JP2004134442A - Ｔａｂ用テープキャリア - Google Patents
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Abstract
【課題】ＴＡＢ用テープキャリアにおいて、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることができながら、軽量化、薄型化を図りつつ、高密度配線を実現することのできるＴＡＢ用テープキャリアを提供すること。
【解決手段】ＴＡＢ用テープキャリア１の絶縁層２の表面に、各インナリード９のピッチＩＰが６０μｍ以下に設定されている導体パターン７を形成し、その裏面に、ステンレス箔からなる補強層４を、絶縁層２の幅方向両側縁部において長手方向に沿って形成する。これによって、絶縁層２を薄く形成できながら、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させ、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターン７における各インナリード９のピッチが６０μｍ以下となる高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。
【選択図】 図５
【解決手段】ＴＡＢ用テープキャリア１の絶縁層２の表面に、各インナリード９のピッチＩＰが６０μｍ以下に設定されている導体パターン７を形成し、その裏面に、ステンレス箔からなる補強層４を、絶縁層２の幅方向両側縁部において長手方向に沿って形成する。これによって、絶縁層２を薄く形成できながら、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させ、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターン７における各インナリード９のピッチが６０μｍ以下となる高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。
【選択図】 図５
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＡＢ用テープキャリア、詳しくは、ＴＡＢ法によって、電子部品を実装するためのＴＡＢ用テープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＡＢ用テープキャリアは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法によって、半導体素子などからなる電子部品を実装するために広く用いられている。
【０００３】
このようなＴＡＢ用テープキャリアは、近年、電子機器の軽量化、薄型化および小型化の要求に伴って、軽薄短小化がますます要求されている。
【０００４】
一方、このようなＴＡＢ用テープキャリアは、通常、その幅方向両端部において長手方向に沿って形成される送り孔に、スプロケットを噛み合わせて、所定のテンションが加わる状態で搬送されるため、過度に薄く形成すると、搬送時に、送り孔が破損したり、電子部品の実装時およびボンディング時に位置ずれを生じる。
【０００５】
そのため、例えば、特開平５−２９３９４号公報、特開２０００−３３２０６２号公報、特開２０００−３４０６１７号公報などでは、導体パターンが形成される絶縁フィルムの裏面に、銅箔を設けて補強することが提案されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−２９３９４号公報
【特許文献２】
特開２０００−３３２０６２号公報
【特許文献３】
特開２０００−３４０６１７号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年、軽薄短小化の要求、および、導体パターンの微細化や高密度化の要求がより一層高まっており、そのような要求に対応するためには、銅箔による補強効果では十分でなく、より一層、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることが必要となってきている。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、ＴＡＢ用テープキャリアにおいて、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることができながら、軽量化、薄型化を図りつつ、高密度配線を実現することのできるＴＡＢ用テープキャリアを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のＴＡＢ用テープキャリアは、絶縁層の表面には、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線からなる導体パターンが形成されており、前記絶縁層の裏面には、その幅方向両側縁部において、前記絶縁層の長手方向に沿ってステンレス箔からなる補強層が形成されており、前記各配線のピッチが、６０μｍ以下であることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアでは、前記絶縁層の厚みを、５０μｍ以下として形成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。
【００１１】
図１において、このＴＡＢ用テープキャリア１は、長手方向に連続して延びるテープ状の絶縁層２に、電子部品（図示せず。）を実装するための実装部３と、絶縁層２を補強するための補強層４（図３参照）と、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部５とを備えている。
【００１２】
実装部３は、絶縁層２において、絶縁層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ、以下、単に長手方向という場合がある。）において、互いに所定間隔を隔てて連続するように、複数設けられている。各実装部３は、図２に示すように、略矩形状をなし、その中央が電子部品（図示せず。）を実装（載置）するための略矩形状の実装エリア６とされている。また、実装エリア６の長手方向両側には、導体パターン７がそれぞれ形成されている。
【００１３】
この導体パターン７は、絶縁層２の表面に形成されており、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線８からなり、各配線８は、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１を連続して一体的に備えている。
【００１４】
各インナリード９は、実装エリア６内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向（長手方向と直交する方向、以下、単に幅方向という場合がある。）において並列するように配置されている。各インナリード９のピッチ（すなわち、１つのインナリード９の幅と、２つのインナリード９間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰが、６０μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下で、通常、１０μｍ以上に設定されている。このように、各インナリード９のピッチＩＰを、６０μｍ以下に設定することにより、高密度配線を実現することができる。なお、このＴＡＢ用テープキャリア１では、後述するように、補強層４として腰の強いステンレス箔が用いられているので、このような高密度配線が可能とされている。
【００１５】
また、各インナリード９の幅は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍ、２つのインナリード９間の幅（間隔）は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍに設定されている。
【００１６】
各アウタリード１０は、実装部３における長手方向両端部に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔てて幅方向において並列するように配置されている。各アウタリード１０のピッチ（すなわち、１つのアウタリード１０の幅と、２つのアウタリード１０間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード１０のピッチＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、広幅に設定されていてもよく、また、各インナリード９のピッチＩＰと実質的に同幅で設定されていてもよい。
【００１７】
各中継リード１１は、各インナリード９と各アウタリード１０とが連続するように、各インナリード９と各アウタリード１０とを中継しており、ピッチの狭い各インナリード９側からピッチの広い各アウタリード１０側に向かって、長手方向において、放射状に広がるように配置されている。
【００１８】
また、各中継リード１１が配置されるエリアには、ソルダレジストなどの絶縁層１２が設けられている。すなわち、ソルダレジストなどの絶縁層１２は、実装エリア６を囲むようにして、略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード１１を覆うように設けられている。
【００１９】
なお、インナリード９およびアウタリード１０は、後述するように、ニッケルめっき層や金めっき層によって適宜被覆されていることが好ましい。
【００２０】
補強層４は、図３に示すように、絶縁層２の裏面において、絶縁層２における各実装部３が形成される位置が開口部１８となるような、各実装部３との対向位置を除くすべてのエリアに設けられている。より具体的には、補強層４は、ステンレス箔からなり、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って連続して設けられる搬送部補強部１３と、長手方向において互いに所定間隔を隔てて配置される各実装部３の間において、幅方向に沿って設けられる実装部間補強部１４とが一体的に連続して形成されている。搬送部補強部１３を形成することで、搬送時の強度の向上を図ることができる。また、実装部間補強部１４を形成することで、実装時などの取り扱い性の向上を図ることができる。
【００２１】
なお、各搬送部補強部１３の幅方向長さＬ１は、例えば、５〜１５ｍｍ、好ましくは、５〜１０ｍｍに設定され、実装部間補強部１４の長手方向長さＬ２が、例えば、１〜１０ｍｍ、好ましくは、１〜５ｍｍに設定されている。
【００２２】
搬送部５は、図１に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。各搬送部５には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどと噛み合わせるための複数の送り孔１５が、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。各送り孔１５は、ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向において、等間隔毎に、ＴＡＢ用テープキャリア１を貫通する（絶縁層２および補強層４を貫通する）ように、略矩形状に穿孔形成されている。
【００２３】
なお、各送り孔１５は、例えば、１．９８１×１．９８１ｍｍ角孔に穿孔され、各送り孔１５の間隔は、例えば、４．７５ｍｍに設定されている。
【００２４】
次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法を、図４および図５を参照して説明する。
【００２５】
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、補強層４を用意する。補強層４には、ステンレス箔が用いられる。なお、ステンレスには、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７など種々の種類があるが、いずれのステンレスも、特に制限されることなく用いることができる。また、その厚さが、３〜１００μｍ、さらには、５〜３０μｍ、とりわけ、８〜２０μｍのものが好ましく用いられる。このようなステンレス箔は、実際には、その幅が、１００〜１０００ｍｍ、好ましくは、１５０〜４００ｍｍ程度の長尺なテープ状のものが用意される。
【００２６】
なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１の形態について示しているが、通常は、ステンレス箔の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。
【００２７】
例えば、幅２５０ｍｍのステンレス箔では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列、幅３００ｍｍのステンレス箔では、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製することができる。
【００２８】
次いで、図４（ｂ）に示すように、その補強層４の上に絶縁層２を形成する。絶縁層２を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２９】
そして、補強層４の上に絶縁層２を形成するには、例えば、樹脂溶液を補強層４の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させればよい。樹脂溶液は、上記した樹脂を、有機溶媒などに溶解することによって調製することができる。樹脂溶液としては、例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸樹脂の溶液などが用いられる。また、樹脂の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の塗布方法を、適宜用いることができる。そして、適宜加熱することによって乾燥させた後、例えば、２００〜６００℃で加熱硬化させることにより、補強層４の上に、可撓性を有する樹脂フィルムからなる絶縁層２が形成される。
【００３０】
また、絶縁層２は、予めフィルム状に形成された樹脂フィルムを、接着剤を介して補強層４に貼着することによって、形成することもできる。
【００３１】
さらに、絶縁層２は、例えば、感光性ポリアミック酸樹脂などの感光性樹脂の溶液を、補強層４の上に塗布し、露光および現像することにより、所定のパターンとして形成することもできる。
【００３２】
このようにして形成される絶縁層２の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、１５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。なお、このＴＡＢ用テープキャリア１では、補強層４として腰の強いステンレス箔が用いられているので、絶縁層４の厚みを、このように薄く形成することができる。
【００３３】
次いで、この方法では、この絶縁層２の表面に、導体パターン７を、上記した配線回路パターンとして形成する。導体パターン７を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン７の形成は、特に制限されることなく、絶縁層２の表面に、導体パターン７を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、上記した配線回路パターンとして形成すればよい。
【００３４】
サブトラクティブ法では、まず、絶縁層２の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、上記した配線回路パターンに対応するエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去すればよい。
【００３５】
また、アディティブ法では、まず、絶縁層２の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成して、次いで、絶縁層２におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成し、その後に、めっきレジストを除去するようにすればよい。
【００３６】
また、セミアディティブ法では、まず、絶縁層２の上に下地となる導体の薄膜を形成して、次いで、この下地の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた下地を除去するようにすればよい。
【００３７】
これらのパターンニング法のうちでは、図４（ｃ）〜図５（ｈ）に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いられる。
【００３８】
すなわち、セミアディティブ法では、まず、図４（ｃ）に示すように、絶縁層２の全面に、下地１６となる導体の薄膜を形成する。下地１６の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、下地１６となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、絶縁層２の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成することが好ましい。なお、下地１６の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように設定することが好ましい。
【００３９】
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、上記した複数の送り孔１５を、補強層４、絶縁層２および下地１６の厚さ方向を貫通するように穿孔形成する。送り孔１５の穿孔形成は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の加工方法を用いることができ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。
【００４０】
そして、この方法では、図５（ｅ）に示すように、下地１６の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンのめっきレジスト１７を形成する。めっきレジスト１７は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成すればよい。なお、このめっきレジスト１７は、補強層４の全面にも形成する。
【００４１】
次いで、図５（ｆ）に示すように、下地１６におけるめっきレジスト１７が形成されていない部分に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電解銅めっきが好ましく用いられる。
【００４２】
そして、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト１７を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図５（ｈ）に示すように、めっきレジスト１７が形成されていた下地１６を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。これによって、絶縁層２の上に、導体パターン７が、上記したように、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１が連続して一体的に形成される配線８の配線回路パターンとして形成される。
【００４３】
このようにして形成される導体パターン７の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。
【００４４】
次いで、図示しないが、ソルダレジストなどの絶縁層１２を、各配線８の中継リード１１が被覆されるように、実装エリア６を囲むようにして形成した後、各配線８における露出部分、すなわち、インナリード９およびアウタリード１０を、ニッケルめっき層および金めっき層によって被覆する。絶縁層１２の形成は、例えば、感光性のソルダレジストを用いて、上記したパターンとして形成すればよい。また、ニッケルめっき層および金めっき層は、それぞれ、ニッケルめっきおよび金めっきにより形成すればよい。
【００４５】
そして、図５（ｉ）に示すように、補強層４における実装部３と重なる位置に、開口部１８を形成することによって、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。
【００４６】
なお、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする場合は、ＴＡＢ用テープキャリア１間のスリット部の補強層４は、開口部１８と同様に除去しておくことが好ましい。
【００４７】
補強層４に開口部１８を形成するには、補強層４における実装部３に対向する部分を、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、ウエットエッチング（化学エッチング）などの公知の方法によって、開口形成すればよい。例えば、エッチングするには、開口部１８以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などの公知のエッチング液を用いて、エッチングした後、エッチングレジストを除去すればよい。その後、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を作製している場合は、１列ごとにスリットする。
【００４８】
このようにして得られるＴＡＢ用テープキャリア１は、絶縁層２の裏面に、銅箔よりも腰の強いステンレス箔からなる補強層４が形成されているので、絶縁層２を薄く形成することができながら、搬送時、実装時およびボンディング時において、ＴＡＢ用テープキャリア１の強度を十分に補強することができる。そのため、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることができ、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターン７における各インナリード９のピッチが６０μｍ以下となる高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。
【００４９】
なお、以上の説明では、補強層４を、絶縁層２の裏面において、各実装部３との対向位置を除くすべてのエリアに設けたが、補強層４を設ける位置は、特に限定されず、その目的および用途において、適宜選択することができる。例えば、各実装部３との対向位置に設ければ、熱放散性を向上させることができる。
【００５０】
【実施例】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００５１】
実施例１
厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４、幅２５０ｍｍ）を補強層として用意し（図４（ａ）参照）、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、加熱硬化させることにより、厚さ１２μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成した（図４（ｂ）参照）。次いで、絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚さ２０００Åの下地を形成した（図４（ｃ）参照）。
【００５２】
なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリアの形態について示しているが、この実施例１では、幅２５０ｍｍのステンレス箔上に幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを４列同時に作製した。
【００５３】
その後、送り孔を、補強層、絶縁層および下地の厚さ方向を貫通させるようにして、パンチング加工により穿孔形成した後（図４（ｄ）参照）、めっきレジストを、下地の表面に所定のパターンとして形成するとともに、補強層の全面に形成した（図５（ｅ）参照）。
【００５４】
次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、下地におけるめっきレジストが形成されていない部分に、２．５Ａ／ｄｍ２で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体パターンを形成した（図５（ｆ）参照）。
【００５５】
なお、この導体パターンは、互いに所定間隔を隔てて配置され、インナリード、アウタリードおよび中継リードが連続して一体的に形成される複数の配線のパターンとして形成された。また、インナリードのピッチが３０μｍ、アウタリードのピッチが１００μｍであった。
【００５６】
次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図５（ｇ）参照）、めっきレジストが形成されていた下地を、同じく、化学エッチングにより除去した。（図５（ｈ）参照）。
【００５７】
その後、感光性ソルダレジストを、各配線の中継リードが被覆されるように、実装エリアを囲むようにして形成した後、インナリードおよびアウタリードを、ニッケルめっきおよび金めっきすることにより被覆した。
【００５８】
そして、補強層における実装部と重なる位置以外を、エッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液を用いて、補強層をエッチングすることにより開口部およびＴＡＢ用テープキャリア間のスリット部を形成し、その後、エッチングレジストを除去し、スリットすることにより、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００５９】
比較例１
厚さ２０μｍの銅箔を補強層として用いた以外は、実施例１と同様の操作により、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００６０】
評価
実施例１および比較例１で得られたＴＡＢ用テープキャリアにおいて、幅方向両端に位置する２つのインナリードの間の距離（両端に位置する各インナリードの幅方向中心間の距離であって、図２において、符号「Ｘ」で示されている。）を測定して、設計寸法と比較した。その結果を下記に示す。なお、測定値は、側定数２０での平均値である。
【００６１】
設計寸法：２１０００μｍ
実施例１：２１００２μｍ 寸法ずれ２μｍ
比較例１：２１０２０μｍ 寸法ずれ２０μｍ
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のＴＡＢ用テープキャリアによれば、絶縁層の裏面に、銅箔よりも腰の強いステンレス箔からなる補強層が形成されているので、絶縁層を薄く形成することができながら、搬送時、実装時およびボンディング時における寸法精度や位置精度を向上させることができる。そのため、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターンにおける各配線のピッチが６０μｍ以下となる高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図である。
【図２】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図である。
【図３】図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。
【図４】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、図２におけるＡ−Ａ’線断面における工程図であって、
（ａ）は、補強層を用意する工程、
（ｂ）は、補強層の上に絶縁層を形成する工程、
（ｃ）は、絶縁層の全面に下地を形成する工程、
（ｄ）は、送り孔を穿孔形成する工程を示す。
【図５】図４に続いて、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、図２におけるＡ−Ａ’線断面における工程図であって、
（ｅ）は、下地の上にめっきレジストを形成する工程、
（ｆ）は、下地におけるめっきレジストが形成されていない部分に、めっきにより、導体パターンを形成する工程、
（ｇ）は、めっきレジストを除去する工程、
（ｈ）は、めっきレジストが形成されていた下地を除去する工程、
（ｉ）は、補強層における実装部と重なる位置に開口部を形成する工程を示す。
【符号の説明】
１ ＴＡＢ用テープキャリア
２ 絶縁層
４ 補強層
７ 導体パターン
８ 配線
ＩＰ インナリードのピッチ
ＯＰ アウタリードのピッチ
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＡＢ用テープキャリア、詳しくは、ＴＡＢ法によって、電子部品を実装するためのＴＡＢ用テープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＡＢ用テープキャリアは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法によって、半導体素子などからなる電子部品を実装するために広く用いられている。
【０００３】
このようなＴＡＢ用テープキャリアは、近年、電子機器の軽量化、薄型化および小型化の要求に伴って、軽薄短小化がますます要求されている。
【０００４】
一方、このようなＴＡＢ用テープキャリアは、通常、その幅方向両端部において長手方向に沿って形成される送り孔に、スプロケットを噛み合わせて、所定のテンションが加わる状態で搬送されるため、過度に薄く形成すると、搬送時に、送り孔が破損したり、電子部品の実装時およびボンディング時に位置ずれを生じる。
【０００５】
そのため、例えば、特開平５−２９３９４号公報、特開２０００−３３２０６２号公報、特開２０００−３４０６１７号公報などでは、導体パターンが形成される絶縁フィルムの裏面に、銅箔を設けて補強することが提案されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−２９３９４号公報
【特許文献２】
特開２０００−３３２０６２号公報
【特許文献３】
特開２０００−３４０６１７号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年、軽薄短小化の要求、および、導体パターンの微細化や高密度化の要求がより一層高まっており、そのような要求に対応するためには、銅箔による補強効果では十分でなく、より一層、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることが必要となってきている。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、ＴＡＢ用テープキャリアにおいて、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることができながら、軽量化、薄型化を図りつつ、高密度配線を実現することのできるＴＡＢ用テープキャリアを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のＴＡＢ用テープキャリアは、絶縁層の表面には、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線からなる導体パターンが形成されており、前記絶縁層の裏面には、その幅方向両側縁部において、前記絶縁層の長手方向に沿ってステンレス箔からなる補強層が形成されており、前記各配線のピッチが、６０μｍ以下であることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアでは、前記絶縁層の厚みを、５０μｍ以下として形成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。
【００１１】
図１において、このＴＡＢ用テープキャリア１は、長手方向に連続して延びるテープ状の絶縁層２に、電子部品（図示せず。）を実装するための実装部３と、絶縁層２を補強するための補強層４（図３参照）と、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部５とを備えている。
【００１２】
実装部３は、絶縁層２において、絶縁層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ、以下、単に長手方向という場合がある。）において、互いに所定間隔を隔てて連続するように、複数設けられている。各実装部３は、図２に示すように、略矩形状をなし、その中央が電子部品（図示せず。）を実装（載置）するための略矩形状の実装エリア６とされている。また、実装エリア６の長手方向両側には、導体パターン７がそれぞれ形成されている。
【００１３】
この導体パターン７は、絶縁層２の表面に形成されており、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線８からなり、各配線８は、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１を連続して一体的に備えている。
【００１４】
各インナリード９は、実装エリア６内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向（長手方向と直交する方向、以下、単に幅方向という場合がある。）において並列するように配置されている。各インナリード９のピッチ（すなわち、１つのインナリード９の幅と、２つのインナリード９間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰが、６０μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下で、通常、１０μｍ以上に設定されている。このように、各インナリード９のピッチＩＰを、６０μｍ以下に設定することにより、高密度配線を実現することができる。なお、このＴＡＢ用テープキャリア１では、後述するように、補強層４として腰の強いステンレス箔が用いられているので、このような高密度配線が可能とされている。
【００１５】
また、各インナリード９の幅は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍ、２つのインナリード９間の幅（間隔）は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍに設定されている。
【００１６】
各アウタリード１０は、実装部３における長手方向両端部に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔てて幅方向において並列するように配置されている。各アウタリード１０のピッチ（すなわち、１つのアウタリード１０の幅と、２つのアウタリード１０間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード１０のピッチＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、広幅に設定されていてもよく、また、各インナリード９のピッチＩＰと実質的に同幅で設定されていてもよい。
【００１７】
各中継リード１１は、各インナリード９と各アウタリード１０とが連続するように、各インナリード９と各アウタリード１０とを中継しており、ピッチの狭い各インナリード９側からピッチの広い各アウタリード１０側に向かって、長手方向において、放射状に広がるように配置されている。
【００１８】
また、各中継リード１１が配置されるエリアには、ソルダレジストなどの絶縁層１２が設けられている。すなわち、ソルダレジストなどの絶縁層１２は、実装エリア６を囲むようにして、略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード１１を覆うように設けられている。
【００１９】
なお、インナリード９およびアウタリード１０は、後述するように、ニッケルめっき層や金めっき層によって適宜被覆されていることが好ましい。
【００２０】
補強層４は、図３に示すように、絶縁層２の裏面において、絶縁層２における各実装部３が形成される位置が開口部１８となるような、各実装部３との対向位置を除くすべてのエリアに設けられている。より具体的には、補強層４は、ステンレス箔からなり、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って連続して設けられる搬送部補強部１３と、長手方向において互いに所定間隔を隔てて配置される各実装部３の間において、幅方向に沿って設けられる実装部間補強部１４とが一体的に連続して形成されている。搬送部補強部１３を形成することで、搬送時の強度の向上を図ることができる。また、実装部間補強部１４を形成することで、実装時などの取り扱い性の向上を図ることができる。
【００２１】
なお、各搬送部補強部１３の幅方向長さＬ１は、例えば、５〜１５ｍｍ、好ましくは、５〜１０ｍｍに設定され、実装部間補強部１４の長手方向長さＬ２が、例えば、１〜１０ｍｍ、好ましくは、１〜５ｍｍに設定されている。
【００２２】
搬送部５は、図１に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。各搬送部５には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどと噛み合わせるための複数の送り孔１５が、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。各送り孔１５は、ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向において、等間隔毎に、ＴＡＢ用テープキャリア１を貫通する（絶縁層２および補強層４を貫通する）ように、略矩形状に穿孔形成されている。
【００２３】
なお、各送り孔１５は、例えば、１．９８１×１．９８１ｍｍ角孔に穿孔され、各送り孔１５の間隔は、例えば、４．７５ｍｍに設定されている。
【００２４】
次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法を、図４および図５を参照して説明する。
【００２５】
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、補強層４を用意する。補強層４には、ステンレス箔が用いられる。なお、ステンレスには、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７など種々の種類があるが、いずれのステンレスも、特に制限されることなく用いることができる。また、その厚さが、３〜１００μｍ、さらには、５〜３０μｍ、とりわけ、８〜２０μｍのものが好ましく用いられる。このようなステンレス箔は、実際には、その幅が、１００〜１０００ｍｍ、好ましくは、１５０〜４００ｍｍ程度の長尺なテープ状のものが用意される。
【００２６】
なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１の形態について示しているが、通常は、ステンレス箔の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。
【００２７】
例えば、幅２５０ｍｍのステンレス箔では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列、幅３００ｍｍのステンレス箔では、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製することができる。
【００２８】
次いで、図４（ｂ）に示すように、その補強層４の上に絶縁層２を形成する。絶縁層２を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２９】
そして、補強層４の上に絶縁層２を形成するには、例えば、樹脂溶液を補強層４の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させればよい。樹脂溶液は、上記した樹脂を、有機溶媒などに溶解することによって調製することができる。樹脂溶液としては、例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸樹脂の溶液などが用いられる。また、樹脂の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の塗布方法を、適宜用いることができる。そして、適宜加熱することによって乾燥させた後、例えば、２００〜６００℃で加熱硬化させることにより、補強層４の上に、可撓性を有する樹脂フィルムからなる絶縁層２が形成される。
【００３０】
また、絶縁層２は、予めフィルム状に形成された樹脂フィルムを、接着剤を介して補強層４に貼着することによって、形成することもできる。
【００３１】
さらに、絶縁層２は、例えば、感光性ポリアミック酸樹脂などの感光性樹脂の溶液を、補強層４の上に塗布し、露光および現像することにより、所定のパターンとして形成することもできる。
【００３２】
このようにして形成される絶縁層２の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、１５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。なお、このＴＡＢ用テープキャリア１では、補強層４として腰の強いステンレス箔が用いられているので、絶縁層４の厚みを、このように薄く形成することができる。
【００３３】
次いで、この方法では、この絶縁層２の表面に、導体パターン７を、上記した配線回路パターンとして形成する。導体パターン７を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン７の形成は、特に制限されることなく、絶縁層２の表面に、導体パターン７を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、上記した配線回路パターンとして形成すればよい。
【００３４】
サブトラクティブ法では、まず、絶縁層２の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、上記した配線回路パターンに対応するエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去すればよい。
【００３５】
また、アディティブ法では、まず、絶縁層２の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成して、次いで、絶縁層２におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成し、その後に、めっきレジストを除去するようにすればよい。
【００３６】
また、セミアディティブ法では、まず、絶縁層２の上に下地となる導体の薄膜を形成して、次いで、この下地の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた下地を除去するようにすればよい。
【００３７】
これらのパターンニング法のうちでは、図４（ｃ）〜図５（ｈ）に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いられる。
【００３８】
すなわち、セミアディティブ法では、まず、図４（ｃ）に示すように、絶縁層２の全面に、下地１６となる導体の薄膜を形成する。下地１６の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、下地１６となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、絶縁層２の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成することが好ましい。なお、下地１６の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように設定することが好ましい。
【００３９】
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、上記した複数の送り孔１５を、補強層４、絶縁層２および下地１６の厚さ方向を貫通するように穿孔形成する。送り孔１５の穿孔形成は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の加工方法を用いることができ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。
【００４０】
そして、この方法では、図５（ｅ）に示すように、下地１６の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンのめっきレジスト１７を形成する。めっきレジスト１７は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成すればよい。なお、このめっきレジスト１７は、補強層４の全面にも形成する。
【００４１】
次いで、図５（ｆ）に示すように、下地１６におけるめっきレジスト１７が形成されていない部分に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電解銅めっきが好ましく用いられる。
【００４２】
そして、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト１７を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図５（ｈ）に示すように、めっきレジスト１７が形成されていた下地１６を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。これによって、絶縁層２の上に、導体パターン７が、上記したように、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１が連続して一体的に形成される配線８の配線回路パターンとして形成される。
【００４３】
このようにして形成される導体パターン７の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。
【００４４】
次いで、図示しないが、ソルダレジストなどの絶縁層１２を、各配線８の中継リード１１が被覆されるように、実装エリア６を囲むようにして形成した後、各配線８における露出部分、すなわち、インナリード９およびアウタリード１０を、ニッケルめっき層および金めっき層によって被覆する。絶縁層１２の形成は、例えば、感光性のソルダレジストを用いて、上記したパターンとして形成すればよい。また、ニッケルめっき層および金めっき層は、それぞれ、ニッケルめっきおよび金めっきにより形成すればよい。
【００４５】
そして、図５（ｉ）に示すように、補強層４における実装部３と重なる位置に、開口部１８を形成することによって、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。
【００４６】
なお、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする場合は、ＴＡＢ用テープキャリア１間のスリット部の補強層４は、開口部１８と同様に除去しておくことが好ましい。
【００４７】
補強層４に開口部１８を形成するには、補強層４における実装部３に対向する部分を、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、ウエットエッチング（化学エッチング）などの公知の方法によって、開口形成すればよい。例えば、エッチングするには、開口部１８以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などの公知のエッチング液を用いて、エッチングした後、エッチングレジストを除去すればよい。その後、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を作製している場合は、１列ごとにスリットする。
【００４８】
このようにして得られるＴＡＢ用テープキャリア１は、絶縁層２の裏面に、銅箔よりも腰の強いステンレス箔からなる補強層４が形成されているので、絶縁層２を薄く形成することができながら、搬送時、実装時およびボンディング時において、ＴＡＢ用テープキャリア１の強度を十分に補強することができる。そのため、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることができ、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターン７における各インナリード９のピッチが６０μｍ以下となる高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。
【００４９】
なお、以上の説明では、補強層４を、絶縁層２の裏面において、各実装部３との対向位置を除くすべてのエリアに設けたが、補強層４を設ける位置は、特に限定されず、その目的および用途において、適宜選択することができる。例えば、各実装部３との対向位置に設ければ、熱放散性を向上させることができる。
【００５０】
【実施例】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００５１】
実施例１
厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４、幅２５０ｍｍ）を補強層として用意し（図４（ａ）参照）、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、加熱硬化させることにより、厚さ１２μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成した（図４（ｂ）参照）。次いで、絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚さ２０００Åの下地を形成した（図４（ｃ）参照）。
【００５２】
なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリアの形態について示しているが、この実施例１では、幅２５０ｍｍのステンレス箔上に幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを４列同時に作製した。
【００５３】
その後、送り孔を、補強層、絶縁層および下地の厚さ方向を貫通させるようにして、パンチング加工により穿孔形成した後（図４（ｄ）参照）、めっきレジストを、下地の表面に所定のパターンとして形成するとともに、補強層の全面に形成した（図５（ｅ）参照）。
【００５４】
次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、下地におけるめっきレジストが形成されていない部分に、２．５Ａ／ｄｍ２で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体パターンを形成した（図５（ｆ）参照）。
【００５５】
なお、この導体パターンは、互いに所定間隔を隔てて配置され、インナリード、アウタリードおよび中継リードが連続して一体的に形成される複数の配線のパターンとして形成された。また、インナリードのピッチが３０μｍ、アウタリードのピッチが１００μｍであった。
【００５６】
次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図５（ｇ）参照）、めっきレジストが形成されていた下地を、同じく、化学エッチングにより除去した。（図５（ｈ）参照）。
【００５７】
その後、感光性ソルダレジストを、各配線の中継リードが被覆されるように、実装エリアを囲むようにして形成した後、インナリードおよびアウタリードを、ニッケルめっきおよび金めっきすることにより被覆した。
【００５８】
そして、補強層における実装部と重なる位置以外を、エッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液を用いて、補強層をエッチングすることにより開口部およびＴＡＢ用テープキャリア間のスリット部を形成し、その後、エッチングレジストを除去し、スリットすることにより、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００５９】
比較例１
厚さ２０μｍの銅箔を補強層として用いた以外は、実施例１と同様の操作により、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
【００６０】
評価
実施例１および比較例１で得られたＴＡＢ用テープキャリアにおいて、幅方向両端に位置する２つのインナリードの間の距離（両端に位置する各インナリードの幅方向中心間の距離であって、図２において、符号「Ｘ」で示されている。）を測定して、設計寸法と比較した。その結果を下記に示す。なお、測定値は、側定数２０での平均値である。
【００６１】
設計寸法：２１０００μｍ
実施例１：２１００２μｍ 寸法ずれ２μｍ
比較例１：２１０２０μｍ 寸法ずれ２０μｍ
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のＴＡＢ用テープキャリアによれば、絶縁層の裏面に、銅箔よりも腰の強いステンレス箔からなる補強層が形成されているので、絶縁層を薄く形成することができながら、搬送時、実装時およびボンディング時における寸法精度や位置精度を向上させることができる。そのため、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターンにおける各配線のピッチが６０μｍ以下となる高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図である。
【図２】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図である。
【図３】図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。
【図４】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、図２におけるＡ−Ａ’線断面における工程図であって、
（ａ）は、補強層を用意する工程、
（ｂ）は、補強層の上に絶縁層を形成する工程、
（ｃ）は、絶縁層の全面に下地を形成する工程、
（ｄ）は、送り孔を穿孔形成する工程を示す。
【図５】図４に続いて、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、図２におけるＡ−Ａ’線断面における工程図であって、
（ｅ）は、下地の上にめっきレジストを形成する工程、
（ｆ）は、下地におけるめっきレジストが形成されていない部分に、めっきにより、導体パターンを形成する工程、
（ｇ）は、めっきレジストを除去する工程、
（ｈ）は、めっきレジストが形成されていた下地を除去する工程、
（ｉ）は、補強層における実装部と重なる位置に開口部を形成する工程を示す。
【符号の説明】
１ ＴＡＢ用テープキャリア
２ 絶縁層
４ 補強層
７ 導体パターン
８ 配線
ＩＰ インナリードのピッチ
ＯＰ アウタリードのピッチ
Claims (2)
- 絶縁層の表面には、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線からなる導体パターンが形成されており、
前記絶縁層の裏面には、その幅方向両側縁部において、前記絶縁層の長手方向に沿ってステンレス箔からなる補強層が形成されており、
前記各配線のピッチが、６０μｍ以下であることを特徴とする、ＴＡＢ用テープキャリア。 - 前記絶縁層の厚みが、５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のＴＡＢ用テープキャリア。
Priority Applications (6)
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