JPH0457101B2 - - Google Patents
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- JPH0457101B2 JPH0457101B2 JP60029976A JP2997685A JPH0457101B2 JP H0457101 B2 JPH0457101 B2 JP H0457101B2 JP 60029976 A JP60029976 A JP 60029976A JP 2997685 A JP2997685 A JP 2997685A JP H0457101 B2 JPH0457101 B2 JP H0457101B2
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Description
［産業上の利用分野］
この発明はテープ状の半導体装置用基体、特に
可撓性絶縁フイルム上に所望のパターンに形成さ
れた銅箔を接着剤により貼り合わせてなるものに
関する。 ［従来の技術］ 近年、時計用、電卓用等に用いられる半導体装
置においては、軽薄短小化というニーズにより従
来の42合金等を用いた金属フレームによる半導体
装置用パツケージに代つて、銅等の導体細条のパ
ターンを有するポリイミド等により形成された可
撓性絶縁フイルム状の基体を用いる例も多くみら
れる。その理由は、従来の金属フレームを用いる
半導体装置においては、金属フレームのリードと
半導体チツプとをAu線等のボンデイングワイヤ
を用いてワイヤボンデイングすることになり、そ
の場合ボンデイングワイヤを操作するキヤピラリ
ーの関係から半導体チツプ上のボンデイングパツ
ドの間隔を200μｍ以下にすることには無理があ
るので、多ピン化するには前記チツプサイズを大
きくしなければならないという欠点がある。これ
に対し、フイルム状の基体（以下フイルムキヤリ
アという）の場合にはその半分の100μｍピツチ
もしくはそれ以下のピツチのものでもボンデイン
グが可能であることから、チツプサイズを小さく
することが可能となり、それによるメリツトが大
きいからである。 ところで、フイルムキヤリアは、その後の半導
体装置の組立において、予め所望のパターンに形
成された銅箔のリードをもつて、ICチツプのパ
ツドとのインナーリードボンデイングに用いられ
る。すなわち、第３図は導体細状パターンを有す
る絶縁フイルム状の半導体装置用基体を用いて素
子３にインナーリードボンデイングを行つている
状況を示す説明図、第４図はこれを完了した後の
状況を示す斜視図である。ここで使用されるフイ
ルムキヤリアとしては、例えば長尺のポリイミド
フイルム１を打ち抜き、その上に圧延銅箔２を接
着した後所望の導体パターンをホトエツチングに
より形成したものが使用される。第３図及び第４
図によれば、このようなフイルムキヤリアのイン
ナーリード（圧延銅箔）５(2)に、素子３に形成さ
れたボンデイングパツド４を熱圧着シール７によ
り連続的にボンデイングし、ボンデイング済みチ
ツプ１０は樹脂コートされた後、個々に分割して
IC単体とするものである。なお、第３図におい
て６はフイルムトラツク、８はワツクス層、９は
基板である。 そして、フイルムキヤリアはまた、銅箔のリー
ド部をもつて各種の素子をハイブリツド化する場
合などにおいてアウターリードボンデイングにも
用いられる。すなわち、第５図に示されるように
プリント配線基板１２上にろう材１３によりろう
付けされた素子３のボンデイングパツド４にイン
ナーハードボンデイングされたフイルムキヤリア
のインナーリード（圧延銅箔）５(2)の前記ボンデ
イングと反対側の部分を、アウターリードボンデ
イングに用いた状況を第５図に示す。なお、図に
おいて１１は基板配線である。 このようにフアイルキヤリアにおいては、半導
体装置の組立過程においてインナー又はアウター
リードボンデイングに使用されるので、通常は可
撓性絶縁フイルム、例えばポリイミドフイルムに
予め穴を開けて、圧延銅箔のポリイミドフイルム
との接合面の一部をむき出しにして両者の接着を
行ない、その後ホトエツチングによりパターンを
作成したフイルムキヤリアが使用されるが圧延銅
箔とポリイミドフイルムとの接着部分は、半導体
装置として組立完了した段階では切除されて使用
されないことになる。（第４図及び第５図参照）。
したがつてここでは可撓性絶縁フイルムは半導体
装置組立の治具としての機能をもつて使用される
ことになる。 他方、一般に圧延銅箔とポリイミドフイルムと
の接合強度を大きくするためには圧延銅箔の表面
を粗化処理したり、更には前記の接合強度を安定
化するために酸化処理もしくは無光沢の銅又は黄
銅めつき（めつき表面が粗いため無光沢を呈す
る）処理等を行つている状況にある。しかしイン
ナーリードやアウターリードのボンデイングにお
いては、いずれの接合も共晶合金方式あるいは熱
圧着方式で行つているので圧延銅箔とポリイミド
フイルムとの接合強度には関係せず、銅の表面状
態がその接合性に大きく作用する。このため、従
来はむき出し圧延銅箔の表面の粗さを細かくする
ために、酸処理を行つた後、錫、半田あるいは銀
などのめつきを行つてインナーリードおよびアウ
ターリードボンデイングの際の接合性を安定化さ
せており、このことがフイルムキヤリアのコスト
を大幅に上昇させる要因となつていた。 ［発明が解決しようとする問題点］ すなわち、前記したフイルムキヤリアの製造方
法においては、銅箔に対し、(1)可撓性フイルムと
の接着のための粗化処理、(2)リード部の半田接合
性のためのめつき処理、の２工程を要し、しかも
後の工程においては、銅に対して異種金属をめつ
きするために必ずマスクを使用しなければなら
ず、これらの作業性の悪さがフイルムキヤリアの
コストを大幅に上昇させる要因となつていた。異
種金属をめつきすることに関しては銀を使用する
場合はもとより、錫、半田を使用する場合でも同
種金属である銅をめつきする場合よりも著しく高
いものであつた。 この発明の目的は、前記した従来技術の欠点を
解消し、銅箔と可撓性絶縁フイルムとの接合性を
確保しながら製造が容易で著しく安価な半導体装
置用基板を提供することにある。 ［問題点を解決するための手段及び作用］ この発明の要旨とするところは、可撓性絶縁フ
イルム上に接着剤により張り合せられる銅箔の接
着面に光沢銅めつき層を設けたことにある。 ［実施例］ まず、35μｍ厚前後の圧延銅箔テープ２を前処
理した後、シアン化銅浴から4μｍの光沢銅めつ
き層１５を施した。その後27mm幅にスリツトし、
35mm幅のポリイミドフイルム（スプロケツトホー
ル１６付）１に接着剤１４で張り合わせてこの発
明に係るフイルムキヤリアを作成した（第１図）。 次に、比較のために35μｍ厚さの圧延銅箔テー
プ２を前処理した後、片面を溶解処理して粗化
し、その後27mm幅にスリツトし、35mm幅のポリイ
ミドフイルム（スプロケツトホール１６付）１に
前記粗化処理面を接着剤１４で張り合わせて対照
となるフイルムキヤリアを作成した（第２図）。 その後、これら２種類のフイルムキヤリアに対
してホトしジストを塗布し、パターンを焼き付
け、ホトエツチングを経て第４図に示すようなパ
ターンを有する半導体装置用基体を作成した。 このようにして作成された２種類の半導体装置
用基体について、第５図に示す半田めつきした基
板配線１１と圧延銅箔面２の還元性雰囲気におけ
る接合性を調べた。なお、接合性は銅箔アウター
リードの半田接合部分を剥がし、濡れ面積により
判定した。 また、銅基板配線１１と圧延銅箔面２を還元性
雰囲気で300℃に加熱し、超音波を付加して接合
性を調べた。それらの結果を第１表に示す。
可撓性絶縁フイルム上に所望のパターンに形成さ
れた銅箔を接着剤により貼り合わせてなるものに
関する。 ［従来の技術］ 近年、時計用、電卓用等に用いられる半導体装
置においては、軽薄短小化というニーズにより従
来の42合金等を用いた金属フレームによる半導体
装置用パツケージに代つて、銅等の導体細条のパ
ターンを有するポリイミド等により形成された可
撓性絶縁フイルム状の基体を用いる例も多くみら
れる。その理由は、従来の金属フレームを用いる
半導体装置においては、金属フレームのリードと
半導体チツプとをAu線等のボンデイングワイヤ
を用いてワイヤボンデイングすることになり、そ
の場合ボンデイングワイヤを操作するキヤピラリ
ーの関係から半導体チツプ上のボンデイングパツ
ドの間隔を200μｍ以下にすることには無理があ
るので、多ピン化するには前記チツプサイズを大
きくしなければならないという欠点がある。これ
に対し、フイルム状の基体（以下フイルムキヤリ
アという）の場合にはその半分の100μｍピツチ
もしくはそれ以下のピツチのものでもボンデイン
グが可能であることから、チツプサイズを小さく
することが可能となり、それによるメリツトが大
きいからである。 ところで、フイルムキヤリアは、その後の半導
体装置の組立において、予め所望のパターンに形
成された銅箔のリードをもつて、ICチツプのパ
ツドとのインナーリードボンデイングに用いられ
る。すなわち、第３図は導体細状パターンを有す
る絶縁フイルム状の半導体装置用基体を用いて素
子３にインナーリードボンデイングを行つている
状況を示す説明図、第４図はこれを完了した後の
状況を示す斜視図である。ここで使用されるフイ
ルムキヤリアとしては、例えば長尺のポリイミド
フイルム１を打ち抜き、その上に圧延銅箔２を接
着した後所望の導体パターンをホトエツチングに
より形成したものが使用される。第３図及び第４
図によれば、このようなフイルムキヤリアのイン
ナーリード（圧延銅箔）５(2)に、素子３に形成さ
れたボンデイングパツド４を熱圧着シール７によ
り連続的にボンデイングし、ボンデイング済みチ
ツプ１０は樹脂コートされた後、個々に分割して
IC単体とするものである。なお、第３図におい
て６はフイルムトラツク、８はワツクス層、９は
基板である。 そして、フイルムキヤリアはまた、銅箔のリー
ド部をもつて各種の素子をハイブリツド化する場
合などにおいてアウターリードボンデイングにも
用いられる。すなわち、第５図に示されるように
プリント配線基板１２上にろう材１３によりろう
付けされた素子３のボンデイングパツド４にイン
ナーハードボンデイングされたフイルムキヤリア
のインナーリード（圧延銅箔）５(2)の前記ボンデ
イングと反対側の部分を、アウターリードボンデ
イングに用いた状況を第５図に示す。なお、図に
おいて１１は基板配線である。 このようにフアイルキヤリアにおいては、半導
体装置の組立過程においてインナー又はアウター
リードボンデイングに使用されるので、通常は可
撓性絶縁フイルム、例えばポリイミドフイルムに
予め穴を開けて、圧延銅箔のポリイミドフイルム
との接合面の一部をむき出しにして両者の接着を
行ない、その後ホトエツチングによりパターンを
作成したフイルムキヤリアが使用されるが圧延銅
箔とポリイミドフイルムとの接着部分は、半導体
装置として組立完了した段階では切除されて使用
されないことになる。（第４図及び第５図参照）。
したがつてここでは可撓性絶縁フイルムは半導体
装置組立の治具としての機能をもつて使用される
ことになる。 他方、一般に圧延銅箔とポリイミドフイルムと
の接合強度を大きくするためには圧延銅箔の表面
を粗化処理したり、更には前記の接合強度を安定
化するために酸化処理もしくは無光沢の銅又は黄
銅めつき（めつき表面が粗いため無光沢を呈す
る）処理等を行つている状況にある。しかしイン
ナーリードやアウターリードのボンデイングにお
いては、いずれの接合も共晶合金方式あるいは熱
圧着方式で行つているので圧延銅箔とポリイミド
フイルムとの接合強度には関係せず、銅の表面状
態がその接合性に大きく作用する。このため、従
来はむき出し圧延銅箔の表面の粗さを細かくする
ために、酸処理を行つた後、錫、半田あるいは銀
などのめつきを行つてインナーリードおよびアウ
ターリードボンデイングの際の接合性を安定化さ
せており、このことがフイルムキヤリアのコスト
を大幅に上昇させる要因となつていた。 ［発明が解決しようとする問題点］ すなわち、前記したフイルムキヤリアの製造方
法においては、銅箔に対し、(1)可撓性フイルムと
の接着のための粗化処理、(2)リード部の半田接合
性のためのめつき処理、の２工程を要し、しかも
後の工程においては、銅に対して異種金属をめつ
きするために必ずマスクを使用しなければなら
ず、これらの作業性の悪さがフイルムキヤリアの
コストを大幅に上昇させる要因となつていた。異
種金属をめつきすることに関しては銀を使用する
場合はもとより、錫、半田を使用する場合でも同
種金属である銅をめつきする場合よりも著しく高
いものであつた。 この発明の目的は、前記した従来技術の欠点を
解消し、銅箔と可撓性絶縁フイルムとの接合性を
確保しながら製造が容易で著しく安価な半導体装
置用基板を提供することにある。 ［問題点を解決するための手段及び作用］ この発明の要旨とするところは、可撓性絶縁フ
イルム上に接着剤により張り合せられる銅箔の接
着面に光沢銅めつき層を設けたことにある。 ［実施例］ まず、35μｍ厚前後の圧延銅箔テープ２を前処
理した後、シアン化銅浴から4μｍの光沢銅めつ
き層１５を施した。その後27mm幅にスリツトし、
35mm幅のポリイミドフイルム（スプロケツトホー
ル１６付）１に接着剤１４で張り合わせてこの発
明に係るフイルムキヤリアを作成した（第１図）。 次に、比較のために35μｍ厚さの圧延銅箔テー
プ２を前処理した後、片面を溶解処理して粗化
し、その後27mm幅にスリツトし、35mm幅のポリイ
ミドフイルム（スプロケツトホール１６付）１に
前記粗化処理面を接着剤１４で張り合わせて対照
となるフイルムキヤリアを作成した（第２図）。 その後、これら２種類のフイルムキヤリアに対
してホトしジストを塗布し、パターンを焼き付
け、ホトエツチングを経て第４図に示すようなパ
ターンを有する半導体装置用基体を作成した。 このようにして作成された２種類の半導体装置
用基体について、第５図に示す半田めつきした基
板配線１１と圧延銅箔面２の還元性雰囲気におけ
る接合性を調べた。なお、接合性は銅箔アウター
リードの半田接合部分を剥がし、濡れ面積により
判定した。 また、銅基板配線１１と圧延銅箔面２を還元性
雰囲気で300℃に加熱し、超音波を付加して接合
性を調べた。それらの結果を第１表に示す。
【表】
本発明においては、銅箔と可撓性絶縁フイルム
の接合強度はフレキシブルプリント基板（EPC）
等に要求される程重要ではなく、銅箔の半田接合
性に着目したものであり、従つて圧延銅箔の代り
に電解銅箔を用い、前記実施例の場合と同様に前
処理した後、さらにシアン化銅浴中で銅めつきを
行つたものを使用しても同様の効果が得られる。
したがつて、電解銅箔と可撓性絶縁フイルムとを
貼り合わせる場合も当然この発明の範囲に属する
ものである。 ［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明に係る半導体装置
用基体によれば、可撓性絶縁フイルムと接着され
る側の面に光沢銅めつき層を設けた銅箔を用いる
ことにより、可撓性絶縁フイルムとの接着も必要
なだけ得られ、銅箔の細状パターン加工後、錫、
半田あるいは銀めつきを行わなくとも、銅箔のリ
ード部分においては還元性雰囲気において良好な
接合性が得られる。その結果、可撓性絶縁フイル
ムと貼り合わせる銅箔の粗化処理、貼り合わせた
後の酸処理、パターン加工後のめつき処理等の各
処理工程を省略することが可能となり、安価な半
導体装置を提供することができる。 また、フイルムキヤリアは、可撓性絶縁フイル
ムと銅箔の接着強度がFPCのように強大である
必要がなく、場合によつては例えば銅箔のパター
ンを剥がす場合等むしろ接着強度の小さい方が細
状の銅箔を形成することなく剥離できるので有利
な場合があるが、かかる場合の使用に際してこの
発明における銅箔は前記の接着強度を従来の約1/
３〜2/3の範囲に制御することが可能であるという
副次的な効果を奏する。
の接合強度はフレキシブルプリント基板（EPC）
等に要求される程重要ではなく、銅箔の半田接合
性に着目したものであり、従つて圧延銅箔の代り
に電解銅箔を用い、前記実施例の場合と同様に前
処理した後、さらにシアン化銅浴中で銅めつきを
行つたものを使用しても同様の効果が得られる。
したがつて、電解銅箔と可撓性絶縁フイルムとを
貼り合わせる場合も当然この発明の範囲に属する
ものである。 ［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明に係る半導体装置
用基体によれば、可撓性絶縁フイルムと接着され
る側の面に光沢銅めつき層を設けた銅箔を用いる
ことにより、可撓性絶縁フイルムとの接着も必要
なだけ得られ、銅箔の細状パターン加工後、錫、
半田あるいは銀めつきを行わなくとも、銅箔のリ
ード部分においては還元性雰囲気において良好な
接合性が得られる。その結果、可撓性絶縁フイル
ムと貼り合わせる銅箔の粗化処理、貼り合わせた
後の酸処理、パターン加工後のめつき処理等の各
処理工程を省略することが可能となり、安価な半
導体装置を提供することができる。 また、フイルムキヤリアは、可撓性絶縁フイル
ムと銅箔の接着強度がFPCのように強大である
必要がなく、場合によつては例えば銅箔のパター
ンを剥がす場合等むしろ接着強度の小さい方が細
状の銅箔を形成することなく剥離できるので有利
な場合があるが、かかる場合の使用に際してこの
発明における銅箔は前記の接着強度を従来の約1/
３〜2/3の範囲に制御することが可能であるという
副次的な効果を奏する。
第１図はこの発明に係る半導体装置用基体の一
例を示す要部断面図、第２図は従来の半導体装置
用基体の一例を示す要部断面図、第３図は導体細
状パターンを有する絶縁フイルム状の半導体装置
用基体を用いて素子にインナーリードボンデイン
グを行つている状況を示す説明図、第４図は同じ
くインナーリードボンデイングを行つた後の状況
を示す斜視図、第５図は基板にアウターリードボ
ンデイングを行つた後の状況を示す要部断面図で
ある。 １：ポリイミドフイルム、２：圧延銅箔、３：
素子、４：ボンデイングパツド、５：インナーリ
ード、６：フイルムトラツク、７：熱圧着シー
ル、８：ワツクス層、９：基板、１０：ボンデイ
ング済みチツプ、１１：基板配線、１２：基板、
１３：ろう材、１４：接着剤、１５：銅めつき
層、１６：スプロケツトホール。
例を示す要部断面図、第２図は従来の半導体装置
用基体の一例を示す要部断面図、第３図は導体細
状パターンを有する絶縁フイルム状の半導体装置
用基体を用いて素子にインナーリードボンデイン
グを行つている状況を示す説明図、第４図は同じ
くインナーリードボンデイングを行つた後の状況
を示す斜視図、第５図は基板にアウターリードボ
ンデイングを行つた後の状況を示す要部断面図で
ある。 １：ポリイミドフイルム、２：圧延銅箔、３：
素子、４：ボンデイングパツド、５：インナーリ
ード、６：フイルムトラツク、７：熱圧着シー
ル、８：ワツクス層、９：基板、１０：ボンデイ
ング済みチツプ、１１：基板配線、１２：基板、
１３：ろう材、１４：接着剤、１５：銅めつき
層、１６：スプロケツトホール。
Claims (1)
- １ 可撓性絶縁フイルム上に所望のパターンに形
成された銅箔を接着剤により貼り合わせてなるテ
ープ状の半導体装置用基体において、前記銅箔の
可撓性絶縁フイルムと接着される側の面に光沢銅
めつき層を設けてなることを特徴とする半導体装
置用基体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029976A JPS61189660A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 半導体装置用基体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029976A JPS61189660A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 半導体装置用基体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61189660A JPS61189660A (ja) | 1986-08-23 |
| JPH0457101B2 true JPH0457101B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=12290987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029976A Granted JPS61189660A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 半導体装置用基体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61189660A (ja) |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP60029976A patent/JPS61189660A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61189660A (ja) | 1986-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |