ３２ 二次電子ビーム ７２ 蛍光体 ７４ Ａｌ電極 ７６ 保護ガラス １０６ ＣＣＤ素子 １１２ 真空容器壁
制御部 １１ 基板 １２ ステージ １３，１５，５２，５４，５６ 電源 ２９ ホストコンピュータ ３０ 表示器 １４ 回転対称静電レンズ １６，１８，２０，２０ａ〜２０ｃ 静電レンズ ２２，２２ａ，２２ｂ ＭＣＰ ２５ ＣＣＤカメラ ２７ 電子ビーム偏向部 ３１ 照射電子ビーム ３２ 二次電子ビーム ７２ 蛍光体 ７４ Ａｌ電極 ７６ 保護ガラス １０６ ＣＣＤ素子 １１２ 真空容器壁
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA07 BA11 BA14 CA03 DA01 DA09 GA01 GA06 GA09 HA12 HA13 JA03 JA14 KA03 LA11 MA05 4M106 AA01 BA02 DB04 DB05 DB12 DJ11 5C033 CC01 NN01 NN02 NP01 NP05 NP06 UU02 UU03 UU04
Claims (15)
- 【請求項１】基板を装着する基板装着手段と、 荷電ビームを生成して前記基板に照射する荷電ビーム照
射手段と、 前記荷電ビームの照射により前記基板から発生し前記基
板の表面の物性を表わす電子像をなす二次荷電粒子もし
くは反射荷電粒子または前記二次荷電粒子および前記反
射荷電粒子を倍増する荷電粒子倍増器と、倍増された前
記二次荷電粒子もしくは前記反射荷電粒子または前記二
次荷電粒子および前記反射荷電粒子の照射を受けて前記
電子像を光学画像に変換する蛍光体を受光面に有し前記
光学画像を画像信号に変換する撮像素子と、を含む電子
像検出手段と、 前記基板から発生した前記二次荷電粒子もしくは前記反
射荷電粒子または前記二次荷電粒子および前記反射荷電
粒子を拡大投影して前記電子像を前記電子像検出手段に
結像させる写像投影手段と、 前記画像信号に基づいて前記基板を検査する検査手段
と、 前記蛍光体の蛍光面をグランドに接地するとともに、前
記二次荷電粒子もしくは前記反射荷電粒子または前記二
次荷電粒子および前記反射荷電粒子が前記荷電粒子倍増
器に入射する面に第１の負の電位を印加する制御手段
と、を備える基板検査装置。 - 【請求項２】前記制御手段は、前記基板装着手段に前記
第１の負の電位よりも絶対値が大きい第２の負の電位を
印加することを特徴とする請求項１に記載の基板検査装
置。 - 【請求項３】前記制御手段は、前記写像投影手段におい
て前記二次荷電粒子もしくは前記反射荷電粒子または前
記二次荷電粒子および前記反射荷電粒子が出射する位置
の電位が前記第１の負の電位となるように前記写像投影
手段を制御することを特徴とする請求項１または２に記
載の基板検査装置。 - 【請求項４】前記基板装着手段と、前記荷電ビーム照射
手段と、前記写像投影手段と、前記荷電粒子倍増器とを
真空状態で収容する真空容器をさらに備え、 前記撮像素子は、前記真空容器内に設置されることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板検査装
置。 - 【請求項５】前記荷電ビームの前記基板への入射角度
と、前記基板から発生する前記二次荷電粒子もしくは前
記反射荷電粒子または前記二次荷電粒子および前記反射
荷電粒子の前記写像投影手段への取り込み角度を変化さ
せる荷電ビーム偏向手段をさらに備えることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれかに記載の基板検査装置。 - 【請求項６】前記写像投影手段は、前記写像投影手段に
近接した位置に設けられた３段の静電レンズを含み、 前記制御手段は、前記３段の静電レンズのうち、前記基
板装着手段の側に位置する第１段目の前記静電レンズを
グランドに接地し、前記荷電粒子倍増器に最も近接する
第３段目の前記静電レンズに前記第１の負の電位を印加
し、第２段目の前記静電レンズに前記第１の負の電位よ
りも絶対値が小さい第３の負の電位を印加することを特
徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の基板検査装
置。 - 【請求項７】前記第１の負の電位は、前記二次荷電粒子
もしくは前記反射荷電粒子または前記二次荷電粒子およ
び前記反射荷電粒子が前記荷電粒子倍増器に入射すると
きのエネルギーを約２ｋｅＶ以下とする値であることを
特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板検査
装置。 - 【請求項８】前記撮像素子は、ガラス材料から形成され
た保護部材を有し、 前記蛍光体は、前記保護部材の表面に蛍光材料をコーテ
ィングして形成されたことを特徴とする請求項１乃至７
のいずれかに記載の基板検査装置。 - 【請求項９】前記撮像素子は、ＴＤＩ（Time Delay Int
egrator）型のＣＣＤ素子を含むことを特徴とする請求
項１乃至８のいずれかに記載の基板検査装置。 - 【請求項１０】基板を装着する基板装着手段と、荷電ビ
ームを生成して前記基板に照射する荷電ビーム照射手段
と、前記荷電ビームの照射により前記基板から発生し前
記基板の表面の物性を表わす電子像をなす二次荷電粒子
もしくは反射荷電粒子または前記二次荷電粒子および前
記反射荷電粒子を検出して画像信号を出力する電子像検
出手段と、前記基板から発生した前記二次荷電粒子もし
くは前記反射荷電粒子または前記二次荷電粒子および前
記反射荷電粒子を拡大投影して前記電子像を前記電子像
検出手段に結像させる写像投影手段と、前記画像信号に
基づいて前記基板を検査する検査手段と、を備え、前記
電子像検出手段が、前記二次荷電粒子もしくは前記反射
荷電粒子または前記二次荷電粒子および前記反射荷電粒
子を倍増する荷電粒子倍増器と、倍増された前記二次荷
電粒子もしくは前記反射荷電粒子または前記二次荷電粒
子および前記反射荷電粒子の照射を受けて前記電子像を
光学画像に変換する蛍光体を受光面に有し前記光学画像
を画像信号に変換する撮像素子と、を含む基板検査装置
の制御方法であって、 前記蛍光体の蛍光面をグランドに接地する工程と、 前記荷電粒子倍増器における前記二次荷電粒子もしくは
前記反射荷電粒子または前記二次荷電粒子および前記反
射荷電粒子の入射面に第１の負の電位を印加する工程
と、を備える基板検査装置の制御方法。 - 【請求項１１】前記基板装着手段に前記第１の負の電位
よりも絶対値が大きい第２の負の電位を印加する工程を
さらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の基板
検査装置の制御方法。 - 【請求項１２】前記写像投影手段において前記二次荷電
粒子もしくは前記反射荷電粒子または前記二次荷電粒子
および前記反射荷電粒子が前記電子像検出手段に向けて
出射する箇所に前記第１の負の電位を印加する工程をさ
らに備えることを特徴とする請求項１０または１１に記
載の基板検査装置の制御方法。 - 【請求項１３】前記荷電ビームの前記基板への入射角度
と、前記基板から発生した前記二次荷電粒子もしくは前
記反射荷電粒子または前記二次荷電粒子および前記反射
荷電粒子の前記写像投影手段への取り込み角度を変化さ
せる工程をさらに備えることを特徴とする請求項１０乃
至１２のいずれかに記載の基板検査装置の制御方法。 - 【請求項１４】前記基板検査装置の前記写像投影手段
は、前記電子像検出手段に近接した位置に設けられた３
段の静電レンズを含み、 前記３段の静電レンズのうち、前記基板装着手段の側に
位置する第１段目の前記静電レンズをグランドに接地
し、前記荷電粒子倍増器に最も近接する第３段目の前記
静電レンズに前記第１の負の電位を印加し、第２段目の
前記静電レンズに前記第１の負の電位よりも絶対値が小
さい第３の負の電位を印加する工程をさらに備えること
を特徴とする請求項１２または１３に記載の基板検査装
置の制御方法。 - 【請求項１５】前記第１の負の電位は、前記二次荷電粒
子もしくは前記反射荷電粒子または前記二次荷電粒子お
よび前記反射荷電粒子が前記荷電粒子倍増器に入射する
ときのエネルギーを約２ｋｅＶ以下とする値であること
を特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載の基
板検査装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000400814A JP3943832B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 基板検査装置およびその制御方法 |
| US10/026,727 US6768112B2 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-27 | Substrate inspection system and method for controlling same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000400814A JP3943832B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 基板検査装置およびその制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203506A true JP2002203506A (ja) | 2002-07-19 |
| JP3943832B2 JP3943832B2 (ja) | 2007-07-11 |
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ID=18865333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000400814A Expired - Fee Related JP3943832B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 基板検査装置およびその制御方法 |
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| Country | Link |
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| US (1) | US6768112B2 (ja) |
| JP (1) | JP3943832B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363085A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2007192741A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Sharp Corp | 元素分析方法及び元素分析装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10235456B4 (de) * | 2002-08-02 | 2008-07-10 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Elektronenmikroskopiesystem |
| US9390886B2 (en) * | 2005-02-17 | 2016-07-12 | Ebara Corporation | Electro-optical inspection apparatus using electron beam |
| EP1883094B1 (en) * | 2006-07-24 | 2012-05-02 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device and method for inspecting specimen |
| TWI778072B (zh) | 2017-06-22 | 2022-09-21 | 以色列商奧寶科技有限公司 | 用於在超高解析度面板中偵測缺陷之方法 |
| US11101119B2 (en) * | 2018-12-20 | 2021-08-24 | Elbit Systems Of America, Llc | Usage and temperature compensation of performance parameters for night vision device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3148353B2 (ja) | 1991-05-30 | 2001-03-19 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 電子ビーム検査方法とそのシステム |
| JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
| JP3409909B2 (ja) | 1994-03-11 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置 |
| US6172363B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
| JPH10208679A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| JPH11132975A (ja) | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Toshiba Corp | 電子ビームを用いた検査方法及びその装置 |
| JP3441955B2 (ja) * | 1998-02-23 | 2003-09-02 | 株式会社日立製作所 | 投射方式の荷電粒子顕微鏡および基板検査システム |
| JP3724949B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2005-12-07 | 株式会社東芝 | 基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法 |
| JP2000286310A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法および検査装置 |
| JP2001093455A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Nikon Corp | 電子ビーム装置 |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000400814A patent/JP3943832B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-12-27 US US10/026,727 patent/US6768112B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363085A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2007192741A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Sharp Corp | 元素分析方法及び元素分析装置 |
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|---|---|
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| US6768112B2 (en) | 2004-07-27 |
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