JP2008159568A - 微小化構造を有する物体を検査及び加工するための電子顕微鏡、並びに、当該物体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】製造方法は、反応ガスを供給すると同時に、加工すべき箇所に電子ビームを当てて、材料を堆積するか、あるいは、材料を切除することにより、物体を加工する工程と、物体の表面を電子ビームによって走査し、生成された後方散乱電子及び二次電子をエネルギー選択器7に導入し、二次電子をエネルギー選択器7によって反射させ、エネルギー選択器7を通過する後方散乱電子を検出し、検出された後方散乱電子に応じて走査領域の電子顕微鏡像を形成して、物体を検査する工程と、形成された電子顕微鏡像を調べて、材料のさらなる堆積又は切除を実施すべきか否かを決定する工程とを含む。並びに、この方法を実施するように構成された電子顕微鏡及び加工システム。
【選択図】図1
Description
電子ビームを発生させるための電子ビーム源と、
前記物体上に前記電子ビームを集束させるための集束レンズと、
二次電子検出器と、
前記電子ビームの方向、つまり、前記電子ビーム源から前記集束レンズへの方向に見て、前記二次電子検出器の前方にそれから離れて配置された後方散乱電子検出器であって、前記二次電子検出器と後方散乱電子検出器とが、前記電子顕微鏡の内部の、前記集束レンズと前記電子ビーム源との間に配置されるような、後方散乱電子検出器と、
前記二次電子検出器と前記後方散乱電子検出器との間に配置されたエネルギー選択器とを含み、
前記電子顕微鏡は、前記電子ビーム源から前記集束レンズへの方向に見て、以下のような4つの真空空間を含んでいる。
a)前記物体の表面に反応ガスを供給すると共に、前記物体の表面の加工すべき箇所に電子ビームを当てて、前記物体に材料を堆積するか、あるいは、前記物体から材料を切除することにより、前記物体を加工する工程と、
b)前記物体の表面及び前記物体の表面の領域を前記電子ビームによって走査し、前記走査用電子ビームによって生成された後方散乱電子及び二次電子をエネルギー選択器に導入し、前記二次電子を前記エネルギー選択器によって反射させ、前記エネルギー選択器を通過する後方散乱電子を検出し、検出された前記後方散乱電子に応じて前記走査領域の電子顕微鏡像を形成して、前記物体を検査する工程と、
c)形成された前記電子顕微鏡像を調べて、材料のさらなる堆積又は切除を実施すべきか否かを決定する工程とを含んでいる。
図1は、本発明による加工システムの第1の実施の形態の簡略化された概略断面図である。
Claims (19)
- 微小化構造を有する物体の製造方法であって、
(a)前記物体の表面にプロセスガスを供給すると共に、前記物体の表面の加工すべき箇所に電子ビームを当てて、前記物体に材料を堆積すること、及び、前記物体から材料を切除することの少なくともいずれかにより、前記物体を加工する工程と、
(b)前記物体の表面を前記電子ビームによって走査し、前記走査用電子ビームによって生成された後方散乱電子及び二次電子をエネルギー選択器に供給し、前記二次電子を前記エネルギー選択器によって反射させ、前記エネルギー選択器を通過する後方散乱電子を検出し、検出された前記後方散乱電子に基づいて前記走査領域の電子顕微鏡像を形成して、前記物体を検査する工程と、
(c)(i)前記物体の加工及び検査を反復すること、及び
(ii)前記物体のさらなる加工及び検査を中止することのうちの1つを、前記物体の形成された前記電子顕微鏡像の解析に基づいて行う工程とを含むことを特徴とする微小化構造を有する物体の製造方法。 - 前記エネルギー選択器は、互いに離れて配置された2つのグリッド電極を含み、前記二次電子の反射は、前記グリッド電極間で生成される電界によって前記二次電子を反射させることを含む請求項1に記載の方法。
- 前記電子ビームの電子は、前記物体の表面において5keV未満の運動エネルギーを有する請求項1に記載の方法。
- 前記エネルギー選択器に供給されない前記走査用電子ビームによって生成された二次電子を二次電子検出器へ供給する工程と、前記二次電子検出器へ供給された前記二次電子を検出する工程とをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記二次電子検出器の電子検出面が配置される空間に第4の真空を形成し、前記エネルギー選択器が配置される空間に第3の真空を形成し、前記物体の加工中に前記第3の真空のガス圧力と前記第4の真空のガス圧力の比を1:2未満に維持する工程をさらに含む請求項1に記載の方法。
- 電子ビーム源が配置される空間と前記エネルギー選択器が配置される空間との間の空間に第2の真空を形成し、前記電子ビーム源が配置される空間に第1の真空を形成し、前記物体の加工中に前記第1の真空のガス圧力と前記第2の真空のガス圧力との比、及び前記第2の真空のガス圧力と前記第3の真空のガス圧力との比をそれぞれ1:10未満に維持する工程をさらに含む請求項5に記載の方法。
- 微小化構造を有する物体を検査及び加工するための加工システムであって、前記電子顕微鏡システムは、
電子ビームを発生させるための電子ビーム源と、
前記物体上に前記電子ビームを集束させるための集束レンズと、
前記物体から離れて配置された二次電子検出器と、
前記二次電子検出器よりも前記物体からはるかに離れて配置されたエネルギー選択器と、
前記エネルギー選択器よりも前記物体からはるかに離れて配置された後方散乱電子検出器と、
前記電子ビーム源が配置された第1の真空空間と、
前記電子ビームが通過する開口部を含む第1の分離構造により、前記第1の真空空間から不十分に分離された第2の真空空間と、
前記電子ビームが通過する開口部を含む第2の分離構造(26)により、前記第2の真空空間から不十分に分離された、前記後方散乱電子検出器が配置される第3の真空空間と、
前記電子ビームが通過する開口部を含む第3の分離構造(27)により、前記第3の真空空間から不十分に分離された、前記二次電子検出器の表面が配置される第4の真空空間とを含むことを特徴とする加工システム。 - 前記第3の分離構造は、前記二次電子検出器を含む請求項7に記載の加工システム。
- 前記エネルギー選択器は、二次電子と後方散乱電子を互いに分離すべく構成された請求項7に記載の加工システム。
- 前記エネルギー選択器は、前記二次電子を反射すべく構成された請求項9に記載の加工システム。
- 前記エネルギー選択器は、所定の閾値エネルギーよりも大きい運動エネルギーを有する後方散乱電子のみが前記後方散乱電子検出器に到達できるように構成された請求項9に記載の加工システム。
- 前記エネルギー選択器は、互いに離れて配置された2つのグリッド電極と、前記2つのグリッド電極間に電界を発生させるための電圧源とを含む請求項7に記載の加工システム。
- 前記物体の表面に反応ガスを供給するためのガス供給装置をさらに含む請求項7に記載の加工システム。
- 第1、第2及び第3の真空ポンプをさらに含み、
前記第1の真空空間のハウジングは、前記第1の真空ポンプと連通する開口部を含み、
前記第2の真空空間のハウジングは、前記第2の真空ポンプと連通する開口部を含み、
前記第3の真空空間のハウジングは、前記第3の真空ポンプと連通する開口部を含む請求項7に記載の加工システム。 - 前記物体が配置される第5の真空空間をさらに含み、
前記第4の真空空間のハウジングは、前記電子ビームが通過しない開口部を含み、
前記第5の真空空間のハウジングは、前記電子ビームが通過しない開口部を含み、前記第4の真空空間の前記開口部と連通する請求項7に記載の加工システム。 - 前記第1、第2及び第3の真空ポンプとは異なる第4の真空ポンプをさらに含み、
前記第5の真空空間の前記ハウジングは、前記第4の真空ポンプと連通する開口部を含む請求項15に記載の加工システム。 - 前記第5の真空空間は、前記第3の真空ポンプと連通する開口部を含む請求項15に記載の加工システム。
- 前記電子顕微鏡システムは、操作中に、前記第1の真空空間のガス圧力と前記第2の真空空間のガス圧力との比、及び、前記第2の真空空間の前記ガス圧力と前記第3の真空空間のガス圧力との比が、それぞれ1:10よりも小さくなるように構成された請求項7に記載の加工システム。
- 前記電子顕微鏡システムは、さらに、操作中に、前記第3の真空空間の前記ガス圧力と前記第4の真空空間のガス圧力との比が1:2よりも小さくなるように構成された請求項7に記載の加工システム。
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