JPWO2018025849A1 - 荷電粒子線装置及び走査電子顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
Description
図1を参照して、本発明の実施形態1に係るSEMの概略構成を説明する。
このSEMは、電子源(荷電粒子源)11と、加速電源14と、コンデンサレンズ15と、対物レンズ絞り16と、二段偏向コイル17と、上部対物レンズ18と、下部対物レンズ26と、検出器20とを備えた電子線装置である。加速電源14は、電子源11から放出される一次電子線(荷電粒子線)12を加速する。コンデンサレンズ15は、加速された一次電子線12を集束する。対物レンズ絞り16は、一次電子線12の不要な部分を除く。二段偏向コイル17は、一次電子線12を試料23上で二次元的に走査する。上部対物レンズ18及び下部対物レンズ26は、一次電子線12を試料23上に集束させる。検出器20は、試料23から放出された信号電子21(二次電子21a、反射電子21b)を検出する。
本実施形態1に係るSEMにおいては、図1に示すように、電位板22と試料台24との間に、より具体的には、電位板22と試料台24に載置された試料23との間に、シールド電極51が配置される。試料台24側から見れば、シールド電極51及び電位板22は、この順で配置される。
本実施形態1に係るSEMにおいては、図1に示すように、補正器54a、補正器54b、補正器54c、補正器54d、補正器54e及び補正器54fが設けられる。補正器54a〜補正器54fは、表示装置57に表示された収差のある画像を調整するための補正器である。補正器54a〜補正器54dは、補正器電源55に接続されており、制御装置45が補正器電源55を制御する。補正器54a〜補正器54dは、例えば、補正器54b及び補正器54dをアライメント偏向器とし、補正器54a及び補正器54cを非点補正器とすればよい。あるいは、補正器54aに非点補正器とアライメント偏向器を配置し、補正器54cをアライメント偏向器としてもよい。補正器54e及び補正器54fは、上部装置71の光軸と下部対物レンズ26の光軸とを合わせるのに用い、例えばネジを用いて移動させることができる。
本実施形態1に係るSEMにおいては、図1に示すように、電位板22及び試料台24をXYZ方向に移動させる移動機構を備える。SEMの下部装置72の上面側の空間は、真空壁60で囲まれている。これにより、上部対物レンズ18や、二次電子検出器19、検出器20や、試料23等は、真空環境におかれる。移動機構は、具体的には、Z方向ステージ調整部56a、第1XY方向ステージ調整部56b、第2XY方向ステージ調整部56c、電位板ステージ61及び試料台ステージ板29から構成される。Z方向ステージ調整部56a、第1XY方向ステージ調整部56b及び第2XY方向ステージ調整部56cは、真空外部に配置されており、ユーザにより操作される。電位板ステージ61は、Z方向ステージ調整部56a及び第1XY方向ステージ調整部56bを用いたユーザによる操作により、XYZ方向に移動する。電位板ステージ61の移動に伴い、電位板22のXYZ方向の移動が実現される。同様に、試料台ステージ板29は、第2XY方向ステージ調整部56cを用いたユーザによる操作により、XY方向に移動する。XYステージの移動に伴い、試料台ステージ板29の移動に伴い、試料台24のXY方向の移動が実現される。
本実施形態1に係るSEMにおいては、図1に示すように、ガス導入機構58を備える。電位板22から試料23側の空間(以下、「下部空間」と称す。)と、電位板22から上部対物レンズ18側の空間(以下、「上部空間」と称す。)とは、電位板ステージ61及びスライド板62を用いて、真空的に分離される。ガス導入機構58は、下部空間に各種ガスを導入し、下部空間内を低真空にしたり、試料23の表面近傍にガスを滞留させたりする。
図2を参照して、本発明の実施形態2に係るSEMの概略構成を説明する。以下、本発明の実施形態1と同様の部分については、同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図3は、本発明の実施形態3に係るSEMの装置構成の概要例を示す断面図である。以下、本発明の実施形態1及び2と同様の部分については、同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図4は、本発明の実施形態4に係るSEMの装置構成の概要例を示す断面図である。以下、本発明の実施形態1、2及び3と同様の部分については、同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図5は、本発明の実施形態5に係るSEMの装置構成の概要例を示す断面図である。以下、本発明の実施形態1、2、3及び4と同様の部分については、同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図6は、本発明の実施形態6に係るSEMの装置構成の概要例を示す断面図である。以下、本発明の実施形態1〜5と同様の部分については、同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図7は、本発明の実施形態7に係るSEMの装置構成の概要例を示す断面図である。以下、本発明の実施形態1〜6と同様の部分については、同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図8は、本発明の実施形態8に係るSEMの装置構成の概要例を示す断面図である。以下、本発明の実施形態1〜7と同様の部分については、同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図9は、本発明の実施形態9に係るSEMの装置構成の概要例を示す断面図である。以下、本発明の実施形態1〜7と同様の部分については、同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
Claims (14)
- 荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、
上記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に集束させる対物レンズと、
上記試料を載置する試料台と、
上記荷電粒子線を通過させるシールド電極及び電位板と
を備え、
上記試料台側から、上記シールド電極及び電位板は、この順で配置されており、
上記試料台と上記電位板との間には電位差が与えられ、
上記シールド電極には、上記電位差により上記試料に生じる電界を緩和する電位が印加されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 上記シールド電極及び電位板を移動させる移動機構を備えることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線装置。
- 上記対物レンズは、上記試料に対して上記荷電粒子線が入射する側の反対側に配置された下部対物レンズを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子線装置。
- 上記対物レンズは、上記試料に対して上記荷電粒子線が入射する側に配置された上部対物レンズを含み、
上記上部対物レンズの強度を可変する上部対物レンズ電源と、
上記下部対物レンズの強度を可変する下部対物レンズ電源と
を備え、
上記上部対物レンズ電源のみを用いるとき、上記試料は、上記上部対物レンズと上記下部対物レンズとの間に配置され、
上記下部対物レンズ電源のみを用いるとき、上記下部対物レンズと測定試料面との距離が上記上部対物レンズと測定試料面との距離よりも近くされることを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子線装置。 - 上記シールド電極は、絶縁体を挟むようにして、上記電位板に接続され、
上記シールド電極及び電位板は、それぞれ、上記荷電粒子線を通過させる開口部を有し、各開口部の中心軸同士は実質的に一致することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置。 - 上記電位板及び試料台を含む空間内にガスを導入することにより、上記試料の近傍に当該ガスを滞留させるガス導入機構を備えることを特徴とする請求項5に記載の荷電粒子線装置。
- 上記電位板の、上記シールド電極との対向面に、上記電位板の開口部を塞がないように配置され、上記試料から放出される信号電子または電磁波を検出する検出器を備えることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置。
- 上記シールド電極は、
導電体を挟むようにして、上記試料台に接続され、且つ、
上記導電体を介して、上記試料台と同電位となることを特徴とする請求項1、3、4、6及び7のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置。 - 上記シールド電極及び上記導電体は、上記試料を覆うようにして上記試料台に載置される試料ケースを構成することを特徴とする請求項8に記載の荷電粒子線装置。
- 上記試料ケースは、密閉容器であり、
上記シールド電極の開口部を塞ぐように薄膜部材が設けられており、
上記薄膜部材は、上記荷電粒子線及び上記試料から放出される信号電子または電磁波を通過させる材料から構成されることを特徴とする請求項9に記載の荷電粒子線装置。 - 上記電位板は、上記上部対物レンズの、上記シールド電極と対向する磁極であることを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子線装置。
- 荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、
試料に対して上記荷電粒子線が入射する側の反対側に配置され、上記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を上記試料に集束させる下部対物レンズと、
上記試料を載置する試料台と、
上記荷電粒子線を通過させるシールド電極及び電位板と、
上記シールド電極及び電位板を移動させる移動機構と、
上記電位板及び試料台を含む空間内にガスを導入することにより、上記試料の近傍に当該ガスを滞留させるガス導入機構と
を備え、
上記試料台側から、上記シールド電極及び電位板は、この順で配置されていることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 上記下部対物レンズの上部に、上記試料に対する操作、加工又は測定のいずれか一つを少なくとも含む、上記試料に対する処理を行うための空間が確保されるように、上記試料の上部の配置構成が決定されることを特徴とする請求項3、4又は12に記載の荷電粒子線装置。
- 請求項1から13のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置を備える、走査電子顕微鏡。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10998164B2 (en) | 2018-06-05 | 2021-05-04 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7072457B2 (ja) * | 2018-07-12 | 2022-05-20 | 株式会社堀場製作所 | 試料分析装置、電子顕微鏡、及び集光ミラーユニット |
WO2020141091A2 (en) * | 2018-12-31 | 2020-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for obtaining optical measurements in a charged particle apparatus |
JP7306955B2 (ja) * | 2019-10-18 | 2023-07-11 | 株式会社巴川製紙所 | 電子線装置用カーボン膜 |
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CN112697831B (zh) * | 2019-10-23 | 2024-07-09 | 加坦公司 | 对准阴极发光光学器件的系统和方法 |
US11335608B2 (en) * | 2020-04-15 | 2022-05-17 | Kla Corporation | Electron beam system for inspection and review of 3D devices |
US11239043B2 (en) * | 2020-05-19 | 2022-02-01 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device and method for inspecting and/or imaging a sample |
DE102020124307A1 (de) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zum Analysieren und/oder Bearbeiten einer Probe mit einem Teilchenstrahl und Verfahren |
CN114646689A (zh) | 2020-12-17 | 2022-06-21 | 清华大学 | 二次电子探头及二次电子探测器 |
CN114644335B (zh) | 2020-12-17 | 2023-07-18 | 清华大学 | 电子黑体腔体及二次电子探测装置 |
CN114646995A (zh) | 2020-12-17 | 2022-06-21 | 清华大学 | 电子束检测装置及检测方法 |
DE102020134488A1 (de) * | 2020-12-21 | 2022-06-23 | Helmut Fischer GmbH Institut für Elektronik und Messtechnik | Röntgenquelle und Betriebsverfahren hierfür |
JP2024089039A (ja) * | 2022-12-21 | 2024-07-03 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子線マスク検査装置 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02123652A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-05-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 後方散乱電子を利用して試料を分析する装置及び方法 |
JPH06181041A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH09222738A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電粒子ビーム装置 |
WO1999050651A1 (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-07 | Hitachi, Ltd. | Pattern inspection device |
JP2000277049A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Jeol Ltd | カソードレンズ |
JP2000348658A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-12-15 | Applied Materials Inc | 荷電粒子ビーム装置用カラム |
JP2004363085A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
WO2006016613A1 (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | 走査型電子顕微鏡 |
JP2007250223A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
JP2007265931A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
JP2008159568A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-07-10 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 微小化構造を有する物体を検査及び加工するための電子顕微鏡、並びに、当該物体の製造方法 |
JP2009532831A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 荷電粒子ビーム器具用の改善された検出器 |
JP2014078458A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム装置 |
WO2014184881A1 (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 株式会社日立製作所 | 試料ホルダ及びそれを備えた集束イオンビーム加工装置 |
WO2016117628A1 (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置用部材の製造方法 |
JP2017037843A (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 試料を検査および/または撮像する荷電粒子ビーム装置および方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5237947B2 (ja) * | 1974-02-22 | 1977-09-26 | ||
JPH0374035A (ja) * | 1988-09-28 | 1991-03-28 | Anelva Corp | 電子ビーム装置 |
JPH04318403A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-10 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 複合型走査トンネル顕微鏡 |
JPH10154481A (ja) * | 1997-11-27 | 1998-06-09 | Hitachi Ltd | 走査顕微応用装置 |
SG102573A1 (en) | 2000-05-04 | 2004-03-26 | Univ Singapore | A lens for a scanning electron microscope |
JP2003123679A (ja) | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Ebara Corp | 電子線装置及び該電子線装置を用いたデバイス製造方法 |
-
2017
- 2017-08-01 JP JP2018531914A patent/JP6591681B2/ja active Active
- 2017-08-01 WO PCT/JP2017/027864 patent/WO2018025849A1/ja active Application Filing
-
2019
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-
2022
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Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02123652A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-05-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 後方散乱電子を利用して試料を分析する装置及び方法 |
JPH06181041A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JPH09222738A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電粒子ビーム装置 |
WO1999050651A1 (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-07 | Hitachi, Ltd. | Pattern inspection device |
JP2000277049A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Jeol Ltd | カソードレンズ |
JP2000348658A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-12-15 | Applied Materials Inc | 荷電粒子ビーム装置用カラム |
JP2004363085A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
WO2006016613A1 (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | 走査型電子顕微鏡 |
JP2007250223A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
JP2007265931A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
JP2009532831A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 荷電粒子ビーム器具用の改善された検出器 |
JP2008159568A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-07-10 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 微小化構造を有する物体を検査及び加工するための電子顕微鏡、並びに、当該物体の製造方法 |
JP2014078458A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-01 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム装置 |
WO2014184881A1 (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 株式会社日立製作所 | 試料ホルダ及びそれを備えた集束イオンビーム加工装置 |
WO2016117628A1 (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置用部材の製造方法 |
JP2017037843A (ja) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 試料を検査および/または撮像する荷電粒子ビーム装置および方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10998164B2 (en) | 2018-06-05 | 2021-05-04 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
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