TW200421932A - Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element employing the same - Google Patents

Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element employing the same Download PDF

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TW200421932A
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Hisayuki Kawamura
Chishio Hosokawa
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Idemitsu Kosan Co
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Description

200421932 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關芳香族胺衍生物，及利用該芳 物之有機電致發光元件，更詳細而言，係有關 發光效率，可維持長壽命，在高溫下也可產生 之有機電致發光元件及實現該有機電致發光元 胺衍生物。 【先前技術】 有機電致發光元件（E L )係利用藉由施 陽極注入之電洞與由陰極注入之電子之再結合 性物質發光之原理的自行發光元件。從伊斯曼 C.W.Tang等人以層合型元件產生低電壓驅動有 (C.W. Tang，S.A.Vanslyke » Applied Physics 5 1卷，91 3頁，1 9 8 7年等）之報告以來，關於以 構成材料之有機E L元件的硏究正蓬勃發展。 將參（8-羥基D奎啉醇鋁）用於發光層，將三苯 物用於電洞傳輸層。層合構造之優點例如有可 入發光層之注入效率，捕捉由陰極注入的電子 再結合生成之激發子之生成效率及封閉在發光 激發子等。如上述例中，有機E L元件之元件 以電洞傳輸（注入）層、電子傳輸發光層之二 洞傳輸（注入）層、發光層、電子傳輸（注入 型等爲人所熟知。這種層合型構造元件係提高 香族胺衍生 低電壓、高 藍色系發光 件之芳香族 加電場以由 能，使螢光 柯達公司之 機E L元件 Letters，第 有機材料爲 Tang等人係 基二胺衍生 提商電洞注 ，提高利用 層內生成的 構造例如有 層型，或電 )層之三層 被注入之電 -4- (2) (2)200421932 洞與電子之再結合效率，在元件構造或形成方法方面下工 夫。 這種有機E L元件用之電洞注入材料例如有日本特開 平9-3 0 1 93 4號公報揭示高分子量芳香族胺化合物，國際公 開9 8/3 007 1號公報揭示三芳基胺多聚物，日本特開2000-3 09 5 66號公報揭示苯二胺衍生物。這些化合物之電離勢接 較低，因此，電洞較易由陽極注入，且電洞移動度高於如 日本特開平4-3 08668號公報揭示之星芒胺衍生物，適合作 爲電洞注入材料。 但是使用這種電洞注入材料之有機E L元件之耐熱性 不足，特別是超過1 3 (TC時，無法維持藍色發光，不適用於 要求耐熱性之搭載於車上之用途。 【發明內容】 本發明係解決前述課題所完成者，以提供低電壓、高 發光效率，可維持長壽命，即使在高溫下也可產生藍色系 發光之有機電致發光元件及實現該有機電致發光元件之芳 香族胺衍生物爲目的。 本發明人等爲達成前述目的，經精心檢討結果發現’ 以下述一般式（1 )表示具有特定結構之新穎芳香族胺衍生 物作爲有機E L元件用材料使用，特別是作爲電洞注入材 料使用時，可達成前述目的，遂完成本發明。 換言之，本發明係提供以下述一般式（1)表示之新 穎之芳香族胺衍生物。 -5» (3) (3)200421932
(式中’ Ar1〜Ar2係分別爲取代或非取代之核碳數1〇〜5〇 之縮合之芳基，Ar3〜Ar6係分別爲取代或非取代之核碳數 6〜50之芳基，Ar7〜Ar1()係分別爲取代或非取代之核碳 數6〜50之伸芳基，Ar7與Ar8之取代基可形成環，L爲 單鍵、醚鍵、硫醚鍵、取代或非取代之核碳數6〜5 0之伸 芳基、取代基之核碳數5〜5 0之雜伸芳基、取代或非取代 之碳數1〜50之伸烷基或取代或非取代之碳數2〜50之亞 烷基， 但是滿足下述（1 )及/或（2 )之條件， (1 ) Ar3〜Ar6中至少一個爲取代或非取代之核碳數 10〜50之縮合之芳基， (2 ) Ar1〜Ar2中至少一個爲取代或非取代之核碳數 12〜50之縮合之芳基）。 本發明係提供一種有機電致發光元件，其係於陰極及 陽極間挾著至少由含有發光層之一層或多層所構成之有機 薄膜層的有機電致發光元件，其特徵係該有機薄膜層之至 少一層爲以單獨或混合物之成分的形態含有前述芳香族胺 -6 - (4) (4)200421932 衍生物。 【實施方式】 實施發明之最佳形態 本發明之芳香族胺衍生物係由一般式（1 )表示之化合 物所構成者° 一般式（1 )中’ Arl〜Ar2係分別爲取代或非取代之核 碳數10〜50之縮合之芳基。具體而言，例如有1-萘基、2-萘基、卜蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲 基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2-丁省基、9-丁省基、卜 芘基、2-芘基、4-芘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、 4-甲基-卜蒽基等，其中較理想者爲1-萘基、2-萘基、9-菲 基、1-丁省基、2-丁省基、9-丁省基、熒蒽基。
Ar3〜Ar6係分別爲取代或非取代之核碳數6〜50之芳基 。具體而言，例如有苯基、卜萘基、2 -萘基、1-蒽基、2 -蒽 基、9-蒽基、1·菲基、菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、 1·丁省基、2-丁省基、9_丁省基、1-芘基、2 -芘基、4 -芘基 、2 -聯本基、3 -聯苯基、4 -聯苯基、對聯二苯基-4-基、對 聯三苯基-3-基、對聯三苯基-2-基、間聯三苯基-4-基、間 聯三苯基-3-基、間聯三苯基-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、 對甲苯基、對第三丁基苯基、對- (2 -苯基丙基）苯基、3-甲基-2_奈基、4 -甲基-1-蔡基、4-甲基-1-葱基、4-甲基聯 苯基、4·’-第三丁基對聯三苯基-4-基' 2-熒蒽基等。較理 想者爲苯基、1-萘基、2-萘基、9-菲基、1-丁省基、2-丁省 (5) (5)200421932 基、9-丁省基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2•聯苯基、％聯 苯基、4-聯苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第 三丁基苯基、2-熒蒽基等。
Ar7〜Ar1 G係分別爲取代或非取代之核碳數6〜5〇之伸 芳基。具體而言，例如有1，4 _伸苯基、1，4 _伸萘基、^， 4 -伸恩基、9，1 0 ·伸恩基等，較理想爲丨，4 •伸苯基。
Ar7與AI*8之取代基可形成環，例如有飽和五節環、飽 和六節環等’形成環之取代基例如有四甲撐基、五甲擦基 、六甲撐基、二苯基甲烷-2, 2、二基、二苯基乙烷，3，_ 二基、二苯基丙烷-4，4’-二基等。 L爲單鍵、醚鍵、硫醚鍵、取代或非取代之核碳數6〜 50之伸芳基、取代基之核碳數5〜50之雜伸芳基、取代基之 碳數1〜50之伸烷基或取代.或非取代之碳數2〜50之亞院基 〇 核碳數6〜5 0之伸芳基，例如有1，4 -伸苯基、1，4 -伸 萘基、1，4-伸蒽基、9，10·伸蒽基等，較理想爲1，4-伸 苯基、1，4 -伸萘基。 核碳數5〜5 0之雜伸芳基例如有伸吡咯基、伸呋喃 基、伸噻嗯基、伸* *、伸吡啶基、伸咪唑基、伸嘧啶基、 伸咔唑基、伸硒苯基、伸噁二唑基、伸三唑基等，較理想 爲伸噻嗯基、伸咔唑基。 取代基之碳數1〜5 0之伸烷基例如有伸甲基、伸乙基 、伸丙基、伸異丙基、伸正丁基、伸第二丁基、伸異丁基 、伸第三丁基、伸正戊基、伸正己基、伸正庚基、伸正辛 -8 - (6) (6)200421932 基、羥伸甲基、1·羥伸乙基、2-羥伸乙基、2-羥伸異丁基 、1，2-二羥伸乙基、1，3 _二羥伸異丙基、1，2，3 -三羥 伸丙基、氯伸甲基、1-氯伸乙基、2 -氯伸乙基、2 -氯伸異 丁基、1，2 -二氯伸乙基、1，3_二氯伸異丙基、1’ 2，3-三氯伸丙基、溴伸甲基、1 -溴伸乙基、2 -溴伸乙基、2 -溴 伸異丁基、1，2-二溴伸乙基、1，3-二溴伸異丙基、1，2 ，3_三溴伸丙基、碘伸甲基、卜碘伸乙基、2 -碘伸乙基、 2 -碘伸異丁基、1，2 -二碘伸乙基、1，3 -二碘伸異丙基、1 ，2 ’ 3-三碘伸丙基、胺伸甲基、卜胺伸乙基、2·胺伸乙基 、2-胺伸異丁基、1，2_二胺伸乙基、1，3-二胺伸異丙基 、1 ’ 2，3-三胺伸丙基、氰伸甲基、1-氰伸乙基、2-氰伸 乙基、2·氰伸異丁基、丨，2-二氰伸乙基、1，3-二氰伸異 丙基、1，2，3 -三氰伸丙基、硝基伸甲基、1 -硝基伸乙基 、2-硝基伸乙基、2-硝基伸異丁基、1，2-二硝基伸乙基、 1，3-二硝基伸異丙基、1，2，3-三硝基伸丙基、伸環丙基 、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基、4-甲基伸環己基、伸 金剛烷基、伸原菠烷等，較理想爲伸甲基。 碳數2〜50之亞烷基例如有亞丙基、亞異丙基、亞丁 基、亞環戊基、亞環己基等，較理想爲亞環己基。
Ar1〜Ar1()及L之取代基例如有取代或非取代之核碳數 6〜50之芳基、取代或非取代之核碳數5〜50之芳香族雜 環基、取代基之碳數1〜50之烷基、取代基之碳數1〜5〇 之烷氧基、取代基之碳數1〜50之芳烷基、取代或非取代 之核碳數5〜50之芳氧基、取代或非取代之核碳數5〜5Q -9- (7) (7)200421932 之硫芳基、取代基之碳數1〜50之烷氧羰基、鹵原子、氰 基、硝基、羥基等。 取代或非取代之核碳數6〜5 0之芳基例如有苯基、1 -萘 基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、卜菲基、2-菲基、 3- 菲基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2_丁省基、9-丁省基 、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯 基、對聯三苯基-4-基、對聯三苯基-3-基、對聯三苯基-2-基、間聯三苯基-4-基、間聯三苯基-3-基、間聯三苯基-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基苯基、 對-(2-苯基丙基）苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、 4- 甲基-1-蒽基、4’-甲基聯苯基、4’’-第三丁基對聯三苯基-4-基、熒蒽基等。 取代或非取代之核碳數5〜5 0之芳香族雜環基例如有 1 -吡咯基、2 -吼咯基、3 -吡咯基、吡嗪基、2 ·吡啶基、3 -吡 啶基、4 -吡啶基、；!-吲哚基、2 -吲哚基、3 -吲哚基、4 -吲哚 基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、2-異吲 哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚 基、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、3 -呋喃基、2 -苯並呋喃基、3 -苯並呋喃基、4 -苯並呋喃基、5 -苯並呋喃基、6 -苯並呋喃 基、7 -苯並呋喃基、1-異苯並呋喃基、3 -異苯並呋喃基、 4 -異苯並呋喃基、5 -異苯並呋喃基、6 -異苯並呋喃基、7-異苯並呋喃基、_啉基、3 - D奎啉基、4 - D奎啉基、5 - D奎啉基 、6 -喹啉基、7 ·哇啉基、8 - D奎啉基、1 -異口奎啉基、3 ·異喹啉 基、4 -異喧琳基、5 -異嗤琳基、6 -異嗤琳基、7 -異D奎琳基 -10- (8) (8)200421932 、8 -異D奎啉基、2 -喹喔啉基、5 ·喹喔啉基、6 - _喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-菲 陡基、2 -非D定基、3 -非卩疋基、4 -非D定基、6 -非卩疋基、7 -非D疋 基、8 -非D疋基、9 -非卩疋基、10 -非D疋基、Ι-DfD疋基、2-DfD疋 基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1，7-菲繞啉-2-基、 1，7 -菲繞啉-3 -基、1，7 -菲繞啉-4 -基、1，7 -菲繞啉-5 -基 、1，7 -菲繞啉-6 -基、1，7 -菲繞啉-8 -基、1，7 -菲繞啉-9 -基、1，7 -菲繞啉-1 〇 -基、1，8 -菲繞啉-2 -基、1，8 -菲繞 琳-3-基、1 ’ 8·非繞琳-4-基、1 ’ 8-非繞琳-5-基、1 ’ 8 -非 繞啉-6 -基、1，8 -菲繞啉-7 -基、1，8 -菲繞啉-9 -基、1，8 -菲繞啉-1 〇 -基、1，9 -菲繞啉-2 -基、1，9 -菲繞啉-3 -基、1 ’ 9·非繞琳-4-基、1 ’ 9-非繞琳-5-基、1 ’ 9-非繞琳-6-基、 1，9·非繞琳-7-基、1 ’ 9非繞琳-8 -基、1 ’ 9 ·非繞琳-1 0 -基 、：I，10-菲繞啉-2-基、1，10·菲繞啉-3-基、1，10-菲繞 啉-4-基、1，1 0-菲繞啉-5-基、2，9-菲繞啉-1 -基、2，9-菲 繞琳-3-基、2’ 9-非繞琳-4-基、2’ 9-非繞琳-5-基、2’ 9· 非繞琳_ 6 -基、2，9 -非繞琳-7 -基、2 ’ 9非繞琳-8 -基、2 ’ 9-非繞琳-10-基、2’ 8-非繞琳-1-基、2’ 8-非繞琳-3-基、2 ’ 8-非繞咐-4-基、2 ’ 8-非繞琳-5-基、2，8-非繞琳-6-基、 2，8-菲繞啉-7-基、2，8菲繞啉-9-基、2，8·菲繞啉-10-基 、2，7-菲繞啉-1-基、2，7-菲繞啉-3-基、2，7-菲繞啉-4-基、2，7 -菲繞啉-5 -基、2，7 ·菲繞啉-6 ·基、2，7 -菲繞啉· 8-基、2，7菲繞啉-9-基、2，7-菲繞啉-10-基、卜吩嗪基、 2 -吩嗪基、1-吩噻嗪基、2 -吩噻嗪基、3 -吩噻嗪基、4 -吩噻 -11 - (9) (9)200421932 嗪基、1 0 -吩噻嗪基、1 ·吩噁嗪基、2 -吩噁嗪基、3 -吩噁嗪 基、4 -吩噁嗪基、1 0 -吩噁嗪基、2 -噁唑基、4 -噁唑基、5 -噁唑基、2 _噁二唑基、5 -噁二唑基、3 -氧二氮雜茂基、2 -噻嗯基、3 -噻嗯基、2 -甲基吡咯基-1 -基、2 -甲基吡咯基-3 -基、2 -甲基吡咯基-4-基、2 -甲基吡咯基-5-基、3 -甲基吡咯 基基、3-甲基吡咯基-2-基、3-甲基吡咯基-4-基、3-甲基 吡咯基-5-基、2-第三丁基吡咯基-4-基、3- (2-苯基丙基） 吡咯基-1 -基、2 -甲基 1 -吲哚基、4 -甲基 1 ·吲哚基、2 ·甲 基-3 - D引哚基、4 -甲基3 -吲哚基、2 -第三丁基-1 -吲哚基、4 -第三丁基-1-口弓丨哚基、2-第三丁基-3-D弓丨哚基、4-第三丁基-3 -吲哚基等。 取代或非取代之烷基例如有甲基、乙基、丙基、異丙 基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正 己基、正庚基、正辛基、羥甲基、卜羥乙基、2_羥乙基、 2 -羥異丁基、1，2_二羥乙基、1，3 -二羥異丙基、2，3 -二 羥基第三丁基、1，2，3-三羥丙基、氯甲基、1-氯乙基、 2-氯乙基、2-氯異丁基、1，2-二氯乙基、1，3-二氯異丙 基、2，3 -二氯第三丁基、1，2，3 -三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2·溴異丁基、1，2-二溴乙基、1，3· 二溴異丙基、2，3_二溴基第三丁基、1，2，3 -三溴丙基、 碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1，2-二碘乙 基、1，3·二碘異丙基、2，3-二碘第三丁基、1，2，3-三 碘丙基、胺甲基、1-胺乙基、2-胺乙基、2-胺異丁基、1， 2-二胺乙基、1，3-二胺異丙基、2，3-二胺基第三丁基、1 -12- (10) (10)200421932 ，2，3 -三胺丙基、氰甲基、1-氰乙基、2 -氰乙基、2 -氰異 丁基、1，2-二氰乙基、1，3-二氰異丙基、2，3-二氰基第 三丁基、1，2，3 -三氰丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2 -硝基異丁基、1，2 -二硝基乙基、1，3 -二硝 基異丙基、2，3 -二硝基第三丁基、1，2，3 -三硝基丙基、 環丙基、環丁基、環戊基、環己基、4-甲基環己基、1-金 剛烷基、2-金剛烷基、1-原菠烷基、2-原菠烷基等。 取代或非取代之烷氧基係以-ΟΥ表示之基，Υ例如有 甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基 、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基 、1-羥乙基、2-羥乙基、2-羥異丁基、1，2-二羥乙基、1 ，3 -二羥異丙基、2，3 -二羥基第三丁基、1，2，3-三羥丙 基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1，2-二 氯乙基' 1，3-二氯異丙基、2，3-二氯基第三丁基、1，2 ，3 -三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2 -溴乙基、2 -溴異丁 基、1，2 -二溴乙基、1，3 -二溴異丙基、2，3·二溴第三丁 基、1，2，3 -三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2 -碘乙基、 2-碘異丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2，3-二 碘基第三丁基、1，2，3 -三碘丙基、胺甲基、1_胺乙基、 2 -胺乙基、2 -胺異丁基、1，2 -二胺乙基、1，3 -二胺異丙 基、2，3 -二胺基第三丁基、1，2，3 -三胺丙基、氰甲基、 1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰異丁基、1，2-二氰乙基、1，3-二氰異丙基、2，3-二氰基第三丁基、1，2，3-三氰丙基、 硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1， -13- (11) (11)200421932 2-二硝基乙基、1，3-二硝基異丙基、2，3-二硝基第三丁 基、1，2，3 ·三硝基丙基等。 取代或非取代之芳烷基例如有苄基、1 -苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基第三丁基 、蔡基甲基、奈基乙基、2-α-桌基乙基、Ι-a-奈 基異丙基、2-α-萘基異丙基、/9-萘基甲基、l-y5-萘基乙 基、2-/S-萘基乙基、1-/S-萘基異丙基、2-/S-萘基異丙基 、1 -吡咯基甲基、2 - ( 1 -吡咯基）乙基、對甲基苄基、間 甲基苄基、鄰甲基T基、對氯T基、間氯T基、鄰氯苄基 、對溴T基、間溴T基、鄰溴氯苄基、對碘T基、間碘T 基、鄰碘T基、對羥基T基、間羥基苄基、鄰羥基T基、 對胺基苄基、間胺基T基、鄰胺基苄基、對硝基苄基、間 硝基苄基、鄰硝基T基、對氰基苄基、間氰基苄基、鄰氰 基T基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯-2-苯基異丙基等。 取代或非取代之芳氧基係以-OY’表示，Y’例如有苯 基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、 2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-丁省基、2-丁省基、 9-丁省基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基、3-聯苯基 、4·聯苯基、對聯三苯基-4-基、對聯三苯基-3-基、對聯三 苯基-2-基、間聯三苯基-4-基、間聯三苯基-3-基、間聯三 苯基-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基 苯基、對（2-苯基丙基）苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯苯基、4’’-第三丁基對聯 三苯基-4-基、2 -吡咯基、3 -吡咯基、吡嗪基、2 -吡啶基、 -14- (12) (12)200421932 3 -吡啶基、4 -吡啶基、2 -吲哚基、3 -吲哚基、4 -吲哚基、5 · 吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、3-異吲D朵基 、4 -異吲哚基、5 -異吲哚基、6 -異吲哚基、7 -異吲哚基、2 -呋喃基、3 -呋喃基、2 -苯並呋喃基、3 -苯並呋喃基、4 -苯 並呋喃基、5 -苯並呋喃基、6_苯並呋喃基、7 -苯並呋喃基 、1-異苯並呋喃基、3 -異苯並呋喃基、4 -異苯並呋喃基、 5 -異苯並呋喃基、6 -異苯並呋喃基、7 -異苯並呋喃基、2-D奎啉基、3 - D奎啉基、4 - D奎啉基、5 -喧啉基、6 - D奎啉基、7 -喹 琳基、8-D奎琳基、1-異嗤琳基、3 -異D奎琳基、4 -異喧琳基 、5-異_啉基、6 -異喹啉基、7-異D奎啉基、8-異喹啉基、2-_喔啉基、5 -喹喔啉基、6 -喧喔啉基、1 -咔唑基、2 -咔唑 基、3-咔唑基、4-咔唑基、卜菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基 、4 -菲卩定基、6 -菲卩定基、7 -菲D定基、8 -非B定基、9 -非卩定基、 10 -菲Π疋基、1-卩丫卩疋基、2-dfD疋基、3 -卩「卩疋基、4-卩丫 B疋基、 9 -卩丫卩疋基、1 ’ 7-非繞琳-2-基、1 ’ 7 -非繞咐-3-基、1 ’ 7-菲繞啉-4-基、1，7-菲繞啉-5-基、1，7-菲繞啉-6-基、1， 7-菲繞啉-8-基、1，7-菲繞啉-9-基、1，7-菲繞啉-10-基、1 ’ 8 -非繞琳-2-基、1，8 -非繞琳-3-基、1 ’ 8-非繞琳-4-基、 1 ’ 8-非繞咐-5-基、1 ’ 8-非繞琳-6·基、1，8-非繞琳-7-基 、1 ’ 8-非繞琳-9-基、1 ’ 8 -非繞琳-10-基、1 ’ 9-非繞琳-2_ 基、1，9 -非繞琳-3-基、1 ’ 9 -非繞琳-4-基、1 ’ 9-非繞琳_ 5-基、1，9-菲繞啉-6-基、1，9-菲繞啉-7_基、1，9菲繞 啉-8-基、1，9-菲繞啉-10-基、1，10·菲繞啉-2-基、1，10-菲繞啉-3-基、1，10-菲繞啉-4-基、1，10·菲繞琳-5-基、2 -15- (13) (13)200421932 ，9-菲繞啉-1-基、2，9-菲繞啉-3-基、2，9-菲繞啉-4-基、 2’ 9 -非繞卩林-5-基、2’ 9-非繞琳-6-基、2’ 9-非繞琳-7-基 、2，9菲繞啉-8 -基、2，9 -菲繞啉-1 0 -基、2，8 -菲繞啉-卜 基、2 ’ 8 -非繞琳-3 -基、2 ’ 8 -非|完琳-4 -基、2 ’ 8 -非|完琳_ 5 -基、2，8 -菲繞啉-6 -基、2，8 -菲繞啉-7 ·基、2，8菲繞 啉-9 -基、2，8 -菲繞啉-1 0 -基、2，7 -菲繞啉-1 -基、2，7 -菲 繞啉-3 -基、2，7 -菲繞啉-4 -基、2，7 -菲繞啉-5 -基、2，7 -菲繞啉-6 -基、2，7 -菲繞啉-8 -基、2，7菲繞啉-9 -基、2， 7-菲繞啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩 噻嗪基、3 -吩噻嗪基、4 -吩噻嗪基、1 -吩噁嗪基、2 -吩噁 嗪基、3 -吩噁嗪基、4 -吩噁嗪基、2 -噁唑基、4 -噁唑基、5 -噁唑基、2 -噁二唑基、5 -噁二唑基、3 -氧二氮雜茂基、、 2 -噻嗯基、3 -噻嗯基、2 -甲基吡咯基-卜基、2 -甲基吡咯基- 3 -基、2 -甲基吡咯基-4 -基、2 -甲基吡咯基-5 -基、3 -甲基吡 略基-卜基、3 -甲基吡咯基-2-基、3 -甲基吡咯基-4-基、3 -甲 基吡咯基-5-基、2-第三丁基吡咯基-4-基、3- (2-苯基丙基 )吡咯基-1 -基、2 -甲基1 -吲哚基、4 -甲基1 -吲哚基、2 -甲 基-3-D弓丨哚基、4-甲基3-吲哚基、2-第三丁基-1-D弓丨哚基、4-第三丁基-1-吲哚基、2-第三丁基-3 __哚基、4-第三丁基· 3 -吲哚基等。 取代或非取代之硫芳基係以-S Y ’’表示，Y ’ ’例如有苯 基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、 2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、丁省基、2-丁省基、 9-丁省基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基、3-聯苯基 -16- (14) (14)200421932 、4-聯苯基、對聯三苯基-4-基、對聯三苯基-3-基、對聯三 苯基-2-基、間聯三苯基-4-基、間聯三苯基-3-基、間聯苯 基-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對第三丁基苯 基、對（2-苯基丙基）苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘 基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯苯基、4’’-第三丁基對聯三 苯基-4 -基、2 -吼咯基、3 -吡咯基、吡嗪基、2 -哦啶基、3 -口比卩疋基、4 · D比卩疋基、2 - D引D朵基、3 - D引D朵基、4 - D引D朵基、5 - D引 哚基、6-D弓丨哚基、7-D弓丨哚基、1-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異巧丨哄基、5 -異D引D朵基、6 -異巧丨D朵基、7 -異丨D朵基、2 -咲 喃基、3 -呋喃基、2 -苯並呋喃基、3 -苯並呋喃基、4_苯並 呋喃基、5 -苯並呋喃基、6 -苯並呋喃基、7 -苯並呋喃基、 卜異苯並呋喃基、3 -異苯並呋喃基、4 -異苯並呋喃基、5-異苯並呋喃基、6-異苯並呋喃基、7-異苯並呋喃基、2-喹 啉基、3 - 口奎啉基、4 - D奎啉基、5 - D奎啉基、6 -咱啉基、7 - D奎啉 基、8-D奎琳基、1-異嗤琳基、3 -異嗤琳基、4 -異喧琳基、5_ 異D奎琳基、6 -異鸣琳基、7 -異D奎琳基、8 -異喧琳基、2 - D奎 喔啉基、5 -喹喔啉基、6 -咱喔啉基、1 -咔唑基、2 -咔唑基 、3 -咔唑基、4 -咔唑基、1 -菲啶基、2 -菲啶基、3 -菲啶基、 4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8·菲啶基、9-菲啶基、 1 0 -菲啶基、1 -吖啶基、2 _吖啶基、3 -吖啶基、4 -吖啶基、 9 -吖啶基、1，7 -菲繞啉-2 -基、1，7 -菲繞啉-3 -基、1，7 -菲繞啉-4-基、1，7-菲繞啉-5-基、1，7-菲繞啉-6-基、1， 7-菲繞啉-8-基、1，7-菲繞啉-9-基、1，7-菲繞啉-10-基、1 ，8 -菲繞啉· 2 -基、1，8 -菲繞啉-3 ·基、1，8 -菲繞啉-4 -基、 -17- (15) (15)200421932 1 ’ 8 -非繞琳-5 -基、1 ’ 8 -非繞琳-6 -基、1 ’ 8 -非繞琳-7 -基 、1 ’ 8 -非繞琳-9 -基、1 ’ 8 -非繞琳-1 0 -基、1 , 9 -非繞琳· 2 - 基、1 ’ 9 -非繞琳-3 -基、1 ’ 9 -非繞琳· 4 -基、1 ’ 9 -非繞琳-5 -基、1，9 -菲繞啉-6 -基、1，9 -菲繞啉-7 -基、1，9菲繞 咐-8 -基、1，9 -菲繞啉-1 0 -基、1，1 0 -菲繞啉-2 -基、1，1 0 -菲繞啉-3 -基、1，1 0 -菲繞啉-4 -基、1，1 0 -菲繞啉-5 -基、2 ’ 9 ·非繞琳-1 -基、2，9 -非繞琳-3 -基、2 ’ 9 -非繞琳· 4 -基、 2 ’ 9 -非繞琳-5 -基、2 ’ 9 -非繞琳-6 -基、2 ’ 9 -非繞琳-7 -基 、2，9菲繞啉-8 -基、2，9 -菲繞啉-1 0 -基、2，8 -菲繞啉-1 - 基、2，8-菲繞啉-3-基、2，8-菲繞啉-4-基、2，8-菲繞啉-5-基、2’ 8-非繞琳-6·基、2’ 8-非繞琳-7-基、2’ 8非繞 啉-9_基、2，8-菲繞啉-10-基、2，7-菲繞啉-1-基、2，7-菲 繞啉-3-基、2，7-菲繞啉-4-基、2，7-菲繞啉-5-基、2，7-菲繞啉-6-基、2，7-菲繞啉-8-基、2，7菲繞啉-9·基、2， 7-菲繞啉-10-基、1·吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2 -吩 噻嗪基、3 -吩噻嗪基、4 -吩噻嗪基、1 ·吩噁嗪基、2 -吩噁 嗪基、3 -吩噁嗪基、4 -吩噁嗪基、2 -噁唑基、4 -噁唑基、5 · 噁唑基、2 -噁二唑基、5 -噁二唑基、3 -氧二氮雜茂基、2 -噻嗯基、3-噻嗯基、2-甲基吡咯基-1-基、2-甲基吡咯基-3-基、2·甲基吡咯基-4-基、2-甲基吡咯基-5·基、3-甲基吡咯 基-1-基、3-甲基吡咯基-2 _基、3-甲基吡咯基-4-基、3-甲基 吡咯基-5-基、2 -第三丁基吡咯基-4-基、3-(2 -苯基丙基） 吡咯基-1 ·基、2 -甲基 1 -吲哚基、4 -甲基 1 -吲哚基、2 -甲 基-3-D弓丨哚基、4-甲基3-吲哚基、2-第三丁基-1-D弓丨哚基、4- (16) (16)200421932 第三丁基-1-吲哚基、2-第三丁基-3-间哚基、4-第三丁基-3 -吲哚基等。 取代或非取代之烷氧羰基係以-COOZ表示，Z例如有 甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基 、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基 、：1-羥乙基、2 -羥乙基、2 -羥異丁基、1，2 -二羥乙基、1 ，3-二羥異丙基、2，3-二羥基第三丁基、1，2，3-三羥丙 基、氯甲基、氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1，2-二 氯乙基、1，3 -二氯異丙基、2，3 -二氯基第三丁基、1，2 ，3 -三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2 -溴乙基、2 -溴異丁 基、1，2 -二溴乙基、1，3 -二溴異丙基、2，3 -二溴基第三 丁基、1，2，3 -三溴丙基、碘甲基、卜碘乙基、2 -碘乙基 、2-碘異丁基、1，2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2，3-二碘基第三丁基、1，2，3 -三碘丙基、胺甲基、1-胺乙基 、2-胺乙基、2-胺異丁基、1，2-二胺乙基、1，3-二胺異 丙基、2，3 -二胺基第三丁基、1，2，3 -三胺丙基、氰甲基 、1-氰乙基、2-氰乙基、2-氰異丁基、1，2-二氰乙基、1 ，3-二氰異丙基、2，3-二氰基第三丁基、1，2，3-三氰丙 基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基 、1，2 -二硝基乙基、1，3 -二硝基異丙基、2，3 ·二硝基第 三丁基、1，2，3 -三硝基丙基等。 鹵原子例如有氟、氯、溴、碘。 但是本發明之芳香族胺衍生物必須滿足下述（1 )及/ 或（2 )之條件。 -19- (17) (17)200421932 (i ) Ar3〜Ar6中至少一個爲取代或非取代之核碳數 10〜50之縮合之芳基， (2 ) Αι*1〜Ar2中至少一個爲取代或非取代之核碳數 10〜50之縮合之芳基）。 滿足此條件使芳香族胺衍生物之結構變成複雜，因此 可提高不易分解之化合物本身的耐久性。 本發明之以一般式（1 )之表示之芳香族胺衍生物之 具體例如下述，但是不限於這些例示之化合物。M e爲甲基 ，Et爲乙基，tBii爲第三丁基，ipr爲異丙基。
-20- (18)200421932
-21 - (19)200421932
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-26- (24)200421932
-27- (25)200421932
(H32) (26)200421932
-29- (27)200421932
tBu tBu •30- (28)200421932
-31 - (29)200421932
-32- (30)200421932
-33- (31)200421932
(H51) -34- (32)200421932
OH HO
-35 (33)200421932
-36- 200421932
•37- (35) 200421932
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本發明之有機E L元件’其係於陰極及陽極間挾著至 少由含有發光層之一層或多層所構成之有機薄膜層的有機 馨 E L元件，該有機薄膜層之至少一層爲以單獨或混合物之 成分的形態含有前述芳香族胺衍生物。 本發明之有機E L元件之該有機薄膜層具有電洞傳輸 帶域，該電洞傳輸帶域爲以單獨或混合物之成分的形態含 有本發明之之芳香族胺衍生物較佳’該有機薄膜層具有電 洞注入層，該電洞注入層爲以單獨或混合物之成分的形態 含有本發明之芳香族胺衍生物。 以下說明本發明之有機E L元件之元件構成。 -40- (38) (38)200421932 (1)有機EL元件之構成 本發明之有機E L元件之代表性之元件的構成例如有 (1) 陽極/發光層/陰極 (2) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 (3) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 (4) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 (5) 陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (6) 陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極 (7) 陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (8) 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子注 入層/陰極 (9) 陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (10) 陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/ 陰極 (11) 陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/ 陰極 (12) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層 /絕緣層/陰極 (13) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層 /電子注入層/陰極等之結構。 其中通常使用（8 )之構成較佳，但不受此限定。 本發明之芳香族胺衍生物可用於有機E L元件之發光 帶域或電洞傳輸帶域，理想爲用於電洞傳輸帶域，特別理 -41 - (39) (39)200421932 想爲用於電洞傳輸層，可得到低電壓、高發光效率，維持 長壽命，即使在高溫下也可產生藍色系發光之有機E L元 件。 發光帶域或電洞傳輸帶域中，較理想爲含有本發明之 芳香族胺衍生物3 0〜1 0 0莫耳％ 。 (2 )透光性基板 本發明之有機EL元件係製作於透光性之基板上。此 透光性基板係支撐有機EL元件的基板，其透光性爲400 〜700nm之可見光範圍之光的穿透率爲50%以上平滑之基 板較佳。 具體而言，例如有玻璃板、聚合物板等。玻璃板例如 有鈉鈣玻璃、含鋇•緦之玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸玻璃、硼 矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、石英等。又，聚合物板例如有 聚碳酸酯、丙烯酸、聚對苯二甲酸乙二酯、聚硫醚、聚硕 (3 )陽極 本發明之有機EL元件之陽極係具有將電洞注入電洞 傳輸層或發光層之功能者，具有4.5 eV以上之功函數者 更具效果。本發明用之陽極材料之具體例有氧化銦錫（ ITO )、氧化錫（NESA )、金、銀、鉑、銅等。 這些電極物質可以蒸鍍法或潑鍍法等形成薄膜來製作 陽極。 -42- (40) (40)200421932 如上述由陽極取出上述發光層之發光時，陽極對於發 光之穿透率爲大於10%較佳。又，陽極之薄片電阻爲數百 Ω/□以下較佳。陽極之膜厚係因材料而異，但是通常爲 10nm〜Ιμιη，較佳爲10〜200nm之範圍。 (4 )發光層 本發明之有機E L元件之發光層同時具有下述①〜③ 之功能。 ① 注入功能：外加電場時可由陽極或電洞注入層注入 電洞，且可由陰極或電子注入層注入電子之功能 ② 傳輸功能：以電場的力量移動注入之電荷（電子與 電洞）之功能 ③ 發光功能：提供電子與電洞之再結合的場所，此處 具有連結發光之功能，電洞注入之容易度與電子注入之容 易度即使有差異也無仿，以電洞與電子之移動度表示之傳 輸能有高低也無仿，可移動其中之一的電荷。 形成此發光層的方法可使用例如蒸鍍法、旋轉塗佈法 、Langmuir Brozet法（LB法）等公知方法。發光層特別 是以分子堆積膜爲佳。此處所謂分子堆積法係指由氣相狀 態之材料化合物所沈澱形成的薄膜或溶液狀態或液相狀態 之材料化合物固化所形成的膜，通常此分子堆積膜係與 L B法所形成之薄膜（分子累積膜）在凝集構造、高次構 造方面不同，或可藉由所造成之功能性之不同來區別。 又，如日本特開昭5 7 - 5 1 7 8 1號所揭示，將樹脂等之 -43- (41) (41)200421932 粘結劑與材料化合物溶解於溶劑中形成溶液後，使用旋轉 塗佈法等將此溶液製成薄膜，可形成發光層。 本發明中，在不損害本發明目的的範圍內，視需要， 可於發光層中含有本發明之芳香族胺衍生物所構成之發光 材料以外之其他公知的發光材料，又，可將含有其他公知 之發光材料之發光層層合於含有本發明之芳香族胺衍生物 所構成之發光材料之發光層上。 (5 )電洞注入·傳輸層（電洞傳輸帶域） 電洞注入•傳輸層係幫助電洞注入於發光層，並且傳 輸至發光區域的層，電洞移動度較大，離子化能通常較低 爲5. 5eV以下。這種電洞注入•傳輸層理想爲以較低之 電場強度將電洞傳輸至發光層之材料，電洞之移動度例如 於外加104〜106V/cm之電場時，至少爲l(T4cm2/V ·秒爲 佳。 本發明之芳香族胺衍生物用於電洞傳輸帶域時，可以 本發明之芳香族胺衍生物單獨形成電洞注入、傳輸層，也 可與其他材料混合使用。 與本發明之芳香族胺衍生物混合形成電洞注入、傳輸 層之材料只要是具有前述理想特性者即可，無特別限定， 可使用以往光傳導材料中，常作爲電洞之電荷傳輸材料使 用者’或選擇使用常用於有機E L元件之電洞注入層之公 知物。 具體有，三唑衍生物（參照美國專利3,1 12,197號說明 (42) (42)200421932 書等）、噁二哗衍生物（參照美國專利3，丨8 9,4 4 7號說明書 等）、咪唑衍生物（參照日本特公昭3 7 - 1 6 0 9 6號公報等）、 聚芳基烷衍生物（參照美國專利3,615，402號說明書、同第 3,820,989號說明書、同第3,542,544號說明書、特公昭 45- 555號公報、同51-10983號公報、特開昭51-93224號 公報、同5 5 - 1 7 1 05號公報、同5 6-4 1 4 8號公報、同55-1 08667號公報、同5 5 - 1 5 69 5 3號公報、同5 6-3 665 6號公 報等參照）、吡唑啉衍生物及吡唑酮衍生物（參照美國專利 第3, 180,729號說明書、同第4,278,746號說明書、特開 昭55-88064號公報、同55·88065號公報、同49-105537 號公報、同55-51086號公報、同56-80051號公報、同 56-8 8 1 4 1號公報、同5 7-45 54 5號公報、同54- 1 1 263 7號 公報、同5 5 -74 5 46號公報等）、苯二胺衍生物（參照美國專 利第3,6 1 5,404號說明書、特公昭51-10105號公報、同 46- 3 7 1 2號公報、同47-2 5 3 3 6號公報、特開昭 5 4- 5 3 4 3 5 號公報、同54- 1 1 05 3 6號公報、同54- 1 1 9925號公報等）、 芳胺衍生物（參照美國專利第3,5 67,45 0號說明書、同第 3，1 8 0,703號說明書、同第3,240,5 97號說明書、同第 3,65 8,5 20號說明書、同第4,232,1 03號說明書、同第 4，1 7 5,96 1號說明書、同第4,0 1 2,376號說明書、特公昭 49-3 5 7 02號公報、同39 -27 577號公報、特開昭5 5 - 1 44250 號公報、同5 6- 1 1 9 1 32號公報、同56-22437號公報、西德 專利第1,110,518號說明書等）、胺取代芳基丙烯醯芳烴衍 生物（參照美國專利第3,5 26,5 0 1號說明書等）、噁二唑衍 (43) (43)200421932 生物（美國專利第3,2 5 7，2 03號說明書等所揭示者）、苯乙 烯基蒽衍生物（參照日本特開昭5 6 - 4 6 2 3 4號公報等）、芴衍 生物（參照日本特開昭54- 1 1 08 37號公報等）、腙衍生物（參 照美國專利第3，7 1 7,4 6 2號說明書、特開昭5 4 _ 5 9丨4 3號公 報、同 5 5 - 5 206 3號公報、同55-52064號公報、同55-46760號公報、同55-85495號公報、同57-11350號公報、 同57- 1 48749號公報、特開平2-311591號公報等）、芪衍 生物（參照特開昭6 1 - 2 1 03 63號公報、同第6 1 -22 845 1號公 報、同 61-14642號公報、同61-72255號公報、同62-47646號公報、同62-36674號公報、同62- 1 0652號公報、 同62-30255號公報、同60-93455號公報、同60-94462號 公報、同60-174749號公報、同60-175052號公報等）、矽 胺烷衍生物（美國專利第4,950,950號說明書）、聚矽烷（特 開平2-2 0 4996號公報）、苯胺系共聚物（特開平2-282263 號公報）、特開平1 -2 1 1 399號公報所揭示之導電性高分子 低聚物（特別是噻吩低聚物）等。 電洞注入層之材料可使用上述者，較理想者爲卟啉化 合物（特開昭63 -295 6965號公報等開示）、芳香族第三級 胺化合物及苯乙烯基胺化合物（美國專利第4，127,4 12號說 明書、特開昭5 3-2703 3號公報、同54-5 8445號公報、同 54- 1 49634號公報、同54-64299號公報、同5 5 -7 9450號公 報、同5 5 - 1 44250號公報、同56- 1 1 9 1 3 2號公報、同61-2 95558號公報、同61-98353號公報、同63-295695號公報 等），特別理想爲使用芳香族第三級胺化合物。 -46 - (44) (44)200421932 美國專利第5 06 1 5 6 9號公報記載之分子內具有2個縮 合芳香環，例如4，4，_雙〔N_(1-萘基）_N_苯胺基〕聯苯（ 以下簡稱爲「a-NPD」），或日本特開平4-3 0 8 6 8 8號公報 所記載之三苯胺單元連結成3個星芒型之4，4，，4，，，-三 (N- ( 3-甲基苯基）-N-苯胺基）三苯胺（以下簡稱爲 MTDATA)等。 除了前述發光層之材料所示之芳香族二亞甲基系化合 物外’ p型_Si、p型-SiC等之無機化合物也可作爲電洞注 入層之材料使用。 將本發明之芳香族胺衍生物例如以真空蒸鍍法、旋轉 塗佈法、鑄膜法、L B法等公知之方法，形成薄膜化可製 成電洞注入·傳輸層。電洞注入•傳輸層之膜厚並無特別 限制，通常爲5 nm〜5 μπι。此電洞注入•傳輸層係在電洞 傳輸帶域中含有本發明之芳香族胺衍生物時，可以上述材 料之一種單獨或二種以上所構成之一層所構成，或層合與 上述電洞注入•傳輸層不同之化合物所構成之電洞注入· 傳輸層者。 幫助電洞注入或電子注入於發光層之層理想者爲可設 置有機半導體層，且具有1(T1GS/cm以上之導電率者。這 種有機半導體層之材料例如可使用含噻吩低聚物或日本特 開平8-193 191號公報所揭示之含芳胺低聚物等之導電性 低聚物、含芳胺樹枝狀聚合物等之導電性樹枝狀聚合物。 (6 )電子注入層 -47- (45) (45)200421932 電洞注入•傳輸層係幫助電子注入發光層，傳輸至發 光區域的層，電子移動度大，而附著改善層係於此電子注 入層中，特別是以與陰極附著良好之材料所構成的層。電 子注入層所用之材料可使用8 -羥基喹啉或其衍生物之金 屬錯合物。此8 -羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物之具 體例爲含有8 -羥基喹啉（一舨爲8 -喹啉酚或8 -羥基 口奎啉）之螯合物之金屬螯合物8 -羥基d奎啉化合物，例如 三（8 —喹啉酚）鋁（Alq )可作爲電子注入材料使用。 嚼二D坐衍生物例如有以下述一般式表示之電子傳達化 合物。
^ 成中 Ar’、 Αγ2，、 Ar3，、 Ar5，、 Αγ6，、 Ar9,係分 別爲取代或非取代之芳基，彼此可相同或不同，A〆，、 ΑΓ ' Al*8 ’係分別爲取代或非取代之伸芳基，彼此可相同 或不同）。 芳基例如有苯基、聯苯基、蒽基、茈基、芘基，伸芳 基例如有伸苯基、伸聯苯基 '伸蒽基、伸茈基、伸芘基等 。取代基例如有碳數1〜1 〇之烷基、碳數1〜1 0之烷氧基 -48- (46) 200421932 或氰基等。此電子傳達化合物爲薄膜形成性者較佳。 此電子傳達化合物之具體例有下述所列舉者。
本發明之有機E L元件可在傳輸電子之區域或在陰極 與有機薄膜層之界面區域含有還原性摻雜劑。還原性摻雜 劑係指可還原電子傳輸性化合物之物質。因此只要具有一 φ 定還原性者皆可使用，例如可選自鹼金屬、鹼土金屬、稀 土金屬、鹼金屬之氧化物、鹼金屬之鹵化物、鹼土金屬之 氧化物、鹼土金屬之鹵化物、稀土金屬之氧化物或稀土金 屬之鹵化物、鹼金屬之有機錯合物、鹼土金屬之有機錯合 物、稀土金屬之有機錯合物所成群中之至少一種的物質。 理想之還原性摻雜劑之具體例，例如有選自由Na (功 函數：2.36eV) 、K(功函數：2.28eV) 、Rb (功函數： 2.16eV )及Cs (功函數：1.95eV )所成群之至少一種之鹼 -49- (47) (47)200421932 金屬，或選自由Ca(功函數：2.9eV) 、Sr(功函數：2.0 〜2.5eV)及 Ba(功函數：2.52eV)所成群之至少一種之 鹼土金屬之功函數2 · 9 e V以下者特別理想。其中較理想之 還原性摻雜劑爲選自由K、Rb及C s所成群之至少一種之 鹼金屬，更理想爲Rb或Cs，最理想爲Cs。這些鹼金屬還 原能力高，少量添加於電子注入區域可提高有機E L元件 之發光亮度或達成長壽命化。功函數2.9eV以下之還原性 摻雜劑理想爲2種以上之鹼金屬之組合，特別是含有Cs之 組合，例如Cs與Na、Cs與K、 Cs與Rb、或Cs與Na、 K之組合。組合Cs可有效發揮還原能力，添加於電子注入 區域’可提高有機E L元件之發光亮度或達成長壽命化。 本發明之有機E L元件係在陰極與有機層之間可再設 置以絕緣體或半導體所構成之電子注入層。藉此可有效防 止漏電流，提高電子注入性。這種絕緣體例如可使用選自 由鹼金屬硫化物、鹼土金屬硫化物、鹼金屬之鹵化物及鹼 土金屬之鹵化物所成群之至少一種之金屬化合物。電子注 入層爲以這些之金屬硫化物所構成時，可進一步提高電子 注入性。具體而言，理想之鹼金屬硫化物例如有Li20、 LiO、Na2S、Na2Se及NaO。理想之驗土金屬硫化物例如有 CaO、BaO、Sr〇、BeO、BaS及CaSe。理想之鹼金屬之鹵 化物例如有LiF、NaF、KF、LiCl、KC1及NaCl等。理想 之鹼土金屬之鹵化物例如有 CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及 B e F 2等之氟化物或氟化物以外之鹵化物。 構成電子傳輸層之半導體例如含有Ba、Ca、Sr、Yb、 -50- (48) (48)200421932
Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb 及 Zn 之至少 一種元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等之一種單獨或 二種以上之組合。構成電子傳輸層之無機化合物爲微結晶 或非晶質之絕緣性薄膜較理想。電子傳輸層以這些無機化 合物所構成時，可形成更均質之薄膜，因此可減少暗點等 之像素缺陷。這種無機化合物例如有上述之鹼金屬硫化物 、鹼土金屬硫化物、鹼金屬之鹵化物及鹼土金屬之鹵化物 (7)陰極 陰極係將電子注入電子傳輸層或發光層，因此功函數 小（4eV以下）之金屬、合金、電傳導性化合物及其混合物 可作爲電極物質使用。這種電極物質之具體例有鈉·鉀合 金、鎂、鋰、鎂·銀合金、錕/氧化銘、錕/鋰合金、銦、 稀土金屬等。 此陰極係將此些電極物質以蒸鍍或濺鍍等方法形成薄 膜來製作。 由陰極取出從發光層之發光時，對於陰極之發光之穿 透率爲大於1 0 %較佳。 又，作爲陰極之薄片電阻爲數百Ω/□以下較佳，膜厚 通常爲10nm〜Ιμιη，較佳爲50〜200nm。 (8 )絕緣層 有機E L元件係將電場施加於超薄膜，因此容易因漏 •51 - (49) (49)200421932 電流或短路造成像素缺陷。爲了防止此現象，在一對電極 間插入絕緣性之薄膜層較佳。 絕緣層所用的材料例如有氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、 m化鉋、氧化鉋、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮 化錯、氧化鈦、氧化矽、氧化鍺、氮化矽、氮化硼、氧化 鉬、氧化釕、氧化釩等，也可使用這些之混合物或層合物 (9)有機el元件之製造方法 以上述材料及方法形成陽極、發光層，視需要形成電 洞注入•傳輸層及必要時形成電子注入·傳輸層，最後形 成陰極可製作有機E L元件。也可由陰極至陽極，與前述 相反順序製作有機E L元件。 以下說明在透光性基板上依序設置陽極/電洞注入層 /發光層/電子注入層/陰極之構成的有機E1元件的製 作例。 首先’藉由蒸鍍法或濺鍍法等方法在適當之透光性基 ® 板上形成Ιμιη以下，較佳爲1〇〜200nm之膜厚之由陽極 材料所構成的薄膜，製作陽極。其次，在此陽極上設置電 洞注入層。電洞注入層之形成如前述，藉由真空蒸鍍法、 旋轉塗佈法、鑄膜法、L B法等方法來形成，但是從易取 得均質膜，且不易產生針孔等觀點而言，藉由真空蒸鍍法 來形成較佳。以真空蒸鍍法形成電洞注入層時，其蒸鍍條 件係因使用之化合物（電洞注入層之材料）、目的之電洞 -52- (50) (50)200421932 注入層之結晶構造或再結合構造等而異，但一般理想條件 爲蒸鑛源溫度50〜450 °C，真空度1〇·7〜l〇_3torr、蒸鑛速 度0.01〜50nm/秒、基板溫度-50〜3 00 °c、膜厚5nm〜 5 μ m之範圍。 其次’在電洞注入層上設置發光層之發光層的形成也 可使用所要之之有機發光材料，藉由真空蒸鍍法、濺鍍法 、旋轉塗佈法、鑄膜法等方法，使有機發光材料形成薄膜 來形成’但由易取得均質膜，且不易產生針孔等之觀點而 言’較理想爲藉由真空蒸鍍法來形成。藉由真空蒸鍍法形 成發光層時，其蒸鍍條件係因使用之化合物而異，但一般 可選擇與電洞注入層之形成相同的條件範圍。膜厚爲1 〇 〜40nm之範圍較佳。 其次，此發光層上設置電子注入層。與電洞注入層、 發光層相同，爲了得到均質膜，藉由真空蒸鍍法形成較佳 。蒸鍍條件可選擇與電洞注入層、發光層相同之條件範圍 〇 本發明之芳香族胺衍生物係因是否存在於發光帶域或 電洞傳輸帶域中任一層而異，但是使用真空蒸鍍法時，可 與其他材料進行共同蒸鍍。而使用旋轉塗佈法時，可與其 他材料混合。 最後層合陰極可得到有機E L元件。 陰極係由金屬所構成，可使用蒸鍍法、濺鍍法。但是 爲了避免底層之有機物質在製膜時損傷，使用真空蒸鍍法 較佳。 -53- (51) (51)200421932 此有機E L元件之製作係在一次真空吸引下，由陽極 至陰極一貫製作爲佳。 本發明之有機E L元件之各層的形成方法無特別限定 。可使用以往公知之真空蒸鍍法、旋轉塗佈法等形成方法 。本發明之有機E L元件所用之含有以前述一般式（1)所 示之化合物之有機薄膜層可使用真空蒸鍍法、分子線蒸鍍 法（MBE法）或溶解於溶媒之溶液的浸漬法、旋轉塗佈法 、鑄膜法、棒塗法、輥塗法等之塗佈法之公知的方法來形 成。 本發明之有機E L元件之各有機薄膜層的厚度無特別 限定，一般薄膜太薄時’易產生針孔等之缺陷，相反地， 太厚時，需要高的外加電壓，效率差，因此理想爲數nm 〜1 μ m之範圍。 對此有機E L元件外加直流電壓時，若以陽極爲+、 陰極爲一之極性，外加5〜4 0 V之電壓時，可觀測到發光 。又，以相反極性即使外加電壓也不會產生電流，完全不 發光。外加交流電壓時，僅在陽極爲+、陰極爲-之極性 時，可觀測到均勻之發光。外加之交流波形可爲任意波形 〇 其次，依據實施例更詳細說明本發明，但本發明並不 被這些實施例所限定。 合成例1 ( 2-碘萘）之合成 將薄片狀鎂14g (東京化成公司製）、乾燥蒸餾後之 -54- (52) 200421932 THF 23 0ml加熱至5 01，攪拌狀態下添加少量之溴 京化成公司製），使鎂活化後，將2-溴萘l〇5g (東 成公司製）溶解於乾燥蒸餾後之THF 1公升之溶液以 時滴入其中。 滴入結束後，以5 0 °C攪拌2小時，冷卻至-1 0 °C 每次以少量添加2 5 0g之溴，回復至室溫後，持續攪 小時。 此反應液中添加水1 00ml，以醋酸乙酯萃取。以 鈉水溶液萃取醋酸乙酯層，使用己烷淸洗水層後，使 酸形成酸性，然後以醋酸乙酯萃取，減壓下濃縮後， 之粘性液體再度溶解於苛性鈉水溶液，酸性析出後 82g之2 -職蔡。 合成例2 ( 9-碘菲）之合成 將薄片狀鎂14g (東京化成公司製）、乾燥蒸餾 THF 2 3 0ml加熱至5 0 °C，攪拌狀態下添加少量之溴 京化成公司製），使鎂活化後，將9-溴菲129g (東 成公司製）溶解於乾燥蒸餾後之THF 1公升之溶液以 時滴入其中。 滴入結束後，以5 0 °C攪拌2小時，冷卻至-1 〇 °c 每次以少量添加2 5 0 g之溴，回復至室溫後，持續攪 小時。 此反應液中添加水l〇〇ml，以醋酸乙酯萃取。以 鈉水溶液萃取醋酸乙酯層，使用己烷淸洗水層後，使 (東 京化 1小 後， 拌2 苛性 用鹽 製得 得到 後之 (東 京化 1小 後， 拌2 苛性 用鹽 -55- (53) (53)200421932 酸形成酸性，然後以醋酸乙酯萃取，減壓下濃縮後，II # 之粘性液體再度溶解於苛性鈉水溶液，酸性析出後得到 91g之9-碘菲。 合成例3 ( N，Ν’-雙（萘-1-基）-4，4’-聯苯胺（Ai )) 之合成 氬氣氛下，使Ν，Ν’-二醯基-4，4’-聯苯胺i〇〇g (東 京化成公司製）、1·碘萘282g (東京化成公司製）、無 水碳酸鉀204g (東京化成公司製）、銅粉4.7g(廣島合 光社製）及萘烷7 5 0ml，以190 °C反應3日。 冷卻後，添加甲苯2L，濾取不溶分。將濾取物溶解 於氯仿4.5 L中，濾除不溶分後，以活性碳處理，減壓濃 縮。濃縮途中形成漿狀時，·添加丙酮3 L，將析出之結晶 過濾、乾燥。 將此結晶懸浮於乙二醇2L、水20ml中，添力〇 85% 氫氧化鉀水溶液1 1 0 g後，以1 2 (TC反應1 2小時。 放置冷卻至室溫後，將反應液注入4L之水中，以活 性碳處理，減壓濃縮，形成漿狀時，添加丙酮，將析出之 結晶過遽、乾燥後，得到1 0 8 g之N，N ’ -雙（萘-1 -基）-4 ，4 ’ -聯苯胺（A 1 )。 合成例4 (Ν，Ν’-雙（萘-2-基）-4，4’-聯苯胺（A2)) 之合成 氬氣氛下，使Ν，Ν，-二醯基-4，4’·聯苯胺100g (東 -56- (54) (54)200421932 京化成公司製）、2-碘萘282g、無水碳酸鉀204g (東京 化成公司製）、銅粉4.7g (廣島合光社製）及萘烷7 5 0ml ，以190°C反應3日。 冷卻後，添加甲苯2L，濾取不溶分。將濾取物溶解 於氯仿4.5L中，濾除不溶分後，以活性碳處理，減壓濃 縮。濃縮途中形成漿狀時，添加丙酮3 L，將析出之結晶 過濾、乾燥。 將此結晶懸浮於乙二醇2L、水20ml中，添加85% 氫氧化鉀水溶液1 l〇g後，以120 °C反應12小時。 放置冷卻至室溫後，將反應液注入4L之水中，以活 性碳處理，減壓濃縮，形成漿狀時，添加丙酮，將析出之 結晶過濾、乾燥後，得到l〇4g之N，Ν’-雙（萘-2-基）-4 ，4’·聯苯胺（Α2 )。 合成例 5 ( Ν，Ν’-雙（菲-9-基）-4，4’-聯苯胺（A3 )) 之合成 氬氣氛下，使Ν，Ν’-二醯基_4，4’-聯苯胺100g (東 京化成公司製）、9-碘菲3 3 7g、無水碳酸鉀204g (東京 化成公司製）、銅粉4.7g (廣島合光社製）及萘垸750ml ，以1 9 0 °C反應3日。 冷卻後，添加甲苯2 L ’濾取不溶分。將濾取物溶解 於氯仿4.5 L中，濾除不溶分後’以活性碳處理，減壓濃 縮。濃縮途中形成漿狀時’添加丙酮3 L ’將析出之結晶 過濾、乾燥。 -57- (55) (55)200421932 將此結晶懸浮於乙二醇2L、水20ml中，添加85% 氫氧化鉀水溶液1 l〇g後，以120 °C反應12小時。 放置冷卻至室溫後，將反應液注入4L之水中，以活 性碳處理，減壓濃縮，形成漿狀時，添加丙酮，將析出之 結晶過濾、乾燥後，得到1 16g之N，Ν’-雙（菲-9-基）-4 ，4、聯苯胺（A3 )。 合成例6 (4 -溴二苯胺（Α4))之合成 氬氣氛下，使乙醯苯胺l〇〇g (廣島合光社製）、4-溴碘苯314g、無水碳酸鉀110g (東京化成公司製）、銅 粉4.7g (廣島合光社製）及萘烷750ml，以190 °C反應3 曰。 冷卻後，添加甲苯2 L，濾取不溶分。將濾取物溶解 於氯仿4 · 5 L中，濾除不溶分後，以活性碳處理，減壓濃 縮。濃縮途中形成漿狀時，添加丙酮3 L，將析出之結晶 過濾、乾燥。 將此結晶懸浮於乙二醇2 L、水2 0 m 1中，添加8 5 % 氫氧化鉀水溶液1 1 0 g後，以1 2 0 °C反應1 2小時。 放置冷卻至室溫後，將反應液注入4L之水中，以活 性碳處理，減壓濃縮，形成漿狀時，添加丙酮，將析出之 結晶過濾、乾燥後，得到9 6 g之4 ·溴二苯胺（A 4 )。 合成例 7 ( N - ( 4 ·溴苯基）-N -苯基-1 -萘胺（B 1 ))之合 成 -58- (56) (56)200421932 氬氣氛下，混合N-苯基-卜萘胺259g(東京化成公司 製）、1，4-二溴苯279g (東京化成公司製）、第三丁氧 基鈉13 6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦）鈀二氯17g (東京化成公司製）及二甲苯4 · 6 L，以1 3 (TC攪拌1 2小 時。 反應液中添加水，以矽藻過濾後，使用甲苯進行分液 。油層減壓濃縮得到結晶。此結晶以塔柱純化後， 溶解於甲苯中，添加己烷再度沉澱，過濾後乾燥，得到 135g之N-(4-溴苯基）·Ν_苯基萘胺（B1)。 合成例8(N-(4-溴苯基）-N_苯基-2-萘胺（B2))之合 成 氬氣氛下’混合N-苯基-2-萘胺259g(東京化成公司 製）、1’4-二溴苯279g (東京化成公司製）、第三丁氧 基鈉136g (東京化成公司製）、雙（三苯膦）鈀二氯17g (東京化成公司製）及二甲苯4.6L，以；[30°C攪拌12小 時。 反應液中添加水’以矽藻過濾後，使用甲苯進行分液 。油層減壓濃縮得到結晶。此結晶以塔柱純化後，溶解於 甲本中，添加己烷再度沉澱，過濾後乾燥，得到丨4 5 g之 N- ( 4-溴苯基）-N-苯基-2潼胺（B1)。 合成例9 ( Ν· ( 溴苯基）苯基-9-胺基菲（B3 ))之 合成 -59- (57) 200421932 氬氣氛下，混合4-溴二苯胺（A4 ) 73g、< 、第三丁氧基鈉34g (東京化成公司製）、雙 鈀二氯4g (東京化成公司製）及二甲苯1.5L 攪拌1 2小時。 反應液中添加水，以矽藻過濾後，使用甲 。油層減壓濃縮得到結晶。此結晶以塔柱純化 甲苯中，添加己烷再度沉澱，過濾後乾燥，辑 N- ( 4-溴苯基）-N-苯基-9-胺基菲（B3 )。 合成例1〇 ( N，N -二（萘-1-基）-4-溴苯胺（ 成 氬氣氛下，混合4-溴苯胺50g (東京化成 1-碘萘221g (東京化成公司製）、第三丁氧基 京化成公司製）、雙（三苯膦）鈀二氯1 1 g ( 司製）及二甲苯4.5 L，以1 3 0 t攪拌1 2小時。 反應液中添加水，以矽藻過濾後，使用甲 。油層減壓濃縮得到結晶。此結晶以塔柱純化 甲苯中，添加己烷再度沉澱，過濾後乾燥，得 ，N-二（萘-1-基）-4-溴苯胺（B4)。 合成例1 1 ( N，N -二（萘-2-基）-4-溴苯胺（ 成 氬氣氛下，混合4 -溴苯胺5 0 g (東京化成 2 -碘蔡221g (東京化成公司製）、第三丁氧基 )-碘菲1 3 5 g (三苯膦） ，以 1 3 0 〇C 苯進行分液 後，溶解於 I到82g之 B4 ))之合 公司製）、 鈉84g (東 東京化成公 苯進行分液 後，溶解於 到9 0g之N B5))之合 公司製）、 鈉84g (東 (58) 200421932 京化成公司製）、雙（三苯膦）鈀二氯llg(東京化 司製）及二甲苯4.5L，以130°C攪拌12小時。 反應液中添加水，以矽藻過濾後，使用甲苯進行 。油層減壓濃縮得到結晶。此結晶以塔柱純化後，溶 甲苯中，添加己烷再度沉澱，過濾後乾燥，得到8 4 g ，>!-二（萘-2-基）-4-溴苯胺（；85)。 合成例12(N，N-二（菲-9-基）-4-溴苯胺（B6)) 成 氬氣氛下，混合4-溴苯胺50g (東京化成公司製 9-碘菲265g、第三丁氧基鈉84g (東京化成公司製） (三苯膦）鈀二氯llg (東京化成公司製）及二甲苯 ，以1 3 0 °C攪拌1 2小時。 反應液中添加水，以矽藻過濾後，使用甲苯進行 。油層減壓濃縮得到結晶。此結晶以塔柱純化後，溶 甲苯中，添加己烷再度沉澱，過濾後乾燥，得到101 Ν’ N-—(非·9 -基）-4-漠苯胺（Β6)。 合成例13 ( Ν- ( 4-溴苯基）-Ν-(萘-2-基）-1-萘胺 ))之合成 氬氣氛下，混合2-胺基萘l〇〇g (Aldrich公司製 1-碘萘210g (東京化成公司製）、無水碳酸鉀204g 京化成公司製）、銅粉 4.7g (廣島合光社製）及 7 5 0ml，以 19(TC 反應 3 日。
成公 分液 解於 之N 之合 )' 、雙 4.5L 分液 解於 g之 (B7 (東 萘烷 (59) (59)200421932 冷卻後，添加甲苯2 L，濾取不溶分。將濾取物溶解 於氯仿4.5 L中，濾除不溶分後，以活性碳處理，減壓濃 縮。濃縮途中形成漿狀時，添加丙酮3 L，將析出之結晶 過濾’以塔柱純化。 氬氣氛下，混合製得之粉末、4-溴碘苯200g (東京 化成公司製）、無水碳酸鉀2 04g (東京化成公司製）、 銅粉4.7g (廣島合光社製）及萘烷7 5 0ml，以19(rc反應 3曰。 冷卻後，添加甲苯2L，濾取不溶分。將濾取物溶解 於氯仿4 ·5 L中，濾除不溶分後，以活性碳處理，減壓濃 縮°濃縮途中形成漿狀時，添加丙酮3 L，將析出之結晶 過濾’以塔柱純化，溶解於甲苯中，添加己烷再度沉澱， 過濾後乾燥，得到68g之_ N- ( 4-溴苯基）-N-(萘-2-基 )-1 -萘胺（B 7 )。 合成例14 (N- (4-溴苯基）-N-(菲-9·基）-1-萘胺（B8 ))之合成 氬氣氛下，混合1-胺基萘l〇〇g (Aldrich公司製）、 9-碘菲255g、無水碳酸鉀2〇4g (東京化成公司製）、銅 粉4.7g (廣島合光社製）及萘烷75〇ml，以190 °C反應3 曰。 冷卻後，添加甲苯2L，濾取不溶分。將濾取物溶解 於氯仿4.5 L中，濾除不溶分後，以活性碳處理，減壓濃 縮。濃縮途中形成漿狀時，添加丙酮3 L，將析出之結晶 -62- (60) (60)200421932 過濾，以塔柱純化。 氬氣氛下，混合製得之粉末、4-溴碘苯200g (東京 化成公司製）、無水碳酸鉀2 04g (東京化成公司製）、 銅粉4.7g (廣島合光社製）及萘院750ml，以190 °C反應 3曰。 冷卻後，添加甲苯2 L，濾取不溶分。將濾取物溶解 於氯仿4.5L中，濾除不溶分後，以活性碳處理，減壓濃 縮。濃縮途中形成漿狀時，添加丙酮3 L，將析出之結晶 過濾，以塔柱純化，溶解於甲苯中，添加己烷再度沉澱， 過濾後乾燥，得到64g之N- ( 4-溴苯基）-N-(菲-9-基 )-卜萘胺（B8 )。 合成例15 ( N- ( 4-溴苯基）-N-(菲-9-基）-2-萘胺（B9 ))之合成 氬氣氛下，混合2-胺基萘100g(Aldrich公司製）、 9-碘菲2 5 5 g、無水碳酸鉀204g (東京化成公司製）、銅 粉4.7g (廣島合光社製）及萘烷750ml，以190°C反應3 曰。 冷卻後，添加甲苯2L，濾取不溶分。將濾取物溶解 於氯仿4.5L中，濾除不溶分後，以活性碳處理，減壓濃 縮。濃縮途中形成漿狀時，添加丙酮3L，將析出之結晶 過濾，以塔柱純化。 氬氣氛下，混合製得之粉末、4-溴碘苯20 0g (東京 化成公司製）、無水碳酸鉀204g (東京化成公司製）、 (61) 200421932 銅粉4.7g (廣島合光社製）及萘烷750ml，以 3曰。 冷卻後，添加甲苯2L，濾取不溶分。將 於氯仿4.5 L中，濾除不溶分後，以活性碳處 縮。濃縮途中形成漿狀時，添加丙酮3 L，將 過濾，以塔柱純化，溶解於甲苯中，添加己烷 過濾後乾燥，得到66g之N- ( 4-溴苯基）-] )-2-萘胺（B9)。 合成例16 ( 4-溴三苯胺（B10))之合成 將溴15g (廣島合光社製）與氯仿l〇〇ml °C下以15分鐘滴入三苯胺20g (東京化成公 仿溶液中。室溫下，攪拌3 0分鐘。 將反應液依序以水5 00m卜飽和重碳酸鈉水 、硫代硫酸鈉水溶液5 00ml及水5 00ml淸洗， 酸鎂乾燥後，減壓濃縮。使粗生成物再結晶， 4-溴三苯胺（B10 )。 實施例1 (化合物（Η1 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 1 ) 1 〇 g、化合 21g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、 )鈀二氯（II) lg (東京化成公司製）及二甲 以130°C反應24小時。 冷卻後，添加水 1 0 0 0 m 1，將混合物以石夕 1 9 0 反應 濾取物溶解 理，減壓濃 析出之結晶 再度沉澱， (菲-9-基 之溶液在0 司製）之氯 溶液50〇mi 使用無水硫 得到19g之 物（B 1 ) 雙（三苯膦 苯 500ml ， 藻過爐後， (62) (62)200421932 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到16g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS (場脫附質譜分析）得到對 於C76H54N4=1022，m/z=1023之波峰，確認此爲目的化合 物（Η1 )。 實施例2 (化合物（Η2 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A1 ) 1 0 g、化合物（Β 4 ) 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯500ml， 以130°C反應24小時。 冷卻後，添加水1 000ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶’乾 燥得到18g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C84H58N4=1122’ m/z=l 123之波峰，確認此爲目的化合物（H2 )。 實施例3 (化合物（H3 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 1 ) 1 〇 g、化合物（B 2 ) 21g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（Π) lg (東京化成公司製）及二甲苯5〇〇ml’ 以1 3 0 °C反應2 4小時。 -65- (63) (63)200421932 冷卻後，添加水1 〇〇〇ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到1 8 g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C78H54N4= 1 022, m / z = 1 0 2 3之波峰，確認此爲目的化合物（Η 3 )。 實施例4 (化合物（Η4 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A1 ) 1 0 g、化合物（Β 7 ) 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯500ml， 以1 3 0 °C反應2 4小時。 冷卻後，添加水1000ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶’乾 燥得到18g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C84H58N4=1122’ m/z=l 123之波峰，確認此爲目的化合物（H4 )。 實施例5 (化合物（H5 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 1 ) 1 0 g、化合物（B 5 ) 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯500ml’ 以130°C反應24小時。 (64) (64)200421932 冷卻後’添加水1 〇 〇 〇 ηι 1，將混合物以砂藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使甩無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到1 5 g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於c84H58N4=1122, m / z = 1 1 2 3之波峰，確認此爲目的化合物（η 5 )。 實施例6 (化合物（Η6 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 1 ) 1 〇 g、化合物（Β 3 ) 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（Π) lg (東京化成公司製）及二甲苯 5〇〇ml’ 以130°C反應24小時。 冷卻後，添加水1000ml，將混合物以矽藻過濾後’ 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶’乾 燥得到16g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於c84h58N4=1122’ m/z=1123之波峰’確s忍此爲目的化合物（Η 6 )。 實施例7 (化合物（Η 7 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A1 ) l〇g、化合物（Β8 ) 27g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（Π) lg (東京化成公司製）及二甲苯5〇〇ml’ 以130°C反應24小時。 •67- (65) (65)200421932 冷卻後，添加水1000ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到17g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於c92h62N4= 1 222, m / z = 1 2 2 3之波峰，確認此爲目的化合物（η 7 )。 實施例8 (化合物（Η8 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A1 ) 1 〇 g、化合物（Β 9 ) 27g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯50 0ml， 以130°C反應24小時。 冷卻後，添加水1 〇 〇 〇 m 1，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到19g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於c92h62N4= 1 222, m/Z= 1 2 2 3之波峰，確認此爲目的化合物（H8)。 實施例9 (化合物（Η 9 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A1 ) 1 〇 g、化合物（β 6 ) 30g、第三丁氧基鈉 6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯5〇 〇ml， 以1 3 0 t反應2 4小時。 (66) (66)200421932 冷卻後，添加水1000ml，將混合物以矽藻過濾後， 滬液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到1 4 g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於Ciqqh66N4= 1 3 22, m/z=1323之波峰，確認此爲目的化合物（H9)。 實施例1〇(化合物（H10)之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A2 ) 1 〇 g、化合物（b 1 ) 21g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯50 0ml， 以130°C反應24小時。 冷卻後，添加水1 0 0 0 m 1，將混合物以矽藻過濾後， 濃液以甲苯卒取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化’使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到20g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C76H54N4 = 1 022, m/z=1023之波峰，確認此爲目的化合物（H10)。 實施例1 1 (化合物（Η 1 1 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（Α2) 10g、化合物（Β4) 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II ) lg (東京化成公司製）及二甲苯5 00ml， 以130°C反應24小時。 (67) (67)200421932 冷卻後，添加水1 000ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到17g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C84H58N4=1122, m/z=l 123之波峰，確認此爲目的化合物（HI 1 )。 實施例1 2 (化合物（Η 1 2 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（Α2 ) 1 0g、化合物（Β2 ) 21g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯50 0ml， 以130°C反應24小時。 冷卻後，添加水l〇〇〇ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到1 9 g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C78H54N4=i〇22, m/z= 1 023之波峰，確認此爲目的化合物（H12 )。 實施例1 3 (化合物（Η 1 3 )之合成） Μ氣氛下，混合化合物（Α2) 10g、化合物（Β7) 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯5〇〇m卜 以1 3 0 °C反應2 4小時。 (68) (68)200421932 冷卻後，添加水1 〇〇〇ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到2 1 g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C84H58N4=1122, m / z = 1 1 2 3之波峰，確認此爲目的化合物（η 1 3 )。 實施例1 4 (化合物（Η 1 4 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 2 ) 1 〇 g、化合物（Β 5 ) 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯500ml， 以130°C反應24小時。 冷卻後，添加水l〇〇〇ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到18g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C84H58N4=1122, m/z=l 123之波峰，確認此爲目的化合物（H14 )。 實施例1 5 (化合物（Η 1 5 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（Α2) l〇g、化合物（Β3) 24 g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（Π) lg (東京化成公司製）及二甲苯50 0ml， 以130°C反應24小時。 (69) (69)200421932 冷卻後，添加水l〇〇〇ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到17g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C84H58N4=1122, m/z=l 123之波峰，確認此爲目的化合物（H15 )。 實施例1 6 (化合物（Η 1 6 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（Α2 ) 1 0g、化合物（Β8 ) 27g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯500ml， 以1 3 0 °C反應2 4小時。 冷卻後，添加水1 〇 〇 〇 m 1 ’將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到17g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C92H62N4= 1 222, m/z=1223之波峰，確認此爲目的化合物（H16)。 實施例1 7 (化合物（Η 1 7 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 2 ) 1 〇 g、化合物（β 9 ) 27g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（Π ) lg (東京化成公司製）及二甲苯5 00nU， 以1 3 0 °C反應2 4小時。 -72- (70) (70)200421932 冷卻後，添加水1 0.00ml，將混合物以矽藻過濾後’ 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到16g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C92H62N4= 1 222, m/z= 1 22 3之波峰，確認此爲目的化合物（H17 )。 實施例1 8 (化合物（Η 1 8 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 2 ) 1 0 g、化合物（Β 6 ) 27g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯鱗 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯50〇m卜 以1 3 0 °C反應2 4小時。 冷卻後，添加水1 000ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到19g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C1Q〇H66N4= 1 3 22, m/z=1323之波峰，確認此爲目的化合物（H18)。 實施例1 9 (化合物（Η 1 9 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 3 ) 1 〇 g、化合物（β 1 ) 21g'第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯50〇m卜 以1 3 0 °C反應2 4小時。 (71) (71)200421932 冷卻後，添加水1 000ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取’使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到17g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C84H58N4=1122, m/z=1123之波峰，確認此爲目的化合物（H19)。 實施例20 (化合物（H20 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A3) 10g、化合物（B4) 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯50 0ml， 以13(TC反應24小時。 冷卻後，添加水 1 OOO.ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到22g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C92H62N4= 1 222, m/z=1223之波峰，確認此爲目的化合物（H20)。 實施例2 1 (化合物（H2 1 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A3 ) l〇g、化合物（B2 ) 21g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯50 0ml， 以1 3 (TC反應2 4小時。 (72) 200421932 冷卻後，添加水1 〇 〇 〇 m 1，將混合物以矽藻 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該 燥得到20g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C84H58h m/z=l 123之波峰，確認此爲目的化合物（H21 ) 實施例22 (化合物（H22 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A3 ) l〇g、化合！ 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯 以130°C反應24小時。 冷卻後，添加水1000ml，將混合物以矽藻 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該 燥得到18g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C92H62>i m/z= 1 223之波峰，確認此爲目的化合物（H22 ) 實施例23 (化合物（H23 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A3 ) 10g、化合！ 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙 )氯化鈀（Π) lg (東京化成公司製）及二甲苯 以130°C反應24小時。 過濾後， 縮得到之 結晶，乾 4=1122 ， 勿（B7 ) (三苯膦 500ml ， 過濾後， 縮得到之 結晶，乾 4=1222 ， J ( B5 ) (三苯膦 500ml， -75- (73) 200421932 冷卻後，添加水1 000ml，將混合物 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶， 燥得到17g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於 m / z = 1 2 2 3之波峰，確認此爲目的化合物（ 實施例24 (化合物（H24 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A3 ) 10g 24g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及 以1 3 0 °C反應2 4小時。 冷卻後，添加水1 000ml，將混合物 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶， 燥得到16g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於 m/z= 1 223之波峰，確認此爲目的化合物（ 實施例25 (化合物（H25 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A3 ) 10g 27g、弟二丁氧基鈉6g (東足化成公司製 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及 以1 3 0 °c反應2 4小時。 以矽藻過濾後， 減壓濃縮得到之 過濾該結晶，乾 C92H62N4= 1 222， ；H23)。 、化合物（B3 ) :)、雙（三苯膦 二甲苯 5〇〇ml ， 以矽藻過濾後， 減壓濃縮得到之 過濾該結晶，乾 C 9 2 Η 6 2 N 4 = 1 2 2 2， :Η24)。 、化合物（Β 8 ) )、雙（三苯膦 一甲本 5 0 〇 m 1， (74) (74)200421932 冷卻後’添加水1 〇〇〇ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 租生成物以纟合柱純化’使用甲本再結晶’過減該結晶，乾 燥得到17g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C1G〇H66N4= 1 3 2 2, m/z=1323之波峰，確認此爲目的化合物（H25)。 實施例26 (化合物（H26 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A3 ) l〇g、化合物（B9 ) 27g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯50 0ml’ 以130°C反應24小時。 冷卻後，添加水1000ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶’乾 燥得到2 1 g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C1G()H66N4 = 1 3 22’ m/z= 1 3 23之波峰，確認此爲目的化合物（H26 )。 實施例27 (化合物（H27)之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 3 ) 1 0 g、化合物（B 6 ) 30g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯50 0ml’ 以1 30t反應24小時。 (75) (75)200421932 冷卻後，添加水1 000ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到14g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C1G8H7()N4 = 1 422， m/z= 1 42 3之波峰，確認此爲目的化合物（H27 )。 實施例2 8 (化合物（Η 2 8 )之合成） 氬氣氛下，混合化合物（A 3 ) 1 0 g、化合物（Β 1 0 ) 20g、第三丁氧基鈉6g (東京化成公司製）、雙（三苯膦 )氯化鈀（II) lg (東京化成公司製）及二甲苯500ml， 以1 3 (TC反應2 4小時。 冷卻後，添加水l〇〇〇ml，將混合物以矽藻過濾後， 濾液以甲苯萃取，使用無水硫酸鎂乾燥。減壓濃縮得到之 粗生成物以塔柱純化，使用甲苯再結晶，過濾該結晶，乾 燥得到19g之淡黃色粉末。 對於此粉末測定FD-MS得到對於C1G8H7()N4 = 1 022， m/z=l〇23之波峰，確認此爲目的化合物（H28 )。 實施例29 (有機EL元件之製造） 將25mmx75mmxl · 1mm厚之附有ITO透明電極之玻 璃基板（Diomatic公司製）在異丙醇中進行超音波淸洗5分 鐘後，以UV臭氧淸洗30分鐘。 將淸洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸 -78- (76) (76)200421932 鍍裝置之基板支持架上，首先在形成透明電極線側的面上 ，形成作爲電洞注入材料之膜厚60nm之前述化合物（H1 )膜，以覆蓋前述透明電極。此（Η 1 )膜具有電洞注入層 的功能。 此（Η1)膜上形成膜厚20nm之下述Ν，Ν，Ν’，Ν’- 四（4-聯苯基）-二胺聯苯膜（TBDB膜）。此TBDB膜具 有電洞傳輸層的功能。 此TBDB膜上蒸鍍膜厚40nm之ΕΜ1膜。同時蒸鍍 _ EM1與D1使重量比成爲40 : 2。此膜具有發光層的功能。 在此膜上形成膜厚lOnm之下述Alq膜。此Alq膜具 有電子注入層的功能。此後將還原性摻雜物之 Li (Li源 :saesgetter公司製）與Alq進行二元蒸鍍’形成作爲電子注 入層（陰極）之Alq:Li膜（膜厚l〇nm)。此Alq:Li膜上蒸鍍 金屬A1，形成金屬陰極，製作有機EL元件。 測定製得之有機EL元件在ImA/cm2之電流流通時之 電壓及發光效率，及在初期亮度爲l〇〇〇nit、室溫下，測定 春 DC定電流驅動之發光之亮度減半之壽命’結果如表1所 示。再以保存溫度130°C下保存小時後，觀察通電時 之發光面之發光狀態，結果如表1所示。 -79· (77) 200421932
實施例3 0〜5 6 (有機E L元件之製造） 除了使用前述化合物（H2 )〜（HU )分別取代實施 例29之化合物（Η1 )外，其餘同樣製作有機EL元件，同 樣測定發光效率及亮度減半之壽命’觀察高溫保存後之發 鲁 光面的發光狀態。這些之結果如表1所示。 比較例1〜3 (有機E L元件之製造） 除了使用前述化合物（H’l )〜（Η’3 )分別取代實施 例2 9之化合物（Η 1 )外，其餘同樣製作有機EL元件，同 樣測定發光效率及亮度減半之壽命，觀察高溫保存後之發 光面的發光狀態。這些之結果如表1所示。 -80- (78)200421932
-81 - (79)200421932 表1 電洞注入材 料之種類 電壓 (V) 發光效率 (cd/A) 売度減半壽命 (時間） 130°C，100小時保 存後之發光狀態 實施例29 H1 4.5 10.2 4,300 藍色均勻發光 實施例30 H2 4.6 10.2 4,100 藍色均勻發光 實施例31 H3 4.5 10.1 4?3〇〇 藍色均勻發光 實施例32 H4 4.5 10.2 4,000 藍色均勻發光 實施例33 H5 4.5 10.2 4,000 藍色均勻發光 實施例34 H6 4.6 10.0 4,100 藍色均勻發光 實施例35 H7 4.7 10.0 4,000 藍色均勻發光 實施例36 H8 4.7 10.1 4,000 藍色均勻發光 實施例37 H9 4.6 10.1 4,100 藍色均勻發光 實施例38 H10 4.5 10.3 4,200 藍色均勻發光 實施例39 H11 4.5 10.2 4,000 藍色均勻發光 實施例40 H12 4.6 10.2 4,000 藍色均勻發光 實施例41 H13 4.7 10.0 3,900 藍色均勻發光 實施例42 H14 4.7 10.1 3,900 藍色均勻發光 實施例43 H15 4.7 10.0 4,000 藍色均勻發光 實施例44 H16 4.6 10.0 4,000 藍色均勻發光 實施例45 H17 4.7 10.1 3,900 藍色均勻發光 實施例46 H18 4.7 10.2 3,900 藍色均勻發光 實施例47 H19 4.5 10.1 4,300 藍色均勻發光 實施例48 H20 4.5 10.2 4,100 藍色均勻發光 實施例49 H21 4.6 10.1 4,100 藍色均勻發光 實施例50 H22 4.5 10.1 4,000 藍色均勻發光 實施例51 H23 4.5 10.2 4,000 藍色均勻發光 實施例52 H24 4.6 10.1 4,000 藍色均勻發光 實施例53 H25 4.6 10.1 3,900 藍色均勻發光 實施例54 H26 4.7 10.0 3,900 藍色均勻發光 實施例55 H27 4.7 10.0 3,900 藍色均勻發光 實施例56 H28 4.5 10.1 4,400 藍色均勻發光 比較例1 ΗΊ 5.1 9.4 1,800 綠色不均勻發光 比較例2 H，2 4.8 10.0 4,000 綠色均勻發光 比較例3 H，3 4.7 9.8 3,100 綠色均勻發光
-82- (80) (80)200421932 如表1所示，實施例2 9〜5 6之本發明之芳香族胺用 於電洞注入材料的元件在低電壓下，維持高發光效率及長 壽命，高溫保存安定性優異。然而，比較例1〜3之元件 之有機E L元件之耐熱性差，因此無法得到本來之藍色發 光’產生不均勻之發光，或混入其他之發光成分，使發光 色形成長波長化。 產業上之利用性 如上述詳細說明，本發明之芳香族胺衍生物及使用該 芳香族胺衍生物之有機E L元件，可在低電壓下，維持高 發光效率及長壽命，即使在高溫下也可產生藍色發光。因 此極適合作爲被要求耐熱性及高溫保存安定性之環境下使 用之有機EL元件，例如搭載於車上之用途。 -83-

Claims (1)

  1. 200421932 Π) 拾、申請專利範圍 1 ·〜種芳香族胺衍生物，其特徵係以下述一般式（1 ) 表示，
    (式中’ Ar1〜Ar2係分別爲取代或非取代之核碳數〜5〇 之縮合之芳基’ Ar3〜Αι·6係分別爲取代或非取代之核碳數 6〜50之芳基，Ar7〜 Ar1()係分別爲取代或非取代之核碳 數6〜50之伸芳基，Ar7與Ar8之取代基可形成環， L爲單鍵、醚鍵、硫醚鍵、取代或非取代之核碳數6 5〇之伸方基、取代基之核碳數5〜50之雜伸芳基、取代 或非取代之碳數1〜50之伸烷基或取代或非取代之碳數2 〜5 0之亞烷基， 但是滿足下述（1 )及/或（2 )之條件， (1 ) Ar3〜Ar6中至少一個爲取代或非取代之核碳數 1〇〜50之縮合之芳基， (2 ) Ar1〜Ar2中至少一個爲取代或非取代之核碳數 12〜50之縮合之芳基）。 2 ·如申請專利範園第1項之芳香族胺衍生物，其係電 -84- (2) (2)200421932 洞注入材料。 3 · ^種有機電致發光元件，其係於陰極及陽極間挾著 由含有發光層之一層或多層所構成之有機薄膜層的有 致發光元件，其特徵係該有機薄膜層之至少一層爲以 II獨或混合物之成分的形態含有如申請專利範圍第1項$ 方香族胺衍生物。 4 ·如申請專利範圍第3項之有機電致發光元件，其ψ 該有機薄膜層具有電洞傳輸帶域，該電洞傳輸帶域爲以胃 獨或混合物之成分的形態含有如申請專利範圍第1項之$ 香族胺衍生物。 5 ·如申請專利範圍第3項之有機電致發光元件，其中 該有機薄膜層具有電洞注入層，該電洞注入層爲以單獨％ 混合物之成分的形態含有如申請專利範圍第1項之芳香方矣 胺衍生物。 6 .如申請專利範圍第3〜5項之有機電致發光元件，其 係產生藍色系發光。 -85- 200421932 柒、指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：無 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明：無
    捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式： Αγί Ar2 N—Ar7-L—Ar8—N Ar Ar丨
    Ar3—N N—ΑΓ Ar" Ar6 (1)
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