JPS63296347A

JPS63296347A - 半導体装置用フィルムキャリア

Info

Publication number: JPS63296347A
Application number: JP62132327A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Onda; 護御田
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1987-05-28
Filing date: 1987-05-28
Publication date: 1988-12-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は半導体装置用フィルムキャリア、より詳しくは
フィルムキャリアにワイヤレスポンディングにより゛ト
導体素子を連続的に組み込んでいくフィルムキャリア方
式（Ｔａｐｅ　へｕｔｏｍａｔｅｄ旧）ｎｄｉｎｇ（以
下ＴＡＢと略する））のテープの構造に関する。

〈従来の技術〉半導体素子の実装技術においては、一定水準以トの性能
を持つ製品を高速で晴産するために、自動化が図られて
いる。

この自動化を［１的として開発されたものの一つに、長
尺フィルムキャリアにワイヤレスポンティングにより半
導体素子を連続的に組み込んでゆ（ＴＡＢがある。

このＴＡＢでは、フィルムキャリアのインナーリードに
半導体素子の電極端子がボンディングツールにより熱圧
着された後、絶縁性の流動レジンによりボッティング封
止され、さらに表面保護コートが施されるという操作が
連続的になされる。

一方、半導体素子がポツティング封止されたフィルムキ
ャリアは所定の位置で切断され、そのアウターリードか
プリント基板に半田付けされてイ吏出される。

このようなＴＡＢに用いられるフィルムキャリアは、通
常ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の可どう性の絶
縁フィルムにデバイスホールやスプロケットホール等の
必要なｉｉ道通孔打ち抜きにより形成し、そのフィルム
に銅箔を１１ｉ着し、次いで該銅箔をフォトエツチング
により、所望の銅箔パターンのリードに形成したもので
あるか、第２図に示すように、この銅箔３は所望の半導
体素子のボンディング特性を得るためあるいは防錆等の
ためその両面に０．５〜１．０−の半［１１、錫等めっ
き４で被覆されていることが一般的であり、また必要に
応じて、該銅箔のインナーリード２１には半田、錫等の
めっきが施され、アウターリート２２には金、銀、白金
等貴金属めっきが施されていることもある。

しかしながら、このような従来のフィルムキャリアは第
３図に示すようにインナーリード２１へ半導体素子５を
ボンディングする時あるいはプリント基板９ヘアウター
リード２２を接合する時に半導体素子が接合されない側
（表側）の銅箔のめっき層が溶融して流れ出し、第４図
に示すように隣接するリード間を短絡させてしまうとい
う問題点を有していた。　この問題点を以下に具体的に
説明する。

まず、第２図に示すような、銅７ｉ３の両面に半ｒＪｌ
めっき（Ｓｎ９０％−Ｐｂ１０％）４がされているフィ
ルムキャリアのインナーリード（３２０ビン）２１に、
第５図に示すように、半導体素子５がボンディングツー
ル１４により一括ボンデインクされる場合について説明
する。　このホンディングは半導体素子５に設けられて
いる厚さ約２０Ｐの金のバンプ６とインナーリード２１
とが温度約５００℃のボンディングツール１４により押
圧されることによりなされろ。　即ち、このとき、イン
ナーリード２１およびバンプ６は１秒以内に２３０℃〜
２５０℃に達してＡｕ−５ｎ共晶温度（２３０℃）とな
り共晶接合される。　しかし、この時表側のｔａ　ｒｌ
ｉめっき層が流れ出し、第４図に示す様なインナーリー
ド間の短絡が生じてしまうという問題かある。　ところ
で、通常インナーリードのピッチは１５０−、リードと
リードのキャップは７５−であり、従来のフィルムキャ
リアの使用では、この１５０−のインナーリードのピッ
チが製品の信頼性確保の上で限界であった。

しかしながら近い将来、このピッチが半分に狭められる
見通しであり、そこで表側のめっきの流れ出しの問題が
益々クローズアップされる状況にある。

インナーリードの鋼箔が金めっきされているフィルムキ
ャリアについても同様な問題が生しる。　この場合、半
導体素子のバンブは錫あるいはＬ［［１で形成されてお
り、半導体素子のボンディングはインナーリードの金と
バンブの錫との共晶接合によるが、この際も表側の金め
つき層がＡｕ−５ｎ共晶反応により低温（２３０℃）で
流れ出してしまう場合（金穴われ現象）がある。

インナーリードか錫めっきされている場合には、錫は融
点か低く、しかも接合性に優れるため、上記の問題は一
層重大なものとなる。

めっき層の流れ出しの問題はアウターリードにおいても
同様であり、プリント基板実装メーカー（ＴＡＢテープ
のユーザー）が半導体素子がボンディングされたフィル
ムキャリアのアウターリードをプリント基板に半田（Ｓ
ｎ６０％−Ｐｂ４０％）により接続する際にリード間の
短絡が生じてしまう場合がある。

インナーリードに短絡が生じたフィルムキャリアはＴＡ
Ｂ実装置Ｃメーカーの方で電気チェックにより選別除外
できるが、アウターリードの短絡はＴＡＢテープのユー
ザーが高価な基板に実装してからの不良となるので大き
な問題となっている。

〈発明が解決しようとする問題点〉本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消しよう
とするものであって、リードの短絡が防止された信頼性
の高い半導体装置用フィルムキャリアを提供することに
ある。

く問題点を解決するための手段〉本発明者は上記のような従来技術に伴う問題点を解消す
べく鋭、０研究した結果、フィルムキャリアの半導体素
子が接合されない側（表側）のめっき層は、実際には第
３図に示１一様にプリント基板接合後に表面保護コート
１５が施されるので、まったく不要なものであること、
即ち、半導体素子５がボンディングされたフィルムキャ
リア１をプリント配線板９に半［１１付けし、表面保護
コート１５を施すまでの乾燥状態に留、０すれば銅箔の
銹による変色はまったく問題ないことを見出し、本発明
を完成させるに至った。

すなわち、本発明は可どう壮絶縁フィルム上に導体膜を
貼着し、所望のパターンのリードを形成してなる半導体
装置用フィルムキャリアに右いて、前記導体膜は、半導
体素子が接合される側の面にのみめっきが施されている
ことを特徴とする半導体装置用フィルムキャリアを提供
する。

また、本発明は可どう壮絶縁フィルム上に導体膜を貼着
し、所望のパターンのリードを形成してなる半導体装置
用フィルムキャリアにおいて、前記導体膜はその両面に
めっきが施されており、このめっきの半導体素子が接合
されない側の厚さは半導体素子が接合される側の厚さの
１／２以下であることを特徴とする半導体装置用フィル
ムキャリアを提供する。

上記の発明においては、前記めっきが、半田、錫および
金のいずれかのめつきであることが好ましい。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）　（ｂ）はそれぞれ、本発明の半導体装置
用フィルムキャリアｌの概略を表わす断面図、平面図で
ある。

同図において、フィルムｌＯは、ポリイミド樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル樹脂、可どう性エポキシ樹
脂等の樹脂類や、紙類等の可どう性、絶縁性を有する材
料で構成される。

また、フィルム１０には、中央部付近に半導体素子をマ
ウントするためのデバイスホール１１が形成されている
とともに、両側端に沿ってフィルム送りのギヤー（スプ
ロケット）がかみ込むためのスプロケットホール１３が
形成されている。　デバイスホール１１の周囲には、リ
ード２が互いに電気的に接続しないように形成されてお
り、各リードの先端のインナーリード２１は、フェイス
アップで位置合せして゛ｈ導体素子をボンディングする
ことができるようデバイスホール内に突出している。

本発明においては、このリード２として、半導体素子が
接合される側（′Ａ側）は従来のフィルムキャリアと同
様に銅箔等導体膜に厚さ０．５〜１．０−の半田、錫、
金等のめっき４が施されているが、その反対側（表側）
にはこれらのめっき層が施されていないものを使用する
ことが１「要である。　これによりフィルムキャリアへ
の半導体素子のボンディング時あるいは半導体素子がＪ
５　ｕされたフィルムキャリアのプリント基板への接合
時にリート上のめっきが流れ出し、リード間か短絡され
ることが解消される。　また、表側のめっきを施さない
分たけ製造コストが低くなる。　一方、半導体素子がボ
ンディングされたフィルムキャリアは、従来のフィルム
キャリアの使用と同様に半導体素子か流動性レジンによ
りポツティング封止され、さらにソルダーレジストによ
り表面保護コートが直ちに施されるので、表側のリート
表面、すなわち銅箔表面、が銹等により変色することは
ない。　但し、フィルムキャリアの製造環境により、あ
るいは表側にも配線用平田付けがなされる場合には、フ
ィルムキャリアの表側のリード面にも半ＩＩＩ、錫、金
等のめっきが施されていることが好ましい。　そこで、
このような場合には、表側のリードのめっき厚さを裏側
のめっき厚さの１／２以下、好ましくは０．３５ｐｍ以
Ｆとする。　これにより表側のリートのめっきの流れ出
しによるリード間の短絡が防止される。

このような本発明の半導体装置用フィルムキャリアの製
造は従来のフィルムキャリアの製造方法を応用して容易
に行うことができる。

すなわち、まずポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポ
リエステル樹脂、町どう性エポキシ樹脂等の樹脂類や１
紙類等の可どう性、絶縁性を有する材料で祷成されたフ
ィルムにディバイスホール、アウターリードホンディン
グホール、スプロケットホール等を所望形状に開「１す
る。

次に、このフィルムに厚さ１８〜３５戸の銅あるいはＣ
ｕ−Ｚｎ合金、Ｃｕ−３ｎ合金等銅系合金等の導体膜を
接着剤により貼着し、フォトエツチングによりリードを
形成する。　そして、必要に応してこのフィルムの裏面
の導体膜の一部または全部に無電解めっき、電気めっき
等の方法により、厚さ０．５〜１．０戸のｈ［Ｔ］、錫
、金等のめっき層を形成する。　−・方、フィルムの表
面の導体膜には必要によりめっき層が形成されないか、
あるいはフィルムの裏面のめっき厚さの１／２以下、好
ましくは０．３５−以下のめっき層が形成されるように
する。

フィルムの表側の導体膜にめっき層を形成しないように
するには、フィルムの裏側のめっきの際に、フォトエツ
チングにおけるフォトレジストを裏側は剥離しておくが
、表側は剥離しないでおき、裏側のめっき終了後に表側
のフォトレジストを剥離すればよい。　また、フィルム
の表側の導体１漠に裏側の坏以下の厚さでめっきを施す
には、電気めっきによる場合にはめっき槽において、裏
側の導体膜の対向面にのみ陽極を配置するか、ざらに、
電流遮蔽板を表側のめっきが少なくなるように設ければ
よい。

なお、導体膜をフィルムに貼着する前に予め導体膜のめ
っき層を形成しておき、それをフィルムに貼着し、フォ
トエツチングによりリード形成してもよい。

〈実施例〉以下゛、実施例により本発明を具体的に説明するか、本
発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１）Ｊ’Ｔさ１２５−１幅３５ｎ＋ｍのポリイミドフィルム
に５，４ｘ７．４ｍｍのデバイスホールおよび２．０ｍ
ｍＸ２０ｍｍのアウターリードボンディングホールを開
口させ、Ｊ７さ１８−の銅箔を貼付け、フォトエツチン
グにより３２０ビン（ヒ゛ツチｔｔｏ−）のリードのテ
ープを作った。

次にこのテープの裏側のインナーリード部のみに厚さ０
．５〜１．０ｐｍの無電解純錫めワきを施し、本発明の
半導体装置用フィルムキャリアを製造した。　なお、こ
の裏側のみのめっきはめっき時に、裏側のみフォトエツ
チングにおけるフォトレジストを剥離しておき、表側の
フォトレジストは銅箔に施されたままにし、めっき終了
後に表側のフォトレジストを剥離することにより行った
。

この半導体装置用フィルムキャリアのインナーリードに
半導体素子を常法によりボンディングツールで熱圧着し
、エポキシレシンによりボッティング封１１：、　ｌ／
、エポキシ系ソルターレシストインクにより表面保護コ
ートを施し、さらに所定の位置でフィルムを切断し、そ
の切断されたフィルムのアウターリードをプリント基板
に半田付けし、インナーリードおよびアウターリードの
短絡発生率を調べた。　また、リードの表側にめフきを
施さないことによる製造費用の節減類を算出した。

結果を第１表に示す。

（実施例２）純錫めっきを、裏側の銅箔に厚さ０．５〜１．０ｋＩｎ
、表側の銅箔に厚さ０．１〜０．２．ｍ電気めっきによ
り施す以外は実施例１と同様にして本発明の半導体装置
用フィルムキャリアを製造した。　なお、このようなめ
っきはめっき槽中に於いて、裏側対向面のみ陽極を配置
し、さらに表側へのめっきを最少にする様に電流遮蔽板
を取付けることにより達成した。

次に、実施例１と同様に短絡発生率を調べ、製造費用の
節減類を算出した。　結果を第１表に示す。

（実施例３）純錫めっきの代わりにＪゾさ０．５〜１．０−のゝｔ’
−１１１めっき（Ｓｎ９０％−Ｐｂ１０％）を電気めワ
きにより施す以外は実施例１と同様にして本発明の半導
体装置用フィルムキャリアを製造し、短絡発生率を調べ
、製造費用の節減類を算出した。　結果を第１表に示す
。

（実施例４）純錫めっきの代わりに厚さ０．５〜１．０＃１１ｎの金
めつきを電気めっきにより施す以外は実施例１と同様に
して本発明の半導体装置用フィルムキャリアを製造し、
短絡発生率を調べ、製造費用の節減類を算出した。　結
果を第１表に示す。

（実施例５）純錫めっきの代わりに半１１めっき（Ｓｎ９０％−Ｐｂ
１０％）を施す以外は実施例２と同様にして本発明の半
導体装置用フィルムキャリアを製造し、短絡発生率を調
べ、製造費用の節減類を算出した。　結果を第１表に示
す。

（比較例１）リードの両面に厚さ０．５〜１．０−の錫めっきが施さ
れている従来のフィルムキャリアに対して実施例１と同
様にして短絡発生率を調べ、製造費用の節減類を算出し
た。　結果を第１表に示す。

第　　１　　表〈効　果〉本発明によれば、フィルムキャリアの半導体素子の接合
されない側（表側）のリードにめっきが施さねていない
かあるいは半導体素子が接合される側（裏側）の坏以下
の厚さでめっきが施されているので、半導体素子のフィ
ルムキャリアへの熱圧着時あるいはフィルムキャリアの
プリント基板への半田等による接合時にリード上のめっ
きの流れ出しによるリード間短絡が防止される。　これ
により従来のリードのピッチが１５０−程度の半導体装
置用フィルムキャリアに加えてリードのピッチが７０−
程度のファインパターンの半導体装置用フィルムキャリ
アでも高い製品の信頼性で提供される。

また、リードの表側にめっきを施さないごとにより半導
体装置用フィルムキャリアの製造コストが節減される。

　特に、無電解めっきによりめっきを施す場合はめっき
液が非常に高価（３，０００￥７２以上）なので、電気
めっきの場合よりコストの節減効果が大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および第１図（ｂ）はそれぞわ本発明の゛
ト導体装置用フィルムキャリアの概略を示す断面図およ
び上面図である。第２図は従来の半導体装置用フィルムキャリアの概略を
示す断面図である。第３図は゛ト導体素子がポンディングされ、プリント基
板５板に接合されている従来の半導体装置用フィルムキ
ャリアの概略を示す断面図である。第４図はり一ト上のめっきの流れ出しによりリード間に
短絡か生じていることを概略的に示ず゛上面図である。第５図は従来の半導体装置用フィルムキャリアに判導体
素子が熱圧着されるところを示す概略図である。符号の説明１・・・フィルムキャリア、２・・・リード、２１−・・インナーリード、２２・・・アウターリード、３・・・銅箔、４・・・めっき、５・−ｒｌ′−環体素子、６・・・バンブ、７・・・ボッチインクレジン、８・・・アウターリード接合゛ト（口、９・・・プリン
ト基板、１０・・・フィルム、１１・・・デバイスホール、１２・・・アウターリートポンディングホール、１３・
・・スプロケットホール、１４・・・ポンディングツール、１５・・・表面保護コート特許出願人　　［１立電線株式会社代理人　弁理士　　渡　辺　望　稔ＦＩＧ、１ａＦＩＧ、１ｂＦＩＧ、２ＦｆＧ、３

Claims

【特許請求の範囲】

（１）可とう性絶縁フィルム上に導体膜を貼着し、所望
のパターンのリードを形成してなる半導体装置用フィル
ムキャリアにおいて、前記導体膜は、半導体素子が接合
される側の面にのみめっきが施されていることを特徴と
する半導体装置用フィルムキャリア。
（２）前記めっきが、半田、錫および金のいずれかのめ
っきであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の半導体装置用フィルムキャリア。
（３）可とう性絶縁フィルム上に導体膜を貼着し、所望
のパターンのリードを形成してなる半導体装置用フィル
ムキャリアにおいて、前記導体膜はその両面にめっきが
施されており、このめっきの半導体素子が接合されない
側の厚さは半導体素子が接合される側の厚さの１／２以
下であることを特徴とする半導体装置用フィルムキャリ
ア。
（４）前記めっきが、半田、錫および金のいずれかのめ
っきであることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記
載の半導体装置用フィルムキャリア。