JP2004155705A - 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】低電圧で高い発光効率、長寿命を維持しつつ、高温下でも青色発光が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子、それを実現する芳香族アミン誘導体を提供する。
【解決手段】特定構造の芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【選択図】 なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、芳香族アミン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、さらに詳しくは、低電圧で高い発光効率、長寿命を維持しつつ、高温下でも青色発光が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを実現する芳香族アミン誘導体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（Ｃ．Ｗ． Ｔａｎｇ， Ｓ．Ａ． Ｖａｎｓｌｙｋｅ， アプライドフィジックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ），５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の２層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
このような有機ＥＬ素子に用いられる正孔注入材料としては、例えば、特許文献１に高分子量芳香族アミン化合物が開示され、特許文献２にトリアリールアミン多量体開示され、特許文献３にフェニレンジアミン誘導体が開示されている。これらの化合物はいずれもイオン化ポテンシャルが小さいために、陽極から正孔が注入されやすく、しかも特許文献４に開示されているようなスターバーストアミン誘導体よりも正孔移動度が高く、正孔注入材料として好適であった。
しかしながら、これらの正孔注入材料を用いた有機ＥＬ素子は、耐熱性が十分ではなく、特に１３０℃を超えると青色発光を維持できず、耐熱性が要求される車載用途には不向きだった。
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−３０１９３４号公報
【特許文献２】
ＷＯ９８／３００７１号公報
【特許文献３】
特開２０００−３０９５６６号公報
【特許文献４】
特開平４−３０８６８８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、低電圧で高い発光効率、長寿命を維持しつつ、高温下でも青色発光が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）で表される特定の構造を有する新規な芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用い、特に正孔注入材料として用いると、前記の目的を達成することを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される新規な芳香族アミン誘導体を提供するものである。
【化２】

【０００７】
（式中、Ａｒ^１ 〜Ａｒ^２ は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合したアリール基、Ａｒ^３ 〜Ａｒ^６ は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、Ａｒ^７ 〜Ａｒ^１０は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基であり、Ａｒ^７ とＡｒ^８ の置換基が環を形成していてもよい。
Ｌは、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキレン基又は置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキリデン基である。
ただし、▲１▼及び／又は▲２▼の条件を満たす。
▲１▼Ａｒ^３ 〜Ａｒ^６ のうち少なくともひとつは、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合したアリール基。
▲２▼Ａｒ^１ 〜Ａｒ^２ のうち少なくともひとつは、置換もしくは無置換の核炭素数１２〜５０の縮合したアリール基。）
【０００８】
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の芳香族アミン誘導体は、上記一般式（１）で表される化合物からなるものである。
一般式（１）において、Ａｒ^１ 〜Ａｒ^２ は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合したアリール基である。具体的には、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基等が挙げられ、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、フルオランテニル基が好ましい。
【００１０】
Ａｒ^３ 〜Ａｒ^６ は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基である。具体的には、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチ ル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオランテニル基等が挙げられ、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基が好ましい。
【００１１】
Ａｒ^７ 〜Ａｒ^１０は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基である。具体的には、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，４−アントラセニレン基、９，１０−アントラセニレン基等が挙げられ、１，４−フェニレン基が好ましい。
また、Ａｒ^７ とＡｒ^８ の置換基が環を形成していてもよく、例えば、飽和５員環、飽和５員環などが挙げられ、環を形成する置換基としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−２，２’−ジイル基、ジフェニルエタン−３，３’−ジイル基、ジフェニルプロパン−４，４’−ジイル基等が挙げられる。
【００１２】
Ｌは、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキレン基又は置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキリデン基である。
核炭素数６〜５０のアリーレン基としては、例えば、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，４−アントラセニレン基、９，１０−アントラセニレン基等が挙げられ、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基が好ましい。
核炭素数５〜５０のヘテロアリーレン基としては、例えば、ピローリレン基、フラニレン基、チオフェニレン基、シローリレン基、ピリジレン基、イミダゾリレン基、ピリミジレン基、カルバゾリレン基、セレノフェニレン基、オキサジアゾリレン基、トリアゾーリレン基等が挙げられ、チオフェニレン基、カルバゾリレン基が好ましい。
【００１３】
置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｓ−ブチレン基、イソブチレン基、ｔ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ヒドロキシメチレン基、１−ヒドロキシエチレン基、２−ヒドロキシエチレン基、２−ヒドロキシイソブチレン基、１，２−ジヒドロキシエチレン基、１，３−ジヒドロキシイソプロピレン基、１，２，３−トリヒドロキシプロピレン基、クロロメチレン基、１−クロロエチレン基、２−クロロエチレン基、２−クロロイソブチレン基、１，２−ジクロロエチレン基、１，３−ジクロロイソプロピレン基、１，２，３−トリクロロプロピレン基、ブロモメチレン基、１−ブロモエチレン基、２−ブロモエチレン基、２−ブロモイソブチレン基、１，２−ジブロモエチレン基、１，３−ジブロモイソプロピレン基、１，２，３−トリブロモプロピレン基、ヨードメチレン基、１−ヨードエチレン基、２−ヨードエチレン基、２−ヨードイソブチレン基、１，２−ジヨードエチレン基、１，３−ジヨードイソプロピレン基、１，２，３−トリヨードプロピレン基、アミノメチレン基、１−アミノエチレン基、２−アミノエチレン基、２−アミノイソブチレン基、１，２−ジアミノエチレン基、１，３−ジアミノイソプロピレン基、１，２，３−トリアミノプロピレン基、シアノメチレン基、１−シアノエチレン基、２−シアノエチレン基、２−シアノイソブチレン基、１，２−ジシアノエチレン基、１，３−ジシアノイソプロピレン基、１，２，３−トリシアノプロピレン基、ニトロメチレン基、１−ニトロエチレン基、２−ニトロエチレン基、２−ニトロイソブチレン基、１，２−ジニトロエチレン基、１，３−ジニトロイソプロピレン基、１，２，３−トリニトロプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、４−メチルシクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基等が挙げられ、メチレン基が好ましい。
炭素数２〜５０のアルキリデン基としては、例えば、プロピリデン基、イソプロピリデン基、ブチリデン基、ペンチリデン基、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデン基等が挙げられ、シクロヘキシリデン基が好ましい。
【００１４】
前記Ａｒ^１ 〜Ａｒ^１０及びＬの置換基としては、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等である。
【００１５】
置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル 基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオランテニル基等が挙げられる。
【００１６】
置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン −８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００１７】
置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
【００１８】
置換もしくは無置換のアルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピ ル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【００１９】
置換もしくは無置換のアラルキル基の例としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、 ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
【００２０】
置換もしくは無置換のアリールオキシ基は、−ＯＹ’と表され、Ｙ’の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基 、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００２１】
置換もしくは無置換のアリールチオ基は、−ＳＹ”と表され、Ｙ”の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル− ２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジ ニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。
【００２２】
置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基は−ＣＯＯＺと表され、Ｚの例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
【００２３】
ただし、本発明の芳香族アミン誘導体は、▲１▼及び／又は▲２▼の条件を満たすことが必要である。
▲１▼Ａｒ^３ 〜Ａｒ^６ のうち少なくともひとつは、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合したアリール基。
▲２▼Ａｒ^１ 〜Ａｒ^２ のうち少なくともひとつは、置換もしくは無置換の核炭素数１２〜５０の縮合したアリール基。
この条件を満たすことにより、芳香族アミン誘導体の構造が複雑になるため、分解しにくく化合物自体の耐久性が向上する。
【００２４】
本発明の一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。なお、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｔＢｕはｔ−ブチル基、ｉＰｒはイソプロピル基を示す。
【化３】

【００２５】
【化４】

【００２６】
【化５】

【００２７】
【化６】

【００２８】
【化７】

【００２９】
【化８】

【００３０】
【化９】

【００３１】
【化１０】

【００３２】
【化１１】

【００３３】
【化１２】

【００３４】
【化１３】

【００３５】
【化１４】

【００３６】
【化１５】

【００３７】
【化１６】

【００３８】
【化１７】

【００３９】
【化１８】

【００４０】
【化１９】

【００４１】
【化２０】

【００４２】
【化２１】

【００４３】
【化２２】

【００４４】
次に、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。
本発明の有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送帯域を有し、該正孔輸送帯域が、本発明の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有すると好ましく、また、前記有機薄膜層が正孔注入層を有し、該正孔注入層が、本発明の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有するとさらに好ましい。
【００４５】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
（１）有機ＥＬ素子の構成
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（１） 陽極／発光層／陰極
（２） 陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３） 陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４） 陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５） 陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６） 陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７） 陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８） 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９） 陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常（８） の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の芳香族アミン誘導体は、有機ＥＬ素子の発光帯域又は正孔輸送帯域に用いることができ、好ましくは正孔輸送帯域、特に好ましくは正孔輸送層に用いることにより、低電圧で高い発光効率、長寿命を維持しつつ、高温下でも青色発光が可能な有機ＥＬ素子を得ることができる。
本発明の芳香族アミン誘導体を、発光帯域又は正孔輸送帯域に含有させる量としては、３０〜１００モル％が好ましい。
【００４６】
（２）透光性基板
本発明の有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
【００４７】
（３）陽極
本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【００４８】
（４）発光層
有機ＥＬ素子の発光層は以下▲１▼〜▲３▼の機能を併せ持つものである。
▲１▼注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
▲２▼輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
▲３▼発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に本発明の芳香族アミン誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、本発明の芳香族アミン誘導体からなる発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。
【００４９】
（５）正孔注入・輸送層（正孔輸送帯域）
正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０^４ 〜１０^６ Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０^−４ｃｍ^２ ／Ｖ・秒であれば好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の芳香族アミン誘導体単独で正孔注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。
本発明の芳香族アミン誘導体と混合して正孔注入、輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【００５０】
具体例としては、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同 ５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
【００５１】
正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
【００５２】
正孔注入・輸送層は本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入・輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入・輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入・輸送層を積層したものであってもよい。
また、発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよく、１０^−１０ Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
【００５３】
（６）電子注入層
電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また、付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着性がよい材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。
この８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げられ、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）を電子注入材料として用いることができる。
また、オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。
【００５４】
【化２３】

（式中Ａｒ^１’，Ａｒ^２’，Ａｒ^３’，Ａｒ^５’，Ａｒ^６’，Ａｒ^９’はそれぞれ置換もしくは無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ａｒ^４’，Ａｒ^７’，Ａｒ^８’は置換もしくは無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい）
【００５５】
ここでアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられ、アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。
この電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
【００５６】
【化２４】

【００５７】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、電子を輸送する領域又は陰極と有機薄膜層の界面領域に、還元性ドーパントを含有していてもよい。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
【００５８】
好ましい還元性ドーパントの具体例としては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましのはＣｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂ又はＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
【００５９】
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けてもよい。これにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができるため好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２ Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２ Ｓ、Ｎａ_２ Ｓｅ及びＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２ 、ＢａＦ_２ 、ＳｒＦ_２ 、ＭｇＦ_２ 及びＢｅＦ_２ といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
【００６０】
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
【００６１】
（７）陰極
陰極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【００６２】
（８）絶縁層
有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セ シウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【００６３】
（９）有機ＥＬ素子の製造方法
以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入・輸送層、及び必要に応じて電子注入・輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。
まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０^−７〜１０^−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。
【００６４】
次に、正孔注入層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
本発明の芳香族アミン誘導体は、発光帯域や正孔輸送帯域のいずれの層に含有させるかによって異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。
最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
この有機ＥＬ素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
【００６５】
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
【００６６】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
合成例１（２−ヨードナフタレン）の合成
削り状マグネシウム１４ｇ （東京化成社製）、乾燥蒸留したＴＨＦ２３０ ミリリットルを５０℃に加熱攪拌しながら、少量のヨウ素（東京化成社製）を加えてマグネシウムを活性化した後、この中に２−ブロモナフタレン１０５ｇ（東京化成社製）を乾燥蒸留したＴＨＦ１リットルに溶解した溶液を１時間かけて滴下した。
滴下終了後、５０℃で２時間攪拌し、−１０℃に冷却した後、２５０ｇのヨウ素を少量ずつ加え、室温に戻した後、２時間攪拌を続けた。
この反応液に水１００ ミリリットルを加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を苛性ソーダ水溶液で抽出し、水層をヘキサンで洗浄後、塩酸で酸性にしてから酢酸エチルで抽出、減圧下で濃縮後、得られた粘性液体を再度苛性ソーダ水溶液に溶解し、酸析して８２ｇ の２−ヨードナフタレンを得た。
【００６７】
合成例２（９−ヨードフェナンスレン）の合成
削り状マグネシウム１４ｇ （東京化成社製）、乾燥蒸留したＴＨＦ２３０ ミリリットルを５０℃に加熱攪拌しながら、少量のヨウ素（東京化成社製）を加えてマグネシウムを活性化した後、この中に９−ブロモフェナンスレン１２９ｇ（東京化成社製）を乾燥蒸留したＴＨＦ１リットルに溶解した溶液を１時間かけて滴下した。
滴下終了後、５０℃で２時間攪拌し、−１０℃に冷却した後、２５０ｇのヨウ素を少量ずつ加え、室温に戻した後、２時間攪拌を続けた。
この反応液に水１００ ミリリットルを加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を苛性ソーダ水溶液で抽出し、水層をヘキサンで洗浄後、塩酸で酸性にしてから酢酸エチルで抽出、減圧下で濃縮後、得られた粘性液体を再度苛性ソーダ水溶液に溶解し、酸析して９１ｇ の２−ヨードフェナンスレンを得た。
【００６８】
合成例３（Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフト−１−イル）−４，４’−ベンジジン（Ａ１））の合成
アルゴン気流下、Ｎ，Ｎ’−ジアセチル−４，４’−ベンジジン１００ｇ（東京化成社製）、１−ヨードナフタレン２８２ｇ（東京化成社製）、無水炭酸カリウム２０４ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過、乾燥した。
これをエチレングリコール２リットル、水２０ミリリットルに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液１１０ｇを添加後、１２０ ℃で１２時間反応した。
室温まで放冷した後、水４リットルに反応液を注入し、活性炭処理後、減圧濃縮し、スラリー状になったところでアセトンを加え、析出した結晶を濾取し、乾燥後、１０８ｇのＮ，Ｎ’−ビス（ナフト−１−イル）−４，４’−ベンジジン（Ａ１）を得た。
【００６９】
合成例４（Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフト−２−イル）−４，４’−ベンジジン（Ａ２））の合成
アルゴン気流下、Ｎ，Ｎ’−ジアセチル−４，４’−ベンジジン１００ｇ（東京化成社製）、２−ヨードナフタレン２８２ｇ、無水炭酸カリウム２０４ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過、乾燥した。
これをエチレングリコール２リットル、水２０ミリリットルに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液１１０ｇを添加後、１２０ ℃で１２時間反応した。
室温まで放冷した後、水４リットルに反応液を注入し、活性炭処理後、減圧濃縮し、スラリー状になったところでアセトンを加え、析出した結晶を濾取し、乾燥後、１０４ｇのＮ，Ｎ’−ビス（ナフト−２−イル）−４，４’−ベンジジン（Ａ２）を得た。
【００７０】
合成例５（Ｎ，Ｎ’−ビス（フェナント−９−イル）−４，４’−ベンジジン（Ａ３））の合成
アルゴン気流下、Ｎ，Ｎ’−ジアセチル−４，４’−ベンジジン１００ｇ（東京化成社製）、９−ヨードフェナンスレン３３７ｇ、無水炭酸カリウム２０４ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過、乾燥した。
これをエチレングリコール２リットル、水２０ミリリットルに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液１１０ｇを添加後、１２０ ℃で１２時間反応した。
室温まで放冷した後、水４リットルに反応液を注入し、活性炭処理後、減圧濃縮し、スラリー状になったところでアセトンを加え、析出した結晶を濾取し、乾燥後、１１６ｇのＮ，Ｎ’−ビス（フェナント−９−イル）−４，４’−ベンジジン（Ａ３）を得た。
【００７１】
合成例６（４−ブロモジフェニルアミン（Ａ４））の合成
アルゴン気流下、アセトアニリド１００ｇ（広島和光社製）、４−ブロモヨードベンゼン３１４ｇ、無水炭酸カリウム１１０ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過、乾燥した。
これをエチレングリコール２リットル、水２０ミリリットルに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液１１０ｇを添加後、１２０ ℃で１２時間反応した。
室温まで放冷した後、水４リットルに反応液を注入し、活性炭処理後、減圧濃縮し、スラリー状になったところでアセトンを加え、析出した結晶を濾取し、乾燥後、９６ｇ の４−ブロモジフェニルアミン（Ａ４）を得た。
【００７２】
合成例７（Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン（Ｂ１））の合成
アルゴン気流下、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン２５９ｇ（東京化成社製）、１，４−ジブロモベンゼン２７９ｇ（東京化成社製）、ナトリウムｔ−ブトキシド１３６ｇ（東京化成社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド１７ｇ （東京化成社製）及びキシレン４．６ リットルを混合し、１３０ ℃で１２時間攪拌した。
反応液に水を添加し、セライト濾過した後、トルエンで分液した。油層を減圧濃縮し、結晶を得た。これをカラム精製後、トルエンに溶解し、ヘキサンを加えて再沈殿させ、濾取した後、乾燥したところ、１３５ｇのＮ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン（Ｂ１）が得られた。
【００７３】
合成例８（Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン（Ｂ２））の合成
アルゴン気流下、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン２５９ｇ（東京化成社製）、１，４−ジブロモベンゼン２７９ｇ（東京化成社製）、ナトリウムｔ−ブトキシド１３６ｇ（東京化成社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド１７ｇ （東京化成社製）及びキシレン４．６ リットルを混合し、１３０ ℃で１２時間攪拌した。
反応液に水を添加し、セライト濾過した後、トルエンで分液した。油層を減圧濃縮し、結晶を得た。これをカラム精製後、トルエンに溶解し、ヘキサンを加えて再沈殿させ、濾取した後、乾燥したところ、１４５ｇのＮ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン（Ｂ２）が得られた。
【００７４】
合成例９（Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニル−９−アミノフェナンスレン（Ｂ３））の合成
アルゴン気流下、４−ブロモジフェニルアミン（Ａ４）７３ｇ 、９−ヨードフェナンスレン１３５ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド３４ｇ （東京化成社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド４ｇ （東京化成社製）及びキシレン１．５ リットルを混合し、１３０ ℃で１２時間攪拌した。
反応液に水を添加し、セライト濾過した後、トルエンで分液した。油層を減圧濃縮し、結晶を得た。これをカラム精製後、トルエンに溶解し、ヘキサンを加えて再沈殿させ、濾取した後、乾燥したところ、８２ｇ のＮ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−フェニル−９−アミノフェナンスレン（Ｂ３）が得られた。
【００７５】
合成例１０（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフト−１−イル）−４−ブロモアニリン（Ｂ４））の合成
アルゴン気流下、４−ブロモアニリン５０ｇ （東京化成社製）、１−ヨードナフタレン２２１ｇ（東京化成社製）、ナトリウムｔ−ブトキシド８４ｇ （東京化成社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド１１ｇ （東京化成社製）及びキシレン４．５ リットルを混合し、１３０ ℃で１２時間攪拌した。
反応液に水を添加し、セライト濾過した後、トルエンで分液した。油層を減圧濃縮し、結晶を得た。これをカラム精製後、トルエンに溶解し、ヘキサンを加えて再沈殿させ、濾取した後、乾燥したところ、９０ｇ のＮ，Ｎ−ジ（ナフト−１−イル）−４−ブロモアニリン（Ｂ４）が得られた。
【００７６】
合成例１１（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフト−２−イル）−４−ブロモアニリン（Ｂ５））の合成
アルゴン気流下、４−ブロモアニリン５０ｇ （東京化成社製）、２−ヨードナフタレン２２１ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド８４ｇ （東京化成社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド１１ｇ （東京化成社製）及びキシレン４．５ リットルを混合し、１３０ ℃で１２時間攪拌した。
反応液に水を添加し、セライト濾過した後、トルエンで分液した。油層を減圧濃縮し、結晶を得た。これをカラム精製後、トルエンに溶解し、ヘキサンを加えて再沈殿させ、濾取した後、乾燥したところ、８４ｇ のＮ，Ｎ−ジ（ナフト−２−イル）−４−ブロモアニリン（Ｂ５）が得られた。
【００７７】
合成例１２（Ｎ，Ｎ−ジ（フェナント−９−イル）−４−ブロモアニリン（Ｂ６）の合成
アルゴン気流下、４−ブロモアニリン５０ｇ （東京化成社製）、９−ヨードフェナントレン２６５ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド８４ｇ （東京化成社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド１１ｇ （東京化成社製）及びキシレン４．５ リットルを混合し、１３０ ℃で１２時間攪拌した。
反応液に水を添加し、セライト濾過した後、トルエンで分液した。油層を減圧濃縮し、結晶を得た。これをカラム精製後、トルエンに溶解し、ヘキサンを加えて再沈殿させ、濾取した後、乾燥したところ、１０１ｇのＮ，Ｎ−ジ（フェナント−９−イル）−４−ブロモアニリン（Ｂ６）が得られた。
【００７８】
合成例１３（Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（ナフト−２−イル）−１−ナフチルアミン（Ｂ７））の合成
アルゴン気流下、２−アミノナフタレン１００ｇ（アルドリッチ社製）、１−ヨードナフタレン２１０ｇ（東京化成社製）、無水炭酸カリウム２０４ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過し、これをカラム精製した。
アルゴン気流下、得られた粉末、４−ブロモヨードベンゼン２００ｇ（東京化成社製）、無水炭酸カリウム２０４ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過し、これをカラム精製し、トルエンに溶解し、ヘキサンを加えて再沈殿させ、濾取した後、乾燥したところ、６８ｇ のＮ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（ナフト−２−イル）−１−ナフチルアミン（Ｂ７）が得られた。
【００７９】
合成例１４（Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（フェナント−９−イル）−１−ナフチルアミン（Ｂ８））の合成
アルゴン気流下、１−アミノナフタレン１００ｇ（アルドリッチ社製）、９−ヨードフェナンスレン２５５ｇ、無水炭酸カリウム２０４ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過し、これをカラム精製した。
アルゴン気流下、得られた粉末、４−ブロモヨードベンゼン２００ｇ（東京化成社製）、無水炭酸カリウム２０４ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過し、これをカラム精製し、トルエンに溶解し、ヘキサンを加えて再沈殿させ、濾取した後、乾燥したところ、６４ｇ のＮ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（フェナント−９−イル）−１−ナフチルアミン（Ｂ８）が得られた。
【００８０】
合成例１５（Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（フェナント−９−イル）−２−ナフチルアミン（Ｂ９））の合成
アルゴン気流下、２−アミノナフタレン１００ｇ（アルドリッチ社製）、９−ヨードフェナンスレン２５５ｇ、無水炭酸カリウム２０４ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過し、これをカラム精製した。
アルゴン気流下、得られた粉末、４−ブロモヨードベンゼン２００ｇ（東京化成社製）、無水炭酸カリウム２０４ｇ（東京化成社製）、銅粉４．７ｇ（広島和光社製）及びデカリン７５０ ミリリットルを入れ、１９０ ℃にて３日間反応した。
冷却後、トルエン２リットルを加え、不溶分を濾取した。濾取したものをクロロホルム４．５ リットルに溶解し、不溶分を濾別後、活性炭処理し、減圧濃縮した。濃縮途中でスラリー状になったところでアセトン３リットルを加え、析出した結晶を濾過し、これをカラム精製し、トルエンに溶解し、ヘキサンを加えて再沈殿させ、濾取した後、乾燥したところ、６６ｇ のＮ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（フェナント−９−イル）−２−ナフチルアミン（Ｂ９）が得られた。
【００８１】
合成例１６（４−ブロモトリフェニルアミン（Ｂ１０））の合成
トリフェニルアミン２０ｇ （東京化成社製）のクロロホルム溶液に、臭素１５ｇ （広島和光社製）とクロロホルム１００ ミリリットルの溶液を０℃で１５分かけて滴下した。その後室温で３０分間攪拌した。
反応液を水５００ ミリリットル、飽和重炭酸ナトリウム水溶液５００ ミリリットル、チオ硫酸ナトリウム水溶液５００ ミリリットル及び水５００ ミリリットルで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。粗生成物を再結晶して、１９ｇ の４−ブロモトリフェニルアミン（Ｂ１０）を得た。
【００８２】
実施例１（化合物（Ｈ１）の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ１） １０ｇ、化合物（Ｂ１） ２１ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ （東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１６ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）を測定したところ、Ｃ_７６Ｈ_５４Ｎ_４ ＝１０２２ に対し、ｍ／ｚ＝１０２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１）と同定した。
【００８３】
実施例２（化合物（Ｈ２）の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ１） １０ｇ、化合物（Ｂ４） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１８ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２）と同定した。
【００８４】
実施例３（化合物（Ｈ３）の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ１） １０ｇ、化合物（Ｂ２） ２１ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１８ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_７８Ｈ_５４Ｎ_４ ＝１０２２ に対し、ｍ／ｚ＝１０２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ３） と同定した。
【００８５】
実施例４（化合物（Ｈ４） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ１） １０ｇ、化合物（Ｂ７） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１８ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ４） と同定した。
【００８６】
実施例５（化合物（Ｈ５） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ１） １０ｇ、化合物（Ｂ５） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１５ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ５） と同定した。
【００８７】
実施例６（化合物（Ｈ６） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ１） １０ｇ、化合物（Ｂ３） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１６ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ６） と同定した。
【００８８】
実施例７（化合物（Ｈ７） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ１） １０ｇ、化合物（Ｂ８） ２７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１７ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_９２Ｈ_６２Ｎ_４ ＝１２２２ に対し、ｍ／ｚ＝１２２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ７） と同定した。
【００８９】
実施例８（化合物（Ｈ８） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ１） １０ｇ、化合物（Ｂ９） ２７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１９ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_９２Ｈ_６２Ｎ_４ ＝１２２２ に対し、ｍ／ｚ＝１２２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ８） と同定した。
【００９０】
実施例９（化合物（Ｈ９） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ１） １０ｇ、化合物（Ｂ６） ３０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１４ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_１００ Ｈ_６６Ｎ_４ ＝１３２２ に対し、ｍ／ｚ＝１３２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ９） と同定した。
【００９１】
実施例１０（化合物（Ｈ１０） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ２） １０ｇ、化合物（Ｂ１） ２１ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、２０ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_７６Ｈ_５４Ｎ_４ ＝１０２２ に対し、ｍ／ｚ＝１０２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１０） と同定した。
【００９２】
実施例１１（化合物（Ｈ１１） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ２） １０ｇ、化合物（Ｂ４） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１７ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１１） と同定した。
【００９３】
実施例１２（化合物（Ｈ１２） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ２） １０ｇ、化合物（Ｂ２） ２１ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１９ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_７８Ｈ_５４Ｎ_４ ＝１０２２ に対し、ｍ／ｚ＝１０２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１２） と同定した。
【００９４】
実施例１３（化合物（Ｈ１３） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ２） １０ｇ、化合物（Ｂ７） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、２１ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１３） と同定した。
【００９５】
実施例１４（化合物（Ｈ１４） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ２） １０ｇ、化合物（Ｂ５） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１８ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１４） と同定した。
【００９６】
実施例１５（化合物（Ｈ１５） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ２） １０ｇ、化合物（Ｂ３） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１７ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１５） と同定した。
【００９７】
実施例１６（化合物（Ｈ１６） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ２） １０ｇ、化合物（Ｂ８） ２７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１７ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_９２Ｈ_６２Ｎ_４ ＝１２２２ に対し、ｍ／ｚ＝１２２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１６） と同定した。
【００９８】
実施例１７（化合物（Ｈ１７） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ２） １０ｇ、化合物（Ｂ９） ２７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネ シウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１６ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_９２Ｈ_６２Ｎ_４ ＝１２２２ に対し、ｍ／ｚ＝１２２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１７） と同定した。
【００９９】
実施例１８（化合物（Ｈ１８） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ２） １０ｇ、化合物（Ｂ６） ３０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１９ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_１００ Ｈ_６６Ｎ_４ ＝１３２２ に対し、ｍ／ｚ＝１３２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１８） と同定した。
【０１００】
実施例１９（化合物（Ｈ１９） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ１） ２１ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１７ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ１９） と同定した。
【０１０１】
実施例２０（化合物（Ｈ２０） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ４） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、２２ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_９２Ｈ_６２Ｎ_４ ＝１２２２ に対し、ｍ／ｚ＝１２２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２０） と同定した。
【０１０２】
実施例２１（化合物（Ｈ２１） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ２） ２１ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、２０ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_８４Ｈ_５８Ｎ_４ ＝１１２２ に対し、ｍ／ｚ＝１１２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２１） と同定した。
【０１０３】
実施例２２（化合物（Ｈ２２） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ７） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１８ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_９２Ｈ_６２Ｎ_４ ＝１２２２ に対し、ｍ／ｚ＝１２２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２２） と同定した。
【０１０４】
実施例２３（化合物（Ｈ２３） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ５） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１７ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_９２Ｈ_６２Ｎ_４ ＝１２２２ に対し、ｍ／ｚ＝１２２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２３） と同定した。
【０１０５】
実施例２４（化合物（Ｈ２４） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ３） ２４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１６ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_９２Ｈ_６２Ｎ_４ ＝１２２２ に対し、ｍ／ｚ＝１２２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２４） と同定した。
【０１０６】
実施例２５（化合物（Ｈ２５） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ８） ２７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１７ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_１００ Ｈ_６６Ｎ_４ ＝１３２２ に対し、ｍ／ｚ＝１３２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２５） と同定した。
【０１０７】
実施例２６（化合物（Ｈ２６） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ９） ２７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、２１ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_１００ Ｈ_６６Ｎ_４ ＝１３２２ に対し、ｍ／ｚ＝１３２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２６） と同定した。
【０１０８】
実施例２７（化合物（Ｈ２７） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ６） ３０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１４ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_１０８ Ｈ_７０Ｎ_４ ＝１４２２ に対し、ｍ／ｚ＝１４２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２７） と同定した。
【０１０９】
実施例２８（化合物（Ｈ２８） の合成）
アルゴン気流下、化合物（Ａ３） １０ｇ、化合物（Ｂ１０） ２０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム６ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ ミリリットルを入れ、１３０ ℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１９ｇの淡黄色粉末が得られた。
得られた粉末についてＦＤ−ＭＳを測定したところ、Ｃ_７６Ｈ_５４Ｎ_４ ＝１０２２ に対し、ｍ／ｚ＝１０２３のピークが得られたので、これを目的化合物（Ｈ２８） と同定した。
【０１１０】
実施例２９（有機ＥＬ素子の製造）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして正孔注入材料として前記化合物（Ｈ１）を膜厚６０ｎｍに成膜した。この（Ｈ１）膜は、正孔注入層として機能する。
（Ｈ１）膜上に膜厚２０ｎｍの下記Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニル）−ジアミノビフェニレン膜（以下、ＴＢＤＢ膜） を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。
さらに、ＴＢＤＢ膜上に、膜厚４０ｎｍのＥＭ１を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。
この膜上に膜厚１０ｎｍの下記Ａｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子について、１ｍＡ／ｃｍ^２ の電流を流したときの電圧と発光効率を測定し、初期輝度１０００ｎｉｔ 、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。さらに保存温度１３０ ℃にて１００ 時間保存した後に通電した際の発光面の発光状態を観察した結果を表１に示す。
【０１１１】
【化２５】

【０１１２】
実施例３０〜５６（有機ＥＬ素子の製造）
実施例２９において、化合物（Ｈ１）の代わりに、前記化合物（Ｈ２） 〜（Ｈ２８） をそれぞれ用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、同様にして、発光効率、半減寿命を測定し、高温保存後の発光面の発光状態を観察した。それらの結果を表１に示す。
【０１１３】
比較例１〜３（有機ＥＬ素子の製造）
実施例２９において、化合物（Ｈ１）の代わりに、下記化合物（Ｈ’１） 〜（Ｈ’３） をそれぞれ用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、同様にして、発光効率、半減寿命を測定し、高温保存後の発光面の発光状態を観察した。それらの結果を表１に示す。
【化２６】

【０１１４】
【表１】

【０１１５】
表１より、実施例２９〜５６の本発明の芳香族アミンを正孔注入材料に用いた素子は、低電圧で高発光効率及び長寿命を維持しつつ、高温保存安定性に優れていた。これに対し、比較例１〜３の素子の有機ＥＬ素子は、耐熱性に劣るため本来の青色発光が得られず、不均一な発光を生じたり、他の発光成分が混入して発光色が長波長化した。
【０１１６】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機ＥＬ素子は、低電圧で高い発光効率、長寿命を維持しつつ、高温下でも青色発光が可能である。そのため、耐熱性及び高温保存安定性が要求される環境で用いる有機ＥＬ素子、例えば車載用の素子として極めて有用である。

Claims (4)

1. 下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
   

   

   （式中、Ａｒ^１ 〜Ａｒ^２ は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合したアリール基、Ａｒ^３ 〜Ａｒ^６ は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基、Ａｒ^７ 〜Ａｒ^１０は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基であり、Ａｒ^７ とＡｒ^８ の置換基が環を形成していてもよい。
   Ｌは、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のヘテロアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキレン基又は置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキリデン基である。
   ただし、▲１▼及び／又は▲２▼の条件を満たす。
   ▲１▼Ａｒ^３ 〜Ａｒ^６ のうち少なくともひとつは、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合したアリール基。
   ▲２▼Ａｒ^１ 〜Ａｒ^２ のうち少なくともひとつは、置換もしくは無置換の核炭素数１２〜５０の縮合したアリール基。）
2. 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記有機薄膜層が正孔輸送帯域を有し、該正孔輸送帯域が、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記有機薄膜層が正孔注入層を有し、該正孔注入層が、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。