JPH0582591A - 半導体装置用フイルムキヤリア - Google Patents
半導体装置用フイルムキヤリアInfo
- Publication number
- JPH0582591A JPH0582591A JP3268239A JP26823991A JPH0582591A JP H0582591 A JPH0582591 A JP H0582591A JP 3268239 A JP3268239 A JP 3268239A JP 26823991 A JP26823991 A JP 26823991A JP H0582591 A JPH0582591 A JP H0582591A
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- insulating film
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- film
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多ピン化するために薄い金属箔を用いても、
インナーリードおよびアウターリードが充分な強度を有
し、また、実装においてハンダ付けによるアウターリー
ドの脆化、損傷が生じない、半導体装置用フィルムキャ
リアを実現する。 【構成】 絶縁フィルムにラミネートする金属箔とし
て、鉄合金箔を用いる。
インナーリードおよびアウターリードが充分な強度を有
し、また、実装においてハンダ付けによるアウターリー
ドの脆化、損傷が生じない、半導体装置用フィルムキャ
リアを実現する。 【構成】 絶縁フィルムにラミネートする金属箔とし
て、鉄合金箔を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用フィルムキ
ャリア、特に薄い金属箔を用いることにより多ピン化を
可能にする、半導体装置用フィルムキャリアに関するも
のである。
ャリア、特に薄い金属箔を用いることにより多ピン化を
可能にする、半導体装置用フィルムキャリアに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の実装では、高集積度の半導
体装置を高速で量産するため、ＴＡＢ（tape automated
bonding) による自動化が図られている。ＴＡＢでは、
連続帯状のフィルムキャリアにパターン形成された銅箔
に、半導体素子を、ワイヤを用いないギャングボンディ
ングによって接合し、連続的な実装を可能にしている。
体装置を高速で量産するため、ＴＡＢ（tape automated
bonding) による自動化が図られている。ＴＡＢでは、
連続帯状のフィルムキャリアにパターン形成された銅箔
に、半導体素子を、ワイヤを用いないギャングボンディ
ングによって接合し、連続的な実装を可能にしている。
【０００３】ＴＡＢによる実装の例を図３及び図４
（Ａ）ないし（Ｃ）に示す。図４（Ａ）は図３の直線Ｘ
−Ｘに沿った断面を示している。図３及び図４（Ａ）に
示すように、フィルムキャリア３１は、可撓性絶縁フィ
ルム１と、その上にパターン形成したインナーリード部
３及びアウターリード部４から成る。可撓性絶縁フィル
ム１はデバイスホール５、アウターホール６、およびス
プロケットホール７を有する。フィルムキャリア３１上
のインナーリード部３を、図４（Ｂ）に示すように、半
導体素子４１の電極上の金バンプ４２と位置合わせし、
加熱されたボンディングツール（図示せず）を押圧する
ことにより、インナーリード部３と半導体素子４１の金
バンプ４２を接合する。次いで、図４（Ｃ）に示すよう
に、半導体素子４１とインナーリード３とをモールド樹
脂４３により封止した上で、アウターリード部４の先端
部で外側の部分から切り離し、アウターリード部４を配
線基板４４上の導体部４５と接合する。
（Ａ）ないし（Ｃ）に示す。図４（Ａ）は図３の直線Ｘ
−Ｘに沿った断面を示している。図３及び図４（Ａ）に
示すように、フィルムキャリア３１は、可撓性絶縁フィ
ルム１と、その上にパターン形成したインナーリード部
３及びアウターリード部４から成る。可撓性絶縁フィル
ム１はデバイスホール５、アウターホール６、およびス
プロケットホール７を有する。フィルムキャリア３１上
のインナーリード部３を、図４（Ｂ）に示すように、半
導体素子４１の電極上の金バンプ４２と位置合わせし、
加熱されたボンディングツール（図示せず）を押圧する
ことにより、インナーリード部３と半導体素子４１の金
バンプ４２を接合する。次いで、図４（Ｃ）に示すよう
に、半導体素子４１とインナーリード３とをモールド樹
脂４３により封止した上で、アウターリード部４の先端
部で外側の部分から切り離し、アウターリード部４を配
線基板４４上の導体部４５と接合する。
【０００４】図３に示したフィルムキャリア３１を製作
するには、可撓性絶縁フィルム１にデバイスホール５、
アウターホール６、スプロケットホール７等を打抜きに
より形成した後、金属箔を接着（ラミネート）し、イン
ナーリード部３およびアウターリード部４となる部分以
外の金属箔を、フォトエッチングにより除去する。
するには、可撓性絶縁フィルム１にデバイスホール５、
アウターホール６、スプロケットホール７等を打抜きに
より形成した後、金属箔を接着（ラミネート）し、イン
ナーリード部３およびアウターリード部４となる部分以
外の金属箔を、フォトエッチングにより除去する。
【０００５】従来、可撓性絶縁フィルム１としては約７
５〜１２５μｍのポリイミドフィルムが、インナーリー
ド部３およびアウターリード部４となる金属箔としては
厚さ約３５μｍの電解銅箔または圧延銅箔が用いられて
いる。銅箔表面は、通常、ポリイミドフィルムとの充分
な接着が得られるように、表面が粗化処理（粗面化）さ
れる。インナーリードは５０〜３００本設けられ、金バ
ンプとの接合のため、錫、ハンダ、金等でメッキされ
る。アウターリードも、配線基板の導体部とのハンダ接
合のため、錫、ハンダ、金等でメッキされる。
５〜１２５μｍのポリイミドフィルムが、インナーリー
ド部３およびアウターリード部４となる金属箔としては
厚さ約３５μｍの電解銅箔または圧延銅箔が用いられて
いる。銅箔表面は、通常、ポリイミドフィルムとの充分
な接着が得られるように、表面が粗化処理（粗面化）さ
れる。インナーリードは５０〜３００本設けられ、金バ
ンプとの接合のため、錫、ハンダ、金等でメッキされ
る。アウターリードも、配線基板の導体部とのハンダ接
合のため、錫、ハンダ、金等でメッキされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の集積度の
増大に伴い、多ピン化、すなわちインナーリードの本数
が増加する傾向が著しく、その結果、インナーリードの
幅を細くする必要に迫られている。最近では約４０μｍ
の幅のものが現れている。厚さ３５μｍの銅箔を用いた
インナーリードでは、エッチングの精度の面からリード
幅を４０μｍ以下に細くすることは困難である。インナ
ーリードの幅をさらに細くするには、銅箔をリード幅と
同程度の厚さまで薄くする必要があるが、そうするとイ
ンナーリードおよびアウターリードの強度が減少し、製
造上の信頼度が低下する。
増大に伴い、多ピン化、すなわちインナーリードの本数
が増加する傾向が著しく、その結果、インナーリードの
幅を細くする必要に迫られている。最近では約４０μｍ
の幅のものが現れている。厚さ３５μｍの銅箔を用いた
インナーリードでは、エッチングの精度の面からリード
幅を４０μｍ以下に細くすることは困難である。インナ
ーリードの幅をさらに細くするには、銅箔をリード幅と
同程度の厚さまで薄くする必要があるが、そうするとイ
ンナーリードおよびアウターリードの強度が減少し、製
造上の信頼度が低下する。
【０００７】また、錫またはハンダメッキされたアウタ
ーリードを配線基板の導体部にハンダ付けする際、銅箔
が温度約２６０℃の溶融ハンダと接するため、厚さ十数
μｍの銅−錫合金層が生成する。厚さ約３５μｍの銅箔
の場合、この合金層の厚さは約半分にも及び、さらに薄
い銅箔の場合、合金層の占める割合はさらに大きくな
る。生成する合金はＣｕ3 Ｓｎ（ε相）やＣｕ6 Ｓｎ5
（η相）を含んでいて、脆いため、アウターリードが機
械的あるいは熱的応力によって破断する恐れがある。
ーリードを配線基板の導体部にハンダ付けする際、銅箔
が温度約２６０℃の溶融ハンダと接するため、厚さ十数
μｍの銅−錫合金層が生成する。厚さ約３５μｍの銅箔
の場合、この合金層の厚さは約半分にも及び、さらに薄
い銅箔の場合、合金層の占める割合はさらに大きくな
る。生成する合金はＣｕ3 Ｓｎ（ε相）やＣｕ6 Ｓｎ5
（η相）を含んでいて、脆いため、アウターリードが機
械的あるいは熱的応力によって破断する恐れがある。
【０００８】本発明の目的は、薄い金属箔を用いてもイ
ンナーリードおよびアウターリードが充分な強度を有
し、インナーリードの幅を細くして多ピン化することが
可能な、半導体装置用フィルムキャリアを実現すること
にある。
ンナーリードおよびアウターリードが充分な強度を有
し、インナーリードの幅を細くして多ピン化することが
可能な、半導体装置用フィルムキャリアを実現すること
にある。
【０００９】本発明の目的は、さらに、実装においてハ
ンダ付けによるアウターリードの脆化、損傷が生じな
い、半導体装置用フィルムキャリアを実現することにあ
る。
ンダ付けによるアウターリードの脆化、損傷が生じな
い、半導体装置用フィルムキャリアを実現することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明では、薄い金属箔
を用いてもインナーリードおよびアウターリードが充分
な強度を有し、インナーリードの幅を細くして多ピン化
することが可能な、また、実装においてハンダ付けによ
るアウターリードの脆化、損傷が生じない、半導体装置
用フィルムキャリアを実現するため、絶縁フィルムにラ
ミネートする金属箔として、鉄合金箔を用いる。
を用いてもインナーリードおよびアウターリードが充分
な強度を有し、インナーリードの幅を細くして多ピン化
することが可能な、また、実装においてハンダ付けによ
るアウターリードの脆化、損傷が生じない、半導体装置
用フィルムキャリアを実現するため、絶縁フィルムにラ
ミネートする金属箔として、鉄合金箔を用いる。
【００１１】１cm当たり１２５本以上（ピッチ0.０８ｍ
ｍ以下）の多ピン化を実現するためには、鉄合金箔の厚
さは３５μｍ以下とする。特に２０μｍ以下にする場
合、本発明の効果は特に大きい。
ｍ以下）の多ピン化を実現するためには、鉄合金箔の厚
さは３５μｍ以下とする。特に２０μｍ以下にする場
合、本発明の効果は特に大きい。
【００１２】鉄合金としては、ステンレス鋼、４２アロ
イ（ニッケル４２％を含むＦｅ−Ｎｉ合金）のほか、ク
ロムを含む鉄合金等を用いることができる。
イ（ニッケル４２％を含むＦｅ−Ｎｉ合金）のほか、ク
ロムを含む鉄合金等を用いることができる。
【００１３】インナーリードの少なくとも先端部、およ
びアウターリードの少なくとも先端部には、半導体チッ
プおよび配線基板との接合のため、錫、ハンダ、金等で
メッキすることが好ましい。鉄合金に無電解メッキを利
用して錫またはハンダをメッキすることは困難なので、
錫またはハンダをメッキするためには電解メッキを用い
る必要がある。
びアウターリードの少なくとも先端部には、半導体チッ
プおよび配線基板との接合のため、錫、ハンダ、金等で
メッキすることが好ましい。鉄合金に無電解メッキを利
用して錫またはハンダをメッキすることは困難なので、
錫またはハンダをメッキするためには電解メッキを用い
る必要がある。
【００１４】絶縁フィルムとしては、通常のもの、例え
ば厚さ７５ないし１２５μｍのポリイミドフィルムを用
いることができる。
ば厚さ７５ないし１２５μｍのポリイミドフィルムを用
いることができる。
【００１５】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明のさらに具体的
説明とする。 〔実施例〕本発明によるテープキャリアの一例は、図１
に示すように、絶縁フィルム１上に、厚さ約２０μｍの
エポキシ接着剤（図示せず）を介して、パターンに従い
形成された金属層２が接着され、インナーリード部３と
アウターリード部４を形成している。絶縁フィルム１は
厚さ７５μｍ、幅３５mmのポリイミドフィルム、金属層
２は厚さ３５μｍのＳＵＳ３０４ステンレス鋼箔で構成
され、その上に、錫９０％と鉛１０％から成る厚さ１μ
ｍの錫合金電気めっきが施されている。インナーリード
部３の幅は４０μｍ、間隔は６０μｍである。
説明とする。 〔実施例〕本発明によるテープキャリアの一例は、図１
に示すように、絶縁フィルム１上に、厚さ約２０μｍの
エポキシ接着剤（図示せず）を介して、パターンに従い
形成された金属層２が接着され、インナーリード部３と
アウターリード部４を形成している。絶縁フィルム１は
厚さ７５μｍ、幅３５mmのポリイミドフィルム、金属層
２は厚さ３５μｍのＳＵＳ３０４ステンレス鋼箔で構成
され、その上に、錫９０％と鉛１０％から成る厚さ１μ
ｍの錫合金電気めっきが施されている。インナーリード
部３の幅は４０μｍ、間隔は６０μｍである。
【００１６】このテープキャリアは次のようにして製造
した。デバイスホール５、アウターホール６、およびパ
イロットホール７を設けたポリイミド絶縁フィルム１上
に、ステンレス鋼箔を、エポキシ接着剤を用いて接着す
る。フォトエッチングにより塩化第二鉄エッチング浴を
用いてエッチングを行い、図１に示すようなパターンの
ステンレス鋼の金属層２を、絶縁フィルム１上に形成す
る。金属層２はインナーリード部３とアウターリード部
４を含む。パターン形成後、金属層２の外周部分をメッ
キ用電源端子に接続し、ハンダ電気めっき浴中で金属層
２の全面に厚さ１μｍのハンダ電気めっきを施す。
した。デバイスホール５、アウターホール６、およびパ
イロットホール７を設けたポリイミド絶縁フィルム１上
に、ステンレス鋼箔を、エポキシ接着剤を用いて接着す
る。フォトエッチングにより塩化第二鉄エッチング浴を
用いてエッチングを行い、図１に示すようなパターンの
ステンレス鋼の金属層２を、絶縁フィルム１上に形成す
る。金属層２はインナーリード部３とアウターリード部
４を含む。パターン形成後、金属層２の外周部分をメッ
キ用電源端子に接続し、ハンダ電気めっき浴中で金属層
２の全面に厚さ１μｍのハンダ電気めっきを施す。
【００１７】上記のテープキャリアを用いた半導体チッ
プの実装は、次のように行う。図２（Ａ）に示すよう
に、ＩＣチップ２１上の接続電極部のバンプ２２と、イ
ンナーリード部３の先端部が、約５００℃の温度で圧接
され、接合される。ＩＣチップ２１とインナーリード部
３は、図２（Ｂ）に示すように、モールド樹脂２３で被
覆される。そして、アウターホール６（図１）の外側に
沿って金型で打ち抜き、アウターリード部４はその外側
の金属層２の外側寄りの部分及び絶縁フィルム１から切
り離される。図２（Ｃ）に示すように、アウターリード
４は折り曲げられて、プリント基板２４の上に印刷され
たハンダペースト２５とハンダ接合され、実装が完了す
る。ハンダ電気メッキされたアウターリードに対するハ
ンダの濡れは良好である。
プの実装は、次のように行う。図２（Ａ）に示すよう
に、ＩＣチップ２１上の接続電極部のバンプ２２と、イ
ンナーリード部３の先端部が、約５００℃の温度で圧接
され、接合される。ＩＣチップ２１とインナーリード部
３は、図２（Ｂ）に示すように、モールド樹脂２３で被
覆される。そして、アウターホール６（図１）の外側に
沿って金型で打ち抜き、アウターリード部４はその外側
の金属層２の外側寄りの部分及び絶縁フィルム１から切
り離される。図２（Ｃ）に示すように、アウターリード
４は折り曲げられて、プリント基板２４の上に印刷され
たハンダペースト２５とハンダ接合され、実装が完了す
る。ハンダ電気メッキされたアウターリードに対するハ
ンダの濡れは良好である。
【００１８】〔従来例〕比較のため、金属層２としてＳ
ＵＳ３０４ステンレス鋼箔の代わりに、厚さ３５μｍの
電解銅箔を用い、それ以外は実施例１と同様にして調製
した。
ＵＳ３０４ステンレス鋼箔の代わりに、厚さ３５μｍの
電解銅箔を用い、それ以外は実施例１と同様にして調製
した。
【００１９】実施例と従来例について、インナーリード
の強度と、アウターリードのハンダ付け信頼性の評価を
行った。インナーリードの強度は、金属層エッチング後
（メッキ前）の段階で、幅４２μｍ（底辺の値）のイン
ナーリードの引張試験により測定した。アウターリード
のハンダ付け信頼性は、２３０℃の溶融したハンダ浴
（錫６：鉛４）中にメッキ済のアウターリードを１０秒
間浸漬した後取り出し、これを繰り返して、アウターリ
ードが消失するまでの回数により評価した。結果を表１
に示す。
の強度と、アウターリードのハンダ付け信頼性の評価を
行った。インナーリードの強度は、金属層エッチング後
（メッキ前）の段階で、幅４２μｍ（底辺の値）のイン
ナーリードの引張試験により測定した。アウターリード
のハンダ付け信頼性は、２３０℃の溶融したハンダ浴
（錫６：鉛４）中にメッキ済のアウターリードを１０秒
間浸漬した後取り出し、これを繰り返して、アウターリ
ードが消失するまでの回数により評価した。結果を表１
に示す。
【００２０】
【００２１】表１より明らかなように、本発明によるキ
ャリアテープのインナーリードの引張強度は、電解銅箔
を用いた従来のキャリアテープの約１．７倍ある。ま
た、ハンダ付けに対し著しく安定である。
ャリアテープのインナーリードの引張強度は、電解銅箔
を用いた従来のキャリアテープの約１．７倍ある。ま
た、ハンダ付けに対し著しく安定である。
【００２２】
【発明の効果】本発明による半導体装置用フィルムキャ
リアは、鉄合金でインナーリードおよびアウターリード
を構成しているから、多ピン化のため金属箔を薄くして
もインナーリードおよびアウターリードが充分な強度を
有するので、製造上および実装の信頼性を損なわずに、
インナーリードの幅を細くして多ピン化することが可能
である。また、従来の銅箔を用いたものと異なり、実装
においてハンダ付けによるアウターリードの脆化、損傷
が生じないので、実装の信頼性が向上する。
リアは、鉄合金でインナーリードおよびアウターリード
を構成しているから、多ピン化のため金属箔を薄くして
もインナーリードおよびアウターリードが充分な強度を
有するので、製造上および実装の信頼性を損なわずに、
インナーリードの幅を細くして多ピン化することが可能
である。また、従来の銅箔を用いたものと異なり、実装
においてハンダ付けによるアウターリードの脆化、損傷
が生じないので、実装の信頼性が向上する。
【図１】図１は本発明によるテープキャリアの一実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】図２（Ａ）ないし（Ｃ）は、テープキャリアを
用いた半導体チップの実装を示す断面説明図である。
用いた半導体チップの実装を示す断面説明図である。
【図３】図３は、ＴＡＢによる実装に用いるテープキャ
リアを示す説明図である。
リアを示す説明図である。
【図４】図４（Ａ）ないし（Ｃ）は、ＴＡＢによる実装
の例を示す断面説明図である。
の例を示す断面説明図である。
１ 可撓性絶縁フィルム ２ 金属層 ３ インナーリード部、インナーリード ４ アウターリード部、アウターリード ５ デバイスホール ６ アウターホール ７ スプロケットホール ２１ ＩＣチップ ２２ バンプ ２３ モールド樹脂 ２４ プリント基板 ２５ ハンダペースト ３１ フィルムキャリア ４１ 半導体素子 ４２ 金バンプ ４３ モールド樹脂 ４４ 配線基板 ４５ 導体部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子の電極と接合されるインナー
リード部と、外部回路と接続するための、前記インナー
リード部と一体に形成されたアウターリード部と、前記
インナーリード部および前記アウターリード部がラミネ
ートされた絶縁フィルムから成り、 前記インナーリード部および前記アウターリード部が３
５μｍ以下の厚さの鉄合金箔で形成された、多ピン構造
を有することを特徴とする、半導体装置用フィルムキャ
リア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268239A JPH0582591A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体装置用フイルムキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268239A JPH0582591A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体装置用フイルムキヤリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582591A true JPH0582591A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17455838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3268239A Pending JPH0582591A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体装置用フイルムキヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1416535A2 (en) * | 2002-10-08 | 2004-05-06 | Nitto Denko Corporation | Tape carrier for tab |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP3268239A patent/JPH0582591A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1416535A2 (en) * | 2002-10-08 | 2004-05-06 | Nitto Denko Corporation | Tape carrier for tab |
| CN1302531C (zh) * | 2002-10-08 | 2007-02-28 | 日东电工株式会社 | 用于载带自动焊的载带 |
| US7205482B2 (en) | 2002-10-08 | 2007-04-17 | Nitto Denko Corporation | Tape carrier for TAB |
| EP1416535A3 (en) * | 2002-10-08 | 2008-04-23 | Nitto Denko Corporation | Tape carrier for tab |
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