KR20050084674A - 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자 - Google Patents

방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자 Download PDF

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치시오 호소가와
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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 아민 유도체, 및 유기 박막층의 1층 이상에 상기 방향족 아민 유도체를 단독으로 또는 혼합물의 성분으로서 함유하고, 저전압으로 높은 발광효율 및 긴 수명을 유지하면서 고온하에서도 청색 발광이 가능한 유기 전기발광 소자에 관한 것이다.
화학식 1
상기 식에서,
Ar1 내지 Ar2는 나프틸기 등이고,
Ar3 내지 Ar6은 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기 등이고,
Ar7 내지 Ar10은 1,4-페닐렌기 등이고,
L은 단일 결합 등이되,
단 (1) Ar3 내지 Ar6 중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 핵탄소수 10 내지 50의 축합된 아릴기이고/이거나,
(2) Ar1 및 Ar2 중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 핵탄소수 12 내지 50의 축합된 아릴기인 조건이다.

Description

방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자{AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT EMPLOYING THE SAME}
본 발명은, 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 저전압으로 높은 발광효율 및 긴 수명을 유지하면서 고온하에서도 청색 발광이 가능한 유기 전기발광 소자, 및 이를 실현하는 방향족 아민 유도체에 관한 것이다.
유기 전기발광(EL) 소자는 전계를 인가함으로써, 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자의 재결합 에너지에 의해 형광성 물질이 발광하는 원리를 이용한 자발광 소자이다. 이스트만 코닥사의 탕(C. W. Tang) 등에 의해 적층형 소자에 의한 저전압 구동 유기 EL 소자가 보고(C. W. Tang 및 S. A. Vanslyke의 문헌 "Applied Physics Letters, 51권, 913 페이지, 1987년" 등)된 이래, 유기 재료를 구성 재료로 하는 유기 EL 소자에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 탕 등은 트리스(8-하이드록시퀴놀린올알루미늄)을 발광층에, 트라이페닐다이아민 유도체를 정공 수송층에 이용하고 있다. 적층 구조의 이점으로서는, 발광층에 대한 정공의 주입 효율을 높이는 점, 음극으로부터 주입된 전자를 차단하여 재결합에 의해 생성되는 여기자의 생성 효율을 높이는 점, 및 발광층내에서 생성한 여기자를 가두는 점 등을 들 수 있다. 이 예와 같이 유기 EL 소자의 소자 구조로서는, 정공 수송(주입)층 및 전자 수송 발광층의 2층형, 또는 정공 수송(주입)층, 발광층 및 전자 수송(주입)층의 3층형 등이 잘 알려져 있다. 이러한 적층형 구조의 소자에서는 주입된 정공과 전자의 재결합 효율을 높이기 위해, 소자 구조나 형성 방법에 대한 고안이 이루어지고 있다.
이러한 유기 EL 소자에 사용되는 정공 주입 재료로서는, 예컨대 일본 특허 공개 제1997-301934호 공보에 고분자량 방향족 아민 화합물이 개시되어 있고, 국제공개 98/30071호 공보에 트라이아릴아민 다량체가 개시되어 있고, 일본 특허 공개 제2000-309566호 공보에 페닐렌다이아민 유도체가 개시되어 있다. 이들 화합물은 어느 것이나 이온화 포텐셜이 작기 때문에, 양극에서 정공이 주입되기 쉽고, 더구나 일본 특허 공개 제1992-308688호 공보에 개시되어 있는 것 같은 스타 버스트(star burst) 아민 유도체 보다도 정공 이동도가 높고 정공 주입 재료로서 적합하였다.
그러나, 이들 정공 주입 재료를 이용한 유기 EL 소자는 내열성이 충분하지 않고, 특히 130℃를 초과하면 청색 발광을 유지할 수 없으며, 내열성이 요구되는 차량 탑재 용도에는 맞지 않았다.
발명의 요약
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 저전압으로 높은 발광효율 및 긴 수명을 유지하면서 고온하에서도 청색 발광이 가능한 유기 전기발광 소자, 및 이를 실현하는 방향족 아민 유도체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 하기 화학식 1로 표시되는 특정 구조를 갖는 신규한 방향족 아민 유도체를 유기 EL 소자용 재료로서, 특히 정공 주입 재료로서 이용하면, 상기 목적을 달성하는 것을 발견하여, 본 발명을 완성되는 데 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 방향족 아민 유도체를 제공하는 것이다.
상기 식에서,
Ar1 내지 Ar2는 각각 치환 또는 비치환된 핵탄소수 10 내지 50의 축합된 아릴기이고,
Ar3 내지 Ar6은 각각 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴기이고,
Ar7 내지 Ar10은 각각 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴렌기이며, Ar7과 Ar8의 치환기가 환을 형성할 수 있고,
L은 단일 결합, 에터 결합, 싸이오에터 결합, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 5 내지 50의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 알킬리덴기이다.
단, (1) 및/또는 (2)의 조건을 만족시킨다.
(1) Ar3 내지 Ar6 중 하나 이상은 치환 또는 비치환된 핵탄소수 10 내지 50의 축합된 아릴기이다.
(2) Ar1 및 Ar2 중 하나 이상은 치환 또는 비치환된 핵탄소수 12 내지 50의 축합된 아릴기이다.
또한, 본 발명은, 음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 한 층 또는 복수층으로 이루어진 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 유기 박막층의 1층 이상이 상기 방향족 아민 유도체를 단독으로 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 유기 EL 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 방향족 아민 유도체는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어진 것이다.
화학식 1에 있어서, Ar1 내지 Ar2는 각각 치환 또는 비치환된 핵탄소수 10 내지 50의 축합된 아릴기이다. 구체적으로는, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기 등을 들 수 있고, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 플루오란텐일기가 바람직하다.
Ar3 내지 Ar6은 각각 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴기이다. 구체적으로는, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐일기, 3-바이페닐일기, 4-바이페닐일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐일기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 플루오란텐일기 등을 들 수 있고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐일기, 3-바이페닐일기, 4-바이페닐일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기가 바람직하다.
Ar7 내지 Ar10은 각각 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴렌기이다. 구체적으로는, 1,4-페닐렌기, 1,4-나프틸렌기, 1,4-안트라센일렌기, 9,10-안트라센일렌기 등을 들 수 있고, 1,4-페닐렌기가 바람직하다.
또한, Ar7과 Ar8의 치환기가 환을 형성할 수 있으며, 예컨대 포화 5원환 등을 들 수 있고, 환을 형성하는 치환기로서는 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 다이페닐메테인-2,2'-다이일기, 다이페닐에테인-3,3'-다이일기, 다이페닐프로페인-4,4'-다이일기 등을 들 수 있다.
L은 단일 결합, 에터 결합, 싸이오에터 결합, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 5 내지 50의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 알킬리덴기이다.
핵탄소수 6 내지 50의 아릴렌기로서는, 예컨대 1,4-페닐렌기, 1,4-나프틸렌기, 1,4-안트라센일렌기, 9,10-안트라센일렌기 등을 들 수 있고, 1,4-페닐렌기, 1,4-나프틸렌기가 바람직하다.
핵탄소수 5 내지 50의 헤테로아릴렌기로서는, 예컨대 피롤린렌기, 퓨란일렌기, 싸이오페닐렌기, 실롤릴렌기, 피리딜렌기, 이미다졸릴렌기, 피리미딜렌기, 카바졸릴렌기, 셀레노페닐렌기, 옥사다이아졸릴렌기, 트라이아졸릴렌기 등을 들 수 있고, 싸이오페닐렌기, 카바졸릴렌기가 바람직하다.
치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기로서는, 예컨대 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 아이소프로필렌기, n-뷰틸렌기, s-뷰틸렌기, 아이소뷰틸렌기, t-뷰틸렌기, n-펜틸렌기, n-헥실렌기, n-헵틸렌기, n-옥틸렌기, 하이드록시메틸렌기, 1-하이드록시에틸렌기, 2-하이드록시에틸렌기, 2-하이드록시아이소뷰틸렌기, 1,2-다이하이드록시에틸렌기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필렌기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필렌기, 클로로메틸렌기, 1-클로로에틸렌기, 2-클로로에틸렌기, 2-클로로아이소뷰틸렌기, 1,2-다이클로로에틸렌기, 1,3-다이클로로아이소프로필렌기, 1,2,3-트라이클로로프로필렌기, 브로모메틸렌기, 1-브로모에틸렌기, 2-브로모에틸렌기, 2-브로모아이소뷰틸렌기, 1,2-다이브로모에틸렌기, 1,3-다이브로모아이소프로필렌기, 1,2,3-트라이브로모프로필렌기, 요오도메틸렌기, 1-요오도에틸렌기, 2-요오도에틸렌기, 2-요오도아이소뷰틸렌기, 1,2-다이요오도에틸렌기, 1,3-다이요오도아이소프로필렌기, 1,2,3-트라이요오도프로필렌기, 아미노메틸렌기, 1-아미노에틸렌기, 2-아미노에틸렌기, 2-아미노뷰틸렌기, 1,2-다이아미노에틸렌기, 1,3-다이아미노아이소프로필렌기, 1,2,3-트라이아미노프로필렌기, 사이아노메틸렌기, 1-사이아노에틸렌기, 2-사이아노에틸렌기, 2-사이아노아이소뷰틸렌기, 1,2-다이사이아노에틸렌기, 1,3-다이사이아노아이소프로필렌기, 1,2,3-트라이사이아노프로필렌기, 나이트로메틸렌기, 1-나이트로에틸렌기, 2-나이트로에틸렌기, 2-나이트로아이소뷰틸렌기, 1,2-다이나이트로에틸렌기, 1,3-다이나이트로아이소프로필렌기, 1,2,3-트라이나이트로프로필렌기, 사이클로프로필렌기, 사이클로뷰틸렌기, 사이클로펜틸렌기, 사이클로헥실렌기, 4-메틸사이클로헥실렌기, 아다만틸렌기, 노보닐렌기 등을 들 수 있고, 메틸렌기가 바람직하다.
탄소수 2 내지 50의 알킬리덴기로서는, 예컨대, 프로필리덴기, 아이소프로필리덴기, 뷰틸리덴기, 펜틸리덴기, 사이클로펜틸리덴기, 사이클로헥실리덴기 등을 들 수 있고, 사이클로헥실리덴기가 바람직하다.
상기 Ar1 내지 A10 및 L의 치환기로서는, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 방향족 헤테로환기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알콕시카복실기, 할로젠원자, 사이아노기, 나이트로기, 하이드록실기 등이다.
치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴기의 예로서는, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐일기, 3-바이페닐일기, 4-바이페닐일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐일기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 플루오란텐일기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 방향족 헤테로환기의 예로는 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 2-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 9-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트린딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1.8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 10-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 10-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 알킬기의 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 요오도메틸기, 1-요오도에틸기, 2-요오도에틸기, 2-요오도아이소뷰틸기, 1,2-다이요오도에틸기, 1,3-다이요오도아이소프로필기, 2,3-다이요오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이요오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 4-메틸사이클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 알콕시기는 -OY로 표시되는 기이며, Y의 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 요오도메틸기, 1-요오도에틸기, 2-요오도에틸기, 2-요오도아이소뷰틸기, 1,2-다이요오도에틸기, 1,3-다이요오도아이소프로필기, 2,3-다이요오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이요오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 아르알킬기의 예로는, 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐아이소프로필기, 2-페닐아이소프로필기, 페닐-t-뷰틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸아이소프로필기, 2-α-나프틸아이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸에틸기, 2-β-나프틸에틸기, 1-β-나프틸아이소프로필기, 2-β-나프틸아이소프로필기, 1-피롤릴메틸기, 2-(1-피롤릴)에틸기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기, m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기, m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-요오도벤질기, m-요오도벤질기, o-요오도벤질기, p-하이드록시벤질기, m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-나이트로벤질기, m-나이트로벤질기, o-나이트로벤질기, p-사이아노벤질기, m-사이아노벤질기, o-사이아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐아이소프로필기, 1-클로로-2-페닐아이소프로필기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 아릴옥시기는 -OY'로 표시되는 기이며, Y'의 예로는 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐일기, 3-바이페닐일기, 4-바이페닐일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐일기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 아릴싸이오기는, -SY"로 표시되는 기이며, Y"의 예로는 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 2-바이페닐일기, 3-바이페닐일기, 4-바이페닐일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-t-뷰틸페닐기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-안트릴기, 4'-메틸바이페닐일기, 4"-t-뷰틸-p-터페닐-4-일기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2.7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸1-인돌릴기, 4-t-뷰틸1-인돌릴기, 2-t-뷰틸3-인돌릴기, 4-t-뷰틸3-인돌릴기 등을 들 수 있다.
치환 또는 비치환된 알콕시카보닐기는 -COOZ로 표시되는 기이며, Z의 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 요오도메틸기, 1-요오도에틸기, 2-요오도에틸기, 2-요오도아이소뷰틸기, 1,2-다이요오도에틸기, 1,3-다이요오도아이소프로필기, 2,3-다이요오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이요오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1.2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기 등을 들 수 있다.
할로젠원자로서는, 불소, 염소, 브롬, 요오드를 들 수 있다.
단, 본 발명의 방향족 아민 유도체는 (1) 및/또는 (2)의 조건을 만족시켜야 한다.
(1) Ar3 내지 Ar6 중 하나 이상은 치환 또는 비치환된 핵탄소수 10 내지 50의 축합된 아릴기이다.
(2) Ar1 및 Ar2 중 하나 이상은 치환 또는 비치환된 핵탄소수 12 내지 50의 축합된 아릴기이다.
이 조건을 만족시킴으로써 방향족 아민 유도체의 구조가 복잡해지기 때문에 분해되기 어려워지고 화합물 자체의 내구성이 향상된다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 방향족 아민 유도체의 구체예를 이하에 나타내지만, 이들 예시 화합물에 한정되는 것이 아니다. 또한, Me는 메틸기, Et는 에틸기, tBu는 t-뷰틸기, iPr는 아이소프로필기를 나타낸다.
다음으로, 본 발명의 유기 EL 소자에 관해 설명한다.
본 발명의 유기 EL 소자는 음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 한 층 또는 복수층으로 이루어진 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 유기 박막층의 1층 이상이 상기 방향족 아민 유도체를 단독으로 또는 혼합물의 성분으로 함유한다.
본 발명의 유기 EL 소자는 상기 유기 박막층이 정공 수송 대역을 갖고, 상기 정공 수송 대역이 본 발명의 방향족 아민 유도체를 단독으로 또는 혼합물의 성분으로 함유하는 것이 바람직하며, 또한 상기 유기 박막층이 정공 주입층을 갖고, 상기 정공 주입층이 본 발명의 방향족 아민 유도체를 단독으로 또는 혼합물의 성분으로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
이하, 본 발명의 유기 EL 소자의 소자 구성에 관해 설명한다.
(1) 유기 EL 소자의 구성
본 발명의 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는,
(1) 양극/발광층/음극
(2) 양극/정공 주입층/발광층/음극
(3) 양극/발광층/전자 주입층/음극
(4) 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극
(5) 양극/유기 반도체층/발광층/음극
(6) 양극/유기 반도체층/전자 장벽층/발광층/음극
(7) 양극/유기 반도체층/발광층/부착 개선층/음극
(8) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극
(9) 양극/절연층/발광층/절연층/음극
(10) 양극/무기 반도체층/절연층/발광층/절연층/음극
(11) 양극/유기 반도체층/절연층/발광층/절연층/음극
(12) 양극/절연층/정공 주입층/정공 수송층/발광층/절연층/음극
(13) 양극/절연층/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극 등의 구조를 들 수 있다.
이들 중에서 보통 (8)의 구성이 바람직하게 사용되지만, 물론 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 방향족 아민 유도체는 유기 EL 소자의 발광 대역 또는 정공 수송 대역에 이용할 수 있고, 바람직하게는 정공 수송 대역, 특히 바람직하게는 정공 수송층에 이용함으로써 저전압으로 높은 발광효율 및 긴 수명을 유지하면서 고온하에서도 청색 발광이 가능한 유기 EL 소자를 얻을 수 있다.
본 발명의 방향족 아민 유도체를 발광 대역 또는 정공 수송 대역에 함유시키는 양으로서는 30 내지 100몰%가 바람직하다.
(2) 투광성 기판
본 발명의 유기 EL 소자는 투광성 기판 상에 제조된다. 여기서 말하는 투광성 기판은 유기 EL 소자를 지지하는 기판이며, 400 내지 700㎚의 가시 영역의 광 투과율이 50% 이상이고 평활한 기판이 바람직하다.
구체적으로는, 유리판, 중합체판 등을 들 수 있다. 유리판으로서는, 특히 소다 석회 유리, 바륨·스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리, 석영 등을 들 수 있다. 또한, 중합체판으로서는, 폴리카보네이트, 아크릴, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에터 설파이드, 폴리설폰 등을 들 수 있다.
(3) 양극
본 발명의 유기 EL 소자의 양극은 정공을 정공 수송층 또는 발광층에 주입하는 기능을 갖는 것이고, 4.5 eV 이상의 일함수를 갖는 것이 효과적이다. 본 발명에 사용되는 양극 재료의 구체예로는 산화 인듐 주석 합금(ITO), 산화 주석(NESA),금, 은, 백금, 구리 등을 들 수 있다.
양극은, 이들 전극 물질을 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법으로 박막을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.
이와 같이 발광층으로부터의 발광을 양극에서 꺼내는 경우, 양극의 발광에 대한 투과율이 10%보다 크게 하는 것이 바람직하다. 또한, 양극의 시트 저항은 수백Ω/□ 이하가 바람직하다. 양극의 막 두께는 재료에 따라 다르지만 보통 10㎚ 내지 1㎛, 바람직하게는 10 내지 200㎚의 범위에서 선택된다.
(4) 발광층
유기 EL 소자의 발광층은 이하 (1) 내지 (3)의 기능을 함께 갖는 것이다.
① 주입 기능: 전계 인가시에 양극 또는 정공 주입층으로부터 정공을 주입할 수 있고, 음극 또는 전자 주입층으로부터 전자를 주입할 수 있는 기능;
② 수송 기능: 주입된 전하(전자와 정공)를 전계의 힘으로 이동시키는 기능;
③ 발광 기능: 전자와 정공의 재결합의 장을 제공하여, 이를 발광에 연결하는 기능.
단, 정공 주입의 용이성과 전자 주입의 용이성 간에 차이가 있을 수 있고, 또한 정공과 전자의 이동도로 표시되는 수송 능력에 대소가 있을 수 있지만, 어느 한 쪽의 전하를 이동시키는 것이 바람직하다.
이 발광층을 형성하는 방법으로서는, 예컨대 증착법, 스핀 코팅법, LB 법 등의 공지된 방법을 적용할 수 있다. 발광층은 특히 분자 퇴적막인 것이 바람직하다. 여기서 분자 퇴적막이란, 기상 상태의 재료 화합물로부터 침착되어 형성된 박막이나, 용액 상태 또는 액상 상태의 재료 화합물로부터 고체화되어 형성된 막을 말하며, 보통 이 분자 퇴적막은 LB법에 의해 형성된 박막(분자 누적막)과는 응집 구조, 고차 구조의 차이나, 이에 기인하는 기능적인 차이에 의해 구분할 수 있다.
또한, 일본 특허 공개 제 1982-51781호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 수지 등의 결착제와 재료 화합물을 용제에 녹여 용액으로 한 후, 이를 스핀 코팅법 등에 의해 박막화함으로써도 발광 매체층을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 본 발명의 목적이 손상되지 않는 범위에서, 원한다면 발광층에 본 발명의 방향족 아민 유도체로 이루어진 발광 재료 이외 다른 공지된 발광 재료를 함유시킬 수도 있고, 또한 본 발명의 방향족 아민 유도체로 이루어진 발광 재료를 포함하는 발광층에 다른 공지된 발광 재료를 포함하는 발광층을 적층할 수도 있다.
(5) 정공 주입·수송층(정공 수송 대역)
정공 주입·수송층은 발광층으로의 정공 주입을 도와 발광 영역까지 수송하는 층으로서, 정공 이동도가 크고 이온화 에너지가 보통 5.5eV 이하로 작다. 이러한 정공 주입·수송층으로서는 보다 낮은 전계 강도로 정공을 발광층에 수송하는 재료가 바람직하고, 정공 이동도가 예컨대 104 내지 106 V/㎝ 전계 인가시에 적어도 10-4 ㎠/V·초이면 바람직하다.
본 발명의 방향족 아민 유도체를 정공 수송 대역에 이용하는 경우, 본 발명의 방향족 아민 유도체를 단독으로 정공 주입, 수송층을 형성할 수도 있고, 다른 재료와 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 방향족 아민 유도체와 혼합하여 정공 주입, 수송층을 형성하는 재료로서는, 상기 바람직한 성질을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않고, 종래 광전도 재료에 있어서 정공의 전하 수송 재료로 관용되는 것이나, 유기 EL 소자의 정공 주입층에 사용되는 공지된 것 중에서 임의의 것을 선택하여 사용할 수 있다.
구체예로서는, 트라이아졸 유도체(미국 특허 제3,112,197호 명세서 등 참조),옥사다이아졸 유도체(미국 특허 제3,189,447호 명세서 등 참조), 이미다졸 유도체(일본 특허 공고 제1962-16096호 공보 등 참조), 폴리아릴알케인 유도체(미국 특허 제 3,615,402호 명세서, 미국 특허 제3,820,989호 명세서, 미국 특허 제3,542,544호 명세서, 일본 특허 공고 제1970-555호 공보, 일본 특허 공고 제1976-10983호 공보, 일본 특허 공개 제1976-93224호 공보, 일본 특허 공개 제1980-17105호 공보, 일본 특허 공개 제1981-4148호 공보, 일본 특허 공개 제1980-108667호 공보, 일본 특허 공개 제1980-156953호 공보, 일본 특허 공개 제1981-36656호 공보 등 참조), 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체(미국 특허 제3,180,729호 명세서, 미국 특허 제4,278,746호 명세서, 일본 특허 공개 제1980-88064호 공보, 일본 특허 공개 제1980-88065호 공보, 일본 특허 공개 제1974-105537호 공보, 일본 특허 공개 제1980-51086호 공보, 일본 특허 공개 제1981-80051호 공보, 일본 특허 공개 제1981-88141호 공보, 일본 특허 공개 제1982-45545호 공보, 일본 특허 공개 제1979-112637호 공보, 일본 특허 공개 제1980-74546호 공보 등 참조), 페닐렌다이아민 유도체(미국 특허 제3,615,404호 명세서, 일본 특허 공고 제1976.-10105호 공보, 일본 특허 공고 제1971-3712호 공보, 일본 특허 공고 제1972-25336호 공보, 일본 특허 공개 제1979-53435호 공보, 일본 특허 공개 제1979-110536호 공보, 일본 특허 공개 제1979-119925호 공보 등 참조), 아릴아민 유도체(미국 특허 제3,567,450호 명세서, 미국 특허 제3,180,703호 명세서, 미국 특허 제3,240,597호 명세서, 미국 특허 제3,658,520호 명세서, 미국 특허 제4,232,103호 명세서, 미국 특허 제4,175,961호 명세서, 미국 특허 제4,012,376호 명세서, 일본 특허 공고 제1974-35702호 공보, 일본 특허 공고 제1964-27577호 공보, 일본 특허 공개 제1980-144250호 공보, 일본 특허 공개 제1981-119132호 공보, 일본 특허 공개 제1981-22437호 공보, 서독 특허 제1,110,518호 명세서 등 참조), 아미노-치환 칼콘 유도체(미국 특허 제3,526,501호 명세서 등 참조), 옥사졸 유도체(미국 특허 제3,257,203호 명세서 등에 개시된 것), 스타이릴안트라센 유도체(일본 특허 공개 제 1981-46234호 공보 등 참조), 플루오레논 유도체(일본 특허 공개 제1979-110837호 공보 등 참조), 하이드라존 유도체(미국 특허 제3,717,462호 명세서, 일본 특허 공개 제1979-59143호 공보, 일본 특허 공개 제1980-52063호 공보, 일본 특허 공개 제1980-52064호 공보, 일본 특허 공개 제1980-46760호 공보, 일본 특허 공개 제1980-85495호 공보, 일본 특허 공개 제1982-11350호 공보, 일본 특허 공개 제1982-148749호 공보, 일본 특허 공개 제1990-311591호 공보 등 참조), 스틸벤 유도체(일본 특허 공개 제1986-210363호 공보, 일본 특허 공개 제1986-228451호 공보, 일본 특허 공개 제1986-14642호 공보, 일본 특허 공개 제1986-72255호 공보, 일본 특허 공개 제1987-47646호 공보, 일본 특허 공개 제1987-36674호 공보, 일본 특허 공개 제1987-10652호 공보, 일본 특허 공개 제1987-30255호 공보, 일본 특허 공개 1985-93455호 공보, 일본 특허 공개 제1985-94462호 공보, 일본 특허 공개 1985-174749호 공보, 일본 특허 공개 제1985-175052호 공보 등 참조), 실라잔 유도체(미국 특허 제4,950,950호 명세서), 폴리실레인계(일본 특허 공개 제1990-204996호 공보), 아닐린계 공중합체(일본 특허 공개 제1990-282263호 공보), 일본 특허 공개 제1989-211399호 공보에 개시되어 있는 도전성 고분자 올리고머(특히 싸이오펜올리고머) 등을 들 수 있다.
정공 주입층의 재료로서는 상기의 것을 사용할 수 있지만, 포르피린 화합물(일본 특허 공개 제1988-2956965호 공보 등에 개시된 것), 방향족 3급 아민 화합물 및 스타이릴 아민 화합물(미국특허 제4,127,412호 명세서, 일본 특허 공개 제1978-27033호 공보, 일본 특허 공개 제1979-58445호 공보, 일본 특허 공개 제1979-149634호 공보, 일본 특허 공개 제1979-64299호 공보, 일본 특허 공개 제1980-79450호 공보, 일본 특허 공개 제1980-144250호 공보, 일본 특허 공개 제1981-119132호 공보, 일본 특허 공개 제1986-295558호 공보, 일본 특허 공개 제1986-98353호 공보, 일본 특허 공개 제1988-295695호 공보 등 참조), 특히 방향족 3급 아민 화합물을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 미국 특허 제5,061,569호에 기재되어 있는 2개의 축합 방향족환을 분자내에 갖는, 예컨대 4,4'-비스(N-(1-나프틸)-N-페닐아미노)바이페닐(이하 NPD로 약기함), 및 일본 특허 공개 제1992-308688호 공보에 기재되어 있는 트라이페닐아민 단위가 3개의 스타 버스트형에 연결된 4,4',4"-트리스(N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노)트라이페닐아민(이하 MTDATA로 약기함) 등을 들 수 있다.
또한, 발광층 재료로서 나타낸 상기 방향족 다이메틸리덴계 화합물 외에 p형 Si, p형 SiC 등의 무기 화합물도 정공 주입층 재료로서 사용할 수 있다.
정공 주입·수송층은 본 발명의 방향족 아민 유도체를, 예컨대 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, LB법 등의 공지된 방법에 의해 박막화함으로써 형성할 수 있다. 정공 주입·수송층으로서의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 보통 5㎚ 내지 5㎛이다. 이 정공 주입·수송층은 정공 수송 대역에 본 발명의 방향족 아민 유도체를 함유하고 있으면, 전술한 재료의 1종 또는 2종 이상으로 이루어진 한 층으로 구성될 수 있으며, 상기 정공 주입·수송층으로는 다른 종류의 화합물로 이루어진 정공 주입·수송층을 적층한 것일 수 있다.
또한, 발광층에의 정공 주입 또는 전자 주입을 돕는 층으로서 유기 반도체층을 설치할 수 있으며, 10-10 S/cm 이상의 도전율을 갖는 것이 적합하다. 이러한 유기 반도체층의 재료로서는 싸이오펜-함유 올리고머 또는 일본 특허 공개 제1996-193191호 공보에 개시되어 있는 아릴아민-함유 올리고머 등의 도전성 올리고머, 아릴아민-함유 덴드리머의 도전성 덴드리머 등을 이용할 수 있다.
(6) 전자 주입층
전자 주입층·수송층은 발광층에의 전자의 주입을 도와 발광 영역까지 수송하는 층으로, 전자 이동도가 크며, 또한 부착 개선층은 이 전자 주입층 중에서 특히 음극과의 부착성이 양호한 재료로 이루어진 층이다. 전자 주입층에 사용되는 재료로서는, 8-하이드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체가 적합하다.
상기 8-하이드록시퀴놀린 또는 그 유도체의 금속 착체의 구체예로서는, 옥신(일반적으로 8-퀴놀리놀 또는 8-하이드록시퀴놀린)의 킬레이트를 포함하는 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물을 들 수 있으며, 예컨대 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄(Alq)을 전자 주입 재료로서 사용할 수 있다.
또한, 옥사다이아졸 유도체로서는 이하의 화학식으로 표시되는 전자 전달 화합물을 들 수 있다.
상기 식에서,
Ar1', Ar2', Ar3', Ar5', Ar6', Ar9'는 각각 치환 또는 비치화된 아릴기이고, 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 또한 Ar4', Ar7', Ar8'는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, 각각 동일하거나 상이할 수 있다.
여기서, 아릴기로서는 페닐기, 바이페닐기, 안트라닐기, 퍼릴렌일기, 피렌일기 등을 들 수 있고, 아릴렌기로서는 페닐렌기, 나프틸렌기, 바이페닐렌기, 안트라센일렌기, 퍼릴레닐렌기, 피렌닐렌기 등을 들 수 있다. 또한, 치환기로서는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 또는 사이아노기 등을 들 수 있다. 상기 전자 전달 화합물은 박막 형성성인 것이 바람직하다.
상기 전자 전달성 화합물의 구체예로는 하기의 것을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 소자는, 전자를 수송하는 영역 또는 음극과 유기 박막층의 계면 영역에 환원성 도펀트를 함유할 수 있다. 여기서, 환원성 도펀트는 전자 수송성 화합물을 환원할 수 있는 물질로 정의된다. 따라서, 일정 환원을 갖는 것이면 다양한 것이 사용되며, 예컨대 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로젠화물, 알칼리 토금속의 산화물, 알칼리 토금속의 할로젠화물, 희토류 금속의 산화물 또는 희토류 금속의 할로젠화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리 토금속의 유기 착체, 희토류 금속의 유기 착체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 적합하게 사용할 수 있다.
바람직한 환원성 도펀트의 구체예로는, Na(일함수: 2.36eV), K(일함수: 2.28 eV), Rb(일함수: 2.16eV) 및 Cs(일함수: 1.95eV)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 알칼리 금속, 또는 Ca(일함수: 2.9eV), Sr(일함수: 2.0 내지 2.5eV) 및 Ba(일함수: 2.52eV)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 알칼리 토금속을 들 수 있는 일함수가 2.9eV 이하인 것이 특히 바람직하다. 이들 중 더욱 바람직한 환원성 도펀트는 K, Rb 및 Cs로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 알칼리 금속이며, 더욱 바람직하게는 Rb 또는 Cs이고, 가장 바람직하게는 Cs이다. 이들 알칼리 금속은, 특히 환원 능력이 높고 전자 주입역에의 비교적 소량의 첨가에 의해 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다. 또한, 일함수가 2.9eV 이하인 환원성 도펀트로서 이들 2종 이상의 알칼리 금속의 조합물이 바람직하며, 특히 Cs를 포함한 조합, 예컨대, Cs와 Na, Cs와 K, Cs와 Rb 또는 Cs, Na 및 K의 조합인 것이 바람직하다. Cs를 조합하여 포함시킴으로써, 환원 능력을 효율적으로 발휘할 수 있고, 전자 주입역에의 첨가에 의해 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다.
본 발명의 유기 EL 소자는 음극과 유기층 사이에 절연체나 반도체로 구성되는 전자 주입층을 추가로 설치할 수 있다. 이에 의해, 전류의 누출을 유효하게 방지하고, 전자 주입성을 향상시킬 수 있다. 이러한 절연체로서는 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리 토금속의 할로젠화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입층이 이들 알칼리 금속 칼코게나이드 등으로 구성되어 있으면, 전자 주입성을 더욱 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 구체적으로, 바람직한 알칼리 금속 칼코게나이드로서는, 예컨대 Li2O, LiO, Na2S, Na2Se 및 NaO를 들 수 있고, 바람직한 알칼리 토금속 칼코게나이드로서는, 예컨대 CaO, BaO, SrO, BeO, BaS 및 CaSe를 들 수 있다. 또한, 바람직한 알칼리 금속의 할로젠화물로서는, 예컨대 LiF, NaF, KF, LiCl, KCl 및 NaCl 등을 들 수 있다. 또한, 바람직한 알칼리 토금속의 할로젠화물로서는, 예컨대 CaF2, BaF2, SrF2, MgF2 및 BeF2와 같은 불화물, 또는 불화물 이외의 할로젠화물을 들 수 있다.
또한, 전자 수송층을 구성하는 반도체로서는, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb 및 Zn의 하나 이상의 원소를 포함하는 산화물, 질화물 또는 산질화물 등의 1종의 단독물 또는 2종 이상의 조합물을 들 수 있다. 또한, 전자 수송층을 구성하는 무기 화합물이 미결정 또는 비정질 절연성 박막인 것이 바람직하다. 전자 수송층이 이들 절연성 박막으로 구성되어 있으면, 보다 균질한 박막이 형성되기 때문에 다크 스팟 등의 화소 결함을 감소시킬 수 있다. 또한, 이러한 무기 화합물로서는 전술한 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리 토금속의 할로젠화물 등을 들 수 있다.
(7) 음극
음극으로서는, 전자 수송층 또는 발광층에 전자를 주입하기 위해, 일함수가 작은 (4eV 이하) 금속, 합금, 전기 도전성 화합물 및 이들의 혼합물을 전극 물질로 한 것이 사용된다. 이러한 전극 물질의 구체예로서는, 나트륨, 나트륨·칼륨 합금, 마그네슘, 리튬, 마그네슘·은 합금, 알루미늄/산화알루미늄, 알루미늄·리튬 합금, 인듐, 희토류 금속 등을 들 수 있다.
이 음극은 이들 전극 물질을 증착이나 스퍼터링 등의 방법에 의해 박막을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.
여기서, 발광층으로부터의 발광을 음극으로부터 꺼내는 경우, 음극의 발광에 대한 투과율은 10%보다 크게 하는 것이 바람직하다.
또한, 음극으로서의 시트 저항은 수백Ω/□ 이하가 바람직하고, 또한 막 두께는 보통 10㎚ 내지 1㎛, 바람직하게는 50 내지 200㎚이다.
(8) 절연층
유기 EL 소자는 초박막에 전계를 인가하기 때문에 누출이나 쇼트에 의한 화소 결함이 발생하기 쉽다. 이를 방지하기 위해 한 쌍의 전극 사이에 절연성 박막층을 삽입하는 것이 바람직하다.
절연층에 사용되는 재료로서는, 예컨대 산화 알루미늄, 불화 리튬, 산화 리튬, 불화 세슘, 산화 세슘, 산화 마그네슘, 불화 마그네슘, 산화 칼슘, 불화 칼슘, 질화 알루미늄, 산화 타이타늄, 산화 규소, 산화 게르마늄, 질화 규소, 질화 붕소, 산화 몰리브덴, 산화 루테늄, 산화 바나듐 등을 들 수 있다. 이들의 혼합물이나 적층물을 사용할 수도 있다.
(9) 유기 EL 소자의 제조방법
이상 예시한 재료 및 형성 방법에 의해 양극, 발광층, 필요에 따라 정공 주입·수송층, 및 필요에 따라 전자 주입·수송층을 형성하고, 추가로 음극을 형성함으로써 유기 EL 소자를 제조할 수 있다. 또한, 음극으로부터 양극으로, 상기와 반대의 순서로 유기 EL 소자를 제조할 수도 있다.
이하, 투광성 기판상에 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극이 순차적으로 구비된 구성의 유기 EL 소자의 제조예를 설명한다.
우선, 적당한 투광성 기판 상에 양극 재료로 이루어진 박막을 1㎛ 이하, 바람직하게는 10 내지 200㎚의 범위의 막 두께가 되도록 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 형성하여 양극으로 한다. 다음으로, 이 양극 상에 정공 주입층을 형성한다. 정공 주입층의 형성은 전술한 바와 같이 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, LB 법 등의 방법에 의해 실행할 수 있지만, 균질한 막이 용이하게 수득되고, 또한 핀홀이 잘 발생하지 않는 등의 면에서 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 진공 증착법에 의해 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 사용하는 화합물(정공 주입층의 재료), 목적으로 하는 정공 주입층의 결정 구조나 재결합 구조 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착원 온도 50 내지 450℃, 진공도 10-7 내지 10-3 torr, 증착 속도 0.01 내지 50nm/초, 기판 온도 -50 내지 300℃, 막 두께 5㎚ 내지 5㎛의 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
다음으로, 정공 주입층 상에 발광층을 설치하는 발광층의 형성도 원하는 유기 발광 재료를 이용하여 진공 증착법, 스퍼터링법, 스핀 코팅법, 캐스팅법 등의 방법에 의해 유기 발광 매체를 박막화함으로써 형성할 수 있지만, 균질한 막이 용이하게 수득되고, 또한 핀홀이 발생하기 어렵다는 등의 면에서 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 진공 증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층과 동일한 조건 범위 중에서 선택할 수 있다.
다음으로, 이 발광층 상에 전자 주입층을 설치한다. 정공 주입층, 발광층과 같이 균질한 막을 얻을 필요에서 진공 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 증착 조건은 정공 주입층, 발광층과 동일한 조건 범위에서 선택할 수 있다.
본 발명의 방향족 아민 유도체는 발광 대역이나 정공 수송 대역 중 어느 하나의 층에 함유시키느냐에 따라 다르지만 진공 증착법을 이용하는 경우 다른 재료와의 공증착을 실시할 수 있다. 또한, 스핀 코팅법을 이용하는 경우는 다른 재료와 혼합함으로써 함유시킬 수 있다.
마지막으로 음극을 적층하여 유기 EL 소자를 얻을 수 있다.
음극은 금속으로 구성된 것으로 증착법 및 스퍼터링을 이용할 수 있다. 그러나, 기저의 유기물층을 제막시의 손상으로부터 지키기 위해서는 진공 증착법이 바람직하다.
이상의 유기 EL 소자의 제조는 1회의 진공 흡인으로 일관되게 양극에서 음극까지 제조하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자의 각 층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 종래 공지된 진공 증착법, 스핀 코팅법 등에 의한 형성 방법을 이용할 수 있다. 본 발명의 유기 EL 소자에 이용하며 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 유기 박막층은, 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE법) 또는 용매에 용해시킨 용액의 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법 등의 도포법에 의한 공지된 방법으로 형성할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 각 유기층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 막 두께가 지나치게 얇으면 핀홀 등의 결함이 생기기 쉽고, 반대로 지나치게 두꺼우면 높은 인가 전압이 필요케 되어 효율이 나빠지기 때문에, 보통 수 ㎚에서 1㎛의 범위가 바람직하다.
한편, 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가하는 경우, 양극을 ＋, 음극을 －의 극성으로 하여 5 내지 40 V의 전압을 인가하면 발광을 관측할 수 있다. 또한, 역의 극성으로 전압을 인가하더라도 전류는 흐르지 않고, 발광은 전혀 생기지 않는다. 또한, 교류 전압을 인가한 경우에는 양극이 ＋, 음극이 －의 극성이 되었을 때만 균일한 발광이 관측된다. 인가하는 교류의 파형은 임의일 수 있다.
다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 어떠한 한정도 되지 않는다.
합성예 1: 2-요오도나프탈렌의 합성
깍인 형상의 마그네슘 14g(도쿄가세이사 제품), 건조 증류한 THF 230㎖를 50℃에서 가열 교반하면서, 소량의 요오드(도쿄가세이사 제품)를 가하여 마그네슘을 활성화한 후, 이 안에 2-브로모나프탈렌 105g(도쿄가세이사 제품)을 건조 증류한 THF 1ℓ에 용해시킨 용액을 1시간 걸쳐 적하했다.
적하 종료 후, 50℃에서 2시간 교반하고, -10℃로 냉각한 후, 250g의 요오드를 소량씩 가하여 실온으로 되돌린 후, 2시간 동안 교반을 지속했다.
이 반응액에 물 100㎖를 가하고, 아세트산에틸로 추출했다. 아세트산에틸 층을 가성소다 수용액으로 추출하고, 물층을 헥세인으로 세정한 후, 염산을 이용하여 산성으로 하고 나서 아세트산에틸로 추출하고, 감압하에 농축한 후, 수득된 점성 액체를 다시 가성소다 수용액에 용해하고, 산으로 침전시켜 82g의 2-요오도나프탈렌을 수득했다.
합성예 2: 9-요오도페난트렌의 합성
깍인 형상의 마그네슘 14g(도쿄가세이사 제품), 건조 증류한 THF 230㎖를 50℃에서 가열 교반하면서, 소량의 요오드(도쿄가세이사 제품)를 가하여 마그네슘을 활성화한 후, 이 안에 9-브로모페난트렌 129g(도쿄가세이사 제품)을 건조 증류한 THF 1ℓ에 용해시킨 용액을 1시간 걸쳐 적하했다.
적하 종료 후, 50℃에서 2시간 교반하고, -10℃로 냉각한 후, 250g의 요오드를 소량씩 가하여 실온으로 되돌린 후, 2시간 동안 교반을 지속했다.
이 반응액에 물 100㎖를 가하고, 아세트산에틸로 추출했다. 아세트산에틸 층을 가성소다 수용액으로 추출하고, 물층을 헥세인으로 세정한 후, 염산을 이용하여 산성으로 하고 나서 아세트산에틸로 추출하고, 감압하에 농축한 후, 수득된 점성 액체를 다시 가성소다 수용액에 용해하고, 산으로 침전시켜 91g의 9-요오도페난트렌을 수득했다.
합성예 3: N,N'-비스(나프토-1-일)-4,4'-벤지딘(A1)의 합성
아르곤 기류하에, N,N'-다이아세틸-4,4'-벤지딘 100g(도쿄가세이사 제품), 1-요오도나프탈렌 282g(도쿄가세이사 제품), 무수 탄산칼륨 204g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과, 건조했다.
이를 에틸렌글라이콜 2ℓ, 물 20㎖에 현탁시키고, 85% 수산화칼륨 수용액 110g을 첨가한 후, 120℃에서 12시간 반응시켰다.
실온까지 방냉한 후, 물 4ℓ에 반응액을 주입하고, 활성탄 처리한 후, 감압 농축하여 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤을 가하여 석출한 결정을 여과하고, 건조한 후, 108g의 N,N'-비스(나프토-1-일)-4,4'-벤지딘(A1)을 수득했다.
합성예 4: N,N'-비스(나프토-2-일)-4,4'-벤지딘(A2)의 합성
아르곤 기류하에, N,N'-다이아세틸-4,4'-벤지딘 100g(도쿄가세이사 제품), 2-요오도나프탈렌 282g, 무수 탄산칼륨 204g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과, 건조했다.
이를 에틸렌글라이콜 2ℓ, 물 20㎖에 현탁시키고, 85% 수산화칼륨 수용액 110g을 첨가한 후, 120℃에서 12시간 반응시켰다.
실온까지 방냉한 후, 물 4ℓ에 반응액을 주입하고, 활성탄 처리한 후, 감압 농축하여 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤을 가하여 석출한 결정을 여과하고, 건조한 후, 104g의 N,N'-비스(나프토-2-일)-4,4'-벤지딘(A2)을 수득했다.
합성예 5: N,N'-비스(페난토-9-일)-4,4'-벤지딘(A3)의 합성
아르곤 기류하에, N,N'-다이아세틸-4,4'-벤지딘 100g(도쿄가세이사 제품), 9-요오도나프탈렌 337g, 무수 탄산칼륨 204g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과, 건조했다.
이를 에틸렌글라이콜 2ℓ, 물 20㎖에 현탁시키고, 85% 수산화칼륨 수용액 110g을 첨가한 후, 120℃에서 12시간 반응시켰다.
실온까지 방냉한 후, 물 4ℓ에 반응액을 주입하고, 활성탄 처리한 후, 감압 농축하고, 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤을 가하여 석출한 결정을 여과하고, 건조한 후, 116g의 N,N'-비스(나프토-9-일)-4,4'-벤지딘(A3)을 수득했다.
합성예 6: 4-브로모다이페닐아민(A4)의 합성
아르곤 기류하에, 아세트아닐라이드 100g(히로시마와코사 제품), 4-브로모요오도벤젠 314g, 무수 탄산칼륨 110g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과, 건조했다.
이를 에틸렌글라이콜 2ℓ, 물 20㎖에 현탁시키고, 85% 수산화칼륨 수용액 110g을 첨가한 후, 120℃에서 12시간 반응시켰다.
실온까지 방냉한 후, 물 4ℓ에 반응액을 주입하고, 활성탄 처리한 후, 감압 농축하여 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤을 가하여 석출한 결정을 여과하고, 건조한 후, 96g의 4-브로모다이페닐아민(A4)을 수득했다.
합성예 7: N-(4-브로모페닐)-N-페닐-1-나프틸아민(B1)의 합성
아르곤 기류하에, N-페닐-1-나프틸아민 259g(도쿄가세이사 제품), 1,4-다이브로모벤젠 279g(도쿄가세이사 제품), 나트륨 t-뷰톡사이드 136g(도쿄가세이사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐 다이클로라이드 17g(도쿄가세이사 제품) 및 자일렌 4.6ℓ를 혼합하고, 130℃에서 12시간 교반했다.
반응액에 물을 첨가하고, 셀라이트 상에서 여과한 후, 톨루엔으로 분액하였다. 유층을 감압 농축하고, 결정을 수득했다. 이를 컬럼 정제한 후, 톨루엔에 용해시키고, 헥세인을 가하여 재침전시키고, 여과한 후, 건조하였더니 135g의 N-(4-브로모페닐)-N-페닐-1-나프틸아민(B1)이 수득되었다.
합성예 8: N-(4-브로모페닐)-N-페닐-2-나프틸아민(B2)의 합성
아르곤 기류하에, N-페닐-2-나프틸아민 259g(도쿄가세이사 제품), 1,4-다이브로모벤젠 279g(도쿄가세이사 제품), 나트륨 t-뷰톡사이드 136g(도쿄가세이사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐 다이클로라이드 17g(도쿄가세이사 제품) 및 자일렌 4.6ℓ를 혼합하고, 130℃에서 12시간 교반했다.
반응액에 물을 첨가하고, 셀라이트 상에서 여과한 후, 톨루엔으로 분액하였다. 유층을 감압 농축하고, 결정을 수득했다. 이를 컬럼 정제한 후, 톨루엔에 용해시키고, 헥세인을 가하여 재침전시키고, 여과한 후, 건조하였더니 145g의 N-(4-브로모페닐)-N-페닐-2-나프틸아민(B2)이 수득되었다.
합성예 9: N-(4-브로모페닐)-N-페닐-9-아미노페난트렌(B3)의 합성
아르곤 기류하에, 4-브로모다이페닐아민(A4) 73g, 9-요오도페난트렌 135g, 나트륨 t-뷰톡사이드 34g(도쿄가세이사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐 다이클로라이드 4g(도쿄가세이사 제품) 및 자일렌 1.5ℓ를 혼합하고, 130℃에서 12시간 교반했다.
반응액에 물을 첨가하고, 셀라이트 상에서 여과한 후, 톨루엔으로 분액하였다. 유층을 감압 농축하고, 결정을 수득했다. 이를 컬럼 정제한 후, 톨루엔에 용해시키고, 헥세인을 가하여 재침전시키고, 여과한 후, 건조하였더니 82g의 N-(4-브로모페닐)-N-페닐-9-아미노페난트렌(B3)이 수득되었다.
합성예 10: N,N-다이(나프토-1-일)-4-브로모아닐린(B4)의 합성
아르곤 기류하에, 4-브로모아닐린 50g(도쿄가세이사 제품), 1-요오도나프탈렌 221g(도쿄가세이사 제품), 나트륨 t-뷰톡사이드 84g(도쿄가세이사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐 다이클로라이드 11g(도쿄가세이사 제품) 및 자일렌 4.5ℓ를 혼합하고, 130℃에서 12시간 교반했다.
반응액에 물을 첨가하고, 셀라이트 상에서 여과한 후, 톨루엔으로 분액하였다. 유층을 감압 농축하고, 결정을 수득했다. 이를 컬럼 정제한 후, 톨루엔에 용해시키고, 헥세인을 가하여 재침전시키고, 여과한 후, 건조하였더니 90g의 N,N-다이(나프토-1-일)-4-브로모아닐린(B4)이 수득되었다.
합성예 11: N,N-다이(나프토-2-일)-4-브로모아닐린(B5)의 합성
아르곤 기류하에, 4-브로모아닐린 50g(도쿄가세이사 제품), 2-요오도나프탈렌 221g(도쿄가세이사 제품), 나트륨 t-뷰톡사이드 84g(도쿄가세이사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐 다이클로라이드 11g(도쿄가세이사 제품) 및 자일렌 4.5ℓ를 혼합하고, 130℃에서 12시간 교반했다.
반응액에 물을 첨가하고, 셀라이트 상에서 여과한 후, 톨루엔으로 분액하였다. 유층을 감압 농축하고, 결정을 수득했다. 이를 컬럼 정제한 후, 톨루엔에 용해시키고, 헥세인을 가하여 재침전시키고, 여과한 후, 건조하였더니 84g의 N,N-다이(나프토-2-일)-4-브로모아닐린(B5)이 수득되었다.
합성예 12: N,N-다이(페난토-9-일)-4-브로모아닐린(B6)의 합성
아르곤 기류하에, 4-브로모아닐린 50g(도쿄가세이사 제품), 9-요오도나프탈렌 265g(도쿄가세이사 제품), 나트륨 t-뷰톡사이드 84g(도쿄가세이사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐 다이클로라이드 11g(도쿄가세이사 제품) 및 자일렌 4.5ℓ를 혼합하고, 130℃에서 12시간 교반했다.
반응액에 물을 첨가하고, 셀라이트 상에서 여과한 후, 톨루엔으로 분액하였다. 유층을 감압 농축하고, 결정을 수득했다. 이를 컬럼 정제한 후, 톨루엔에 용해시키고, 헥세인을 가하여 재침전시키고, 여과한 후, 건조하였더니 101g의 N,N-다이(나프토-9-일)-4-브로모아닐린(B6)이 수득되었다.
합성예 13: N-(4-브로모페닐)-N-(나프토-2-일)-1-나프틸아민(B7)의 합성
아르곤 기류하에, 2-아미노나프탈렌 100g(알드리치사 제품), 1-요오도나프탈렌 210g(도쿄가세이사 제품), 무수 탄산칼륨 204g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과하고, 이를 컬럼 정제했다.
아르곤 기류하에, 수득된 분말, 4-브로모요오도벤젠 200g(도쿄가세이사 제품), 무수 탄산칼륨 204g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과하고, 이를 컬럼 정제하고, 톨루엔에 용해시키고, 헥세인을 가하여 재침전시켜 여과한 후, 건조하였더니 68g의 N-(4-브로모페닐)-N-(나프토-2-일)-1-나프틸아민(B7)이 수득되었다.
합성예 14: N-(4-브로모페닐)-N-(페난토-9-일)-1-나프틸아민(B8)의 합성
아르곤 기류하에, 1-아미노나프탈렌 100g(알드리치사 제품), 9-요오도페난트렌 255g, 무수 탄산칼륨 204g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과하고, 이를 컬럼 정제하였다.
아르곤 기류하에, 수득된 분말, 4-브로모요오도벤젠 200g(도쿄가세이사 제품), 무수 탄산칼륨 204g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과하고, 이를 컬럼 정제하고, 톨루엔에 용해시키고, 헥세인을 가하여 재침전시켜 여과한 후, 건조하였더니 64g의 N-(4-브로모페닐)-N-(페난토-9-일)-1-나프틸아민(B8)이 수득되었다.
합성예 15: (N-(4-브로모페닐)-N-(페난토-9-일)-2-나프틸아민(B9)의 합성
아르곤 기류하에, 2-아미노나프탈렌 100g(알드리치사 제품), 9-요오도페난트렌 255g, 무수 탄산칼륨 204g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과하고, 이를 컬럼 정제하였다.
아르곤 기류하에, 수득된 분말, 4-브로모요오도벤젠 200g(도쿄가세이사 제품), 무수 탄산칼륨 204g(도쿄가세이사 제품), 구리 가루 4.7g(히로시마와코사 제품) 및 데카린 750㎖를 넣고, 190℃에서 3일간 반응시켰다.
냉각 후, 톨루엔 2ℓ를 가하여 불용분을 여과했다. 여과한 것을 클로로폼 4.5ℓ에 용해하고, 불용분을 여과하여 제거한 후, 활성탄 처리하고, 감압 농축했다. 농축 도중 슬러리 형상으로 되었을 때 아세톤 3ℓ를 가하여 석출한 결정을 여과하고, 이를 컬럼 정제하고, 톨루엔에 용해시키고, 헥세인을 가하여 재침전시켜 여과한 후, 건조하였더니 66g의 N-(4-브로모페닐)-N-(페난토-9-일)-2-나프틸아민(B9)이 수득되었다.
합성예 16: 4-브로모트라이페닐아민(B10)의 합성
트라이페닐아민 20g(도쿄가세이사 제품)의 클로로폼 용액에 브롬 15g(히로시마와코사 제품)과 클로로폼 100㎖의 용액을 0℃에서 15분에 걸쳐 적하했다. 그 후 실온에서 30분간 교반했다.
반응액을 물 500㎖, 포화 중탄산나트륨 수용액 500㎖, 싸이오황산나트륨 수용액 500㎖ 및 물 500㎖로 순차적으로 세정하고, 무수 황산마그네슘으로 건조한 후, 감압 농축했다. 조생성물을 재결정화하여 19g의 4-브로모트라이페닐아민(B10)을 수득했다.
실시예 1: 화합물(H1)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A1) 10g, 화합물(B1) 21g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 16g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS(Field Desorption Mass Spectrum)를 측정하였더니 C76H54N4=1022에 대해 m/z=1023의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H1)임을 확인하였다.
실시예 2: 화합물(H2)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A1) 10g, 화합물(B4) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 18g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H2)임을 확인하였다.
실시예 3: 화합물(H3)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A1) 10g, 화합물(B2) 21g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 18g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C78H54N4=1022에 대해 m/z=1023의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H3)임을 확인하였다.
실시예 4: 화합물(H4)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A1) 10g, 화합물(B7) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 18g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H4)임을 확인하였다.
실시예 5: 화합물(H5)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A1) 10g, 화합물(B5) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 15g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H5)임을 확인하였다.
실시예 6: 화합물(H6)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A1) 10g, 화합물(B3) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 16g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H6)임을 확인하였다.
실시예 7: 화합물(H7)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A1) 10g, 화합물(B8) 27g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 17g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C92H62N4=1222에 대해 m/z=1223의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H7)임을 확인하였다.
실시예 8: 화합물(H8)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A1) 10g, 화합물(B9) 27g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 19g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C92H62N4=1222에 대해 m/z=1223의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H8)임을 확인하였다.
실시예 9: 화합물(H9)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A1) 10g, 화합물(B6) 30g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 14g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C100H66N4=1322에 대해 m/z=1323의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H9)임을 확인하였다.
실시예 10: 화합물(H10)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A2) 10g, 화합물(B1) 21g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 20g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C76H54N4=1022에 대해 m/z=1023의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H10)임을 확인하였다.
실시예 11: 화합물(H11)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A2) 10g, 화합물(B4) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 17g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H11)임을 확인하였다.
실시예 12: 화합물(H12)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A2) 10g, 화합물(B2) 21g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 19g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C78H54N4=1022에 대해 m/z=1023의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H12)임을 확인하였다.
실시예 13: 화합물(H13)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A2) 10g, 화합물(B7) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 21g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H13)임을 확인하였다.
실시예 14: 화합물(H14)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A2) 10g, 화합물(B5) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 18g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H14)임을 확인하였다.
실시예 15: 화합물(H15)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A2) 10g, 화합물(B3) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 17g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H15)임을 확인하였다.
실시예 16: 화합물(H16)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A2) 10g, 화합물(B8) 27g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 17g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C92H62N4=1222에 대해 m/z=1223의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H16)임을 확인하였다.
실시예 17: 화합물(H17)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A2) 10g, 화합물(B9) 27g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 16g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C92H62N4=1222에 대해 m/z=1223의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H17)임을 확인하였다.
실시예 18: 화합물(H18)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A2) 10g, 화합물(B6) 30g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 19g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C100H66N4=1322에 대해 m/z=1323의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H18)임을 확인하였다.
실시예 19: 화합물(H19)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B1) 21g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 17g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H19)임을 확인하였다.
실시예 20: 화합물(H20)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B4) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 22g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C92H62N4=1222에 대해 m/z=1223의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H20)임을 확인하였다.
실시예 21: 화합물(H21)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B2) 21g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 20g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C84H58N4=1122에 대해 m/z=1123의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H21)임을 확인하였다.
실시예 22: 화합물(H22)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B7) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 18g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C92H62N4=1222에 대해 m/z=1223의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H22)임을 확인하였다.
실시예 23: 화합물(H23)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B5) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 17g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C92H62N4=1222에 대해 m/z=1223의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H23)임을 확인하였다.
실시예 24: 화합물(H24)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B3) 24g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 16g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C92H62N4=1222에 대해 m/z=1223의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H24)임을 확인하였다.
실시예 25: 화합물(H25)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B8) 27g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 17g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C100H66N4=1322에 대해 m/z=1323의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H25)임을 확인하였다.
실시예 26: 화합물(H26)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B9) 27g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 21g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C100H66N4=1322에 대해 m/z=1323의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H26)임을 확인하였다.
실시예 27: 화합물(H27)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B6) 30g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 14g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C108H70N4=1422에 대해 m/z=1423의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H27)임을 확인하였다.
실시예 28: 화합물(H28)의 합성
아르곤 기류하에, 화합물(A3) 10g, 화합물(B10) 20g, t-뷰톡시나트륨 6g(히로시마와코사 제품), 비스(트라이페닐포스핀)염화팔라듐(II) 1g(도쿄가세이사 제품) 및자일렌 500㎖를 넣고, 130℃에서 24시간 반응시켰다.
냉각 후, 물 1000㎖를 가하고, 혼합물을 셀라이트 상에서 여과하고, 여액을 톨루엔으로 추출하고, 무수 황산마그네슘으로 건조시켰다. 이를 감압하에 농축하고, 수득된 조생성물을 컬럼 정제하고, 톨루엔으로 재결정화하고, 여과한 후, 건조하였더니 19g의 담황색 분말이 수득되었다.
수득된 분말에 대하여 FD-MS를 측정하였더니 C76H54N4=1022에 대해 m/z=1023의 피크가 수득된 것으로부터 이것이 목적 화합물(H28)임을 확인하였다.
실시예 29: 유기 EL 소자의 제조
25㎜×75㎜×1.1㎜ 두께의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(디오메틱사 제품)을 아이소프로필 알코올 중에서 초음파 세정을 5분간 실시한 후, UV 오존 세정을 30분간 실시했다.
세정 후의 투명 전극 라인 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면상에 상기 투명 전극을 덮도록 정공 주입 재료로서 상기 화합물(H1)을 막 두께 60㎚로 성막했다. 이 막(H1)은 정공 주입층으로서 기능한다.
막(H1) 상에 막 두께 20㎚의 하기 N,N,N',N'-테트라(4-바이페닐)-다이아미노바이페닐렌막(이하, TBDB 막)을 성막했다. 이 막은 정공 수송층으로서 기능한다.
또한, TBDB 막 상에 막 두께 40㎚의 EM1을 증착하여 성막했다. 동시에 발광분자로서 하기 스타이릴기를 갖는 아민 화합물(D1)을 EM1과 D1의 중량비가 40:2가 되도록 증착했다. 이 막은 발광층으로서 기능한다.
이 막 상에 막 두께 10㎚의 하기 Alq 막을 성막했다. 이는 전자 주입층으로서 기능한다. 그 다음, 환원성 도펀트인 Li(Li원: 사에스게터(Saesgetter)사 제품)와 Alq를 2원 증착시켜 전자 주입층(음극)으로서 Alq:Li 막(막 두께10 ㎚)을 형성했다. 이 Alq:Li 막상에 금속 Al을 증착시켜 금속 음극을 형성하여 유기 EL 소자를 제조했다.
수득된 유기 EL 소자에 대하여, 1mA/㎠의 전류를 흘렸을 때의 전압과 발광효율을 측정하고, 초기 휘도 1000nit, 실온, DC 정전류 구동에서의 발광의 반감수명을 측정한 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 보존 온도 130℃에서 100시간 보존한 후 전류를 통했을 때 발광면의 발광 상태를 관찰한 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 30 내지 56: 유기 EL 소자의 제조
실시예 29에 있어서, 화합물(H1) 대신 상기 화합물(H2 내지 H28)을 각각 이용한 것 외에는 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제조하고, 동일하게 하여 발광효율 및 반감수명을 측정하고, 고온 보존후의 발광면의 발광 상태를 관찰했다. 그들의 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예 1 내지 3: 유기 EL 소자의 제조
실시예 29에 있어서, 화합물(H1) 대신 하기 화합물(H'1 내지 H'3)을 각각 이용한 것 외에는 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제조하고, 동일하게 하여 발광효율 및 반감수명을 측정하고, 고온 보존후의 발광면의 발광 상태를 관찰했다. 그들의 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1로부터 실시예 29 내지 56의 본 발명의 방향족 아민을 정공 주입 재료로 이용한 소자는 저전압으로 높은 발광효율 및 긴 수명을 유지하면서 고온 보존 안정성이 우수했다. 이에 반해, 비교예 1 내지 3의 소자의 유기 EL 소자는 내열성이 뒤떨어지기 때문에 원래의 청색 발광이 얻어지지 않고 불균일한 발광을 발생하거나 다른 발광 성분이 혼입되어 발광색이 장파장화되었다.
이상, 구체적으로 설명한 바와 같이, 본 발명의 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 EL 소자는 저전압으로 높은 발광효율 및 긴 수명을 유지하면서 고온하에서도 청색 발광이 가능하였다. 따라서, 내열성 및 고온 보존 안정성이 요구되는 환경에서 이용하는 유기 EL 소자, 예컨대 차량 탑재용 소자로 매우 유용하다.

Claims (6)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 아민 유도체.
    화학식 1
    상기 식에서,
    Ar1 내지 Ar2는 각각 치환 또는 비치환된 핵탄소수 10 내지 50의 축합된 아릴기이고,
    Ar3 내지 Ar6은 각각 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴기이고,
    Ar7 내지 Ar10은 각각 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴렌기이며, Ar7과 Ar8의 치환기가 환을 형성할 수 있고,
    L은 단일 결합, 에터 결합, 싸이오에터 결합, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 핵탄소수 5 내지 50의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 알킬리덴기이되,
    단, (1) Ar3 내지 Ar6 중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 핵탄소수 10 내지 50의 축합된 아릴기이고/이거나,
    (2) Ar1 및 Ar2 중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 핵탄소수 12 내지 50의 축합된 아릴기이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    정공 주입 재료인 방향족 아민 유도체.
  3. 음극과 양극 사이에 적어도 발광층을 포함하는 1층 또는 복수층으로 이루어진 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서,
    상기 유기 박막층의 1층 이상이 제 1 항에 따른 방향족 아민 유도체를 단독으로 또는 혼합물의 성분으로서 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 유기 박막층이 정공 수송 대역을 갖고, 상기 정공 수송 대역이 제 1 항에 따른 방향족 아민 유도체를 단독으로 또는 혼합물의 성분으로 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 유기 박막층이 정공 주입층을 갖고, 상기 정공 주입층이 제 1 항에 따른 방향족 아민 유도체를 단독으로 또는 혼합물의 성분으로 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자.
  6. 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    청색계 발광을 하는 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자.
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